JP6731634B2 - プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 - Google Patents
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Description
また、本発明は、処理室と、前記処理室に設けられる電極部と、前記電極部に高周波電力を印加することにより、前記処理室内でプラズマを発生させる高周波電源部と、を備え、前記電極部に処理対象物を載置して、前記処理対象物の表面をエッチングするプラズマ処理装置であって、さらに、前記処理室内で発生するプラズマ放電の状態を、電位として検出する放電検出センサと、前記放電検出センサで検出された前記電位を信号として取得し、解析する信号解析部と、を備え、前記信号解析部は、プラズマ処理の開始後、所定のサンプリング期間内における前記信号の絶対値の平均値を算出し、記憶するステップを順次繰り返すとともに、算出された最新の第N(N≧2)サンプリング期間の前記絶対値の第N平均値と、前記第Nサンプリング期間以前の直近の第N−n(1≦n<N)サンプリング期間の前記絶対値の第N−n平均値と、を比較し、前記第N−n平均値に対する前記第N平均値の増減率が所定の割合を超えた場合に、異常放電が発生したと判断する第1の異常判定機能を備え、前記nが1〜3であり、前記信号解析部は、前記第N平均値と、第N−1平均値、第N−2平均値および第N−3平均値とを、順次比較する、プラズマ処理装置に関する。
また、本発明は、処理室と、前記処理室に設けられる電極部と、前記電極部に高周波電力を印加することにより、前記処理室内でプラズマを発生させる高周波電源部と、前記処理室内で発生するプラズマ放電の状態を、電位として検出する放電検出センサと、前記放電検出センサで検出された前記電位を信号として取得し、解析する信号解析部と、を備えるプラズマ処理装置を用いて、前記電極部に載置された処理対象物の表面をエッチングするプラズマ処理方法であって、前記処理室内で前記プラズマを発生させるプラズマ発生工程と、前記プラズマ発生工程の後、前記信号解析部が、異常放電が発生したかどうかを判定する第1の異常判定工程と、を備え、前記第1の異常判定工程が、所定のサンプリング期間内における前記信号の絶対値の平均値を算出し、記憶するステップを順次繰り返す工程と、算出された最新の第N(N≧2)サンプリング期間の前記絶対値の第N平均値と、前記第Nサンプリング期間以前の直近の第N−n(1≦n<N)サンプリング期間の前記絶対値の第N−n平均値と、を比較する工程と、前記第N−n平均値に対する前記第N平均値の増減率が所定の割合を超えた場合に、異常放電が発生したと判断する工程と、を備え、前記nが1〜3であり、前記第1の異常判定工程において、前記第N平均値と、第N−1平均値、第N−2平均値および第N−3平均値とを、順次比較する、プラズマ処理方法に関する。
プラズマ処理装置は、処理室と、処理室に設けられ、処理対象物が載置される電極部と、電極部に高周波電力を印加する高周波電源部と、を備える。処理室にプラズマ発生用ガスを供給し、電極部に第1の高周波電力を印加すると、処理室内にプラズマが発生する。発生したプラズマにより、電極部に載置された処理対象物の表面はエッチングされる。プラズマ処理装置は、さらに、処理室内で発生するプラズマ放電の状態を、電位として検出する放電検出センサと、放電検出センサで検出された電位を取得し、解析する信号解析部と、を備える。
放電検出センサ160を、図2を参照しながら説明する。
放電検出センサ160は、誘電体部材161およびプローブ電極ユニット162を備える。放電検出センサ160は、支持部材170によって蓋部102の外側(処理室103aとは反対側)に固定されている。誘電体部材161は平板状であって、一方の面は処理室103aに面しており、他方の面はプローブ電極ユニット162を構成するプローブ電極162bに対向している。誘電体部材161の材質は、例えば光学的に透明なガラスである。支持部材170の材質は導電性であれば特に限定されず、例えば金属である。
信号記録部150を、図3を参照しながら説明する。
信号記録部150は、増幅装置(AMP151)とA/D変換器(A/D152)とメモリ153とを備えている。AMP151は、検出導線162dを介して伝達されるプローブ電極162bの電位変化を増幅する。A/D152は、AMP151により増幅された電位変化の信号をA/D変換する。A/D変換された電位変化を示すデジタル信号は、制御部120の書き込み制御に従ってメモリ153に一時的に記録される。メモリ153に一時的に記録されたデジタル信号は、制御部120からのクリア指令に従って消去される。
引き続き図3を参照しながら、制御部120について説明する。
制御部120は、信号解析部121、タイマA122A、タイマB122B、処理時間計測部123および装置制御部124を備える。信号解析部121は、信号記録部150のメモリ153に記録されたデジタル信号を参照および解析して、処理室103a内におけるプラズマ放電の状態を示す指標データを抽出する。信号解析部121がメモリ153のデジタル信号を参照するインターバルは極めて短い時間であるため、指標データは、プラズマ放電の状態をほぼリアルタイムで示す。そのため、不具合発生への適切な対処方法やメンテナンスの要否をリアルタイムに判定することができる。
さらに図3を参照しながら、装置制御部124について説明する。
装置制御部124は、放電状態監視機能1241、処理履歴記憶部1242、リトライ機能1243、累積プラズマ処理機能1244、メンテナンス判定機能1245を備えている。すなわち、装置制御部124は、上記した通常の動作制御機能に加えて、信号解析部121によって抽出された指標データを監視して、処理室103a内のプラズマ放電の状態を判定し、当該プラズマ処理の再設定を行う。指標データの監視は、放電状態監視機能1241によって実行される。プラズマ放電の状態の判定およびプラズマ処理の再設定は、リトライ機能1243、累積プラズマ処理機能1244およびメンテナンス判定機能1245によって実行される。
以下、図4を参照しながら、本実施形態に係るプラズマ処理装置100を用いた放電状態監視処理について説明する。図4は、放電状態監視処理のメインフローを示すフローチャートである。
まず、放電状態監視処理の開始に先立って、初期監視期間Taおよび設定処理期間Tbがそれぞれ、タイマA122AまたはB122Bに設定(初期設定)される。次いで、カウント値N1、N2、N3、N4、N5、N6をリセットするとともに、処理時間計測部123をリセットする。カウント値N4、N5、N6は、メンテナンス判定機能1245、累積プラズマ処理機能1244およびリトライ機能1243に、それぞれ内部機能として設けられているカウンタ(図示せず)によってカウントされる値である。この後、プラズマ処理装置100は待機状態となり、放電状態の監視処理が開始される。
まず、初期監視期間Taが経過するまでの間、信号解析部121の放電開始波検出部1211によって、波形W1の検出および波形W1のカウントが行われる(ST3)。波形W1の検出のアルゴリズムについては、後述する。その後、初期監視期間Taの経過を確認して(ST4)、波形W1のカウント値N1が1以上であるか否かが判断される(ST5)。カウント値N1<1である場合、プラズマ放電は正常に開始されていないと判断され、後述するリトライ処理に進む(ST20)。
図5に、放電検出センサ160によって検出される電位変化の典型的な波形パターンを示す。波形パターンには、プラズマ放電の開始および不正常放電(異常放電)の発生が示される。図5は、プラズマ処理装置の運転開始から運転終了に至るまでの過程において検出される複数の波形パターンを示している。図6は、第1の異常放電の典型的な波形W2を拡大して示すグラフである。図7(a)は、放電開始波(波形W1)および第2の放電異常を示す波形W3を検出するためのアルゴリズムを説明するグラフである。図7(b)は、微小アーク放電を示す波形W4を検出するためのアルゴリズムを説明するグラフである。
初期監視期間Taでは、電位が正負両側に大きく振れた後に定常値に戻る波形W1を検出する。波形W1は、高周波電源部119から電極部105への電力印加が開始され、処理室103a内にプラズマ放電が発生した際に生じる放電開始波として特有の波形パターンである。波形W1の検出は、放電開始波検出部1211によって行われる。放電開始波検出部1211は、メモリ153に格納された初期監視期間Taにおけるデジタル信号の中で、第1の閾値V1(+)を超えるデジタル信号を波形W1として検出する。具体的には、図7(a)に示すように、放電開始波検出部1211は、初期監視期間Taにおいて、予め設定されたサンプリング時間Δt毎の電圧値をメモリ153から読み取り、v(t)<V1(+)<v(t+Δt)を満たすことが確認されるたびに、対応するカウンタを歩進させる。カウント結果はカウント値N1として装置制御部124に通知される。カウント値N1が規定値L1を下回ると判断されると、リトライ処理(ST20)のために参照される。通常、規定値L1=1である。
初期監視期間Ta経過後、設定処理期間Tbの経過中においては、異常放電の有無が監視される。異常放電には、処理室103aの内部状態の変化によって生じる微小な電位の変化を伴う放電(第1の異常放電)、電極部105上に載置された処理対象物109と電極部105との間に生じる不正常な放電(第2の異常放電)、および、微小アーク放電等があり、ここではこれらの異常放電が監視の対象となる。以下、各異常放電を検出するために、それぞれ異なるアルゴリズムを用いる場合を説明するが、これに限定されない。例えば、本実施形態の特徴である第1の異常放電を検出するためのアルゴリズムを用いて、第1の異常放電だけでなく、第2の異常放電および微小アーク放電を検出してもよい。
第1の異常放電とは、処理室103aの内部状態の変化によって生じる微小な電位の変化を伴う放電である。処理室103aの内部状態の変化は、例えば、プラズマ処理が進行することにより生じる。第1の異常放電が生じた際の波形W2は、図6に示すように、電位が正負両側に小さく振れる動きを繰り返した後、定常値に戻るパターンを描く。
まず、放電状態監視処理の開始に先立って、設定処理期間Tbより短いサンプリング時間Tdが、対応するタイマCに設定(初期設定)される。サンプリング時間Tdには、Ntd1個のデータが含まれる。Ntd1個は、例えば、100〜500程度である。次いで、メモリ153をONして、読み込みおよび書き込み可能な状態とするとともに、タイマCによる第1サンプリング時間Td1の計時が開始される(ST611)。続いて、第1サンプリング時間Td1の経過を確認して(ST612)、メモリ153に一時的に記憶されたデータを読み出す(ST613(i))。
式(1−1):Vtave>Vtaveold1×R
式(1−2):Vtaveold1>Vtave×R
式(2−1):Vtave>Vtaveold2×R
式(2−2):Vtaveold2>Vtave×R
式(3−1):Vtave>Vtaveold3×R
式(3−2):Vtaveold3>Vtave×R
第2の異常放電とは、電極部105上に載置された処理対象物109と電極部105との間に生じる不正常な放電であり、処理対象物109と絶縁層107との間に隙間が生じている場合などに生じる。第2の異常放電が生じた際の波形W3は、図5に示すように、波形W1と同様に電位が正負両側に大きく振れた後、定常値に戻るパターンを描く。
微小アーク放電とは、処理室103a内において電極部105等の高周波電圧が印加される部分と、接地されたベース部101との間に生じる微小な放電である。微小アーク放電は、ベース部101の開口部101a、ガイド部材108等の絶縁性が低下することにより生じる。絶縁性の低下は、プラズマ処理によって発生した異物が付着し、堆積することによって生じる。特に、ガイド部材108の側面や開口部101aの内側面等、プラズマによる付着異物の再除去効果が及びにくい部分には、プラズマ処理によって処理対象物109から除去された樹脂や金属の微細粒子が付着し、堆積しやすい。その結果、これらの部位の絶縁性が低下して、接地されたベース部材1との間で微小アーク放電が発生する。微小アーク放電が生じた際の波形W4は、図5に示すように、電位が負側(放電特性によっては正側)に小さく振れた後、定常値に戻るパターンを描く。
リトライ処理(ST20)について、図11を参照しながら説明する。リトライ処理は、プラズマ放電が正常に開始しない場合(通常、波形W1が1回以上カウントされない(N1=0)場合)に行われる処理であり、リトライ機能1243によって、放電開始動作を反復実行するか否かが判定される。
再処理(累積プラズマ処理)について、図12を参照しながら説明する。累積プラズマ処理は、プラズマ放電が正常に開始された後、異常放電が検出された場合に行われる処理であり、累積プラズマ処理機能1244によって、同一の処理対象物109に対するプラズマ処理を再開するか否かが判定される。
メンテナンス判定処理(ST40)について、図13を参照しながら説明する。メンテナンス判定処理では、メンテナンス判定機能1245によって、処理室103a内の異物の付着および堆積に対する対策の要否が判定される。
101:ベース部
101a:開口部
101b:貫通孔
102:蓋部
102a:開口部
103:真空チャンバ
103a:処理室
104:シール部材
105:電極部
106:絶縁部材
107:絶縁層
108:ガイド部材
109:処理対象物
110:接地部
111:管路
112:ベントバルブ
113:ガス供給バルブ
114:真空バルブ
115:真空計
116:ガス供給部
117:真空ポンプ
118:整合器
119:高周波電源部
120:制御部
121:信号解析部
1211:放電開始波検出部
1212:第1の異常放電検出部
1213:第2の異常放電検出部
1214:微小アーク放電検出部
122A:タイマA
122B:タイマB
123:処理時間計測部
124:装置制御部
1241:放電状態監視機能
1242:処理履歴記憶部
1243:リトライ機能
1244:累積プラズマ処理機能
1245:メンテナンス判定機能
130:表示部
140:入力部
150:信号記録部
151:AMP
152:A/D
153:メモリ
160:放電検出センサ
161:誘電体部材
162:プローブ電極ユニット
162a:ガラス板、162b:プローブ電極、162c:シールド電極
170:支持部材
Claims (6)
- 処理室と、
前記処理室に設けられる電極部と、
前記電極部に高周波電力を印加することにより、前記処理室内でプラズマを発生させる高周波電源部と、を備え、
前記電極部に処理対象物を載置して、前記処理対象物の表面をエッチングするプラズマ処理装置であって、
さらに、
前記処理室内で発生するプラズマ放電の状態に応じた電位が誘起されるプローブ電極を備え、前記プローブ電極の電位を検出する放電検出センサと、
前記放電検出センサで検出された前記電位を信号として取得し、解析する信号解析部と、を備え、
前記信号解析部は、
プラズマ処理の開始後、所定のサンプリング期間内における前記信号の絶対値の平均値を算出し、記憶するステップを順次繰り返すとともに、
算出された最新の第N(N≧2)サンプリング期間の前記絶対値の第N平均値と、前記第Nサンプリング期間以前の直近の第N−n(1≦n<N)サンプリング期間の前記絶対値の第N−n平均値と、を比較し、
前記第N−n平均値に対する前記第N平均値の増減率が所定の割合を超えた場合に、異常放電が発生したと判断する第1の異常判定機能を備え、
前記nが1〜3であり、
前記信号解析部は、
前記第N平均値と、第N−1平均値、第N−2平均値および第N−3平均値とを、順次比較する、プラズマ処理装置。 - 前記信号解析部は、さらに、前記電位の絶対値が所定の閾値を超えた場合に、異常放電が発生したと判断する第2の異常判定機能を備える、請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 処理室と、
前記処理室に設けられる電極部と、
前記電極部に高周波電力を印加することにより、前記処理室内でプラズマを発生させる高周波電源部と、を備え、
前記電極部に処理対象物を載置して、前記処理対象物の表面をエッチングするプラズマ処理装置であって、
さらに、
前記処理室内で発生するプラズマ放電の状態を、電位として検出する放電検出センサと、
前記放電検出センサで検出された前記電位を信号として取得し、解析する信号解析部と、を備え、
前記信号解析部は、
プラズマ処理の開始後、所定のサンプリング期間内における前記信号の絶対値の平均値を算出し、記憶するステップを順次繰り返すとともに、
算出された最新の第N(N≧2)サンプリング期間の前記絶対値の第N平均値と、前記第Nサンプリング期間以前の直近の第N−n(1≦n<N)サンプリング期間の前記絶対値の第N−n平均値と、を比較し、
前記第N−n平均値に対する前記第N平均値の増減率が所定の割合を超えた場合に、異常放電が発生したと判断する第1の異常判定機能を備え、
前記nが1〜3であり、
前記信号解析部は、
前記第N平均値と、第N−1平均値、第N−2平均値および第N−3平均値とを、順次比較する、プラズマ処理装置。 - 処理室と、
前記処理室に設けられる電極部と、
前記電極部に高周波電力を印加することにより、前記処理室内でプラズマを発生させる高周波電源部と、
前記処理室内で発生するプラズマ放電の状態に応じた電位が誘起されるプローブ電極を備え、前記プローブ電極の電位を検出する放電検出センサと、
前記放電検出センサで検出された前記電位を信号として取得し、解析する信号解析部と、を備えるプラズマ処理装置を用いて、前記電極部に載置された処理対象物の表面をエッチングするプラズマ処理方法であって、
前記処理室内で前記プラズマを発生させるプラズマ発生工程と、
前記プラズマ発生工程の後、前記信号解析部が、異常放電が発生したかどうかを判定する第1の異常判定工程と、を備え、
前記第1の異常判定工程が、
所定のサンプリング期間内における前記信号の絶対値の平均値を算出し、記憶するステップを順次繰り返す工程と、
算出された最新の第N(N≧2)サンプリング期間の前記絶対値の第N平均値と、前記第Nサンプリング期間以前の直近の第N−n(1≦n<N)サンプリング期間の前記絶対値の第N−n平均値と、を比較する工程と、
前記第N−n平均値に対する前記第N平均値の増減率が所定の割合を超えた場合に、異常放電が発生したと判断する工程と、を備え、
前記nが1〜3であり、
前記第1の異常判定工程において、前記第N平均値と、第N−1平均値、第N−2平均値および第N−3平均値とを、順次比較する、プラズマ処理方法。 - 前記プラズマ発生工程の後、前記信号解析部が、前記電位の絶対値が所定の閾値を超えた場合に異常放電が発生したと判断する、第2の異常判定工程を備える、請求項4に記載のプラズマ処理方法。
- 処理室と、
前記処理室に設けられる電極部と、
前記電極部に高周波電力を印加することにより、前記処理室内でプラズマを発生させる高周波電源部と、
前記処理室内で発生するプラズマ放電の状態を、電位として検出する放電検出センサと、
前記放電検出センサで検出された前記電位を信号として取得し、解析する信号解析部と、を備えるプラズマ処理装置を用いて、前記電極部に載置された処理対象物の表面をエッチングするプラズマ処理方法であって、
前記処理室内で前記プラズマを発生させるプラズマ発生工程と、
前記プラズマ発生工程の後、前記信号解析部が、異常放電が発生したかどうかを判定する第1の異常判定工程と、を備え、
前記第1の異常判定工程が、
所定のサンプリング期間内における前記信号の絶対値の平均値を算出し、記憶するステップを順次繰り返す工程と、
算出された最新の第N(N≧2)サンプリング期間の前記絶対値の第N平均値と、前記第Nサンプリング期間以前の直近の第N−n(1≦n<N)サンプリング期間の前記絶対値の第N−n平均値と、を比較する工程と、
前記第N−n平均値に対する前記第N平均値の増減率が所定の割合を超えた場合に、異常放電が発生したと判断する工程と、を備え
前記nが1〜3であり、
前記第1の異常判定工程において、前記第N平均値と、第N−1平均値、第N−2平均値および第N−3平均値とを、順次比較する、プラズマ処理方法。
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