JP6711838B2 - 静電チャック表面の半径方向外側パッド設計 - Google Patents
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Description
処理の間に基板の表面にわたって印加されるチャック力の変動は、基板の望ましくない変形を引き起こすことがあり、基板と静電チャックとの間の界面に粒子の発生および堆積を引き起こすことがある。これらの粒子は、チャック力の量に影響を及ぼすことによって静電チャックの動作を妨げることがある。基板が、その後、静電チャックにおよび静電チャックから移動されるとき、これらの堆積された粒子が、さらに、基板を引っ掻くかまたは溝状の傷をつけ、最終的に、基板の破損をもたらし、ならびに静電チャックの表面を摩滅することがある。
したがって、基板および/またはチャックへの損傷を低減するより良好な静電チャックが必要とされている。
別の実施形態では、処理チャンバの処理容積部内に配設された静電チャックアセンブリを含む処理チャンバが提供される。静電チャックアセンブリは、前側表面と裏側表面とを接続する外側エッジを有する本体を含む。本体は、その中にチャック電極が配設されている。ウエハスペーシングマスクが、本体の前側表面に形成される。ウエハスペーシングマスクは、複数の細長いフィーチャを有する。細長いフィーチャは、中心から外側エッジまで半径方向に整列された長軸を有する。ウエハスペーシングマスクは、細長いフィーチャの間に画定された複数の半径方向に整列されたガス通路を有する。
上述のように、基板にわたる不均一なチャック力の印加、ならびに基板とチャックとの間の一様でないまたは過度の伝熱が、基板とチャックの界面で粒子発生を生じさせることがあり、それは、基板およびチャックへの損傷または摩耗増加をもたらすことがある。それゆえに、静電チャックと基板との界面での粒子発生を減少させると、両方の要素の摩耗の低減とより長い動作寿命を直接もたらすことができ、チャックのより一貫した要求される動作を実現することができる。
粒子発生は、いくつかの設計またはプロセスパラメータを調節することによって減少させることができる。例えば、チャック表面は、チャックされた基板の変形を減少させまたは最小にし、それによって、基板の変形に起因して粒子を発生する確率を減少させるように設計することができる。他の物理的設計パラメータ(例えば、伝熱ガス流)に従って、チャック表面は、基板とのコンタクト点の特定の配列を利用することができ、および/または所望の性質を有する特定の材料を使用することができる。
静電チャックアセンブリ120は、コンタクト表面158に沿って基板122を支持するために処理容積部116に配設される。静電チャックアセンブリ120は、基板処理および基板移送を容易にするために処理容積部116内で垂直に移動することができる。チャック電源132は、基板122を静電チャックアセンブリ120に固定するために静電チャックアセンブリ120に結合させることができ、DC電力またはRF電力を1つまたは複数のチャック電極150に供給することができる。チャック電極150は、半円、「D」形状プレート、ディスク、リング、くさび、細片などのような任意の好適な形状を有することができる。チャック電極150は、例えば、金属または合金などの任意の好適な導電性材料で製作することができる。
プロセスガス源130が、1つまたは複数の処理ガスを供給するために処理容積部116に流動的に接続される。流量コントローラ136が、処理容積部116に送出されるガス流を制御するためにプロセスガス源130と処理容積部116との間に結合され得る。
物理的気相堆積チャンバ100を使用して、基板122に膜を堆積させることができる。図1は、基板122上に膜を堆積させるための処理構成の物理的気相堆積チャンバ100を概略的に示す。堆積の間、1つまたは複数の反応性ガスと1つまたは複数の不活性ガスとを含む混合ガスを、ガス源130から処理容積部116に供給することができる。ターゲット124の前面148の近くに形成されるプラズマ146は、1つまたは複数の不活性ガスおよび1つまたは複数の反応性ガスのイオンを含むことができる。プラズマ146中のイオンはターゲット124の前面148に衝突して導電性材料をスパッタリングし、次いで、導電性材料は反応性ガスと反応して基板122上に膜を形成する。
基板122に形成されるべき材料に応じて、ターゲット124は、アルミニウム、タンタル、ハフニウム、チタン、銅、ニオブ、またはそれらの合金などの金属から形成することができる。反応性ガスは、酸化剤、窒化剤、または他の反応性ガスを含むことができる。1つの実施形態によれば、反応性ガスは、金属酸化物を形成するための酸素、または金属窒化物を形成するための窒素を含むことができる。不活性ガスはアルゴンを含むことができる。
ウエハスペーシングマスク210は、上面208と底面206とを有することができる。底面206は、静電チャックアセンブリ120の前側表面205上に直接配設され得る。ウエハスペーシングマスク210の厚さ260は、複数のメサ215およびオプションとして外側周辺リング225などのフィーチャを形成するように、優先的に選択され、前側表面205にわたって空間的に分布される。メサ215は、一般に、処理の間上面208に沿って基板122を支持するように構成される。ガス通路220がメサ215の間に形成され、それにより、基板122と静電チャックアセンブリ120の前側表面205との間に裏側ガスを供給することができるようになる。外側周辺リング225は、静電チャックアセンブリ120の上面208のメサ215と同様の構造の連続したリングまたはセグメントであり、通路220を通る基板122の下からの裏側ガスの流れの存在を制限するかまたは調整するために利用することができる。1つの実施形態では、外側周辺リング225は、形状および構成がメサ215と同様である。交互に、外側周辺リング225は、静電チャックアセンブリ120上で基板122を中心に置くために利用することができる。
1つまたは複数の実施形態では、不均一なマスクプロファイルを使用して、ウエハスペーシングマスク210を形成することができる。一般に、不均一なマスクプロファイルは、各メサ215の高さまたは各ガス通路220の深さを個別にまたは組合せて制御することを可能にすることができる。不均一なマスクプロファイルを使用して作り出されたウエハスペーシングマスク210は、有利には、基板の端から端までより均一なチャック力を与えることができる。
中にチャック電極が配設された本体であって、前側表面と裏側表面とを接続する外側エッジを有する、本体と、
前記前側表面に形成されたウエハスペーシングマスクであって、前記ウエハスペーシングマスクが複数の細長いフィーチャを有し、前記細長いフィーチャが、中心から前記外側エッジまで半径方向に整列された長軸を有し、前記ウエハスペーシングマスクが、前記細長いフィーチャの間に画定された複数の半径方向に整列されたガス通路を有し、前記半径方向に整列されたガス通路およびメサが、約3SCCMの裏側ガスを前記ガス通路を通して流すときに前記外側エッジにおいて約3Torr未満の圧力を維持するように配列される、ウエハスペーシングマスクと
を含む静電チャックアセンブリ。
中にチャック電極が配設された本体であって、前側表面と裏側表面とを接続する外側エッジを有する、本体と、
前記前側表面に形成されたウエハスペーシングマスクであって、前記ウエハスペーシングマスクが複数の細長いフィーチャを有し、前記細長いフィーチャが、中心から前記外側エッジまで半径方向に整列された長軸を有し、前記ウエハスペーシングマスクが、前記細長いフィーチャの間に画定された複数の半径方向に整列されたガス通路を有し、前記半径方向に整列されたガス通路に入る裏側ガスの速度が、約3SCCMの裏側ガスを前記ガス通路を通して流すときに前記外側エッジにおいて約7mm/秒以下である、ウエハスペーシングマスクと
を含む静電チャックアセンブリ。
中にチャック電極が配設された本体であって、前側表面と裏側表面とを接続する外側エッジを有する、本体と、
前記前側表面に形成されたウエハスペーシングマスクであって、前記ウエハスペーシングマスクが複数の細長いフィーチャを有し、前記細長いフィーチャが、中心から前記外側エッジまで半径方向に整列された長軸を有し、前記ウエハスペーシングマスクが、前記細長いフィーチャの間に画定された複数の半径方向に整列されたガス通路を有し、前記半径方向に整列されたガス通路に入る裏側ガスの速度が、少なくとも0.1SCCMの裏側ガスを前記ガス通路を通して流すときに前記外側エッジにおいて約4mm/秒以下である、ウエハスペーシングマスクと
を含む静電チャックアセンブリ。
中にチャック電極が配設された本体であって、前側表面と裏側表面とを接続する外側エッジを有する、本体と、
前記前側表面に形成されたウエハスペーシングマスクであって、前記ウエハスペーシングマスクが複数の細長いフィーチャを有し、前記細長いフィーチャが、中心から前記外側エッジまで半径方向に整列された長軸を有し、前記ウエハスペーシングマスクが、前記細長いフィーチャの間に画定された複数の半径方向に整列されたガス通路を有し、前記半径方向に整列されたガス通路およびメサが、少なくとも0.1SCCMの裏側ガスを前記ガス通路を通して流すときに前記外側エッジにおいて約1〜4Torr未満の圧力を維持するように配列される、ウエハスペーシングマスクと
を含む静電チャックアセンブリ。
中にチャック電極が配設された本体であって、前側表面と裏側表面とを接続する外側エッジを有する、本体と、
前記前側表面に形成されたウエハスペーシングマスクであって、前記ウエハスペーシングマスクが複数の細長いフィーチャを有し、前記細長いフィーチャが、中心から前記外側エッジまで半径方向に整列された長軸を有し、前記ウエハスペーシングマスクが、前記細長いフィーチャの間に画定された複数の半径方向に整列されたガス通路を有し、前記半径方向に整列されたガス通路に入る裏側ガスの速度が、約3SCCMの裏側ガスを前記ガス通路を通して流すときに前記外側エッジにおいて約1.31mm/秒以下である、ウエハスペーシングマスクと
を含む静電チャックアセンブリ。
中にチャック電極が配設された本体であって、前側表面と裏側表面とを接続する外側エッジを有する、本体と、
前記前側表面に形成されたウエハスペーシングマスクであって、前記ウエハスペーシングマスクが複数の細長いフィーチャを有し、前記細長いフィーチャが、中心から前記外側エッジまで半径方向に整列された長軸を有し、前記ウエハスペーシングマスクが、前記細長いフィーチャの間に画定された複数の半径方向に整列されたガス通路を有し、前記半径方向に整列されたガス通路に入る裏側ガスの速度が、少なくとも0.1SCCMの裏側ガスを前記ガス通路を通して流すときに前記外側エッジにおいて約2mm/秒〜約5mm/秒以下である、ウエハスペーシングマスクと
を含む静電チャックアセンブリ。
Claims (14)
- 中にチャック電極が配設された本体であって、前側表面と裏側表面とを接続する外側エッジと中心とを有する、本体と、
前記前側表面に形成されたウエハスペーシングマスクであって、前記ウエハスペーシングマスクが、同心列に配置される複数の細長いフィーチャを有し、前記細長いフィーチャが、中心から前記外側エッジまで半径方向に整列された長軸を有し、前記ウエハスペーシングマスクが、前記細長いフィーチャの間に画定された複数の半径方向に整列されたガス通路を有する、ウエハスペーシングマスクとを含み、
前記ウエハスペーシングマスクが、少なくとも1つの丸いフィーチャを備えており、
前記少なくとも1つの丸いフィーチャが、前記細長いフィーチャのうちの少なくとも2つと半径方向に整列される静電チャックアセンブリ。 - 前記外側エッジに最も近い前記同心列のうちの1列に配列された細長いフィーチャの数が、前記中心に最も近い前記同心列のうちの1列に配列された細長いフィーチャの数よりも多い、請求項1に記載の静電チャックアセンブリ。
- 後続の列の細長いフィーチャの数が倍増する、請求項1に記載の静電チャックアセンブリ。
- 半径方向に整列された細長いフィーチャは、3%と15%の間の基板コンタクト面積を有する、請求項1に記載の静電チャックアセンブリ。
- 前記半径方向に整列されたガス通路および細長いフィーチャが、少なくとも0.1SCCMの裏側ガスを前記ガス通路を通して流すときに前記外側エッジにおいて5Torr未満の圧力を維持するように配列される、請求項1に記載の静電チャックアセンブリ。
- 前記半径方向に整列されたガス通路および細長いフィーチャが、少なくとも3SCCMの裏側ガスを前記ガス通路を通して流すときに前記外側エッジにおいて4Torr〜7Torr未満の圧力を維持するように配列される、請求項1に記載の静電チャックアセンブリ。
- 処理容積部を画定するリッド、壁、および底部と、
前記処理容積部内に配設された静電チャックアセンブリと
を備えるプラズマ処理チャンバであって、
前記静電チャックアセンブリは、
中にチャック電極が配設された本体であって、前側表面と裏側表面とを接続する外側エッジと中心とを有する、本体、および
前記前側表面に形成されたウエハスペーシングマスクであって、前記ウエハスペーシングマスクが、同心列に配列される複数の細長いフィーチャを有し、前記細長いフィーチャが、中心から前記外側エッジまで半径方向に整列された長軸を有し、前記ウエハスペーシングマスクが、前記細長いフィーチャの間に画定された複数の半径方向に整列されたガス通路を有する、ウエハスペーシングマスク
を備え、
前記ウエハスペーシングマスクが、少なくとも1つの丸いフィーチャを含み、
前記少なくとも1つの丸いフィーチャが、前記細長いフィーチャのうちの少なくとも2つと半径方向に整列される、プラズマ処理チャンバ。 - 前記外側エッジに最も近い前記同心列のうちの1列に配列された細長いフィーチャの数が、前記中心に最も近い前記同心列のうちの1列に配列された細長いフィーチャの数よりも多い、請求項7に記載のプラズマ処理チャンバ。
- 後続の列の細長いフィーチャの数が倍増する、請求項7に記載のプラズマ処理チャンバ。
- 半径方向に整列された細長いフィーチャが、3%と15%との間の基板コンタクト面積を有する、請求項7に記載のプラズマ処理チャンバ。
- 前記半径方向に整列されたガス通路に入る裏側ガスの速度が、少なくとも0.1SCCMの裏側ガスを前記ガス通路を通して流すときに前記外側エッジにおいて4mm/秒以下である、請求項7に記載のプラズマ処理チャンバ。
- 前記半径方向に整列されたガス通路に入る裏側ガスの速度が、3SCCMの裏側ガスを前記ガス通路を通して流すときに前記外側エッジにおいて4mm/秒以下である、請求項7に記載のプラズマ処理チャンバ。
- 前記半径方向に整列されたガス通路および細長いフィーチャが、3SCCMの裏側ガスを前記ガス通路を通して流すときに前記外側エッジにおいて4Torr〜7Torr未満の圧力を維持するように配列される、請求項7に記載のプラズマ処理チャンバ。
- 前記半径方向に整列されたガス通路に入る裏側ガスの速度が、少なくとも0.1SCCM〜0.5SCCMの裏側ガスを前記ガス通路を通して流すときに前記外側エッジにおいて4mm/秒以下である、請求項7に記載のプラズマ処理チャンバ。
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