JP6679463B2 - スイッチング素子の駆動回路 - Google Patents
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Description
電流通路の一方の端子と前記電流通路の他方の端子と駆動信号入力端子との3つの端子を有し、前記電流通路の一方の端子にハイサイド端子が接続されたノーマリオン型の第1のスイッチング素子と、前記電流通路の他方の端子にローサイド端子が接続されたノーマリオフ型の第2のスイッチング素子とが、前記第1のスイッチング素子のローサイド端子と前記第2のスイッチング素子のハイサイド端子が接続されることにより直列に接続されたスイッチ部を含み、前記スイッチ部を駆動するスイッチング素子の駆動回路であって、
前記第1のスイッチング素子の駆動制御端子と前記第2のスイッチング素子のローサイド端子との間に容量成分とともに誘導素子と一方向通電素子の並列回路が接続され、
前記一方向通電素子はその陽極端子が前記第1のスイッチング素子の駆動制御端子に接続され、その陰極端子が前記第2のスイッチング素子のローサイド端子に接続され、
前記第2のスイッチング素子の駆動制御端子が前記駆動信号入力端子に導通接続されていることを特徴とする。
に容量成分とともに誘導素子と一方向通電素子の並列回路を挿入した構成により、ターンオン時およびターンオフ時のスイッチング素子の駆動制御端子に対する駆動信号に不要な振動を発生させることなく、ハンチング抑制を向上すること(スイッチング波形を効果的になまらせること)が可能となる。
51 スイッチ部
52 並列回路
C1 容量素子(寄生容量)
D1 ダイオード(一方向通電素子)
L1 インダクタ(誘導素子)
Q1 ノーマリオン型の第1のスイッチング素子(GaNの半導体スイッチ)
Q2 ノーマリオフ型の第2のスイッチング素子(MOS‐FET)
T1 電流通路の一方の端子
T2 電流通路の他方の端子
T3 駆動信号入力端子
Claims (5)
- 電流通路の一方の端子と前記電流通路の他方の端子と駆動信号入力端子との3つの端子を有し、前記電流通路の一方の端子にハイサイド端子が接続されたノーマリオン型の第1のスイッチング素子と、前記電流通路の他方の端子にローサイド端子が接続されたノーマリオフ型の第2のスイッチング素子とが、前記第1のスイッチング素子のローサイド端子と前記第2のスイッチング素子のハイサイド端子が接続されることにより直列に接続されたスイッチ部を含み、前記スイッチ部を駆動するスイッチング素子の駆動回路であって、
前記第1のスイッチング素子の駆動制御端子と前記第2のスイッチング素子のローサイド端子との間に容量成分とともに誘導素子と一方向通電素子の並列回路が接続され、
前記一方向通電素子はその陽極端子が前記第1のスイッチング素子の駆動制御端子に接続され、その陰極端子が前記第2のスイッチング素子のローサイド端子に接続され、
前記第2のスイッチング素子の駆動制御端子が前記駆動信号入力端子に導通接続されていることを特徴とするスイッチング素子の駆動回路。 - 前記容量成分は、前記一方向通電素子の寄生容量である請求項1に記載のスイッチング素子の駆動回路。
- 前記誘導素子がインダクタであり、前記一方向通電素子がダイオードである請求項1または請求項2に記載のスイッチング素子の駆動回路。
- 前記3つの端子を1つのパッケージに備え、そのパッケージ内に前記第1のスイッチング素子と前記第2のスイッチング素子の2素子が収容されてなる請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載のスイッチング素子の駆動回路。
- 前記第1のスイッチング素子がGaNの半導体スイッチであり、前記第2のスイッチング素子がMOS‐FETである請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載のスイッチング素子の駆動回路。
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