JP6691005B2 - 水晶振動子 - Google Patents

Description

本発明は、電子機器等に用いられる水晶振動子に関するものである。

水晶振動子は、水晶素子の圧電効果を利用して、特定の周波数を発生させるものである。例えば、基板と、第一凹部を設けるために基板の上面に設けられた第一枠体と、第二凹部を設けるために基板の下面に設けられた第二枠体とを有しているパッケージと、基板の上面に設けられた電極パッドに実装された水晶素子と、基板の下面に設けられた接続パッドに実装された感温素子と、を備えた水晶振動子が提案されている（例えば、下記特許文献１参照）。

特開２０１１−２１１３４０号公報

上述した水晶振動子は、複数個の感温素子を基板に実装することが検討されているが、実装された感温素子ごとに水晶素子との温度差が生じてしまう虞があった。また、複数の感温素子と水晶素子との間で温度差が生じることによって、水晶素子への補正値にバラツキが生じてしまう虞があった。

本発明は前記課題に鑑みてなされたものであり、複数の感温素子と水晶素子との温度差を低減することができ、水晶素子への補正値のバラツキを低減させることが可能な水晶振動子を提供することを課題とする。

本発明の一つの態様による水晶振動子は、矩形状の基板と、基板の下面の短辺に沿って設けられた実装基体と、基板の下面の外周縁に沿って設けられた接合端子と、実装基体の上面の両端に設けられた接合パッドと、基板の上面に設けられた電極パッドと、実装基体の間で基板の下面に設けられた一対の接続パッドと、電極パッドに実装された水晶素子と、一対の接続パッドに実装された少なくとも二つ以上の感温素子と、水晶素子を気密封止するための蓋体と、を備えている。

本発明の一つの態様による水晶振動子は、矩形状の基板と、基板の下面の短辺に沿って設けられた実装基体と、基板の下面の外周縁に沿って設けられた接合端子と、実装基体の上面の両端に設けられた接合パッドと、基板の上面に設けられた電極パッドと、実装基体の間で基板の下面に設けられた一対の接続パッドと、電極パッドに実装された水晶素子と、一対の接続パッドに実装された少なくとも二つ以上の感温素子と、水晶素子を気密封止するための蓋体と、を備えている。このように、複数の感温素子が一対の接続パッドに実装されているので、複数の感温素子と水晶素子との温度差を低減することができ、水晶素子への補正値のバラツキを低減させることが可能となる。

本実施形態に係る水晶振動子を示す分解斜視図である。 （ａ）図１のＡ−Ａ断面図であり、（ｂ）図１のＢ−Ｂ断面図である。 （ａ）は、本実施形態に係る水晶振動子を構成するパッケージを上面からみた透視平面図であり、（ｂ）は、本実施形態に係る水晶振動子を構成するパッケージの基板を上面からみた透視平面図である。 （ａ）は、本実施形態に係る水晶振動子を構成するパッケージの基板を下面からみた透視平面図であり、（ｂ）は、本実施形態に係る水晶振動子を下面からみた透視平面図である。 （ａ）は、本実施形態に係る水晶振動子を構成する実装基体を上面からみた透視平面図であり、（ｂ）は、本実施形態に係る水晶振動子を構成する実装基体を下面からみた透視平面図である。 （ａ）は、本実施形態の変形例に係る水晶振動子を構成するパッケージを上面からみた透視平面図であり、（ｂ）は、本実施形態の変形例に係る水晶振動子を構成するパッケージの基板を上面からみた透視平面図である。 （ａ）は、本実施形態の変形例に係る水晶振動子を構成するパッケージの基板を下面からみた透視平面図であり、（ｂ）は、本実施形態の変形例に係る水晶振動子を下面からみた透視平面図である。

本実施形態における水晶振動子は、図１〜図４に示されているように、パッケージ１１０と、パッケージ１１０の上面に接合された水晶素子１２０と、パッケージ１１０の下面に接合された感温素子１５０とを含んでいる。パッケージ１１０は、基板１１０ａの上面と枠体１１０ｂの内側面によって囲まれた凹部Ｋ１が形成されている。また、基板１１０ａの下面と実装基体１６０の内側面によって囲まれた第二凹部Ｋ２が形成されている。このような水晶振動子は、電子機器等で使用する基準信号を出力するのに用いられる。

基板１１０ａは、矩形状であり、上面に実装された水晶素子１２０及び下面に実装された感温素子１５０を実装するための実装部材として機能するものである。基板１１０ａは、上面に、水晶素子１２０を実装するための電極パッド１１１が設けられており、下面に、感温素子１５０を実装するための一対の接続パッド１１５が設けられている。また、基板１１０ａの一辺に沿って、水晶素子１２０を接合するための第一電極パッド１１１ａ及び第二電極パッド１１１ｂが設けられている。また、基板１１０ａの下面の四隅には、接合端子１１２が設けられている。また、四つの接合端子１１２の内の二つが、水晶素子１２０と電気的に接続されており、四つの接合端子１１２の内の残りの二つが、感温素子１５０と電気的に接続されている。また、水晶素子１２０と電気的に接続されている第一接合端子１１２ａ及び第二接合端子１１２ｂは、図４に示されているように、基板１１０ａの下面の対角に位置するように設けられている。また、感温素子１５０と電気的に接続されている第三接合端子１１２ｃ及び第四接合端子１１２ｄは、水晶素子１２０と接続されている第一接合端子１１２ａ及び第二接合端子１１２ｂが設けられている対角とは異なる基板１１０ａの対角に位置するように設けられている。

基板１１０ａは、例えばアルミナセラミックス又はガラス−セラミックス等のセラミック材料である絶縁層からなる。基板１１０ａは、絶縁層を一層用いたものであっても、絶縁層を複数層積層したものであってもよい。基板１１０ａの表面及び内部には、上面に設けられた電極パッド１１１と、基板１１０ａの下面に設けられた接合端子１１２とを電気的に接続するための配線パターン１１３及びビア導体１１４が設けられている。また、基板１１０ａの表面には、下面に設けられた接続パッド１１５と、基板１１０ａの下面に設けられた接合端子１１２とを電気的に接続するための接続パターン１１６が設けられている。

枠体１１０ｂは、基板１１０ａの上面の外周縁に沿って配置され、基板１１０ａの上面に第一凹部Ｋ１を形成するためのものである。枠体１１０ｂは、例えばアルミナセラミックス又はガラス−セラミックス等のセラミック材料からなり、基板１１０ａと一体的に形成されている。

電極パッド１１１は、水晶素子１２０を実装するためのものである。電極パッド１１１は、基板１１０ａの上面に一対で設けられており、基板１１０ａの一辺に沿うように隣接して設けられている。電極パッド１１１は、図３及び図４に示されているように基板１１０ａの上面に設けられた配線パターン１１３とビア導体１１４を介して、基板１１０ａの下面に設けられた接合端子１１２と電気的に接続されている。

電極パッド１１１は、図３に示すように、第一電極パッド１１１ａ及び第二電極パッド１１１ｂによって構成されている。また、接合端子１１２は、図４に示すように第一接合端子１１２ａ、第二接合端子１１２ｂ、第三接合端子１１２ｃ及び第四接合端子１１２ｄによって構成されている。ビア導体１１４は、第一ビア導体１１４ａ、第二ビア導体１１４ｂ、第三ビア導体１１４ｃによって構成されている。また、配線パターン１１３は、第一配線パターン１１３ａ及び第二配線パターン１１３ｂによって構成されている。第一電極パッド１１１ａは、基板１１０ａに設けられた第一配線パターン１１３ａの一端と電気的に接続されている。また、第一配線パターン１１３ａの他端は、第一ビア導体１１４ａを介して、第一接合端子１１２ａと電気的に接続されている。よって、第一電極パッド１１１ａは、第一接合端子１１２ａと電気的に接続されることになる。第二電極パッド１１１ｂは、基板１１０ａに設けられた第二配線パターン１１３ｂの一端と電気的に接続されている。また、第二配線パターン１１３ｂの他端は、第二ビア導体１１４ｂを介して、第二接合端子１１２ｂと電気的に接続されている。

接合端子１１２は、実装基体１６０の接合パッド１６１と電気的に接合するために用いられている。接合端子１１２は、基板１１０ａの下面の四隅に設けられている。接合端子１１２の内の二つの端子は、基板１１０ａの上面に設けられた一対の電極パッド１１１とそれぞれ電気的に接続されている。また、電極パッド１１１と電気的に接続されている接合端子１１２は、基板１１０ａの下面の対角に位置するように設けられている。また、第三接合端子１１２ｃは、第三ビア導体１１４ｃを介して、封止用導体パターン１１８と電気的に接続されている。また、導電性接合材１７０は、接合端子１１２と実装基体１６０の接合パッド１６１との間に設けられている。

配線パターン１１３は、基板１１０ａの上面に設けられ、電極パッド１１１から近傍のビア導体１１４に向けて引き出されている。また、配線パターン１１３は、図３に示すように、第一配線パターン１１３ａ及び第二配線パターン１１３ｂによって構成されている。

ビア導体１１４は、基板１１０ａの内部に設けられ、その両端は、配線パターン１１３、接続パターン１１６又は、封止用導体パターン１１８と電気的に接続されている。ビア導体１１４は、基板１１０ａに設けられた貫通孔の内部に導体を充填することで設けられている。また、ビア導体１１４は、図３及び図４に示すように、第一ビア導体１１４ａ、第二ビア導体１１４ｂ及び第三ビア導体１１４ｃによって構成されている。

接続パッド１１５は、矩形状であり、後述する感温素子１５０を構成する第一感温素子１５０ａ及び第二感温素子１５０ｂを実装するために用いられている。また、接続パッド１１５は、図４に示すように、第一接続パッド１１５ａ及び第二接続パッド１１５ｂによって構成されている。また、一対の接続パッド１１５が、実装基体１６０の内周縁に沿ってそれぞれ一つずつ第二凹部Ｋ２内に形成されている。このように接続パッド１１５を形成することで、一対の接続パッド１１５で複数の感温素子１５０を実装することできると共に、複数の感温素子１５０を実装するための接続パッド１１５の面積も大きくすることができるため、複数の感温素子１５０が接続パッド１１５から外れることを抑えつつ、感温素子１５０と接続パッド１１５の接合強度を向上させることが可能となる。また、導電性接合材１７０は、接続パッド１１５の下面と感温素子１５０の接続端子１５１との間にも設けられている。

また、一対の接続パッド１１５には、第一感温素子１５０ａ及び第二感温素子１５０ｂが実装されているので、隣接している第一感温素子１５０ａに伝わった熱が、接続パッド１１５を介することにより、第二感温素子１５０ｂと共有されることになる。したがって、第一感温素子１５０ａと第二感温素子１５０ｂとの温度差を低減することができ、感温素子１５０の温度情報により温度補正される水晶素子１２０への補正値のバラツキを低減させることが可能となる。

ここで基板１１０ａを平面視したときの長辺の寸法が、１．２〜２．５ｍｍであり、短辺の寸法が、１．０〜２．０ｍｍである場合を例にして、接続パッド１１５の大きさを説明する。接続パッド１１５の基板１１０ａの短辺と平行な辺の長さは、０．２〜０．５ｍｍであり、基板１１０ａの長辺と平行な辺の長さは、０．２５〜０．５５ｍｍとなっている。また、第一接続パッド１１５ａと第二接続パッド１１５ｂとの間の長さは、０．１〜０．３ｍｍとなっている。

接続パターン１１６は、基板１１０ａの下面に設けられ、接続パッド１１５から所定の外部端子１１２に向けて引き出されている。また、接続パターン１１６は、図４に示すように、第一接続パターン１１６ａ及び第二接続パターン１１６ｂによって構成されている。第一接続パターン１１６ａの長さと第二接続パターン１１６ｂの長さは、略等しい長さとなっている。ここで、略等しい長さとは、基板１１０ａの上面に設けられた第一接続パターン１１６ａの長さと基板１１０ａの上面に設けられた第二接続パターン１１６ｂの長さとの差が０〜２００μｍ異なるものを含むものとする。接続パターン１１６の長さは、各接続パターン１１６の中心を通る直線の長さを測定したものとする。つまり、第一接続パターン１１６ａの配線長と、第二接続パターン１１６ｂの配線長とが略等しい長さとなることによって、発生する抵抗値が等しくなり、感温素子１５０に付与される負荷抵抗も均一になるため、安定して電圧を出力することが可能となる。

接続パターン１１６は、隣接する接続パッド１１５を電気的に接続し、ビア導体１１４に接続するためのものである。接続パターン１１６は、第一接続パターン１１６ａ及び第二接続パターン１１６ｂによって構成されている。第一接続パターン１１６ａは、第一接続パッド１１５ａと電気的に接続し、第二接続パターン１１６ｂは、第二接続パッド１１５ｂと電気的に接続している。

また、第一接続パターン１１６ａは、図３及び図４に示すように、平面透視して、一対の電極パッド１１１の間を位置するようにして設けられている。また、このようにすることによって、水晶素子１２０から伝わる熱が、電極パッド１１１から直下にある基板１１０ａを介して、第一接続パターン１１６ａから第一接続パッド１１５ａに伝わることになる。よって、このような水晶振動子は、熱伝導経路をさらに短くすることができるので、水晶素子１２０の温度と第一感温素子１５０ａ及び第二感温素子１５０ｂの温度とが近似することになり、第一感温素子１５０ａ及び第二感温素子１５０ｂから出力された電圧を換算することで得られた温度と、実際の水晶素子１２０の周囲の温度との差異をさらに低減することが可能となる。

封止用導体パターン１１８は、蓋体１３０と接合部材１３１を介して接合する際に、接合部材１３１の濡れ性をよくする役割を果たしている。封止用導体パターン１１８は、図３及び図４に示すように、第三ビア導体１１４ｃを介して、第三接合端子１１２ｃと電気的に接続されている。封止用導体パターン１１８は、例えばタングステン又はモリブデン等から成る導体パターンの表面にニッケルメッキ及び金メッキを順次、枠体１１０ｂの上面を環状に囲む形態で施すことによって、例えば１０〜２５μｍの厚みに形成されている。

ここで、基板１１０ａの作製方法について説明する。基板１１０ａがアルミナセラミックスから成る場合、まず所定のセラミック材料粉末に適当な有機溶剤等を添加・混合して得た複数のセラミックグリーンシートを準備する。また、セラミックグリーンシートの表面或いはセラミックグリーンシートに打ち抜き等を施して予め穿設しておいた貫通孔内に、従来周知のスクリーン印刷等によって所定の導体ペーストを塗布する。さらに、これらのグリーンシートを積層してプレス成形したものを、高温で焼成する。最後に、導体パターンの所定部位、具体的には、電極パッド１１１、接合端子１１２、配線パターン１１３、ビア導体１１４、接続パッド１１５、接続パターン１１６及び封止用導体パターン１１８となる部位にニッケルメッキ又、金メッキ、銀パラジウム等を施すことにより作製される。また、導体ペーストは、例えばタングステン、モリブデン、銅、銀又は銀パラジウム等の金属粉末の焼結体等から構成されている。

実装基体１６０は、基板１１０ａの下面の両端に沿って接合され、基板１１０ａの下面に第二凹部Ｋ２を形成するためのものである。実装基体１６０は、例えばガラスエポキシ樹脂等の絶縁性基板からなり、基板１１０ａの下面と導電性接合材１７０を介して接合される。実装基体１６０の内部には、図５に示すように、上面に設けられた接合パッド１６１と、実装基体１６０の下面に設けられた外部端子１６２とを電気的に接続するための導体部１６４が設けられている。実装基体１６０は、第一実装基体１６０ａ及び第二実装基体１６０ｂによって構成されている。実装基体１６０の上面の両端には、接合パッド１６１が設けられ、下面の両端には、外部端子１６２が設けられている。また、四つの外部端子１６２の内の二つが、水晶素子１２０と電気的に接続されて、水晶素子１２０の入出力端子として用いられる。また、四つの外部端子１６２の内の二つが、感温素子１５０と電気的に接続されている。また、水晶素子１２０と電気的に接続されている第一外部端子１６２ａ及び第二外部端子１６２ｃは、実装基体１６０の下面の対角に位置するように設けられている。また、第一感温素子１５０ａ及び第二感温素子１５０ｂと電気的に接続されている第三外部端子１６２ｃ及び第四外部端子１６２ｄは、水晶素子１２０と接続されている第一外部端子１６２ａ及び第二外部端子１６２ｂが設けられている対角とは異なる実装基体１６０の対角に位置するように設けられている。

接合パッド１６１は、基板１１０ａの接合端子１１２と導電性接合材１７０を介して電気的に接合するためのものである。接合パッド１６１は、図５（ａ）に示すように、第一接合パッド１６１ａ、第二接合パッド１６１ｂ、第三接合パッド１６１ｃ及び第四接合パッド１６１ｄによって構成されている。

外部端子１６２は、電子機器等の実装基板に実装するためのものである。外部端子１６２は、実装基体１６０の下面に設けられている。外部端子１６２の内の二つの端子は、基板１１０ａの上面に設けられた一対の電極パッド１１１とそれぞれ電気的に接続されている。外部端子１６２の内の残りの二つの端子は、基板１１０ａの下面に設けられた一対の接続パッド１１５と電気的に接続されている。また、第三外部端子１６２ｃは、電子機器等の実装基板上の基準電位であるグランド電位と接続されている実装パッドと接続されている。これにより、封止用導体パターン１１８に接合された蓋体１３０がグランド電位となっている第三外部端子１６２ｃに接続される。よって、蓋体１３０による第一凹部Ｋ１内のシールド性が向上する。

また、外部端子１６２は、図５（ｂ）に示すように、第一外部端子１６２ａ、第二外部端子１６２ｂ、第三外部端子１６２ｃ及び第四外部端子１６２ｄによって構成されている。導体部１６４は、第一導体部１６４ａ、第二導体部１６４ｂ、第三導体部１６４ｃ及び第四導体部１６４ｄによって構成されている。第一接合パッド１６１ａは、第一導体部１６４ａを介して、第一外部端子１６２ａと電気的に接続され、第二接合パッド１６１ｂは、第二導体部１６４ｂを介して、第二外部端子１６２ｂと電気的に接続されている。第三接合パッド１６１ｃは、第三導体部１６４ｃを介して、第三外部端子１６２ｃと電気的に接続され、第四接合パッド１６１ｄは、第四導体部１６４ｄを介して、第四外部端子１６２ｄと電気的に接続されている。

導体部１６４は、実装基体１６０の上面の接合パッド１６１と、下面の外部端子１６２を電気的に接続するためのものである。導体部１６４は、実装基体１６０の四隅に貫通孔を設け、貫通孔の内壁面に導電部材を形成し、その上面を接合パッド１６１で塞ぎ、その下面を外部端子１６２で塞ぐことにより形成されている。

第二凹部Ｋ２は、基板１１０ａの長辺側方向が開放された状態となっている。このようにすることによって、基板１１０ａの長辺側の外周縁付近まで感温素子１５０を配置することができるため、複数の感温素子１５０を実装するスペースを確保することが可能となる。また、絶縁性樹脂１８０を塗布する前に、第一感温素子１５０ａ及び第二感温素子１５０ｂと基板１１０ａの接続パッド１１５との接合状態を確認することができる。また、第二凹部Ｋ２の開放部が形成されていることにより、導電性接着剤１８０を塗布するためのノズルが実装基体１６０に接触することを抑えるため、実装基体１６０に絶縁性樹脂が付着することなく、感温素子１５０に塗布することができるので、生産性を向上させることが可能となる。

第二凹部Ｋ２の開口部の形状は、平面視して、矩形状となっている。ここで基板１１０ａを平面視したときの長辺の寸法が、１．２〜２．５ｍｍであり、短辺の寸法が、１．０〜２．０ｍｍである場合を例にして、第二凹部Ｋ２の開口部の大きさを説明する。第二凹部Ｋ２の長辺の長さは、０．６〜１．２ｍｍであり、短辺の長さは、０．３〜１．０ｍｍとなっている。

実装基体１６０の基板１１０ａへの接合方法について説明する。まず、導電性接合材１７０は、例えばディスペンサ及びスクリーン印刷によって第一接合パッド１６１ａ、第二接合パッド１６１ｂ、第三接合パッド１６１ｃ及び第四接合パッド１６１ｄ上に塗布される。基板１１０ａは、基板１１０ａの接合端子１１２が実装基体１６０の接合パッド１６１上に塗布された導電性接合材１７０上に位置するようにして搬送され、導電性接合材１７０上に載置される。これによって、導電性接合材１７０を加熱溶融させることによって、基板１１０ａの接合端子１１２は、接合パッド１６１に接合される。つまり、基板１１０ａの第一接合端子１１２ａは、第一接合パッド１６１ａと接合され、基板１１０ａの第二接合端子１１２ｂは、第二接合パッド１６１ｂと接合される。また、基板１１０ａの第三接合端子１１２ｃは、第三接合パッド１６１ｃと接合され、基板１１０ａの第四接合端子１１２ｄは、第四接合パッド１６１ｄと接合されることになる。

また、基板１１０ａの接合端子１１２と実装基体１６０の接合パッド１６１とを導電性接合材１７０を介して接合されることで、図２（ｂ）に示すように、基板１１０ａと実装基体１６０との間に導電性接合材１７０の厚みと、接合端子１１２と接合パッド１６１の厚みとを足した分の間隙部Ｈが設けられ、その間隙部Ｈに感温素子１５０を被覆する絶縁性樹脂１８０が設けられている。これにより、仮に、本実施形態の水晶振動子が電子機器等の実装基板に実装されている場合に、この実装基板に実装されている他のパワーアンプ等の電子部品が発熱し、その熱が実装基板を介して第二凹部Ｋ２内に伝わったとしても、その熱が第二凹部Ｋ２内の絶縁性樹脂１８０から間隙部Ｈに設けられた絶縁性樹脂１８０まで伝わることになる。最後に、絶縁性樹脂１８０が外部に露出しているため、熱が大気中に放出される。このようにすることで、第二凹部Ｋ２内に実装された感温素子１５０に対して熱の影響を緩和することができる。よって、このような水晶振動子は、感温素子１５０から出力された電圧を換算することで得られた温度と、実際の水晶素子１２０の周囲の温度との差異を低減することができる。

また、このような間隙部Ｈに絶縁性樹脂１８０が設けられているので、感温素子１５０が絶縁性樹脂１８０により、確実に固定される。よって、感温素子１５０が基板１１０ａから剥がれることを低減することができる。

ここで、実装基体１６０の作製方法について説明する。実装基体１６０がガラスエポキシ樹脂である場合は、ガラス繊維から成る基材にエポキシ樹脂の前駆体を含浸させ、このエポキシ樹脂前駆体を所定の温度で熱硬化させることによって製作される。また、導体パターンの所定部位、具体的には、接合パッド１６１及び外部端子１６２は、例えば、ガラスエポキシ樹脂から成る樹脂シート上に、所定の形状に加工した銅箔を転写し、銅箔が転写された樹脂シートを積層して接着剤で接着することによって形成する。また、導体部１６４は、導体ペーストの印刷又はめっき法によって樹脂シートに形成した貫通孔の内面に金属を被着形成するか、貫通孔内に金属を充填して形成する。このような導体部１６４は、例えば金属箔又は金属柱を樹脂成形によって一体化させたり、スパッタリング法，蒸着法等を用いて被着させたりすることで形成される。

水晶素子１２０は、図１及び図２に示されているように、導電性接着剤１４０を介して電極パッド１１１上に接合されている。水晶素子１２０は、安定した機械振動と圧電効果により、電子装置等の基準信号を発振する役割を果たしている。

また、水晶素子１２０は、図１及び図２に示されているように、水晶素板１２１の上面及び下面のそれぞれに励振用電極１２２及び引き出し電極１２３を被着させた構造を有している。励振用電極１２２は、水晶素板１２１の上面及び下面のそれぞれに金属を所定のパターンで被着・形成したものである。励振用電極１２２は、上面に第一励振用電極１２２ａと、下面に第二励振用電極１２２ｂを備えている。引き出し電極１２３は、励振用電極１２２から水晶素板１２１の一辺に向かってそれぞれ延出されている。引き出し電極１２３は、上面に第一引き出し電極１２３ａと、下面に第二引き出し電極１２３ｂとを備えている。第一引き出し電極１２３ａは、第一励振用電極１２２ａから引き出されており、水晶素板１２１の一辺に向かって延出するように設けられている。第二引き出し電極１２３ｂは、第二励振用電極１２２ｂから引き出されており、水晶素板１２１の一辺に向かって延出するように設けられている。つまり、引き出し電極１２３は、水晶素板１２１の長辺又は短辺に沿った形状で設けられている。また、本実施形態においては、第一電極パッド１１１ａ及び第二電極パッド１１１ｂと接続されている水晶素子１２０の一端を基板１１０ａの上面と接続した固定端とし、他端を基板１１０ａの上面と間を空けた自由端とした片持ち支持構造にて水晶素子１２０が基板１１０ａ上に固定されている。

ここで、水晶素子１２０の動作について説明する。水晶素子１２０は、外部からの交番電圧が引き出し電極１２３から励振用電極１２２を介して水晶素板１２１に印加されると、水晶素板１２１が所定の振動モード及び周波数で励振を起こすようになっている。

ここで、水晶素子１２０の作製方法について説明する。まず、水晶素子１２０は、人工水晶体から所定のカットアングルで切断し、水晶素板１２１の外周の厚みを薄くし、水晶素板１２１の外周部と比べて水晶素板１２１の中央部が厚くなるように設けるベベル加工を行う。そして、水晶素子１２０は、水晶素板１２１の両主面にフォトリソグラフィー技術、蒸着技術又はスパッタリング技術によって、金属膜を被着させることにより、励振用電極１２２、引き出し電極１２３を形成することにより作製される。

水晶素子１２０の基板１１０ａへの接合方法について説明する。まず、導電性接着剤１４０は、例えばディスペンサによって第一電極パッド１１１ａ及び第二電極パッド１１１ｂ上に塗布される。水晶素子１２０は、導電性接着剤１４０上に搬送され、導電性接着剤１４０上に載置される。そして導電性接着剤１４０は、加熱硬化させることによって、硬化収縮される。水晶素子１２０は、電極パッド１１１に接合される。つまり、水晶素子１２０の第一引き出し電極１２３ａは、第一電極パッド１１１ａと接合され、第二引き出し電極１２３ｂは、第二電極パッド１１１ｂと接合される。これによって、第一接合端子１１２ａと第二接合端子１１２ｂが水晶素子１２０と電気的に接続され、水晶素子１２０が実装基体１６０の第一外部端子１６１ａ及び第二外部端子１６１ｂと電気的に接続される。

導電性接着剤１４０は、シリコーン樹脂等のバインダーの中に導電フィラーとして導電性粉末が含有されているものであり、導電性粉末としては、アルミニウム、モリブデン、タングステン、白金、パラジウム、銀、チタン、ニッケル又はニッケル鉄のうちのいずれか、或いはこれらの組み合わせを含むものが用いられている。また、バインダーとしては、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂又はビスマレイミド樹脂が用いられる。

感温素子１５０は、サーミスタ、白金測温抵抗体又はダイオード等が用いられている。サーミスタ素子の場合、感温素子１５０には、直方体形状であり、両端に接続端子１５１が設けられている。感温素子１５０は、第一感温素子１５０ａ及び第二感温素子１５０ｂによって構成されている。感温素子１５０は、温度変化によって電気抵抗が顕著な変化を示すものであり、この抵抗値の変化から電圧が変化するため、抵抗値と電圧との関係及び電圧と温度との関係により、出力された電圧から温度情報を得ることができる。感温素子１５０は、後述する接続端子１５１間の電圧が、実装基体１６０の第三外部端子１６２ｃ及び第四外部端子１６２ｄを介して水晶振動子の外へ出力されることにより、例えば、電子機器等のメインＩＣ（図示せず）で出力された電圧を温度に換算することで温度情報を得ることができる。このような感温素子１５０を水晶振動子の近くに配置して、これによって得られた水晶振動子の温度情報に応じて、メインＩＣにより水晶振動子を駆動する電圧を制御し、いわゆる温度補償をすることができる。

また、感温素子１５０がサーミスタ素子の場合に、第一感温素子１５０ａと第二感温素子１５０ｂとを並列接続されている。このようにすることで、サーミスタ特性を劣化させることなく、狭偏差の抵抗値を得ることできると共に、温度変化に対するサーミスタ素子の感度（抵抗値の変化の割合）を表す物性値であるＢ定数の低下も抑えることができる

また、白金測温抵抗体が用いられている場合、感温素子１５０は、直方体形状のセラミック板上の中央に白金を蒸着し、白金電極が設けられている。また、セラミック板の両端には接続端子１５１が設けられている。白金電極と接続端子とは、セラミック板上面に設けられた引き出し電極により接続されている。白金電極の上面を被覆するようにして
絶縁性樹脂が設けられている。

また、ダイオードが用いられている場合、感温素子１５０は、半導体素子を半導体素子用基板の上面に実装し、その半導体素子及び半導体素子用基板の上面を絶縁性樹脂で被覆された構造である。半導体素子用基板の下面から側面には、アノード端子及びカソード端子となる接続端子１５１が設けられている。感温素子１５０は、アノード端子からカソード端子へは電流を流すが、カソード端子からアノード端子へはほとんど電流を流さない順方向特性を有している。感温素子の順方向特性は、温度によって大きく変化する。感温素子に一定電流を流しておいて順方向電圧を測定することによって、電圧情報を得ることができる。その電圧情報から換算することで水晶素子の温度情報を得ることができる。ダイオードは、電圧と温度との関係が直線を示している。接続端子１５１のカソード端子及びアノード端子間の電圧が、第三外部端子１６２ｃ及び第四外部端子１６２ｄを介して水晶振動子の外へ出力される。

感温素子１５０は、図２に示すように、基板１１０ａの下面に設けられた接続パッド１１５に半田等の導電性接合材１７０を介して実装されている。また、第一感温素子１５０ａの第一接続端子１５１ａは、第一接続パッド１１５ａに接続され、第二接続端子１５１ｂは、第二接続パッド１１５ｂに接続されている。第二感温素子１５０ｂの第三接続端子１５１ｃは、第一接続パッド１１５ａに接続され、第四接続端子１５１ｄは、第二接続パッド１１５ｂに接続されている。第二接続パッド１１５ｂは、基板１１０ａの下面に設けられた第二接続パターン１１６ｂ及び実装基体１６０の第三接合パッド１６１ｃを介して第三外部端子１６２ｃと接続されている。また、第三外部端子１６２ｃは、電子機器等の実装基板上の基準電位であるグランドと接続されている実装パッドと接続されることにより、グランド端子の役割を果たす。よって、第一感温素子１５０ａの第二接続端子１５１ｂ及び第二感温素子１５０ｂの第四接続端子１５１ｄは、基準電位であるグランドに接続されることになる。

また、複数の感温素子１５０の一部は、平面視して、水晶素子１２０に設けられる励振用電極１２２の平面内に位置させていることにより、励振用電極１２２の金属膜によるシールド効果によって感温素子１５０を、電子機器を構成するパワーアンプ等の他の半導体部品や電子部品からのノイズから保護する。よって、励振用電極１２２のシールド効果により、感温素子１５０にノイズが重畳することを低減し、感温素子１５０の正確な電圧を出力することができる。また、感温素子１５０から正確な電圧値を出力することができるので、感温素子１５０から出力された電圧を換算することで得られた温度情報と、実際の水晶素子１２０の周囲の温度情報との差異をさらに低減することが可能となる。

感温素子１５０の基板１１０ａへの接合方法について説明する。まず、導電性接合材１７０は、例えばディスペンサによって接続パッド１１５に塗布される。感温素子１５０は、導電性接合材１７０上に載置される。そして導電性接合材１７０は、加熱させることによって溶融接合される。よって、複数の感温素子１５０は、対応する接続パッド１１５にそれぞれ接合される。

また、感温素子１５０がサーミスタ素子の場合には、図１及び図２に示すように、直方体形状の両端にそれぞれ一つずつ接続端子１５１が設けられている。第一接続端子１５１ａ及び第三接続端子１５１ｃは、第一感温素子１５０ａ及び第二感温素子１５０ｂの右側面及び上下面に設けられている。第二接続端子１５１ｂ及び第四接続端子１５１ｄは、第一感温素子１５０ａ及び第二感温素子１５０ｂの左側面と上下面に設けられている。このような感温素子１５０の長辺の長さは、０．４〜０．６ｍｍであり、短辺の長さは、０．２〜０．３ｍｍとなっている。感温素子１５０の厚み方向の長さは、０．１〜０．３ｍｍとなっている。

導電性接合材１７０は、例えば、銀ペースト又は鉛フリー半田により構成されている。また、導電性接合材１７０には、塗布し易い粘度に調整するための添加した溶剤が含有されている。鉛フリー半田の成分比率は、錫が９５〜９７．５％、銀が２〜４％、銅が０．５〜１．０％のものが使用されている。

絶縁性樹脂１８０は、電子機器等の実装基板上に実装する際に用いる半田等が、感温素子１５０に被着することを抑えつつ、感温素子１５０の接続端子１５１と実装基体１６０ｂの外部端子１６２との間で短絡することを低減するためのものである。絶縁性樹脂１８０は、感温素子１５０を被覆すると共に、感温素子１５０と基板１１０ａとの間及び実装基体１６０と基板１１０ａとの間の間隙部Ｈに設けられている。

次に、絶縁性樹脂１８０の塗布方法は、未硬化状態の絶縁性樹脂１８０が第二凹部Ｋ２の開口部を介して、感温素子１５０と基板１１０ａとの間及び実装基体１６０と基板１１０ａとの間に充填される。充填は、例えば、ディスペンサによって行われる。このようにすることで、接合パッド１６１と接合端子１１２との電気的接続の信頼性をより向上させることができる。また、接合パッド１６１の周囲に絶縁性樹脂１８０が設けられることによって、接合パッド１６１と接合端子１１２との間に設けられた導電性接合材１７０の周囲にも絶縁性樹脂１８０が設けられているので、半田の付着等により電子機器等に実装されている他の電子部品との短絡を低減することができる。

蓋体１３０は、例えば、鉄、ニッケル又はコバルトの少なくともいずれかを含む合金からなる。このような蓋体１３０は、真空状態にある第一凹部Ｋ１又は窒素ガスなどが充填された第一凹部Ｋ１を気密的に封止するためのものである。具体的には、蓋体１３０は、所定雰囲気で、パッケージ１１０の枠体１１０ｂ上に載置され、枠体１１０ｂの封止用導体パターン１１８と蓋体１３０の接合部材１３１とが溶接されるように所定電流を印加してシーム溶接を行うことにより、枠体１１０ｂに接合される。また、蓋体１３０は、封止用導体パターン１１８、第三ビア導体１１４ｃ及び第三導体部１６３ｃを介して実装基体１６０の下面の第三外部端子１６２ｃに電気的に接続されている。第三外部端子１６２ｃは、導電性接合材１７０を介して第二接続パッド１１５ｂ及び第四接続パッド１１５ｄと電気的に接続されている。よって、蓋体１３０は、パッケージ１１０の第三外部端子１６２ｃと電気的に接続されている。

接合部材１３１は、パッケージ１１０の枠体１１０ｂ上面に設けられた封止用導体パターン１１８に相対する蓋体１３０の箇所に設けられている。接合部材１３１は、例えば、銀ロウ又は金錫によって設けられている。銀ロウの場合は、その厚みは、１０〜２０μｍである。例えば、成分比率は、銀が７２〜８５％、銅が１５〜２８％のものが使用されている。金錫の場合は、その厚みは、１０〜４０μｍである。例えば、成分比率が、金が７８〜８２％、錫が１８〜２２％のものが使用されている。

本実施形態における水晶振動子は、矩形状の基板１１０ａと、基板１１０ａの下面の短辺に沿って設けられた実装基体１６０と、基板１１０ａの下面の外周縁に沿って設けられた接合端子１１２と、実装基体１６０の上面の両端に設けられた接合パッド１６１と、基板１１０ａの上面に設けられた電極パッド１１１と、実装基体１６０の間で基板１１０ａの下面に設けられた少なくとも一対の接続パッド１１５と、電極パッド１１１に実装された水晶素子１２０と、一対の接続パッド１１５に実装された少なくとも二つ以上の感温素子１５０と、水晶素子１２０を気密封止するための蓋体１３０と、を備えている。このようにすることで、一対の接続パッド１１５には、第一感温素子１５０ａ及び第二感温素子１５０ｂが実装されているので、隣接している第一感温素子１５０ａに伝わった熱が、接続パッド１１５を介することによって、第二感温素子１５０ｂと共有されることになる。したがって、第一感温素子１５０ａと第二感温素子１５０ｂとの温度差を低減することができ、感温素子１５０の温度情報により温度補正される水晶素子１２０への補正値のバラツキを低減させることが可能となる。

また、本実施形態における水晶振動子は、基板１１０ａの下面の長辺方向が開放されているため、複数の感温素子１５０を基板１１０ａの長辺の外周縁まで配置することができるので、複数の感温素子１５０を配置することが可能となる。また、複数の感温素子１５０を実装するための接続パッド１１５の形状も大きくすることができるため、複数の感温素子１５０が接続パッド１１５から外れることを抑えつつ、感温素子１５０と接続パッド１１５の接合強度を向上させることが可能となる。

また、本実施形態における水晶振動子は、実装基体１６０がガラエポ基板によって形成されている。このようにすることにより、実装基体１６０の基材と電子機器等を構成する実装基板（図示せず）の基材は同じ樹脂材料からなるようにすることにより、熱膨張係数の差をより小さくすることができる。このため、加熱で実装基板が変形した場合でも、その変形による応力が実装基体１６０の存在により緩和され、その結果として、半田にかかる応力も緩和される。このような水晶振動子は、電子機器等の実装基板から剥がれの発生を低減することができる。

また、本実施形態の水晶振動子は、感温素子１５０を被覆するようにして設けられた絶縁性樹脂１８０を備えている。このような水晶振動子は、感温素子が絶縁性樹脂１８０にて保護されているため、感温素子１５０に金属屑が付着して接続端子１５１間が短絡してしまうことを抑えることができる。

また、本実施形態の水晶振動子は、絶縁性樹脂１８０が、間隙部Ｈに設けられている。このような水晶振動子が電子機器等の実装基板に実装されている場合に、この実装基板に実装されている他のパワーアンプ等の電子部品が発熱し、その熱が実装基板を介して第二凹部Ｋ２内に伝わったとしても、その熱が第二凹部Ｋ２内の絶縁性樹脂１８０から間隙部Ｈに設けられた絶縁性樹脂１８０まで伝わることになる。次に、熱は、間隙部Ｈに設けられた絶縁性樹脂１８０が外部に露出しているため、熱が大気中に放出される。このようにすることで、第二凹部Ｋ２内に実装された感温素子１５０に対して熱の影響を緩和することができる。よって、このような水晶振動子は、感温素子１５０から出力された電圧を換算することで得られた温度と、実際の水晶素子１２０の周囲の温度との差異を低減することができる。

また、本実施形態における水晶振動子は、基板１１０ａに水晶素子１２０と感温素子１５０とを実装した状態で、平面視して、水晶素子１２０に設けられた励振用電極１２２の平面内に感温素子１５０を位置させていることによって、励振用電極１２２の金属膜によるシールド効果によって感温素子１５０を、電子機器を構成するパワーアンプ等の他の半導体部品や電子部品からのノイズから保護する。よって、励振用電極１２２のシールド効果により、感温素子１５０にノイズが重畳することを低減し、感温素子１５０の正確な電圧を出力することができる。また、感温素子１５０から正確な電圧値を出力することができるので、感温素子１５０から出力された電圧を換算することで得られた温度情報と、実際の水晶素子１２０の周囲の温度情報との差異をさらに低減することが可能となる。

また、本実施形態における水晶振動子は、基板１１０ａの下面に設けられ、接続パッド１１５と電気的に接続された接続パターン１１６と、を備え、電極パッド１１１が枠体１１０ｂの内周縁の一辺に沿って隣接するようにして設けられており、接続パターン１１６の一つが平面透視して一対の電極パッド１１１の間に位置するように設けられている。このようにすることによって、水晶素子１２０から伝わる熱が、電極パッド１１１から直下にある基板１１０ａを介して、第一接続パターン１１６ａに伝わり、第一接続パッド１１５ａに伝わることになる。よって、このような水晶振動子は、熱伝導経路をさらに短くすることができるので、水晶素子１２０の温度と第一感温素子１５０ａ及び第二感温素子１５０ｂの温度とが近似することになり、感温素子１５０から出力された電圧を換算することで得られた温度と、実際の水晶素子１２０の周囲の温度との差異をさらに低減することが可能となる。

（変形例）
以下、本実施形態の変形例における水晶デバイスについて説明する。なお、本実施形態の変形例における水晶デバイスのうち、上述した水晶デバイスと同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。本実施形態の変形例における水晶デバイスは、図６〜図７に示されているように、感温素子１５０の長辺が、基板２１０ａの短辺と平行になるように基板２１０ａの接続パッド２１５に実装されている点において本実施形態と異なる。

接続パターン２１６は、図６及び図７に示すように、基板２１０ａの上面に設けられ、接続パッド２１５から所望のビア導体２１４に向けてそれぞれ引き出されている。また、第一接続パターン２１６ａは、第一配線パターン２１３ａと重なるようにして設けられている。このようにすることによって、水晶素子１２０から伝わる熱が、第一電極パッド２１１ａから第一配線パターン２１３ａに伝わり、第一配線パターン２１３ａの直下にある基板２１０ａを介して、第一接続パターン２１６ａに伝わり、第一接続パッド２１５ａに伝わることになる。よって、このような水晶振動子は、熱伝導経路をさらに短くすることができるので、水晶素子１２０の温度と感温素子１５０の温度とが近似することになり、感温素子１５０から出力された電圧を換算することで得られた温度と、実際の水晶素子１２０の周囲の温度との差異をさらに低減することが可能となる。

感温素子１５０は、感温素子１５０の長辺と基板２１０ａの短辺とが平行となるように、基板２１０ａの下面に実装されている。このようにすることにより、水晶素子１２０と電気的に接続されている第一接合端子２１２ａは、第一接続パッド２１５ａ及び第三接続パッド２１２ｃとの間隔を長くすることができ、水晶素子１２０と電気的に接続されている第二接合端子２１２ｂは、第二接続パッド２１５ｂ及び第四接続パッド２１５ｄとの間隔を長くすることができるので、第一感温素子１５０ａ及び第二感温素子１５０ｂを接合している導電性接合材１７０が溢れ出たとしても、導電性接合材１７０が付着することを抑えることができる。よって、感温素子１５０と水晶素子１２０と電気的に接続されている接合端子２１２との短絡を低減することができる。

尚、本実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。上記実施形態では、水晶素子は、ＡＴ用水晶素子を用いた場合を説明したが、基部と、基部の側面より同一の方向に延びる二本の平板形状の振動腕部とを有する音叉型屈曲水晶素子を用いても構わない。

上記実施形態では、枠体１１０ｂが基板１１０ａと同様にセラミック材で一体的に形成した場合を説明したが、枠体１１０ｂが金属製であっても構わない。この場合、枠体は、銀−銅等のロウ材を介して基板の導体膜に接合されている。

上記実施形態では、実装基体１６０が一対で形成されている構成を説明したが、実装基体１６０が、枠状で構成されていても構わない。

上記実施形態では、基板１１０ａの上面に枠体１１０ｂが設けられた場合を説明したが、枠体１１０ｂを設けなくても構わない。この場合、蓋体は、矩形状の封止基部と、封止基部の下面の外周縁に沿って設けられている封止枠部とで構成されているものを用いても構わない。このような蓋体は、封止基部の下面と封止枠部の内側側面とで収容空間が形成されている。封止枠部は、封止基部の下面の外縁に沿って設けられている。封止基部及び封止枠部は、例えば、鉄、ニッケル又はコバルトの少なくともいずれかを含む合金からなり、一体的に形成されている。このような封止蓋体は、真空状態にある収容空間又は窒素ガスなどが充填された収容空間を気密的に封止するためのものである。具体的には、蓋体は、所定雰囲気で、平板状の基板の上面に載置され、基板の上面と封止枠部の下面との間に設けられた接合部材とが熱が印加されることで、溶融接合される。

１１０、２１０・・・パッケージ
１１０ａ、２１０ａ・・・基板
１１０ｂ、２１０ｂ・・・枠体
１１１、２１１・・・電極パッド
１１２、２１２・・・接合端子
１１３、２１３・・・配線パターン
１１４、２１４・・・ビア導体
１１５、２１５・・・接続パッド
１１６、２１６・・・接続パターン
１１８、２１８・・・封止用導体パターン
１２０・・・水晶素子
１２１・・・水晶素板
１２２・・・励振用電極
１２３・・・引き出し電極
１３０・・・蓋体
１３１・・・接合部材
１４０・・・導電性接着剤
１５０・・・感温素子
１５１・・・接続端子
１６０・・・実装基体
１６１・・・接合パッド
１６２・・・外部端子
１６４・・・ビア導体
１８０・・・絶縁性樹脂
Ｋ１・・・第一凹部
Ｋ２・・・第二凹部
Ｈ・・・間隙部

Claims (6)

1. 矩形状の基板と、
   前記基板の下面の短辺に沿って設けられた実装基体と、
   前記基板の下面の外周縁に沿って設けられた接合端子と、
   前記実装基体の上面の両端に設けられた接合パッドと、
   前記基板の上面に設けられた電極パッドと、
   前記実装基体の間で前記基板の下面に設けられた一対の接続パッドと、
   前記電極パッドに実装された水晶素子と、
   前記一対の接続パッドに実装された少なくとも二つ以上の感温素子と、
   前記水晶素子を気密封止するための蓋体と、を備えていることを特徴とする水晶振動子。
2. 請求項１記載の水晶振動子であって、
   前記実装基体がガラエポ基板によって形成されていることを特徴とする水晶振動子。
3. 請求項１又は請求項２記載の水晶振動子であって、
   前記感温素子を被覆するようにして設けられた絶縁性樹脂を備えていることを特徴とする水晶振動子。
4. 請求項３に記載の水晶振動子であって、
   前記基板と前記実装基体との間に設けられた間隙部を備え、
   前記絶縁性樹脂が、前記間隙部に設けられていることを特徴とする水晶振動子。
5. 請求項１乃至請求項４記載の水晶振動子であって、
   前記感温素子の一部が、前記基板に前記水晶素子と前記感温素子とを実装した状態で、平面視して前記水晶素子に設けられた励振用電極の平面内に位置させていることを特徴とする水晶振動子。
6. 請求項１乃至請求項５記載の水晶振動子であって、
   前記基板の上面の外周縁に沿って配置された枠体と、
   前記基板の下面に設けられ、前記接続パッドと電気的に接続された接続パターンと、を備え、
   前記電極パッドが前記枠体の内周縁の一辺に沿って隣接するようにして設けられており、
   前記接続パターンの一つが平面透視して前記一対の電極パッドの間に位置するように設けられていることを特徴とする水晶振動子。
   

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