JP6696166B2 - 半導体装置および製造方法 - Google Patents
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Description
[先行技術文献]
[特許文献]
特許文献1 特開平6−244428号公報
特許文献2 米国特許第7,791,147号明細書
特許文献3 米国特許出願公開第2014/0124851号明細書
Claims (12)
- 第1の導電型の半導体基板と、
前記第1の導電型を有し、前記半導体基板の表面側に設けられたドリフト領域と、
第2の導電型を有し、前記ドリフト領域の表面側に設けられた第1のボディ領域および第2のボディ領域と、
前記第1のボディ領域および前記第2のボディ領域の間に設けられ、前記半導体基板の表面と接しており、前記ドリフト領域と不純物濃度が同一である、前記第1の導電型のネック部と、
前記第1の導電型を有し、前記第1のボディ領域内に形成された第1のソース領域、および、前記第2のボディ領域内に形成された第2のソース領域と、
前記第1のソース領域および前記ネック部との間の前記第1のボディ領域と対向する第1のゲート電極、ならびに、前記第2のソース領域および前記ネック部との間の前記第2のボディ領域と対向する第2のゲート電極と、
前記第1のゲート電極と前記半導体基板の間、前記第2のゲート電極と前記半導体基板の間、および、前記ネック部の表面側において連続して設けられた絶縁膜と
を備え、
前記半導体基板の表面において、前記第1のボディ領域の端部と、前記第1のゲート電極の端部とが、対向する位置に設けられ、前記第2のボディ領域の端部と、前記第2のゲート電極の端部とが、対向する位置に設けられ、
前記第1のボディ領域および前記第2のボディ領域は、前記半導体基板の表面における端部よりも、前記ネック部側に突出する突出部を有する半導体装置。 - 前記突出部は、前記半導体基板の表面と、最も前記ネック部側に突出した先端との間において、前記半導体基板の裏面側に凸形状の窪み部を有する
請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記窪み部は、前記半導体基板の深さ方向における深さと、前記半導体基板の表面と平行な方向における幅が等しい
請求項3に記載の半導体装置。 - 前記ネック部と対向する前記絶縁膜の少なくとも一部の厚さは、前記第1のゲート電極および前記第2のゲート電極と対向する前記絶縁膜の厚さと異なる
請求項1から4のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 半導体装置の製造方法であって、
第1の導電型の半導体基板の表面側に第2の導電型の不純物を注入して、第2の導電型の第1のボディ領域および第2のボディ領域、ならびに、前記第1のボディ領域および前記第2のボディ領域の間に設けられた、前記第1の導電型のネック部を形成する段階と、
前記第1のボディ領域内に前記第1の導電型の第1のソース領域、および、前記第2のボディ領域内に前記第1の導電型の第2のソース領域を形成する段階と、
前記半導体基板の表面に第1絶縁膜を形成する絶縁膜形成段階と、
前記第1絶縁膜の表面側に、前記第1のソース領域および前記ネック部との間の前記第1のボディ領域と対向する第1のゲート電極と、前記第2のソース領域および前記ネック部との間の前記第2のボディ領域と対向する第2のゲート電極とを形成する段階と、
前記第1のゲート電極および前記第2のゲート電極を形成した後に、前記第1のボディ領域および前記第2のボディ領域に、前記半導体基板の表面における端部よりも、前記ネック部側に突出する突出部を形成する段階と
を備え、
前記第1のゲート電極および前記第2のゲート電極を形成する段階において、それぞれのボディ領域の前記半導体基板の表面における端部よりも、前記ボディ領域の内側にそれぞれのゲート電極を形成し、
前記突出部を形成する段階は、前記半導体基板の表面を酸化する酸化段階を有する
製造方法。 - 前記酸化段階において、前記第1絶縁膜の膜厚を増加させた第2絶縁膜を形成し、それぞれのゲート電極に覆われていない前記第2絶縁膜に、それぞれの前記ゲート電極に覆われていない前記ボディ領域の不純物を吸収させる
請求項6に記載の製造方法。 - 前記酸化段階において、前記第1のボディ領域の端部と前記第1のゲート電極の端部とが対向する位置となり、前記第2のボディ領域の端部と前記第2のゲート電極の端部とが対向する位置となるまで、それぞれのボディ領域の不純物を前記第2絶縁膜に吸収させる
請求項7に記載の製造方法。 - 前記絶縁膜形成段階は、前記半導体基板の表面を酸化することで前記第1絶縁膜を形成する
請求項6から8のいずれか一項に記載の製造方法。 - 前記酸化段階における酸化温度は、前記絶縁膜形成段階における酸化温度より低い
請求項6から9のいずれか一項に記載の製造方法。 - 半導体装置の製造方法であって、
第1の導電型の半導体基板の表面側に第2の導電型の不純物を注入して、第2の導電型の第1のボディ領域および第2のボディ領域、ならびに、前記第1のボディ領域および前記第2のボディ領域の間に設けられた、前記第1の導電型のネック部を形成する段階と、
前記第1のボディ領域内に前記第1の導電型の第1のソース領域、および、前記第2のボディ領域内に前記第1の導電型の第2のソース領域を形成する段階と、
前記半導体基板の表面に絶縁膜を形成する絶縁膜形成段階と、
前記絶縁膜の表面側に、前記第1のソース領域および前記ネック部との間の前記第1のボディ領域と対向する第1のゲート電極と、前記第2のソース領域および前記ネック部との間の前記第2のボディ領域と対向する第2のゲート電極とを形成する段階と、
前記第1のゲート電極および前記第2のゲート電極を形成した後に、前記第1のボディ領域および前記第2のボディ領域に、前記半導体基板の表面における端部よりも、前記ネック部側に突出する突出部を形成する段階と
を備え、
前記第1のゲート電極および前記第2のゲート電極を形成する段階において、それぞれのボディ領域の前記半導体基板の表面における端部よりも、前記ボディ領域の内側にそれぞれのゲート電極を形成し、
前記突出部を形成する段階は、
前記第1のゲート電極および前記第2のゲート電極をマスクとして、前記ネック部に第1の導電型のカウンタ不純物を注入するカウンタ不純物注入段階と、
前記カウンタ不純物を注入した後に、前記絶縁膜形成段階における酸化温度よりも低い温度で前記半導体基板をアニールするアニール段階と
を有する製造方法。 - 前記第1のゲート電極および前記第2のゲート電極を形成する段階において、前記第1絶縁膜の表面側に導電膜を形成し、前記導電膜をパターニングして前記第1のゲート電極および前記第2のゲート電極を形成し、且つ、当該パターニングにおいて前記ネック部の表面側の前記第1絶縁膜をエッチングする
請求項6から10のいずれか一項に記載の製造方法。
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