JP6701916B2 - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
第1の実施の形態における半導体装置及び半導体装置の製造方法について説明する。本実施の形態における半導体装置は、SiC基板等にGaN−HEMTが形成されている半導体チップとSi基板等に整合回路が形成されている半導体チップとにより形成されるマルチチップモジュールである。尚、本願においては、第1の基板であるSiC基板等にGaN−HEMTが形成されている半導体チップを第1の半導体素子と記載し、第2の基板であるSi基板等に整合回路が形成されている半導体チップを第2の半導体素子と記載する場合がある。本実施の形態における半導体装置の製造方法について、図1〜図4に基づき説明する。
次に、第2の実施の形態における半導体装置及び半導体装置の製造方法について説明する。図5〜図8に基づき、本実施の形態における半導体装置の製造方法について説明する。
次に、第2の実施の形態における半導体装置及び半導体装置の製造方法について説明する。図9〜図12に基づき、本実施の形態における半導体装置の製造方法について説明する。
(付記1)
金属層と、
前記金属層の上方に設けられた第1の半導体素子及び前記第1の半導体素子の厚さよりも厚い第2の半導体素子と、
前記第1の半導体素子の上に設けられた接続電極と、
を有し、
前記第1の半導体素子と接続電極とを合わせた厚さと、前記第2の半導体素子の厚さとが略同じであることを特徴とする半導体装置。
(付記2)
金属層と、
前記金属層の上方に設けられた第1の半導体素子及び前記第1の半導体素子の厚さよりも厚い第2の半導体素子と、
を有し、
前記第1の半導体素子の上には接続電極が設けられており、
平面視で前記第1の半導体素子の接続電極が設けられている領域の厚さと、前記第2の半導体素子の厚さとが略同じであることを特徴とする半導体装置。
(付記3)
前記第1の半導体素子の接続電極が形成されている面には、第1の半導体素子形成層が形成されており、
前記第1の半導体素子における前記接続電極と、前記第2の半導体素子に形成されている第2の半導体素子形成層とは、配線により接続されていることを特徴とする付記1または2に記載の半導体装置。
(付記4)
前記第1の半導体素子の前記第1の半導体素子形成層の上の前記接続電極の周囲には絶縁膜が形成されていることを特徴とする付記3に記載の半導体装置。
(付記5)
前記接続電極が形成されている領域の厚さと、前記絶縁膜が形成されている領域の厚さは、略同じであることを特徴とする付記4に記載の半導体装置。
(付記6)
前記第1の半導体素子の前記第1の半導体素子形成層の上の前記接続電極の周囲には樹脂層が形成されていることを特徴とする付記3に記載の半導体装置。
(付記7)
前記接続電極が形成されている領域の厚さと、前記樹脂層が形成されている領域の厚さは、略同じであることを特徴とする付記6に記載の半導体装置。
(付記8)
前記第1の半導体素子と前記配線との間には、空間が形成されていることを特徴とする付記3に記載の半導体装置。
(付記9)
前記第1の半導体素子と前記第2の半導体素子とは、樹脂により固められ一体となっていることを特徴とする付記1から8のいずれかに記載の半導体装置。
(付記10)
前記第1の半導体素子形成層は、窒化物半導体により形成されていることを特徴とする付記1から9のいずれかに記載の半導体装置。
(付記11)
前記第1の半導体素子の厚さは、前記第2の半導体素子の厚さの半分以下であることを特徴とする付記1から10のいずれかに記載の半導体装置。
(付記12)
前記第1の半導体素子と前記第2の半導体素子は、異なる材料により形成されていることを特徴とする付記1から11のいずれかに記載の半導体装置。
(付記13)
第1の基板の一方の面に第1の半導体素子形成層が形成されている第1の半導体素子と、第2の基板の一方の面に第2の半導体素子形成層が形成されている第2の半導体素子とが、樹脂で固められている半導体装置の製造方法において、
前記第1の基板の一方の面に前記第1の半導体素子形成層を形成し、前記第1の半導体素子形成層の上に接続電極を形成する工程と、
前記第1の半導体素子の接続電極の端面と、前記第2の半導体素子の一方の面とを揃え、樹脂で固める工程と、
前記第1の半導体素子の接続電極と、前記第2の半導体素子の一方の面における前記第2の半導体素子形成層とを接続する配線を形成する工程と、
前記樹脂で固められた前記第1の半導体素子の他方の面及び前記第2の半導体素子の他方の面に裏面金属層を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記14)
前記裏面金属層を形成する工程は、
前記第1の半導体素子における接続電極が形成されている領域の厚さ及び前記第2の半導体素子の厚さが所望の厚さとなるまで、前記第1の基板及び前記第2の基板の他方の面を研磨する工程と、
前記研磨された前記第1の半導体素子の他方の面及び前記第2の半導体素子の他方の面に裏面金属層を形成する工程と、
を有することを特徴とする付記13に記載の半導体装置の製造方法。
(付記15)
前記第1の半導体素子を形成する工程は、
前記第1の基板の一方の面に前記第1の半導体素子形成層を形成する工程と、
前記第1の半導体素子形成層の上に、開口部を有する絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の前記開口部に接続電極を形成する工程と、
を有すること特徴とする付記13または14に記載の半導体装置の製造方法。
(付記16)
前記第1の半導体素子を形成する工程は、
前記第1の基板の一方の面に第1の半導体素子形成層を形成する工程と、
前記第1の半導体素子形成層の上に、開口部を有するレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンの前記開口部に接続電極を形成する工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、
を有することを特徴とする付記13または14に記載の半導体装置の製造方法。
(付記17)
前記第1の半導体素子を形成する工程は、
前記第1の基板の一方の面に第1の半導体素子形成層を形成する工程と、
前記第1の半導体素子形成層の上に、開口部を有するレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンの前記開口部に接続電極を形成する工程と、
を有し、
前記樹脂で固める工程の後、前記レジストパターンを除去する工程を有することを特徴とする付記13または14に記載の半導体装置の製造方法。
(付記18)
前記樹脂で固める工程は、
粘着シートに、前記第1の半導体素子の接続電極の端面及び前記第2の半導体素子の一方の面とを貼り付ける工程と、
前記粘着シートに貼り付けられた前記第1の半導体素子及び前記第2の半導体素子を樹脂で固める工程と、
前記樹脂で固めた後、前記粘着シートを前記第1の半導体素子及び前記第2の半導体素子より剥がす工程と、
を有することを特徴とする付記13から17のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
10a 一方の面
10b 他方の面
11 第1の基板
12 第1の半導体素子形成層
13 絶縁膜
13a 開口部
13b 表面
14 接続電極
14a 端面
20 整合回路半導体チップ(第2の半導体素子)
20a 一方の面
20b 他方の面
21 第2の基板
22 第2の半導体素子形成層
31 粘着シート
32 モールド樹脂
41 絶縁膜
41a 開口部
42 メタル層
43 レジストパターン
43a 開口部
44 配線
45 絶縁膜
45a 開口部
46 裏面金属層
Claims (11)
- 金属層と、
前記金属層の上方に設けられた第1の半導体素子及び前記第1の半導体素子の厚さよりも厚い第2の半導体素子と、
前記第1の半導体素子の上に設けられた接続電極と、
を有し、
前記第1の半導体素子と接続電極とを合わせた厚さと、前記第2の半導体素子の厚さとが略同じであることを特徴とする半導体装置。 - 金属層と、
前記金属層の上方に設けられた第1の半導体素子及び第2の半導体素子と、
を有し、
前記第1の半導体素子には接続電極が設けられており、
平面視で前記第1の半導体素子の接続電極が設けられている領域における前記接続電極を含めた前記第1の半導体素子の厚さと、前記第2の半導体素子の厚さとが略同じであることを特徴とする半導体装置。 - 前記第1の半導体素子の接続電極が形成されている面には、第1の半導体素子形成層が形成されており、
前記第1の半導体素子における前記接続電極と、前記第2の半導体素子に形成されている第2の半導体素子形成層とは、配線により接続されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記第1の半導体素子の前記第1の半導体素子形成層の上の前記接続電極の周囲には絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記第1の半導体素子の前記第1の半導体素子形成層の上の前記接続電極の周囲には樹脂層が形成されていることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記第1の半導体素子と前記配線との間には、空間が形成されていることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 第1の基板の一方の面に第1の半導体素子形成層が形成されている第1の半導体素子と、第2の基板の一方の面に第2の半導体素子形成層が形成されている第2の半導体素子とが、樹脂で固められている半導体装置の製造方法において、
前記第1の基板の一方の面に前記第1の半導体素子形成層を形成し、前記第1の半導体素子形成層の上に接続電極を形成する工程と、
前記第1の半導体素子の接続電極の端面と、前記第2の半導体素子の一方の面とを揃え、樹脂で固める工程と、
前記第1の半導体素子の接続電極と、前記第2の半導体素子の一方の面における前記第2の半導体素子形成層とを接続する配線を形成する工程と、
前記樹脂で固められた前記第1の半導体素子の他方の面及び前記第2の半導体素子の他方の面に裏面金属層を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記裏面金属層を形成する工程は、
前記第1の半導体素子における接続電極が形成されている領域の厚さ及び前記第2の半導体素子の厚さが所望の厚さとなるまで、前記第1の基板及び前記第2の基板の他方の面を研磨する工程と、
前記研磨された前記第1の半導体素子の他方の面及び前記第2の半導体素子の他方の面に裏面金属層を形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1の半導体素子を形成する工程は、
前記第1の基板の一方の面に前記第1の半導体素子形成層を形成する工程と、
前記第1の半導体素子形成層の上に、開口部を有する絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の前記開口部に接続電極を形成する工程と、
を有すること特徴とする請求項7または8に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1の半導体素子を形成する工程は、
前記第1の基板の一方の面に第1の半導体素子形成層を形成する工程と、
前記第1の半導体素子形成層の上に、開口部を有するレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンの前記開口部に接続電極を形成する工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、
を有することを特徴とする請求項7または8に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1の半導体素子を形成する工程は、
前記第1の基板の一方の面に第1の半導体素子形成層を形成する工程と、
前記第1の半導体素子形成層の上に、開口部を有するレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンの前記開口部に接続電極を形成する工程と、
を有し、
前記樹脂で固める工程の後、前記レジストパターンを除去する工程を有することを特徴とする請求項7または8に記載の半導体装置の製造方法。
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