JP2023128958A - プラズマ電位測定装置およびプラズマ電位測定方法 - Google Patents

Abstract

【課題】プラズマ処理装置において生成されるプラズマの状態を高精度に検出する。【解決手段】プラズマ電位測定装置は、チャンバ内に生成されるプラズマＰと対向して配置され、プラズマの電位に対応する電荷が誘起される検出電極１６２ｂと、プラズマＰと反対側で、検出電極１６２ｂと対向する第１の電極１６２ｃと、検出電極１６２ｂと第１の電極１６２ｃとの間に介在する第１絶縁部材１６２ａと、を備える。第１の電極１６２ｃは、検出電極１６２ｂと仮想短絡されている。【選択図】図４

Description

本発明は、プラズマ電位測定装置およびプラズマ電位測定方法に関する。

電子部品や回路基板を製造する様々な工程において、処理室内でプラズマを発生させて、処理対象物の表面をエッチングするプラズマ処理装置が用いられている。処理室内でプラズマ放電が正常に起こっているかどうかを判断するために、処理室の側壁にプラズマ電位測定用のプローブ電極を設けた構成がある。プローブ電極は、プラズマ放電の変化に応じて誘発される電荷または電位を検出する。

例えば、特許文献１では、プラズマに対向する面の少なくとも一部に開口部が設けられた導電性支持部材と、導電性支持部材の開口部に設置された誘電体部材とを有し、誘電体部材の片側表面にプローブ電極を設けてなる窓型プローブが提案されている。

プローブ電極の電荷または電位は、通常、アナログ－デジタル変換器（ＡＤＣ）によりデジタル値に変換され、デジタル値の時系列データを数学的処理することにより、異常放電が発生したか否かが判定される。

特許第３７７３１８９号明細書

特許文献１では、プローブ電極の背面側（プラズマに対向しない側）は、絶縁膜で覆われており、さらに、プローブ電極を電磁的にシールドするためのＩＴＯシールド電極が、絶縁膜を覆っている。この場合、プローブ電極とＩＴＯシールド電極との間に背面容量が形成され得る。この背面容量により、プローブ電極の電位が変動を受けるため、プラズマによる電位の検出感度が低下することがある。

本発明の一局面は、チャンバ内に生成されるプラズマと対向して配置され、前記プラズマの電位に対応する電荷が誘起される検出電極と、前記プラズマと反対側で、前記検出電極と対向する第１の電極と、前記検出電極と前記第１の電極との間に介在する第１絶縁部材と、を備え、前記第１の電極は、前記検出電極と仮想短絡されている、プラズマ電位測定装置に関する。

本発明の他の一局面は、チャンバ内に生成されるプラズマと対向して配置され、前記プラズマの電位に対応する電荷が誘起される検出電極と、前記プラズマと反対側で前記検出電極と対向する第１の電極と、前記検出電極と前記第１の電極との間に介在する第１絶縁部材と、を備えるプラズマ電位測定装置において、前記第１の電極を前記検出電極と仮想短絡した状態で、前記プラズマにより前記検出電極に誘起された電荷または電位を測定する、プラズマ電位測定方法に関する。

本発明によれば、チャンバ内のプラズマの状態を精度よく検出することができる。

本発明の実施形態に係るプラズマ電位測定装置および測定方法で用いられるプラズマ処理装置の一例の概略構造を断面で示す概念図である。 本発明の実施形態に係るプラズマ電位測定装置の要部の一例を断面で示す概念図である。 プラズマ電位測定装置内に設けられる検出回路の構成の一例を示す回路図である。 本発明の実施形態に係るプラズマ電位測定装置の要部の他の例を断面で示す概念図である。

本発明の一実施形態に係るプラズマ電位測定装置は、チャンバ内に生成されるプラズマと対向して配置され、プラズマの電位に対応する電荷が誘起される検出電極（以降において「プローブ電極」とも呼ばれる）と、プラズマと反対側で、検出電極と対向する第１の電極と、検出電極と第１の電極との間に介在する第１絶縁部材と、を備える。

検出電極は、プラズマと容量結合しており、検出電極には、プラズマの状態に応じた電位および電荷が誘起される。よって、検出電極の電位または電荷を測定することにより、プラズマの状態を検知することができる。

第１の電極は、検出電極をチャンバ外からの電磁波からシールドするとともに、チャンバ内の電磁波が外に漏れないようにシールドする働きを有し得る。しかしながら、第１の電極は、第１絶縁部材を介して検出電極と対向しているため、第１の電極および検出電極の間に背面容量が形成される。背面容量が存在する場合、プラズマの状態の変化に伴い、検出電極に蓄積された電荷が背面容量に移動したり、または、背面容量に蓄積された電荷が検出電極に移動したりして、検出電極と背面容量との間で電荷の再分配が生じることがある。この結果、背面容量または検出電極に移動した電荷の分だけ、プラズマの状態の検出精度が低下することがある。

第１の電極は、検出電極と仮想短絡されている。これにより、検出電極に流れる電流および電位を、背面容量の影響を受けることなく測定することができ、プラズマの状態の測定精度が向上する。

ここで、第１の電極が検出電極と仮想短絡されているとは、検出電極の電位変動に対して、第１の電極の電位が検出電極と同電位となるように制御されることを意味する。しかしながら、通常の短絡とは異なり、検出電極から第１の電極に向かって、あるいは第１の電極から検出電極に向かって電流が流れ込むわけでは必ずしもなく、検出電極に流れる電流は、第１の電極に流れる電流とは独立に制御され得る。仮想短絡は、例えば、検出電極と第１の電極との間にオペアンプ回路を介在させることにより実現できる。

仮想短絡の方法としては、検出電極および第１の電極の電位および電流が上記の通り制御されるものであれば、任意の回路構成を採用できる。例えば、一般的なオペアンプ回路は、複数のトランジスタを組み合わせて構成されたカレントミラー回路を含んでいる。一般なオペアンプ回路として市販されているＩＣチップを用いてもよい。

プラズマ電位測定装置は、検出電極と反対側で、第１の電極と対向する第２の電極をさらに備えてもよい。第１の電極と第２の電極との間には、第２絶縁部材が介在している。第２絶縁部材は、第１誘電部材と同一の材料であってもよい。第２の電極は、検出電極および第１の電極をチャンバ外からの電磁波からシールドするとともに、チャンバ内の電磁波が外に漏れないようにシールドする働きを有する。第２の電極には、一定の電圧が印加されていてもよい。例えば、第２の電極に印加される電圧は、チャンバの側壁に印加される電圧と同じであってもよく、接地電圧であってもよい。

本発明の一実施形態に係るプラズマ電位検出方法は、チャンバ内に生成されるプラズマと対向して配置され、プラズマの電位に対応する電荷が誘起される検出電極と、プラズマと反対側で検出電極と対向する第１の電極と、検出電極と第１の電極との間に介在する第１絶縁部材と、を備えるプラズマ電位測定装置において、第１の電極を検出電極と仮想短絡した状態で、プラズマにより検出電極に誘起された電荷または電位を測定する。これにより、検出電極に流れる電流および電位を、背面容量の影響を受けることなく測定することができる。上記プラズマ電位検出方法において、プラズマ電位測定装置が、検出電極と反対側で第１の電極と対向する第２の電極と、第１の電極と第２の電極との間に介在する第２誘電部材と、をさらに備えてもよい。

以下に、本実施形態のプラズマ電位検出装置およびプラズマ電位検出方法について、検出対象であるプラズマを生成するプラズマ処理装置の具体例と併せて、図面を参照して詳細に説明する。

（プラズマ処理装置）
プラズマ処理装置は、処理室と、処理室に設けられ、処理対象物が載置される電極部と、電極部に高周波電力を印加する高周波電源部と、を備える。処理室にプラズマ発生用ガスを供給し、電極部に高周波電力を印加すると、処理室内にプラズマが発生する。発生したプラズマは、例えば、電極部に載置された処理対象物の表面のエッチングに用いられ得る。プラズマ処理装置には、プラズマ電位を検出するための検出回路が接続されている。検出回路の出力は、信号解析部と接続している。信号解析部は、検出回路の出力に基づいてプラズマ電位を検出し、検出されたプラズマ電位に基づき、生成されたプラズマが正常か否かを判定する。

図１は、プラズマ電位の検出対象であるプラズマが生成されるプラズマ処理装置１００の概略構造を断面で示す概念図である。処理室１０３ａは、水平なベース部１０１と、蓋部１０２とにより構成される真空チャンバ１０３を密閉状態にすることにより形成される。蓋部１０２は、昇降手段（図示せず）によって昇降自在に配設されている。蓋部１０２が下降して、ベース部１０１の上面に当接することにより、真空チャンバ１０３は密閉状態になる。このとき、蓋部１０２とベース部１０１との間にはシール部材１０４が介在しており、これによって、処理室１０３ａの密閉状態が担保される。処理室１０３ａでは、処理対象物１０９がプラズマ処理される。ベース部１０１には開口部１０１ａが設けられており、開口部１０１ａを塞ぐように、絶縁部材１０６を介して電極部１０５が嵌め込まれている。電極部１０５の上面は、絶縁層１０７で覆われている。絶縁層１０７の上面には、処理対象物１０９を位置決めするためのガイド部材１０８が配置されている。

ベース部１０１の開口部１０１ａの周縁には、貫通孔１０１ｂが形成されている。貫通孔１０１ｂには、管路１１１が挿入されており、管路１１１には、ベントバルブ１１２、ガス供給バルブ１１３、真空バルブ１１４および真空計１１５が接続されている。ガス供給バルブ１１３および真空バルブ１１４には、さらにガス供給部１１６および真空ポンプ１１７がそれぞれ接続されている。真空バルブ１１４を開くとともに真空ポンプ１１７を稼働させることにより、処理室１０３ａ内のガスが排出されて、減圧状態になる。処理室１０３ａ内の真空度は真空計１１５によって測定される。一方、ガス供給バルブ１１３を開けると、プラズマ発生用ガスが、ガス供給部１１６から処理室１０３ａ内に供給される。ガス供給部１１６は流量調整機能を内蔵しており、処理室１０３ａ内に供給されるプラズマ発生用ガスの流量が調整される。ベントバルブ１１２を開けると、処理室１０３ａ内に大気が供給される。

電極部１０５には、整合器１１８を介して高周波電源部１１９が電気的に接続されている。一方、蓋部１０２は接地部１１０に接地されている。処理室１０３ａ内にプラズマ発生用ガスを供給するとともに高周波電源部１１９を稼働させると、電極部１０５と蓋部１０２との間に高周波電圧が印加される。これにより、処理室１０３ａ内にはプラズマが発生する。整合器１１８は、プラズマを発生させるプラズマ放電回路（図示せず）と高周波電源部１１９とのインピーダンスを整合させる。ベントバルブ１１２、ガス供給バルブ１１３、真空バルブ１１４、真空計１１５、ガス供給部１１６、真空ポンプ１１７、高周波電源部１１９は、制御部１２０内の装置制御部１２４により制御される。すなわち装置制御部１２４は、プラズマ処理動作を実行させる通常の動作制御機能を備える。制御部１２０には、表示部１３０、入力部１４０、検出回路２００が接続される。表示部１３０には、後述する信号解析部による異常判定の結果等が示される。入力部１４０には、プロセスレシピ等が入力される。

蓋部１０２に設けられた開口部１０２ａを覆うように、プラズマ電位検出センサ１６０が配置されている。プラズマ電位検出センサ１６０は、誘電体部材１６１および電極ユニット１６２を備える。プラズマ電位検出センサ１６０、および、検出回路２００により、プラズマ電位測定装置が構成される。

（プラズマ電位測定装置および測定方法）
図２は、プラズマ電位測定装置の要部の一例を断面で示す概念図である。プラズマ電位測定装置は、プラズマ電位検出センサ１６０と、検出回路２００と、を備える。プラズマ電位検出センサ１６０は、プラズマ処理装置のチャンバの側壁面に、支持部材１７０によって固定されている。誘電体部材１６１は平板状であって、一方の面はプラズマが生成される処理室１０３ａに面しており、他方の面は電極ユニット１６２を構成するプローブ電極１６２ｂに対向している。誘電体部材１６１の材質は、例えば光学的に透明なガラスである。

電極ユニット１６２は、誘電体部材１６１側に配置されたプローブ電極１６２ｂ（検出電極）と、これに対向するように配置された第１の電極１６２ｃと、これらの間に介在するガラス板１６２ａ（第１絶縁部材）と、で構成されている。プローブ電極１６２ｂと誘電体部材１６１とは、密着するように支持部材１７０で固定されている。プローブ電極１６２ｂは、検出導線１６３ａを介して、検出回路２００に接続している。第１の電極１６２ｃは、プローブ電極ユニット１６２を外部から電気的にシールドする。プローブ電極１６２ｂおよび第１の電極１６２ｃは、例えば、ガラス板１６２ａの表面に、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）の透明な導電性物質をコーティングすることにより形成される。そのため、プラズマ電位検出センサ１６０を介して、外部から処理室１０３ａの内部を視認することができる。

支持部材１７０の材質は特に限定されず、例えば金属であってもよいが、支持部材１７０に導電性の材料を用いる場合、第１の電極１６２ｃとは絶縁され、電気的に分離されている。

処理室１０３ａの内部でプラズマ放電が起こると、プローブ電極１６２ｂは、誘電体部材１６１、および、発生したプラズマＰと誘電体部材１６１との界面に形成されるシース（空間電荷層）Ｓを介して、プラズマＰと電気的に接続される。すなわち、誘電体部材１６１によって形成されるコンデンサＣ１と、シースＳに相当する容量を備えるコンデンサＣ２と、プラズマＰによる抵抗と、を直列に接続した電気的な回路が形成され、プローブ電極１６２ｂにはプラズマＰの状態に応じた電位および電荷が誘起される。つまり、プローブ電極１６２ｂへ注入される電荷量は、プラズマＰの状態を反映するプラズマ電位の変化を表している。

図２の例では、プローブ電極１６２ｂと第１の電極１６２ｃとの間に介在するガラス板１６２ａにより、背面容量Ｃ３が形成されている。背面容量Ｃ３は、コンデンサＣ１およびＣ２と直列に接続される。この場合、コンデンサＣ１およびＣ２を介して、プローブ電極１６２ｂに蓄積されるプラズマＰの状態に応じた電荷は、背面容量Ｃ３と再分配されるため、プローブ電極１６２ｂに誘起された電位または電荷量に基づき、プラズマの状態を精度よく検出することができなくなる場合がある。

しかしながら、プローブ電極１６２ｂと第１の電極１６２ｃとを仮想短絡することで、背面容量Ｃ３に電荷が蓄積されず、背面容量Ｃ３によってプローブ電極１６２ｂの蓄積電荷が変動するのが抑制される。よって、プローブ電極１６２ｂと第１の電極１６２ｃとを仮想短絡した状態で、プローブ電極１６２ｂに誘起された電荷または電位を測定することによって、測定された電荷量または電位に基づき、プラズマの状態を精度よく検出することができる。

図３は、プローブ電極１６２ｂと第１の電極１６２ｃとが接続される検出回路２００の構成の一例を示す回路図であり、プローブ電極１６２ｂと第１の電極１６２ｃとを仮想短絡する回路の一例を示している。検出回路２００は、第１のオペアンプ２０２と、第２のオペアンプ２０４と、を備える。

第１のオペアンプ２０２の非反転入力端子は、配線１６３ａを介して、プローブ電極１６２ｂと接続されている。第１のオペアンプ２０２の出力端子は、配線１６３ｂを介して、第１の電極１６２ｃと接続されている。第１のオペアンプ２０２の出力端子は、また、帰還抵抗を介することなく第１のオペアンプ２０２の反転入力端子とも接続されている。これにより、第１のオペアンプ２０２は、利得が１の非反転増幅回路を構成し、第１のオペアンプ２０２の非反転入力端子と接続されるプローブ電極１６２ｂと、第１のオペアンプ２０２の反転入力端子と接続される第１の電極１６２ｃとは、仮想短絡されている。

オペアンプの仮想短絡の効果により、第１の電極１６２ｃと接続される第１のオペアンプ２０２の反転入力端子の電圧は、プローブ電極１６２ｂと接続される第１のオペアンプ２０２の非反転入力端子の電圧と同じ電圧になるように動作する。これにより、背面容量Ｃ３には電圧が印加されないように制御され、プローブ電極１６２ｂに誘起された電位または電荷量を、背面容量Ｃ３による影響が低減された状態で検出することができ、プラズマの状態を精度よく検出することができる。

第２のオペアンプ２０４の反転入力端子は、抵抗Ｒ１を介してプローブ電極１６２ｂと接続されている。第２のオペアンプ２０４の非反転入力端子は接地されている。第２のオペアンプ２０４の出力端子は、帰還抵抗Ｒ２を介して第２のオペアンプ２０４の反転入力端子と接続されている。これにより、第２のオペアンプ２０４は、反転増幅回路を構成し、プローブ電極１６２ｂの電位を増幅した電圧が第２のオペアンプ２０４の出力端子に出力される。出力電圧は、制御部１２０の信号解析部に送信される。

第２のオペアンプ２０４において、帰還抵抗Ｒ２に代えて、キャパシタＣ２（図示せず）を出力端子と反転入力端子の間に接続してもよい。この場合、第２のオペアンプ２０４は、積分回路を構成し、プローブ電極１６２ｂに誘起された電荷量を増幅し、増幅された電荷量に対応する電圧が出力端子に出力される。

第１の電極１６２ｃは、プローブ電極１６２ｂを外部から電磁的にシールドする働きも有し得る。外部ノイズにより第１の電極１６２ｃに電荷が誘起され、配線１６３ｂを介して第１のオペアンプ２０２の反転入力端子側に電流が流れることがある。しかしながら、この電流は第１のオペアンプ２０２の電源電圧から供給され、プローブ電極１６２ｂと接続する第１のオペアンプ２０２の非反転入力端子側に流れ込まない。このため、プローブ電極１６２ｂに誘起された電荷また電位を、外部ノイズの影響が低減された状態で、精確に検出することが可能である。

図４は、プラズマ電位測定装置の要部の他の例を断面で示す概念図である。図４の例では、電極ユニット１６２は、ガラス板１６２ａ（第２絶縁部材）を介して、プローブ電極１６２ｂと反対側で第１の電極１６２ｃと対向する第２の電極１６２ｄをさらに備える。換言すると、プローブ電極１６２ｂと第１の電極１６２ｃとの間および第２の電極１６２ｄと第１の電極１６２ｃとの間に絶縁部材であるガラス板１６２ａが介在するように、第１の電極１６２ｃが、プローブ電極１６２ｂと第２の電極１６２ｄとの間に挟まれている。第２の電極１６２ｄは、例えば、プローブ電極１６２ｂおよび第１の電極１６２ｃと同様のＩＴＯ透明電極である。図４の例では、第１の電極１６２ｃは、ガラス板１６２ａ内に埋め込まれるように配置されているが、２枚のガラス板（絶縁部材）の間に挟まれていてもよい。その場合、プローブ電極１６２ｂと第１の電極１６２ｃとの間に介在する絶縁部材（第１絶縁部材）と、第２の電極１６２ｄと第１の電極１６２ｃとの間に介在する絶縁部材（第２絶縁部材）とは、同じ材料であってもよく、異なる材料であってもよい。絶縁部材は、電極１６２ｂ～１６２ｄ間で生じる背面容量を低減する観点から、低誘電率材料であってもよい。

プローブ電極１６２ｂおよび第１の電極１６２ｃは、それぞれ、配線１６３ａおよび１６３ｂを介して、検出回路２００と接続される。検出回路の構成としては、上述の図３に示した回路と同様の構成を用いることができる。

第２の電極１６２ｄは、プローブ電極１６２ｂおよび第１の電極１６２ｃを外部から電磁的にシールドする。この例では、支持部材１７０の材質は金属などの導電性材料であり、第２の電極１６２ｄと蓋部１０２とが電気的に接続していてもよい。外部ノイズにより第２の電極１６２ｄに生じた電荷は、支持部材１７０を介して蓋部１０２に逃がされ、ノイズは低減される。第２の電極１６２ｄには、一定の電圧が印加されてもよい。第２の電極１６２ｄに一定の電圧が印加される場合、一定の電圧は、蓋部１０２に印加される電圧と同じであることが好ましい。一定の電圧は、接地電圧であってもよい。

第１の電極１６２ｃと第２の電極１６２ｄとは、絶縁部材（ガラス板１６２ａ）を介して容量結合しているため、外部ノイズにより第２の電極１６２ｄに生じた電荷が蓋部１０２に逃げるに伴って、第１の電極１６２ｃと接続する第１のオペアンプ２０２の反転入力端子側にも対応する電流が流れることがある。しかしながら、この電流は第１のオペアンプ２０２の電源電圧から供給され、プローブ電極１６２ｂと接続する第１のオペアンプ２０２の非反転入力端子側に流れ込むことはない。このため、プローブ電極１６２ｂに誘起された電荷または電位を、外部ノイズの影響が低減された状態で、精確に検出できる。

（制御部）
制御部１２０は、図示しない信号解析部を備え、検出回路２００から出力された電圧に基づき、プラズマの状態が正常であるか否かを判定する。プラズマの状態が正常ではなく、異常放電状態であると判定された場合、リトライ処理、累積プラズマ処理、メンテナンス判定等が実行され得る。なお、リトライ処理、累積プラズマ処理、メンテナンス判定は、全てが実行される必要はなく、これらのうち１つ以上の処理が実行される。

プラズマの異常放電状態の判定方法としては、限定されるものではないが、検出回路２００からの出力電圧が所定の閾値電圧を超えた（または、閾値電圧未満となった）場合に、異常放電状態とする、あるいは、検出回路２００からの出力電圧の時系列データに基づき、検出回路２００からの出力電圧の所定期間における時間平均値を算出し、時間平均値が所定値を超えた場合に、異常放電が検出されたとする方法が挙げられる。

（装置制御部）
装置制御部１２４は、図示しないが、処理履歴記憶部、リトライ処理部、累積プラズマ処理部、メンテナンス判定機能部を備えてもよい。すなわち、装置制御部１２４は、上記した通常の動作制御機能に加えて、信号解析部による異常放電の検出結果に基づいて、処理室１０３ａ内のプラズマ放電の状態を判定し、当該プラズマ処理の再設定を行い得る。プラズマ放電の状態の判定およびプラズマ処理の再設定は、リトライ処理部、累積プラズマ処理部およびメンテナンス判定部によって実行され得る。処理履歴記憶部は、メモリに一時的に記録された検出回路２００からの出力電圧の時間変化や、信号解析部が異常放電の検出の判定に要した中間データを、プラズマ処理装置１００による処理履歴データとして記憶する。これにより、当該プラズマ処理装置１００によって処理が行われた処理対象物１０９について、詳細な処理履歴データを取得することができ、品質管理や生産管理のためのトレーサビリティが確保される。

本発明に係るプラズマ電位測定装置および測定方法は、プラズマ処理装置に適用できる。

１００：プラズマ処理装置
１０１：ベース部
１０１ａ：開口部
１０１ｂ：貫通孔
１０２：蓋部
１０２ａ：開口部
１０３：真空チャンバ
１０３ａ：処理室
１０４：シール部材
１０５：電極部
１０６：絶縁部材
１０７：絶縁層
１０８：ガイド部材
１０９：処理対象物
１１０：接地部
１１１：管路
１１２：ベントバルブ
１１３：ガス供給バルブ
１１４：真空バルブ
１１５：真空計
１１６：ガス供給部
１１７：真空ポンプ
１１８：整合器
１１９：高周波電源部
１２０：制御部
１２４：装置制御部
１３０：表示部
１４０：入力部
１６０：プラズマ電位検出センサ
１６１：誘電体部材
１６２：プローブ電極ユニット
１６２ａ：ガラス板
１６２ｂ：プローブ電極
１６２ｃ：第１の電極
１６２ｄ：第２の電極
１６３ａ、１６３ｂ：配線
１７０：支持部材
２００：検出回路
２０２：第１のオペアンプ
２０４：第２のオペアンプ

Claims (6)

1. チャンバ内に生成されるプラズマと対向して配置され、前記プラズマの電位に対応する電荷が誘起される検出電極と、
   前記プラズマと反対側で、前記検出電極と対向する第１の電極と、
   前記検出電極と前記第１の電極との間に介在する第１絶縁部材と、を備え、
   前記第１の電極は、前記検出電極と仮想短絡されている、プラズマ電位測定装置。
2. 前記第１の電極は、オペアンプを介して前記検出電極と仮想短絡されている、請求項１に記載のプラズマ電位測定装置。
3. 前記検出電極と反対側で、前記第１の電極と対向する第２の電極と、
   前記第１の電極と前記第２の電極との間に介在する第２誘電部材と、をさらに備える、請求項１または２に記載のプラズマ電位測定装置。
4. 前記第２の電極に、一定の電圧が印加されている、請求項３に記載のプラズマ電位測定装置。
5. チャンバ内に生成されるプラズマと対向して配置され、前記プラズマの電位に対応する電荷が誘起される検出電極と、前記プラズマと反対側で前記検出電極と対向する第１の電極と、前記検出電極と前記第１の電極との間に介在する第１絶縁部材と、を備えるプラズマ電位測定装置において、
   前記第１の電極を前記検出電極と仮想短絡した状態で、前記プラズマにより前記検出電極に誘起された電荷または電位を測定する、プラズマ電位測定方法。
6. 前記プラズマ電位測定装置が、
   前記検出電極と反対側で前記第１の電極と対向する第２の電極と、
   前記第１の電極と前記第２の電極との間に介在する第２誘電部材と、をさらに備える、請求項５に記載のプラズマ電位測定方法。

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