JP6700949B2 - インプリント方法及び物品の製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の一側面としてのインプリント装置10の構成を示す概略図である。インプリント装置10は、半導体デバイスなどの製造プロセスで使用されるリソグラフィ装置であって、基板上のインプリント材に型を用いてパターンを形成するインプリント処理を行う。図1では、互いに直交する3軸方向に、X軸、Y軸及びZ軸を定義している。
図6を参照して、実施例2のインプリント装置について説明する。実施例2では、実施例1とは別の位置にあるショット領域、基板20の左下側にあるショット領域のインプリント処理を行う場合について説明する。実施例1と共通する部分についての説明は省略する。図6は、インプリント装置を上から見た図であり、基板と型の位置と、ガス供給部およびディスペンサとの位置の関係を示す。図6は、基板20の左下側のショット領域のインプリント処理を行うために、ショット領域が型40のパターン41の下に移動され、基板ステージ30が停止した状態を表している。
図7を参照して、実施例2のインプリント装置の変形例について説明する。本実施例では、ガス供給部80L、R,T、Bがそれぞれ3分割されている点が実施例2とは異なる。実施例2と共通する部分についての説明は省略する。なお、本実施例では、実施例2と同じショット領域のインプリント処理を行う場合について説明する。図7は、インプリント装置を上から見た図であり、基板と型の位置と、ガス供給部およびディスペンサとの位置の関係を示す。図7は、基板20の左下側のショット領域のインプリント処理を行うために、ショット領域が型40のパターン41の下に移動され、基板ステージ30が停止した状態を表している。
図8を参照して、実施例4のインプリント装置について説明する。実施例4では、実施例1、2とは別の位置にあるショット領域、基板20の右下側にあるショット領域のインプリント処理を行う場合について説明する。図8は、インプリント装置を上から見た図であり、基板と型の位置と、ガス供給部およびディスペンサとの位置の関係を示す。図8は、基板20の右下側のショット領域のインプリント処理を行うために、ショット領域が型40のパターン41の下に移動され、基板ステージ30が停止した状態を表している。
図8の紙面において、基板20の中心を含む右半分のショット領域のインプリント処理を行う際には、ステージ移動時(第1ガス供給工程)と同様に、第2ガス供給工程においてガス供給部80Lからガスを供給したままとしてもよい。ガス供給部80L(供給口)の面積の少なくとも半分が基板20に対向する位置にある。そのため、ガスの流れは、ガス供給部80Lから、基板20の外周近傍にあるインプリント領域へ向かう方向へのガスの流れとなる。よって、基板20とパージプレート90の間の隙間から漏れ出すガスの量は、図3で示す状態よりは、多くない。ゆえに、図8の紙面において、基板20の右半分のショット領域のインプリント処理を行う際には、必ずしも第1ガス供給工程と第2ガス供給工程とでガスの供給(流れ)を切り替えなくても良い。したがって、各ガス供給工程でガスを供給する供給部(供給口)の切り換えは、基板を上面から見た時に基板20の左半分にあるショット領域のインプリント処理を行う際に行えば良い。これによりガス流量や流れの切替や最適化に伴う負担を軽減することができる。
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、MEMS、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、DRAM、SRAM、フラッシュメモリ、MRAMのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、LSI、CCD、イメージセンサ、FPGAのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
Claims (6)
- 型を用いて基板上にパターンを形成するインプリント方法において、
前記インプリント材を吐出する吐出口から前記基板のショット領域にインプリント材を供給するインプリント材供給工程と、
ガスを供給するガス供給口から前記基板と前記型との間の空間にガスを供給するガス供給工程と、
前記空間にガスが供給された状態で前記ショット領域に供給されたインプリント材と前記型とを接触させる接触工程と、
前記接触工程の後、前記ショット領域において前記インプリント材を硬化させて前記インプリント材と前記型とを離すことによって前記インプリント材のパターンを形成する形成工程と、を有し、
前記ガス供給工程は、
前記インプリント材が供給された位置から前記接触工程が行われる位置へ前記ショット領域を移動させる時に、前記吐出口から前記型を保持する型保持部に向かう方向への前記ガスの第1の流れを生成するようにガスを供給する第1ガス供給工程と、
前記接触工程が行われる位置に前記ショット領域がある時に、前記第1の流れとは異なり、前記基板の中心から外周に向かって前記ガスの第2の流れを生成するようにガスを供給する第2ガス供給工程と、を前記接触工程前に順次に実施することを含むことを特徴とするインプリント方法。 - 型を用いて基板上にパターンを形成するインプリント方法において、
前記インプリント材を吐出する吐出口から前記基板のショット領域にインプリント材を供給するインプリント材供給工程と、
ガスを供給するガス供給口から前記基板と前記型との間の空間にガスを供給するガス供給工程と、
前記空間にガスが供給された状態で前記ショット領域に供給されたインプリント材と前記型とを接触させる接触工程と、
前記接触工程の後、前記ショット領域において前記インプリント材を硬化させて前記インプリント材と前記型とを離すことによって前記インプリント材のパターンを形成する形成工程と、を有し、
前記ガス供給工程は、
前記インプリント材が供給された位置から前記接触工程が行われる位置へ前記ショット領域を移動させる時に、前記吐出口と前記型を保持する型保持部との間にある第1の前記ガス供給口からガスを供給する第1ガス供給工程と、
前記接触工程が行われる位置に前記ショット領域がある時に、前記第1のガス供給口から供給されるガスの量を前記第1ガス供給工程における量よりも少なくして、前記第1のガス供給口よりも前記基板の中心に近い第2の前記ガス供給口から供給されるガスの量を前記第1ガス供給工程における量よりも多くして、ガスを供給する第2ガス供給工程と、を前記接触工程前に順次に実施することを含むことを特徴とするインプリント方法。 - 前記ショット領域は、前記ショット領域を前記接触工程が行われる位置へ移動させた時に前記基板の中心に対して前記吐出口側に位置するショット領域である、ことを特徴とする請求項1又は2に記載のインプリント方法。
- 前記第1ガス供給工程において、前記第2のガス供給口からのガスの供給を止め、
前記第2ガス供給工程において、前記第1のガス供給口からのガスの供給を止める、ことを特徴とする請求項2に記載のインプリント方法。 - 前記第2ガス供給工程において、前記基板において前記接触工程が行われる前記ショット領域の位置に応じて、ガスを供給する供給口を変更する、ことを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載のインプリント方法。
- 請求項1乃至5のうち何れか1項に記載のインプリント方法を用いてパターンを基板に形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された前記基板を処理する工程と、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
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