JP6738313B2 - 電解質、太陽電池及び太陽電池モジュール - Google Patents
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光吸収層を有する光電極と、前記光電極に向かい合うように配置された対極とを備えた太陽電池の前記光電極と前記対極との間に介在して用いられる電解質であって、
有機配位子を有し銅が複数の価数を有する銅錯体と、窒素を1以上含み2環以上を有する複素環式化合物及び窒素を2以上有する単環の複素環式化合物のうち1以上の環式化合物と、アルカリ金属塩とを含むものである。
光吸収層を有する光電極と、
前記光電極に向かい合うように配置された対極と、
前記光電極と前記対極との間に介在する上述の電解質と、
を備えたものである。
本開示の電解質は、光吸収層を有する光電極と、光電極に向かい合うように配置された対極とを備えた太陽電池の光電極と対極との間に介在して用いられるものである。この電解質は、銅が複数の価数を有する銅錯体と、窒素を1以上含み2環以上を有する複素環式化合物及び窒素を2以上有する単環の複素環式化合物のうち1以上の環式化合物(以下、単に環式化合物とも称する)と、アルカリ金属塩とを含むものである。図1は、n型半導体層、有機色素、電解質のエネルギー準位の説明図である。銅錯体は、価電子帯の位置が従来の無機系p型半導体(例えばCuI)に比べてかなり深いため、n型半導体層である酸化チタンの伝導帯下端CBMと電解質の価電子端上端VBMとの差で決定される理論上の開放電圧(Voc)が高くなる利点がある。但し、銅錯体のみで太陽電池を構成すると、エネルギー障壁が存在すると推察され、出力が低下する(例えば0.3mW/m2など)。ここで、環式化合物と銅錯体とを複合化すると、このエネルギー障壁が解消され、出力が向上する(例えば610mW/m2など)。また、アルカリ金属塩が共存すると、環式化合物に相互作用し、太陽電池の耐久性が向上する。
本開示の太陽電池は、光吸収層を有する光電極と、光電極に向かい合うように配置された対極と、光電極と対極との間に介在する上述したいずれかの電解質と、を備えたものである。この光電極は、光吸収層で被覆されたn型半導体層(電子輸送層)を光透過導電性基板上に備えているものとしてもよい。図2は、太陽電池モジュール10の構成の概略の一例を示す断面図である。図2に示すように、本開示の太陽電池モジュール10は、光透過導電性基板14に複数の太陽電池40(以下セルとも称する)が順次配列した構成となっている。これらのセルは直列に接続されている。この太陽電池モジュール10では、各セルの間を埋めるように、シール材32が形成されており、光透過導電性基板14とは反対側のシール材32の面に平板状の保護部材34が形成されている。太陽電池40は、光吸収層とn型半導体層とを含む電子輸送層24を下地層22を介して光透過導電性基板14上に備えた光電極20と、光電極20に向かい合うように配置された対極30と、光電極20と対極30との間に介在する電解質層26と、セパレータ29とを備えている。光電極20は、光が透過する光透過基板11の表面に光が透過する光透過導電膜12が形成されている光透過導電性基板14と、光透過導電膜12に形成された電子輸送層24と、を備えている。電子輸送層24は、光透過基板11の受光面13の反対側の面に分離形成された光透過導電膜12に配設され受光に伴い電子を放出する層である。この太陽電池40は、電子輸送層24には、光を吸収する光吸収材が配設されている。
ルスルホニル)イミド(TFSI))と、N−ブチルベンズイミダゾール(NBBI)と、リチウム塩(リチウムビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド(LiTFSI))とを、以下の組合せでアセトニトリル(AcCN)に溶解し、得られた溶液をFTO基板上に滴下して、窒素中、大気圧で30分程度乾燥した(図6A)。基本的な配合比率は、銅錯体:NBBI:LiTFSIをモル比で0.25M:0.5M:0.2Mとし、溶媒0.5mLを加えた。作製した基板について、大気圧でのIP測定を行った。べき乗は0.3で測定した。また比較として銅錯体のみの粉末も測定した。試験例1は、銅錯体の粉末を95mgとした。試験例2は、銅錯体の粉末95mgを溶媒に溶解させて滴下した。試験例3は、銅錯体(95mg)にNBBI(43.7mg)を加えたものとした。試験例4は、銅錯体(95mg)とNBBI(43.7mg)とLi塩(28.7mg)とを含むものとした。
溶媒としてアセトニトリル(AcCN)を用いた。この溶媒に、銅錯体と、アルカリ金属塩としてのリチウムビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド(LiTFSI)又はリチウムビス(フルオロスルホニル)イミド(LiFSI)と、環式化合物としてN−ブチルベンズイミダゾール(NBBI)又は4−tert−ブチルピリジン(TBP)とを所定のモル比率となるようを加え、電解質(電解液)を得た。銅錯体は、1価の銅錯体として、銅(I)ビス(2,9−ジメチル−1,10−フェナントロリン)ビス(トリフルオロメチルスルフォニル)イミド(Cu(dmp)2TFSI)を用い、2価の銅錯体として、銅(II)ビス(2,9−ジメチル−1,10−フェナントロリン)ビス[ビス(トリフルオロメチルスルフォニル)イミド](Cu(dmp)2(TFSI)2)を用い、銅全体に対する2価の銅のモル比率Xが0≦X≦0.2の範囲、且つ全体で0.25Mとなるように溶媒へ加えた。また、銅錯体のモル数に対する環式化合物のモル数であるモル比率Yが0.2となるように環式化合物を溶媒へ加えた。また、銅錯体のモル数に対するアルカリ金属塩のモル数であるモル比率Zが0≦Z≦0.2となるようにアルカリ金属塩を溶媒へ加えた。
透明導電膜(SnO2)の電極上に、原子層堆積法で緻密TiO2膜(10nm)を形成し、酸化チタン粒子(粒子径:数10nm〜400nm)を印刷し、500℃で焼結後、チタン化合物(四塩化チタン水溶液)中に浸漬させ、更に500℃で加熱することによりTiO2電極(光電極)を作製した。ルチル型TiO2層のセパレータを印刷後、その上に炭素電極を積層し、シールで固定させ、3層構造電極を得た。また、赤色系有機色素(化学式(19)の色素)を光電極に吸着させ、上記作製した電解質を充填させ、溶媒を除去することにより、3層構造型の色素増感型太陽電池を作製した。
銅錯体における銅全体に対する2価の銅のモル比率X(2価/(1価+2価))を0とし、NBBIを用い銅錯体のモル数Mcに対する環式化合物のモル数Mbの比率であるモル比率Y(Mb/Mc)を2.0とし、LiTFSIを用い銅錯体のモル数Mcに対するアルカリ金属塩のモル数Maの比率であるモル比率Z(Ma/Mc)を0.2としたセルを実験例1とした。また、モル比率Zを0.4とした以外は実験例1と同様に作製したセルを実験例2とした。また、モル比率Zを0.8とした以外は実験例1と同様に作製したセルを実験例3とした。また、モル比率Zを2.0とした以外は実験例1と同様に作製したセルを実験例4とした。
アルカリ金属塩としてLiFSIを用いた以外は実験例2と同様に作製したセルを実験例5とした。また、モル比率Zを0.8とした以外は実験例5と同様に作製したセルを実験例6とした。
モル比率Xを0.2とした以外は実験例2と同様に作製したセルを実験例7とした。
環式化合物としてTBPを用いた以外は実験例2と同様に作製したセルを実験例8とした。また、アルカリ金属塩を用いずモル比率Zを0とした以外は実験例1と同様に作製したセルを実験例9とした。
光を照射しない暗所60℃で保持した太陽電池の太陽電池特性を評価した。暗所での放置は、実験例1〜9を用いて1000hまで行った。測定結果は、暗所高温耐久後の測定値を初期値で除算して100を乗算し、維持率として求めた。
図8は、実験例1〜9の太陽電池の初期の相対出力密度の測定結果である。初期の相対出力密度は、実験例8を100%に規格化した結果を示した。図9は、実験例1〜9の60℃での暗所高温耐久後の出力密度維持率(%)の測定結果である。図10は、実験例1〜9の60℃での暗所高温耐久後の短絡電流密度Jsc維持率(%)の測定結果である。図11は、実験例1〜9の60℃での暗所高温耐久後の形状因子FF維持率(%)の測定結果である。図12は、実験例1〜9の60℃での暗所高温耐久後の開放電圧Voc維持率(%)の測定結果である。また、実験例1〜9の銅錯体のモル比率X、環式化合物のモル比率Y、アルカリ金属塩のモル比率Z、初期相対出力密度、60℃暗所耐久後の出力維持率(%)、Jsc維持率(%)、FF維持率(%)、Voc維持率(%)を表1にまとめた。
Claims (10)
- 光吸収層を有する光電極と、前記光電極に向かい合うように配置された対極とを備えた太陽電池の前記光電極と前記対極との間に介在して用いられる電解質であって、
有機配位子を有し銅が複数の価数を有する銅錯体と、窒素を1以上含み2環以上を有する複素環式化合物及び窒素を2以上有する単環の複素環式化合物のうち1以上の環式化合物と、アルカリ金属塩とを含み、
前記アルカリ金属塩は、前記銅錯体のモル数に対する該アルカリ金属塩のモル数であるモル比率Zが0.8≦Z≦2.0の範囲内にあり、
前記アルカリ金属塩は、カチオンとしてリチウムイオン、ナトリウムイオン及びカリウムイオンのうち1以上を含み、アニオンとしてビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド及びビス(フルオロスルホニル)イミド、ヘキサフルオロリン酸及びテトラフルオロホウ酸のうち1以上を含む、電解質。 - 前記銅錯体は、化学式(1)〜(10)のうちいずれか1以上である、請求項1に記載の電解質。
- 前記銅錯体は、銅全体に対する2価の銅のモル比率Xが0≦X<0.2の範囲内にある、請求項1又は2に記載の電解質。
- 前記銅錯体に対する前記環式化合物のモル比率Yが0.4≦Y≦4の範囲内である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の電解質。
- 前記環式化合物は、イミダゾール構造、ピリジン構造、ピリミジン構造、オキサゾール構造及びチアゾール構造のうち1以上を有する、請求項1〜4のいずれか1項に記載の電解質。
- 前記環式化合物は、化学式(11)〜(18)のうちいずれか1以上である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の電解質。
- 光吸収層を有する光電極と、
前記光電極に向かい合うように配置された対極と、
前記光電極と前記対極との間に介在する請求項1〜6のいずれか1項に記載の電解質と、
を備えた太陽電池。 - 前記光電極は、有機色素、金属錯体及び有機ハロゲン化金属化合物のうち1以上を含む前記光吸収層を有する、請求項7に記載の太陽電池。
- 前記光電極は、前記光吸収層で被覆されたn型半導体層を光透過導電性基板上に備えている、請求項7又は8に記載の太陽電池。
- 請求項7〜9のいずれか1項に記載の太陽電池を複数備えている、太陽電池モジュール。
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