JP6674542B2 - 供与体と受容体との間に２つの非共役ブリッジを有する光電変換デバイス用の熱活性化遅延蛍光有機分子 - Google Patents

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Description

本発明は光電変換デバイス用の有機分子及びその有機分子を含有する光電変換デバイスに関する。有機分子は供与体部及び受容体部を有し、供与体部及び受容体部の空間位置が2つの有機非共役ブリッジを介して相互に連結される。本発明の有機分子は有効遅延蛍光の一重項―三重項小エネルギ―間隙を有するため、特に光電変換デバイスに最適に応用できる。
光電変換の用途においては、発光減衰時間τが短く光誘起発光量子効率ΦＰＬが高い発光分子（＝放射体分子）を使用することが多い。放射過程において最低励起三重項Ｔ1の電子占用を含み、純有機放射体分子即ち金属化合物を含まない分子は、前記応用に重要な意義を有する。Ｔ1状態とその上方の一重項Ｓ1との間の十分に小さいエネルギ―差ΔＥ（Ｓ1―Ｔ1）（図1）を設定することによって、室温下で熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）を発生することができ、前記要求を満たすことができる。前記過程は当業者にとって既知であり（例えば、Ａ． Ｐａｒｋｅｒ， Ｃ． Ｇ． Ｈａｔｃｈａｒｄ； Ｔｒａｎｓ． Ｆａｒａｄａｙ， Ｒｏｙａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｃｈｅｍ． 1961， 57， 1894参照）、Ｅ型に基づくアップコンバ―トとも呼ばれる（エオシンの時初めて発見されるため）。その結果、有効なＴＡＤＦ、即ち長寿命の三重項参与を実現できる時、前記発光（＝放射）減衰時間τ（ＴＡＤＦ）は燐光減衰時間τ（Τ1）に対し複数の等級数の減少になっている。それ以外、放射量子効率ΦＰＬを顕著に向上することは多くの状況下で共に実現でき、その原因は競争で快速に占有過程に戻りＴ1→ ｋＢＴ→ Ｓ1、Ｔ1状態の非輻射過程（図1にて波線で示され）を減少したことにある。
供与体（Ｄ）断片と受容体（Ａ）断片との間に分子内電荷転移（ＣＴ）遷移を有する分子では、ＴＡＤＦを発生する可能性があることが従来から知られている。然し、これまでに発見されたエネルギ―差ΔＥ（Ｓ1―Ｔ1）は依然として非常に大きく、多くの応用に期待される光物理特性、例えば短い減衰時間τ（ＴＡＤＦ）は、実現されていない。
本発明は、対応にエネルギ―差ΔＥ（Ｓ1―Ｔ1）を減少することによって相応する純の有機分子を供給する、分子構造原理に基づく方法を提供する。式（1）に基づいて、上記エネルギ―差と量子力学交換積分とはほぼ正比率しておる。

式中、ｒ1及びｒ2は、電子座標、ｒ12は、電子1と電子2との間の距離である。ΨＤは、ＨＯＭＯの波動関数（最高被占軌道）である。本発明の類型の分子では、ＨＯＭＯは主に分子の供与体部分Ｄを通じて伸展される。一方、ΨΑ＊はＬＵＭＯ（最低空軌道）を表し、主に分子の受容体部分Ａを通じて伸展される。式（1）より明らかなように、波動関数の積ΨＤ（ｒ1）ΨΑ＊（ｒ2）が小さくなると、ΔＥ（Ｓ1―Ｔ1）は小さくなる。各種の、分子内電荷移動（ＣＴ）遷移有する分子では、前記要求を達すことができない。その原因は、波動関数ΨＤ（ｒ1）の空間拡張及びΨΑ＊（ｒ2）が顕著な堆積により、ΔＥ（Ｓ1―Ｔ1）値にが過度に大きくなるためである。本発明にでは、波動関数の堆積を著しく減少可能な分子構造が提供される。これが実現されるのは、上記分子構造においては、非共役的、小さい化学基（ブリッジ）により供与体分子部分と受容体分子部分が分離されるためである。そのため、ＨＯＭＯの受容体エリアまでの拡張及びＬＵＭＯの供与体エリアまでの拡張が顕著に減少する。
式Ｉは本発明に基づく有機分子の分子構造を示し、供与体と受容体断片との間に2つの有機ブリッジを有する。これらのブリッジを子適切に選択することによって、ＨＯＭＯ（主に供与体に位置する）とＬＵＭＯ（主に受容体に位置する）との空間的重なりを非常に小さくすることができる。電子基底状態Ｓ0と励起状態Ｓ1との間の遷移蓋然率が小さすぎないように、軌道が微妙な重なりを有することが重要である。また、二重式のブリッジは分子の硬化に至る。これにより放射量子効率の増加及び放射半値幅の減少が実現される。後者は多くの状況下で確定な発光色（色純度）を取得すること、例えばＯＬＥＤにおける発光に対して、非常に有意義である。
式Ｉは本発明の一実施形態における2つの化学ブリッジを有する有機分子の分子構造を示す。これらのブリッジはＤとＡとの間の共役結合及びＨＯＭＯとＬＵＭＯとの重なりを大幅に減少させ、且つ分子構造を安定化させる。
式Ｉ：本発明による有機分子の分子構造を表し、上記有機分子は1つの芳香族またはヘテロ芳香族（基）の供与体断片Ｄ及び、1つの、2つの非共役ブリッジＢ1とＢ2との結合による芳香族またはヘテロ芳香族の受容体断片Ａにより構成される。上記ブリッジは供与体―ＨＯＭＯと受容体―ＬＵＭＯとの重なりを大幅に減少させる。
光電変換への応用で要求されるΔＥ（Ｓ1−Ｔ1）値の低減において、重要なのは、断片Ｄ及びＡが、それぞれ十分な供与体または受容体強度を有することである（このことは当業者にとってよく知られている）。この強度は電子供与（供与体に対する強度）または電子吸引（受容体に対する強度）の作用強度により説明することができる。
適切な分子構造を選択することによって、エネルギ―差ΔＥ（Ｓ1−Ｔ1）を2，000ｃｍ―1より低く、さらに1，500ｃｍ―1または800ｃｍ―1より低く、そして、400ｃｍ―1より低く特に200ｃｍ―1より低くすることができる。この値は単一の分子によって決定される。様々な方法で上記値を決定することができる。
― ΔＥ（Ｓ1−Ｔ1）値は、量子力学の計算によって得られる。例えば商業上入手できるＴＤ―ＤＦＴプロセス（例えばＧａｕｓｓｉａｎ 09プロセス）または無料で入手可能なＮＷＣｈｅｍバ―ジョン（例えばバ―ジョン6．1）、ＣＣ2法（ＴＵＲＢＯＭＯＬＥ ＧｍｂＨ、Ｋａｒｌｓｒｕｈｅ）またはＣＡＳ法（完全アクテイブ状態法）を使用することができる （例えばＤ． Ｉ． Ｌｙａｋｈ， Ｍ． Ｍｕｓｉａｚ， Ｖ． Ｆ． Ｌｏｔｒｉｃｈ， Ｒ． Ｊ． Ｂａｒｔｌｅｔｔ， Ｃｈｅｍ． Ｒｅｖ． 2012， 112， 182―243 ｕｎｄ Ｐ． Ｇ． Ｓｚａｌａｙ， Ｔ． Ｍｕｌｌｅｒ， Ｇ． Ｇｉｄｏｆａｌｖｉ， Ｈ． Ｌｉｓｃｈｋａ， Ｒ． Ｓｈｅｐａｒｄ， Ｃｈｅｍ． Ｒｅｖ． 2012， 112， 108―181参照）。実施例では計算の実例を示す。
― ΔＥ（Ｓ1−Ｔ1）値は、実験的に測定してもよい。本発明にかかる有機分子は即時（＝自発）蛍光成分（減衰時間が幾つから何十几十ナノ秒である）を表しただけでなく、且つ減衰範囲が百から数百までのＴＡＤＦ減衰成分を表す。市販の設備により温度と減衰時間との関係を確定することができる。式（2）を用いて、実験曲線から得られる、放射減衰時間の温度変かによってΔＥ（Ｓ1−Ｔ1）値［例えば Ｃｚｅｒｗｉｅｎｉｅｃ Ｒ．、Ｋｏｗａｌｓｋｉ Ｋ．、Ｙｅｒｓｉｎ Ｈ．； Ｄａｌｔｏｎ Ｔｒａｎｓ．2013，42，9826参照］を算定することができる。
式中、τ（Ｔ）は実験結果により確定される即時放射減衰と熱バランス（数 100 ｎｓ）に達した後の平均減衰時間である。Τ（Ｓ1）はＳ1状態の放射減衰時間である。その他のパラメ―タの定義は前述のとおりである。
多くの用途において、発光減衰時間τ（ＴＡＤＦ）（＝τ（300Ｋ））はなるべく小さくする（何百μｓより小さいことが好ましい）。これを達するため、ΔＥ（Ｓ1―Ｔ1）値が小さくなるように設定する以外に、Ｔ1と比較的高い分子エネルギ―状態との間のスピン軌道カップリング（ＳＢＫ）作用を増加して、より大きいシステム間走り躍り（ＩＳＣ）速度を取得することが有効である。そのため、例えばハロゲン（Ｃｌ、Ｂｒ及び／またはＩ）により供与体断片Ｄ及び／または受容体断片Ａを置換してもよい。
本発明の分子は、供与体Ｄ及び／または受容体Ａにエネルギ―が非常にＣＴ状態に接近する局在状態を有する （エネルギ―が電荷転移（ＣＴ）状態より低い局在三重項の出現する状況下で、前記三重項の番号が変更され、例えば局在状態がＴ1及びＣＴ―状態がとＴ2称される）ため、本発明の分子では、システム間の走り躍り（ＩＳＣ）速度の向上も実現できる。上記状態の間の量子力学混合に基づくＳＢＫが増強されるため、前記速度が向上する。既知のコンピュ―タプロセスまたは量子力学方法（例えばＧａｕｓｓｉａｎ 09またはＣＣ2方法）を使用してタ―ゲット分子を確定する。上記状態の間のエネルギ―間隙は、2000ｃｍ―1より小さく、好ましくは1500ｃｍ―1より小さく、より好ましくは1000ｃｍ―1より小さく、さらに好ましくは400ｃｍ―1より小さく、最も好ましくは200ｃｍ―1より小さい。供与体及び／または受容体強度を変更し、且つ供与体の電子供与置換及び／または受容体の電子吸引置換を変更することによって、相互のエネルギ―変位を実現できる。1つ以上の電子供与及び／または電子吸引の置換によってエネルギ―変位を実現することもできる。環境の極性（例えばポリマ―基材）を変更することによってＣＴ状態偏移を実現することができる。 断片ＤとＡとの間の化学ブリッジＢ1及びＢ2は分子を硬化させる役割を有するだけでなく、放射量子効率ΦＰＬを向上させる。
また、これらのブリッジは供与体分子断片Ｄの受容体分子断片Ａに対する自由遷移を強く規制する。そのため、ポリマ―基剤に添加された所定の放射体分子のΔＥ（Ｓ1―Ｔ1）値の変化、即ちこの値の不均一性は、極大に規制される。これにより、従来の技術において常に出現した長寿命“ 減衰テ―ル”エリアにおける長い放射減衰時間が大幅に減少する。また、放射ベルトの半幅を減少することによって放射の色純度が改善された。
式Ｉの受容体Ａ及び供与体Ｄの説明
式Ｉの放射体分子は、2つのブリッジＢ1、Ｂ2で共有連接される2つの断片、即ち供与体断片Ｄ及び受容体断片Ａにより構成される。前記供与体断片及び受容体断片は、芳香族またはヘテロ芳香族の化学基によって構成され、その他の置換基を有してもよい。前記ブリッジＢ1、Ｂ2は、短い脂肪族またはヘテロ脂肪族断片であり、それにより最大限に芳香族断片ＡとＤとの間の共役（非局在化）を減少させる。分子式ＩＩ及びＩＩＩを用いて分子断片Ａ及びＤの化学構造を説明する。
式ＩＩ及びＩＩＩ： Ｄ及びＡ分子断片の構造である。供与体及び受容体断片は、異なる芳香族／ヘテロ芳香族断片によって構成される。それらは相互に独立に五員環または六員環であってもよく、且つ置換基または拡張（縮合環体系も有する）を有する。個体の構造の差異によって、供与体または受容体断片を得ることができる。
＃標記位置、供与体部分Ｄまたは受容体部分Ａが前記位置でＢ1及びＢ2と結合する。化学基Ｘ1〜Ｘ7及びＹ1〜Ｙ4は以下のとおりである。
Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3及びＹ4は、それぞれ独立にＣまたはＮである。Ｘ1〜Ｘ7は、それぞれ独立にＮ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、ＣＨ、ＮＨ、Ｃ―Ｒ1またはＮ―Ｒ2である。
Ｒ1及びＲ2化学基がそれぞれ独立に―Ｈ、アルキル基（例えばメチル、エチル、ｎ―プロピル、イソプロピル、ｎ―ブチル、イソブチル、ｔ―ブチル、アダマンチル基）、シクロアルキル基（例えばシクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル）、アルケニル基（例えばビニル、アリル）、アルキニル基（例えば、エチニル基）、アリ―ル基（例えば、フェニル、メチルフェニル、ナフチル基）、ヘテロアリ―ル基（例えば． フラニル基、チオフェン基、ピロ―ル基）、化学置換されたアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリ―ル基またはヘテロアリ―ル基、アルコキシ基（―ＯＲ’）、チオアルキル基（―ＳＲ’）、スルホニル基（―ＳＯ2Ｒ）、アシル基（―ＣＯＲ’）、ホルミル基（―ＣＨＯ）、カルボキシル基（―ＣＯ2Ｒ’）、ボラン基（―ＢＲ’Ｒ’’）、スルフィニル基（―ＳＯＲ’）、アミノ（―ＮＲ’Ｒ’’）、ホスフィン基（―ＰＲ’Ｒ’’）、ホスフィニル基（―ＰＯＲ’Ｒ ’’）、アミド基（―ＮＲ’ＣＯＲ’’）、シラン基（―ＳｉＲ’Ｒ’’Ｒ’’’）、シアノ基（―ＣＮ）、ニトロ基（―ＮＯ2）、ニトロソ基（―ＮＯ）、イソシアナト基（―ＮＣＯ）、チオシアナト基（―ＮＣＳ）またはハロゲン（ＮＣＯ）Ｆ、―Ｃｌ、―Ｂｒ、―Ｉ）から選ばれる。前記残基Ｒ’、Ｒ’’及びＲ’’’の定義はＲ1及びＲ2と同じである。前記残基Ｒ’、Ｒ’’及びＲ’’’は相互に共有結合してもよく、さらに脂肪族、ヘテロ脂肪族または不飽和環体系に形成されてもよい。
また、化学基Ｒ1またはＲ2は、1≦ｎ≦8のアルキル基―ＣｎＨ2ｎ＋1（特に1≦ｎ≦4）、3≦ｎ≦6のシクロアルキル基―ＣｎＨ2ｎ＋1、置換されたアルキル基／シクロアルキル基、1≦ｎ≦8のアルコキシ基―ＯＣｎＨ2ｎ＋1（特に1≦ｎ≦4）、1≦ｎ≦8のチオアルキル基―ＳＣｎＨ2ｎ＋1（特に1≦ｎ≦4）、またはアルキル化されたアミノ基、ｎ及びｎ’＝1〜8（特に1、2又は3）である―Ｎ（ＣｎＨ2ｎ＋1）（Ｃｎ’Ｈ2ｎ’＋1）またはｎ’’及びｎ’’’＝3、4、5または6（特に5または6）である―Ｎ（Ｃｎ’’Ｈ2ｎ’’―1）（Ｃｎ’’’Ｈ2ｎ’’’―1）、であってもよい。
各分子部分（供与体Ｄ、受容体Ａ）の断片Ｘ1〜Ｘ3またはＸ4〜Ｘ7のペンダント基（Ｒ1及びＲ2）はその他の脂肪族、芳香族または（ヘテロ）芳香族環体系を形成する手段で連結されることができる。
本発明に基づく分子の一部の実施手段は2つの式ＩＩの環系または2つの式ＩＩＩの環系を有し、それは同様であってもよくまたは異なってもよい。環系が同様である場合、これらの環系は異なる置換パタ―ンを有する。
1つの具体的な実施手段において、2つのブリッジＢ1、Ｂ2によって連結される、供与体及び受容体断片に属する芳香族環またはヘテロ芳香族環はその他の芳香族環またはヘテロ芳香族環と縮合しておらず、前記実施手段において、供与体断片Ｄ及び受容体断片Ａはそれぞれ1つの芳香族環またはヘテロ芳香族環しか有しない。
スピン軌道カップリングを増加するため、本発明の1つの実施手段において、ハロゲン（Ｃｌ、ＢｒまたはＩ）によって芳香族及び／またはヘテロ芳香族環系または有機分子のブリッジを置換してもよい。
式ＩＩ（五員環体系）及び式ＩＩＩ（六員環体系）に基づく分子体系は有効に供与体または受容体とすることができる。特定な供与体効果を有するため、ＨＯＭＯは電子過剰エリアであり且つ主に供与体部分に位置しなければならない。特定な受容体効果を達するため、ＬＵＭＯは電子欠乏エリアであり且つ主に受容体部分に位置しなければならない。図2に示された軌道説明図は本発明にかかる分子（Ｄ―Ａ―放射体分子）が実現するエネルギ―前提を説明している。
通常、電化学によってそれぞれの供与体及び受容体部分のＨＯＭＯ及びＬＵＭＯエネルギ―を確定できる。図2に示される軌道特性の有する物質を実現するため、条件 （1）供与体断片の酸化電位が受容体断片の酸化電位より小さく、Ｅｏｘ（Ｄ）＜ＥＯＸ（Ａ）（Ｅｏｘ＝酸化電位）を満たすこと、（2）受容体断片の還元電位が供与体断片の還元電位より大きく、ＥＲＥＤ（Ｄ）＜ＥＲＥＤ（Ａ）（ＥＲＥＤ＝還元電位）を満たすことを満足しなければならない。多くのル―チンの芳香族化合物の酸化還元性質、 ［［Ｍ． Ｍｏｎｔａｌｔｉ， Ａ． Ｃｒｅｄｉ， Ｌ． Ｐｒｏｄｉ， Ｍ．Ｔ． Ｇａｎｄｏｌｆｉ， Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ， 3ｒｄ ｅｄ．， ＣＲＣ Ｔａｙｌｅｒ ＆ Ｆｒａｎｃｉｓ， Ｂｏｃａ Ｒａｔｏｎ， 2006］のような参考文献から得られる。それと対応して、供与体―受容体分子には電子励起状態が発生でき、その特徴は、電子基底状態（Ｓ0）の分子と比べ、電子密度が供与体から顕著に受容体に偏倚する。前記状態が電荷転移（ＣＴ）状態と呼ばれる。当業者によく知られているように、これは励起 一重項1ＣＴ（前記定義のＳ1態に対応する）、及び励起三重項3ＣＴ（前記定義のＴ1に対応する）を引き起こす。
特定なヘテロ原子を縮合環体系に導入し及び／または電子供与または電子吸引官能基を使用して特定な置換を行うことによって電子過剰供与体断片または電子欠乏受容体断片を実現することができる。そのため、例えば芳香族六員環にヘテロ原子、通常窒素（窒素ヘテロ芳香族化合物を形成する） を導入し―本分野の当業者の既知の共鳴効果に基づく―π及びπ＊軌道の安定に影響を与える。その結果、窒素ヘテロ芳香族化合物の単一電子還元及び酸化電位が対応する純芳香族（無ヘテロ原子）炭化水素の酸化還元電位より高い。芳香五員環系において、ヘテロ原子、通常窒素であり、を導入し、共鳴効果によってπ及びπ＊軌道を不安定化させ、比較的低い酸化及び還元電位に至る。電子吸引（ＥＷＧ＝電子吸引化学基）または電子供与（ＥＤＧ＝電子供与体化学基）官能基の置換によってその他の軌道のエネルギ―の調節を実現する。 ＥＷＧ置換は通常比較的低いＨＯＭＯ及びＬＵＭＯエネルギ―を至り、一方、ＥＤＧ置換が通常比較的高いＨＯＭＯ及びＬＵＭＯ状態に至る。一般的に、以下のＥＷＧまたはＥＤＧ：［Ｍ． Ｓｍｉｔｈ， Ｊ． Ｍａｒｃｈ； Ｍａｒｃｈ’ｓ Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ， Ｒｅａｃｔｉｏｎ， Ｍｅｃｈａｎｉｓｍ ａｎｄ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ， 6ｔｈ ｅｄ． Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ， Ｉｎｃ．， Ｈｏｂｏｋｅｎ， Ｎｅｗ Ｊｅｒｓｅｙ， 2007］が使用される。
ＥＤＧ実例：
―ＮＲ’Ｒ”，―ＮＨＲ’，―ＯＲ’，―アルキル基，―ＮＨ（ＣＯ）Ｒ’，―Ｏ（ＣＯ）Ｒ’、―（ヘテロ）アリ―ル基、―（ＣＨ）ＣＲ’Ｒ”， フェノキサジン 基、フェノチアジニル基、カルバゾイル基、ジヒドロフェニルヒドラジド基、全てのアリ―ル基及びヘテロ環基がランダムにその他のアルキル基及び／またはアリ―ル基及び／またはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及び／またはＩに置換されることができる。（必要であれば、ＳＢＫの増加も適用する）。Ｒ’及びＲ”が前記定義と同じである。
選択されたＥＤＧ置換に対し、供与体強度（ＥＤＧ強度）を確定して排列することもでき、
強電子供与：―Ｏ―、―Ｎ（ＣＨ3）2、―Ｎ（Ｃ6Ｈ5）2、フェノキサジン 基、フェノチアジニル基、カルバゾイル基、―ＮＨＣＨ3、
中程度強度電子供与：―ＯＣ6Ｈ5、―ＯＣＨ3、―ＮＨ（ＣＯ）ＣＨ3；
弱電子供与：アリ―ル基、―Ｃ（ＣＨ3）3、―ＣＨ3。
ＥＷＧ実例：
ハロゲン、―ＣＯＲ’、―ＣＯ2Ｒ’、―ＣＦ3、―ＢＲ’Ｒ”、―ＢＦ2、―ＣＮ、―ＳＯ3Ｒ’、―ＮＨ3 ＋、―（ＮＲ’Ｒ”Ｒ“‘）＋、アルキル基。Ｒ’、Ｒ“及びＲ”‘が前記定義と同じである。
選択されたＥＷＧ置換に対し、受容体強度（ＥＷＧ強度）に基づく排列してもよく、
強電子吸引：―ＮＯ2、―ＣＦ3、―ＣＨ（ＣＮ）2、―ＣＮ；
中程度強度電子吸引：―ＳＯ3ＣＨ3、―ＣＯＣＨ3、―ＣＨＯ；―Ｆ
弱電子吸引：―Ｃｌ、―Ｂｒ、―Ｉ。 （必要であれば、ＳＢＫの増加も適用する）
1つの実施手段において、供与体断片Ｄが置換芳香族五員環または置換芳香族六員環から選ばれ、そのうち前記五員及び／または六員環は少なくとも1つの電子供与効果の有する置換化学基（ＥＤＧ）（Ｘ1〜Ｘ3またはＸ4〜Ｘ7処に位置するペンダント基）を有し及び／または五員環体系にて1つまたは複数のヘテロ原子、例えばＹ1、Ｙ2、Ｘ1、Ｘ2、 またはＸ3＝Ｎを有する。Ｘ1、Ｘ2及びＸ3またはＸ5、Ｘ6及びＸ7処のペンダント基の連接が縮合体系の拡張によるその他の芳香環に形成することに至る場合、少なくとも1つのＥＤＧで置換を行うことが好ましい。
1つの実施手段において、受容体断片Ａが置換された五員芳香族環または置換された芳香族六員環から選ばれ、そのうち五員及び／または六員環は少なくとも1つの電子吸引作用の置換化学基（ＥＷＧ）（Ｘ1〜Ｘ3またはＸ4〜Ｘ7処のペンダント基）を有し及び／または六員環体系にて1つまたは複数のヘテロ原子、例えばＹ3、Ｙ4、Ｘ4、Ｘ5、Ｘ6 またはＸ7＝Ｎを有する。Ｘ1、Ｘ2及びＸ3またはＸ4、Ｘ5、Ｘ6及びＸ7処のペンダント基の連結が拡張によるその他の芳香環に形成することに至る場合、少なくとも1つのＥＤＧで置換を行うことが好ましい。
前記のように、供与体断片Ｄ及び受容体断片Ａは共に縮合環を有することができる。供与体及び／または受容体の共役環の数量が4つより少ない。共役環数が1より大きく（但し3以下）の環体系にて、供与体断片に対しより強い電子供与効果及び／または受容体断片に対しより強い電子吸引効果の有する置換を選択することが必要であるかもしれない。
1つの実施手段において、ブリッジＢ1及びＢ2は式ＩＶ及びＶに定義された構造を有し、そのうちブリッジＢ1及びＢ2は同じであってもよく異なってもよい。

符号＃は分子の供与体または受容体部分との連接を表す。Ａ1〜Ａ3はブリッジＢ1及びＢ2の断片を表し、そのうち、2つのブリッジＢ1及びＢ2における同様な名前の断片はそれぞれ同じまたは異なってもよい。


化学基Ｒ8〜Ｒ22の定義はＲ1及びＲ2と同様である。
Ｃ、Ｎ、Ｓｉ、Ｏ、Ｓ，Ｐ、Ｂ及びＧｅから選ばれた原子によってブリッジの供与体または受容体に連接されること、及び複数のブリッジ元素Ａ2及びＡ3の有する状況下での相互連接（式Ｖ）を実現する。
熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）過程のエネルギ―準位説明図。 ｋＢＴはボルツマン定数ｋＢ及び絶対温度Ｔの有する熱エネルギ―を表す。前記図は輻射ＴＡＤＦ過程及び低温で観察されることのできるＴ1態の輻射及び非輻射（波線で示し）の不動態化過程を示す。図には自発のＳ1→Ｓ0蛍光過程が示されなかった。
本発明に基づく、供与体断片及び受容体断片（Ｄ―Ａ分子）の有する分子の軌道エネルギ―説明図である。非共役ブリッジの原因で、供与体軌道と受容体軌道との間の相互作用が小さい。そのため、近似にＤ及びＡ断片の電子性質をそれぞれ取り扱うことができ、即ちＤ軌道エネルギ―が近似に相応する自由（連接されず）供与体分子のエネルギ―に等しく、Ａ軌道エネルギ―が近似に相応する自由（連接されず）受容体分子の軌道エネルギ―に等しい。孤立供与体（電子過剰）のＨＯＭＯエネルギ―が顕著に孤立受容体（電子欠乏）のＨＯＭＯエネルギ―より高い。孤立供与体のＬＵＭＯが受容体のＬＵＭＯエネルギ―より大幅に高い。そのため、Ｄ―Ａ分子のＨＯＭＯが主にＤ断片に位置するが、Ｄ―Ａ分子のＬＵＭＯが主にＡ断片に位置する。
実施例分子1のフロンティア軌道の等価面（実施例1参照）であり、ＨＯＭＯ：左側、ＬＵＭＯ：右側 電子基底状態Ｓ0幾何構造最適化。計算方法：ＤＦＴ及びＴＤ―ＤＦＴ、函数：Ｂ3ＬＹＰ、ベ―スクラスタ：6―31Ｇ（ｄ、ｐ）、計算ソフトウエア：Ｇａｕｓｓｉａｎ09。計算によって、一重項―ＣＴ態と三重項―ＣＴ態との間のエネルギ―差が75ｃｍ―1（Ｓ0―幾何構造）であることがわかった。前記数値は、実施例1が良好なＴＡＤＦ放射体であることを示す。 Ｔ＝2Ｋ時、ＰＳに約1重量％がド―ピングされた実施例1の分子の時間解像放射スペクトルである。 時間遅延（ｔ＝0 ｎｓ）及び検出時間窓Δｔ＝100ｎｓの無い状況下で短期スペクトルを記録し、及び時間遅延ｔ＝500μｓ（時間窓Δｔ＝900ｍｓ）の有する状況下で長期スペクトルを記録する。励起：短期スペクトル：375ｎｍ、パルス幅70ｐｓ；長期スペクトル、励起：365ｎｍ、パルス幅：10ｎｓ。
Ｔ＝300Ｋ時、ＰＳに約1重量％がド―ピングされた実施例1の分子の時間解像放射スペクトル及び減衰時間τ。時間遅延（ｔ＝0ｎｓ）及び検出時間窓Δｔ＝100ｎｓの無い状況下で短期スペクトルを記録し、及び時間遅延ｔ＝1μｓ（時間窓Δｔ＝100μｓ）の有する状況下で長期スペクトルを記録する。励起：短期スペクトル：375ｎｍ、パルス幅70ｐｓ；長期スペクトル、励起：355ｎｍ、パルス幅：2．9ｎｓ。 トルエンに溶かした実施例1の分子の放射減衰行為（ａ）短時間領域内（自発蛍光）及び（ｂ）長時間領域内、Ｔ＝300Ｋ。それぞれの成分の自発蛍光放射減衰時間τ（フッ素）＝60ｎｓ 及びＴＡＤＦ減衰時間τ（ＴＡＤＦ 1）＝270ｎｓ及びτ（ＴＡＤＦ 2）＝9μｓを記録する。窒素ガスを120分間注入して溶液を脱泡する。励起355ｎｍ、パルス持続時間2．9ｎｓ、濃度は約10-5ｍｏｌ／ｌである。
Ｔ＝300Ｋ、トルエンに溶かし、濃度を約10―5 Ｍとした実施例1の分子の時間解像放射スペクトル。 （ａ）時間遅延（ｔ＝0ｎｓ）、検出時間窓Δｔ＝50ｎｓの無い短期スペクトル（自発蛍光）、（ｂ）時間遅延ｔ＝300μｓ（時間窓Δｔ＝600ｎｓ）の長期スペクトル（ＴＡＤＦ1）、及び（ｃ）時間遅延ｔ＝5μｓ（時間窓Δｔ＝30μｓ）の長期周波数スペクトル（ＴＡＤＦ2）を記録する。励起：短期スペクトル：375ｎｍ、パルス幅70ｐｓ、長期スペクトル、励起：355ｎｍ、パルス幅：2．9ｎｓ
トルエンに溶かした実施例1の分子の相応する放射減衰時間の長寿命成分の式3に基づくボルツマン図（アレニウス像）。フィットによって活性化エネルギ―ΔＥ（Ｓ1―Ｔ1）＝（310±10）ｃｍ-1及びΔＥ（Ｓ1―Ｔ2）＝（85±5）ｃｍ―1を得る。Ｔ1態が局在状態であるが、Ｔ2が電荷供給転移状態に分類される。
形式エネルギ―準位図であり、実験で得られた放射減衰時間及び活性化エネルギ―を説明するために用いられる。 Ｔ1（ｌｏｋ）は局在状態を表し、Ｔ2（ＣＴ）及びＳ1（ＣＴ）は電荷転移状態を表す。Ｔ1（ｌｏｋ）及びＴ2（ＣＴ）からＳ1（ＣＴ）状態に熱帰還することによって、2つのＴＡＤＦ過程に至る。
実施例分子2のフロンティア軌道等価面（実施例2を参照）、ＨＯＭＯ：左側、ＬＵＭＯ：右側。最低三重項Ｔ1幾何構造最適化。計算手段：ＤＦＴ及びＴＤ―ＤＦＴ、函数：Ｂ3ＬＹＰ、ベ―スクラスタ：6―31Ｇ（ｄ，ｐ）、計算ソフトウエア：Ｇａｕｓｓｉａｎ09。計算によってΔＥ（Ｓ1―Ｔ1）＝85cm-1を得る。2つの値は共に実施例2の分子が良好なＴＡＤＦ放射体であることを示す。
実施例3分子のフロンティア軌道等価面（実施例3を参照）、ＨＯＭＯ：左側、ＬＵＭＯ：右側。最低三重項Ｔ1幾何構造最適化。計算手段：ＤＦＴ及びＴＤ―ＤＦＴ、函数：Ｂ3ＬＹＰ、ベ―スクラスタ：6―31Ｇ（ｄ、ｐ）、計算ソフトウエア：Ｇａｕｓｓｉａｎ09。計算によってΔＥ（Ｓ1―Ｔ1）＝55cm-1を得る。前記値は、実施例3の分子が良好なＴＡＤＦ放射体であることを示す。
実施例4の分子のフロンティア軌道等価面（実施例4を参照）、ＨＯＭＯ：左側、ＬＵＭＯ：右側。最低三重項Ｔ1幾何構造最適化。計算手段：ＤＦＴ及びＴＤ―ＤＦＴ、函数：Ｂ3ＬＹＰ、ベ―スクラスタ：6―31Ｇ（ｄ、ｐ）、計算ソフトウエア：Ｇａｕｓｓｉａｎ09。計算によってΔＥ（Ｓ1―Ｔ1）＝88cm―1を得る。前記値は実施例4の分子が良好なＴＡＤＦ放射体であることを示す。
実施例5の分子のフロンティア軌道の等価面（実施例5を参照）、ＨＯＭＯ：左側、 ＬＵＭＯ：右側。最低三重項Ｔ1幾何構造最適化。計算手段：ＤＦＴ及びＴＤ―ＤＦＴ、関数：Ｂ3ＬＹＰ、ベ―スクラスタ：6―31Ｇ（ｄ、ｐ）、計算ソフトウエア：Ｇａｕｓｓｉａｎ09。計算によってΔＥ（Ｓ1―Ｔ1）＝150ｃｍ―1を得た。前記値は実施例5の分子が良好なＴＡＤＦ放射体であることを示す。
実施例6の分子6のフロンティア軌道の等価面（実施例6を参照）、ＨＯＭＯ：左側 ＬＵＭＯ：右側。 電子基底状態Ｓ0及び最低三重項Ｔ1幾何構造最適化。計算手段：ＤＦＴ及びＴＤ―ＤＦＴ、関数：Ｂ3ＬＹＰ、ベースクラスタ：6―31Ｇ（ｄ、ｐ）、計算ソフトウエア：Ｇａｕｓｓｉａｎ09。計算によってΔＥ（Ｓ1―Ｔ1）＝35ｃｍ―1（Ｓ0―幾何構造）及び30ｃｍ―1（Ｔ1―幾何構造） を得た。2つの値は共に実施例6の分子が良好なＴＡＤＦ放射体であることを示す。
実施例7の分子のフロンティア軌道等価面（実施例7を参照）、ＨＯＭＯ：左側 ＬＵＭＯ：右側。 電子Ｔ1状態幾何構造最適化。計算手段：ＤＦＴ及びＴＤ―ＤＦＴ、函数：Ｂ3ＬＹＰ、ベ―スクラスタ：6―31Ｇ（ｄ、ｐ）、計算ソフトウエア：Ｇａｕｓｓｉａｎ09。計算によってΔＥ（Ｓ1―Ｔ1）＝550ｃｍ―1を得、実施例7の分子7が良好なＴＡＤＦ放射体であることが示された。
実施例8の分子のフロンティア軌道等価面（実施例8を参照）、ＨＯＭＯ：左側ＬＵＭＯ：右側。 最低三重項Ｔ1幾何構造最適化。計算手段：ＤＦＴ及びＴＤ―ＤＦＴ、函数：Ｂ3ＬＹＰ、ベ―スクラスタ：6―31Ｇ（ｄ、ｐ）、計算ソフトウエア：Ｇａｕｓｓｉａｎ09。計算によってΔＥ（Ｓ1―Ｔ1）＝540ｃｍ―1（Ｔ1―幾何構造） を得た。前記値は、実施例8の分子が良好なＴＡＤＦ放射体であることを示す。
実施9の分子のフロンティア軌道等価面（実施例9を参照）、ＨＯＭＯ：左側 ＬＵＭＯ：右側。 最低三重項Ｔ1幾何構造最適化。計算手段：ＤＦＴ及びＴＤ―ＤＦＴ、関数：Ｂ3ＬＹＰ、ベ―スクラスタ：6―31Ｇ（ｄ、ｐ）、計算ソフトウエア：Ｇａｕｓｓｉａｎ09。計算によってΔＥ（Ｓ1―Ｔ1）＝550ｃｍ―1（Ｔ1―幾何構造） を得た。前記値は実施例9の分子が良好なＴＡＤＦ放射体であることを示す。
実施例10の分子のフロンティア軌道等価面（実施例10を参照）、ＨＯＭＯ：左側 ＬＵＭＯ：右側。 電子基底状態幾何構造最適化。計算手段：ＤＦＴ及びＴＤ―ＤＦＴ、関数：Ｂ3ＬＹＰ、ベ―スクラスタ：6―31Ｇ（ｄ、ｐ）、計算ソフトウエア：Ｇａｕｓｓｉａｎ09。計算によってΔＥ（Ｓ1―Ｔ1）＝140ｃｍ―1が得られ、実施例10の分子が良好なＴＡＤＦ放射体であることが示された。
実施例11の分子のフロンティア軌道等価面（実施例11を参照）、ＨＯＭＯ：左側、ＬＵＭＯ：右側。 電子Ｔ1状態幾何構造最適化。計算手段：ＤＦＴ及びＴＤ―ＤＦＴ、関数：Ｂ3ＬＹＰ、ベ―スクラスタ：6―31Ｇ（ｄ、ｐ）、計算ソフトウエア：Ｇａｕｓｓｉａｎ09。計算によってΔＥ（Ｓ1―Ｔ1）＝420ｃｍ―1が得られ、実施例11の分子が良好なＴＡＤＦ放射体であることが示された。
実施例12の分子のフロンティア軌道等価面（実施例12を参照）、ＨＯＭＯ：左側 ＬＵＭＯ：右側。最低三重項Ｔ1幾何構造最適化。計算手段：ＤＦＴ及びＴＤ―ＤＦＴ、関数：Ｂ3ＬＹＰ、ベ―スクラスタ：6―31Ｇ（ｄ、ｐ）、計算ソフトウエア：Ｇａｕｓｓｉａｎ09。計算によってΔＥ（Ｓ1―Ｔ1）＝1250ｃｍ―1（Ｔ1幾何構造） を得た。前記値は実施例12の分子が良好なＴＡＤＦ放射体であることを示す。 本発明にかかるその他の分子の構造図。 本発明にかかるその他の分子の構造図。

構造式ＶＩ〜ＸＶＩＩによって、本発明に基づく式Ｉの放射体材料の分子構造をさらに説明する。これらの構造式は本発明に基づく放射体物質の実例を表す。Ｙ1’〜Ｙ4’及びＸ1’〜Ｘ7’の定義はＹ1〜Ｙ4及びＸＩ〜Ｘ7（式ＩＩ及びＩＩＩ）と同様である。Ａ1’、Ａ2’、Ａ3’化学基の定義はＡ1〜Ａ3と同様である。ブリッジ断片はＡ1とＡ1’、Ａ2とＡ2’、Ａ3とＡ3’に対しそれぞれ同様または異なってもよい。
別のブリッジ接化学基Ｚは例えば―ＣＨ2―、―Ｃ（ＣＨ3）2、―Ｏ―、―Ｃ6Ｈ4―（フェニレン）、―Ｃ5Ｈ8―（シクロペンチリデン）、―ＣＯ―（カルボニル）、―ＳＯ2―、―Ｎ（ＣＨ3）―であってもよい。 それらはブリッジＢ1及びＢ2の断片Ａ1〜Ａ3並びにＡ1’〜Ａ3’の相互間の連結を表す。
具体的な実施手段において、本発明に基づく有機分子は式ＸＶＩＩＩに基づく構造を有する。

供与体エリアにおいて、放射体分子は1つの芳香族アミン化学基を有する。受容体部分は1つのジシアノフェニル化学基であり、そのうち2つのＣＮ―置換化学基は互いにオルト位、メタ位またはパラ位 であってもよく、及びブリッジ接の脂肪族化学基の隣であってもよい。
Ｑ1〜Ｑ6は相互に独立にＨ、ＣＨ3、Ｃ2Ｈ5、Ｃ3Ｈ7、Ｃ4Ｈ9、Ｃ5Ｈ11、Ｃ6Ｈ13、フェニル、メチルフェニル、ジメチルフェニル、ベンジル、チオフェン、オキサゾリル、オキサジアゾリル、トリアゾリル、テトラゾリル、オキサゾリル、オキサジアゾリル、フラン基及びカルバゾイル基から選ばれる。
Ｑ1とＱ2、Ｑ3とＱ4、及びＱ5とＱ6が一緒に連接することによって、1つのシクロアルキル基または芳香族スピロ体系（例えば、分子構造を安定化させる）に形成されてもよい。
Ａｌｋ1〜Ａｌｋ10は相互に独立にＨまたは直鎖または側鎖（ＣｎＨ2ｎ＋1；ｎ＝1、2、3、4、5、または6）脂肪族化学基またはシクロアルキル化学基（ＣｎＨ2ｎ＋1； ｎ＝5または6）である。
それ以外、Ａｌｋ1及びＡｌｋ6が省略されてもよく、供与体システムの2つのベンゼン環が共有結合されることによって、カルバゾイルユニットを形成し、式ＸＩＸに示す。

式ＸＶＩＩＩには置換化学基が説明される。
以下の実施例に示される本発明にかかる分子は少なくとも1つのＣｌ、Ｂｒ及び／またはＩ置換を有することによってスピン軌道相互作用（ＳＢＫ）を増加してもよい。量子力学計算を通じて前記手段の置換の適切な位置を確定でき、ここではＳＢＫ（例えば、ＡＤＦ、ＯＲＣＡプロセス）を含むプロセスが使用された。トレンドを取得するため、ＤＦＴまたはＣＣ2計算を実行してもよい。それによってハロゲンの置換位置を取得し、即ちＨＯＭＯ、ＨＯＭＯ―1、ＨＯＭＯ―2及び／またはＬＵＭＯ、ＬＵＭＯ＋1、ＬＵＭＯ＋2のうちに顕著な比率のハロゲン原子軌道が含まれる。このような手段で確定された置換パタ―ンに対し、例えばＴＤＤＦＴまたはＣＣ2を使用して計算する場合、有機分子の最低励起 一重項（Ｓ1）とその下方の三重項（Ｔ1）状態との間のエネルギ―差ΔＥ（Ｓ1―Ｔ1）を2，000ｃｍ―1より小さく、さらに1500ｃｍ―1より小さく、好ましくは800ｃｍ―1より小さく、さらに好ましくは400ｃｍ―1より小さく、最も好ましくは200ｃｍ―1より小さくする。
当業者にいられている触媒結合反応（例えばＳｕｚｕｋｉ結合反応、Ｂｕｃｈｗａｌｄ―Ｈａｒｔｗｉｇクロス結合反応）または様々な縮合反応により本発明にかかる材料を合成することができる。


実施例分子 1
以下、実施例1に示される本発明かかる分子をより詳細に説明する。図3に示されたフロンティア軌道から分かれるように、ＨＯＭＯ及びＬＵＭＯは上記分子の顕著に異なる空間エリアに位置する。最低三重項とその上方の 一重項との間の隙間が十分に小さいため、分子は顕著なＴＡＤＦ効果を示すと予想される。ＴＤ―ＤＦＴ計算（関数Ｂ3ＬＹＰ、ベ―スクラスタ6―31Ｇ（ｄ，ｐ））により、実施例1の分子を計算したところ、最適化された三重項幾何構造のエネルギ―差は、ΔＥ（Ｓ1―Ｔ1）＝75ｃｍ―1であった。このため、実施例1の分子が良好なＴＡＤＦ放射体であることが確認された。
以下の反応式を参照して、実施例1の分子の化学合成を説明する。

反応物及び反応条件：
（1） （ｔ―Ｃ4Ｈ9―Ｃ6Ｈ5）2ＮＨ， Ｐｄ（ＣＨ3ＣＯＯ）2， Ｐ［（Ｃ（ＣＨ3）3］3， （ＣＨ3）3ＣＯＮａ： 90°Ｃ， 19時間
（2） Ｋ4［Ｆｅ（ＣＮ）6］， Ｐｄ（ＣＨ3ＣＯＯ）2， Ｐ［（Ｃ（ＣＨ3）3］3， Ｎａ2ＣＯ3， （ＣＨ3）2ＮＣＨＯ：140°Ｃ， 12時間
以下の反応式に基づいて合成を行うこともできる。

反応物及び反応条件：
（1） ＣＨ3ＣＯ2Ｎａ：230°Ｃ， 3時間
（2） ＨＰＯ2， Ｉ2， 赤リン， ＣＨ3ＣＯＯＨ：80°Ｃ， 24 時間
（3） （Ｈ3ＰＯ4）ｎ：175°Ｃ， 5時間
（4） Ａｌ［ＯＣＨ（ＣＨ3）2］3，：275°Ｃ， 3時間
（5） （ｔ―Ｃ4Ｈ9―Ｃ6Ｈ5）2ＮＨ， Ｐｄ（ＣＨ3ＣＯＯ）2， Ｐ［（Ｃ（ＣＨ3）3］3， （ＣＨ3）3ＣＯＮａ：90°Ｃ， 19時間
（6） Ｋ4［Ｆｅ（ＣＮ）6］， Ｐｄ（ＣＨ3ＣＯＯ）2， Ｐ［（Ｃ（ＣＨ3）3］3， Ｎａ2ＣＯ3， （ＣＨ3）2ＮＣＨＯ：140°Ｃ， 12時間
化学分析：
Ｒｆ（シクロヘキサン／酢酸エステル 10：1）： 0．52． 1Ｈ ＮＭＲ （ＣＤＣＩ3， 300 ＭＨｚ， Δ ｐｐｍ）： 1．31 （ｓ， 18 Ｈ）， 3．13 （ｍ， 4Ｈ）， 4．05 （ｓ， 2Ｈ）， 6．84 （ｄｄ， Ｊ＝3．6 Ｈｚ， Ｊ＝12．0 Ｈｚ， 1Ｈ）， 6．90 （ｓ， 1Ｈ）， 6．95 （ｓ， 1Ｈ）， 6．95 （ｄ， Ｊ＝9 Ｈｚ， 5Ｈ）， 7．22 （ｄ， Ｊ＝9 Ｈｚ， 4Ｈ）， 7．55 （ｓ， 2Ｈ）． 13Ｃ―ＮＭＲ （300 ＭＨｚ ＣＤＣＩ3， Δ ｐｐｍ）： 30．72 （ＣＨ2）， 31．46 （ＣＨ3）， 32．80 （ＣＨ2）， 34．31（ＣＨ2）， 40．56 （Ｃｑｕａｔ）， 1 13．16 （Ｃｑｕａｔ）， 1 13．73 （Ｃｑｕａｔ）， 1 15．59 （Ｃｑｕａｔ）， 122．35 （Ｃｑｕａｔ）， 123．48 （ＣＨ）， 123．78 （ＣｑＵａｔ）， 126．03 （ＣＨ）， 130．57 （ＣｑＵａｔ）， 130．94 （ＣＨ）， 133．86 （ＣＨ）， 134．48 （ＣＨ）， 136．63 （Ｃｑｕａｔ）， 144．91 （ＣｑＵａｔ）， 145．40 （Ｃｑｕａｔ）， 145．69（Ｃｑｕａｔ）， 146．31 （Ｃｑｕａｔ）．
ＭＳ （ＥＳ―ＭＳ＝エレクトロスプレ―質量分析法） ｍ／ｚ： 523 （Ｍ ＋）。 ＭＳ （ＨＲ―ＥＳ―ＭＳ＝高解像度エレクトロスプレ―質量分析法） ｍ／ｚ： Ｃ37Ｈ37Ｎ3 計算： 523．2979， 測定： 523．2980 （Ｍ ＋）． Ｃ37Ｈ37Ｎ3計算： Ｃ 84．86， Ｈ 7．12， Ｎ 8．02 ％，測定： Ｃ 84．54， Ｈ 7．36， Ｎ 7．90 ％。
実施例1の分子は多くの有機溶剤、例えばジクロロメタン（ＣＨ2Ｃｌ2）、トルエン、ヘキサン、ｎ―オクタン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、アセトン、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、アセトニトリル、エタノ―ル、メタノ―ル、キシレンまたはベンゼンに溶かすことができる。ジクロロメタンに良好に溶解することにより、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）またはポリスチレン（ＰＳ）へのド―ピングが可能となる。 実施例1の放射体材料は昇華する（温度170℃、圧力10―3ｍｐａ）。
ＰＭＭＡまたはＰＳ（ド―ピング濃度がｃ≒1重量％）中の実施例1の分子の光物理測定により、ＴＡＤＦの発生及び有利な放射性質が確認された。非常に低い温度、例えばＴ＝2Ｋでは、熱活性化は不可能である。そのため、放射は2つの非常に異なる減衰時間、即ち1つの非常に短い成分、Ｓ1→ Ｓ0蛍光遷移に対応し、ＰＭＭＡにて約4ｎｓで、ＰＳにて約25ｎｓであり、及び1つの非常に長い成分、Ｔ1→ Ｓ0遷移の燐光 に分類され、ＰＭＭＡにてτ（ｐｈｏｓ）≒550 ｍｓ及びＰＳにてτ（ｐｈｏｓ）≒450 ｍｓであることが確認された。（説明：サンプルは窒素ガスでパ―ジされる）
図4には、ＰＳにおける相応する時間解像放射スペクトル、 即ち無遅延時間（ｔ＝0ｎｓ）、検出時間窓Δｔ＝100ｎｓ、蛍光に対応する短期スペクトル、及び燐光に対応する長期スペクトル（ｔ＝500及びΔｔ＝900ｍｓ）を示す。
温度をＴ＝300Ｋまで上げ、スペクトル及び減衰行為の急激な変化に至り、これはすでにＴＡＤＦの発生を示唆する。図5は、ＰＳに溶解した実施例1の分子の短時間領域（自発蛍光）及び長時間領域の時間解像放射スペクトルを示す。2つのスペクトルは共にほぼ同様なピック位置を有するため、長寿命成分は蛍光とも解釈でき―前記状況下でＴＡＤＦ放射である。ＰＭＭＡにおける蛍光減衰時間が約4ｎｓで、ＰＳにおける蛍光減衰時間が約25ｎｓである。ＰＭＭＡにおいて、その長寿命成分が約10μｓまで大幅に短縮し、ＰＳにおける長寿命成分も同様に約10μｓまで短縮した。
窒素ガスのパ―ジ下（ＰＭＭＡド―ピングサンプル）で、Ｔ＝300Ｋ時の放射量子効率を空気環境で取得したデ―タと比較することが有効である。ΦｐＬ（窒素ガス）＝40％、ΦｐＬ（空気）＝25％。前記降下は、三重項が放射過程に参与することを表し、原因は、空気中の酸素は通常長寿命三重項の抑制しか引き起こさない （Ａ． Ｍ． Ｐｒｏｋｈｏｒｏｖ ｅｔ ａｌ， Ｊ． Ａｍ． Ｃｈｅｍ． Ｓｏｃ． 2014， 136， 9637参照）。三重項の占有がＴＡＤＦの発生の前提条件であるため、これは再び、実施例1の分子が所望のＴＡＤＦ性質を有することを示す。説明：Ｔ＝300Ｋ、青―白色範囲内に、ＰＭＭＡにおける放射最大値がλ（ｍａｘ）＝486ｎｍ（ＣＩＥＸ：0．198、ｙ：0．287）で、Ｔ＝300Ｋ、青色範囲内に、ＰＳにおける放射最大値がλ（ｍａｘ）＝450ｎｍ（ＣＩＥＸ：0．174；Ｙ：0．154）である。
トルエンに溶かした物質を調査することにより、実施例1の放射体分子のその他の光物理性質を非常によく特定できる。再び、放射量子効率を簡単に測定した。トルエンに溶解した分子はＴＡＤＦを発生することを示すが、これは空気中で放射量子効率が顕著に下がることに起因する。測定値はΦＰＬ（窒素ガス）＝30％及びΦＰＬ（空気）＝5％である。
図6ａ及び図6ｂは、ｎｓエリア（図6ａ）及びμｓエリア（図6ｂ）、Ｔ＝300Ｋ時の放射減衰行為を示す。自発蛍光がτ（フッ素）＝60ｎｓに伴って減衰される。 （図6ａ）はそれ以外にさらに2つのτ（ＴＡＤＦ 1）＝270ｎｓ及びτ（ＴＡＤＦ 2）＝9μｓの減衰成分を有する。前記2つの成分は共にＴＡＤＦ放射に分類される。
図7はトルエンに溶かした実施例1の分子の3つの時間領域、即ち短時間領域（自発蛍光））及び2つの長時間領域における時間解像放射スペクトルを示し、図6に示された減衰成分から前記スペクトルを示す。3つのスペクトルは全て測定精度範囲内に共に同様なピ―ク位置及び同様なスペクトル形状を有するため、長寿命成分は蛍光、即ち2つのＴＡＤＦ放射と解釈できる。
もしトルエンの相転移温度範囲内及びサンプルが液体状態に維持された時に研究が行われた場合、トルエンに溶かした実施例1の分子（濃度ｃ≒10―5ｍｏｌ／ｌ）により放射された長寿命成分の減衰行為を非常によく取得できる。約200Ｋ〜300Ｋの温度範囲が非常に好適である。図8に対応する減衰成分の測定値はアレニウス像（ボルツマン図）である。式2を使用し、概ねに式3を実験により取得された放射減衰時間τｅｘｐに示すことができる。（Ｃ．Ｂａｌｅｉｚａｏ、Ｍ．Ｎ． Ｂｅｒｂｅｒａｎ―Ｓａｎｔｏｓ、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ、2007，126，204510も参照）。

ここでＡは定数であり、ｉは三重項Ｔ1の有するΔＥ1活性化エネルギ―のＴＡＤＦ過程1または三重項Ｔ2の有する活性化エネルギ―ΔＥ2のＴＡＤＦ過程2を表す。
式3を使用し、2つの時間領域の測定ポイント、即ち2つのＴＡＤＦ放射に対し、図6 に基づいてリニアフィットを行う。直線の傾きから活性化エネルギ―ΔＥ ［（Ｓ1―Ｔ1）、ＴＡＤＦ 1］＝310ｃｍ―1及びΔＥ ［（Ｓ1―Ｔ2）、ＴＡＤＦ 2］＝85ｃｍ―1を得る。
Ｔ＝77Ｋまで冷却する時に、長寿命の非構造化放射が凍結される。1つの構造化の燐光しかなく、減衰時間が非常に長く、τ（ｐｈｏｓ）＝450ｍｓ（図示せず）である。然し、長寿命成分に対し、図4においてもスペクトルの構造化を見出すことができる。このようなスペクトル構造化は供与体または受容体に位置する断片の放射に原因があると思われる。このような状況下で電荷転移（ＣＴ）遷移に関わらない。もし仮に放射曲線の高エネルギ―（補外）側面のクロ―スポイントにおける相関0―0遷移が横座標によって反映され、これらのスペクトルを使用してＴＡＤＦの発生と関連するエネルギ―差をおおよそ推定できる。結果はΔＥ値が約（300±100）ｃｍ―1であった。これも同様に実施例1の分子がＴＡＤＦ物質であることを表した。
この結果、本実験において本発明にかかる実施例1の分子がＴＡＤＦを生成したことを示す。ＰＭＭＡに溶かした状態でも実施例1の分子は、ＴＡＤＦ発光に関して同等の性能を有する。
ＣＴ遷移（図3に対する説明を参照）に対する計算したエネルギ―差75ｃｍ―1が実験の測定したＴＡＤＦ 2過程の活性化エネルギ―と非常に一致していることが確認された。
図9では形式エネルギ―準位で測定結果をまとめた。実施例1の分子の放射は、3つの励起エネルギ―状態から説明される。実験によって確定されたエネルギ―差が85cm-1である2つのＣＴ状態Ｓ1（ＣＴ）及びＴ2（ＣＴ）の下方にはさらに1つの、局在放射に分類されることのできる三重項Ｔ1（Ｌｏｋ）を有する。Ｓ1（ＣＴ）状態は時間の短い自発蛍光及び室温下で2種類の減衰時間が比較的長いが、持続時間が異なる放射を示し、それはそれぞれＴ2（ＣＴ）及びＴ1（ｌｏｋ）の熱活性化によって生成されるため、異なるＴＡＤＦ放射を代表する。ここで説明された形式パタ―ンが三重項の間に基づき、緩和過程が9μｓより長い長寿命ＴＡＤＦ成分である。
ここは三重項を命名する1つの方法も説明した。電子励起類型に基づくものではなく、エネルギ―の順に基づき番号付けを行っている。そのため、実施例1の分子の使用の状況下で、ＣＴ状態の間のエネルギ―間隙ΔＥ（Ｓ1―Ｔ1）はエネルギ―の比較的低くなっている状態Ｔ1（Ｉｏｋ）を生成するためΔＥ ［Ｓ1（ＣＴ）―Ｔ2（ＣＴ）］と称される。

実施例分子2
以下、本発明にかかる実施例2の分子2について詳細に説明する。図10のフロンティア軌道は、ＨＯＭＯ及びＬＵＭＯが分子の顕著に異なっている空間エリア内に位置していることを示す。最低三重項とその上方の 一重項との間の隙間が十分に小さいため、分子は顕著なＴＡＤＦ効果を示すことが予想される。ＴＤ―ＤＦＴ計算（関数Ｂ3ＬＹＰ、ベ―スクラスタ6―31Ｇ（ｄ、ｐ））により、実施例2の分子を計算したところ、最適化された三重項幾何構造のエネルギ―準位差は、ΔＥ（Ｓ1―Ｔ1）＝85ｃｍ―1であった。この結果、実施例2の分子が良好なＴＡＤＦ放射体であることが確認された。 以下の反応式を参照して、実施例2の分子の化学合成を説明する。

反応物及び反応条件：
（1） ＣＨ3ＣＯ2Ｎａ，：230°Ｃ， 3 時間
（2） ＨＰＯ2， Ｉ2， 赤リン： ＣＨ3ＣＯＯＨ， 80°Ｃ， 24時間
（3） （Ｈ3ＰＯ4）ｎ：175°Ｃ， 5時間
（4） Ａｌ［ＯＣＨ（ＣＨ3）2］3：275°Ｃ， 3時間
（5） （ｔ―Ｃ4Ｈ9―Ｃ6Ｈ5）2ＮＨ， Ｐｄ（ＣＨ3ＣＯＯ）2， Ｐ［（Ｃ（ＣＨ3）3］3， （ＣＨ3）3ＣＯＮａ：90°Ｃ， 19時間
（6） Ｋ4［Ｆｅ（ＣＮ）6］， Ｐｄ（ＣＨ3ＣＯＯ）2， Ｐ［（Ｃ（ＣＨ3）3］3， Ｎａ2ＣＯ3， （ＣＨ3）2ＮＣＨＯ： 140°Ｃ， 12時間

実施例分子 3
以下、本発明にかかる実施例3の分子3について詳細に説明する。図11のフロンティア軌道は、ＨＯＭＯ及びＬＵＭＯが分子の顕著に異なっている空間エリア内に位置していることを示す。最低三重項とその上方の 一重項との間の隙間が十分に小さいため、分子は顕著なＴＡＤＦ効果を示すことが予測される。ＴＤ―ＤＦＴ計算（関数Ｂ3ＬＹＰ、ベ―スクラスタ6―31Ｇ（ｄ、ｐ））により、実施例3の分子を計算したところ、最適化された三重項幾何構造のエネルギ―準位差は、ΔＥ（Ｓ1―Ｔ1）＝55ｃｍ―1であった。この結果、実施例3の分子が良好なＴＡＤＦ放射体であることが確認された。 以下の反応図を参照して、実施例3の分子の化学合成を説明する。

反応物及び反応条件
（1） ＣＨ3ＣＯ2Ｎａ： 230 °Ｃ， 3時間
（2） ＨＰＯ2， Ｉ2， 赤リン， ＣＨ3ＣＯＯＨ： 80°Ｃ， 24時間
（3） （Ｈ3ＰＯ4）ｎ：175°Ｃ， 5 時間
（4） （Ｃ2Ｈ5）2Ｏ， 30°Ｃ：24時間 ＮＨ4Ｃｌ， Ｈ2Ｏ； Ｆ3ＣＣＯ2Ｈ：3 時間， 50°Ｃ
（5） カルバゾイル， Ｐｄ（ＣＨ3ＣＯＯ）2， Ｐ［（Ｃ（ＣＨ3）3］3， （ＣＨ3）3ＣＯＮａ： 90°Ｃ， 19 時間
（6） Ｋ4［Ｆｅ（ＣＮ）6］， Ｐｄ（ＣＨ3ＣＯＯ）2， Ｐ［（Ｃ（ＣＨ3）3］3， Ｎａ2ＣＯ3， （ＣＨ3）2ＮＣＨＯ：140°Ｃ， 12 時間


実施例分子 4
以下、本発明にかかる実施例4の分子について詳細に説明する。図12のフロンティア軌道は、ＨＯＭＯ及びＬＵＭＯが分子の顕著に異なっている空間エリア内に位置していることを示す。最低三重項とその上方の 一重項との間の隙間が十分に小さいため、分子は顕著なＴＡＤＦ効果を示すことが予測される。ＴＤ―ＤＦＴ計算（関数Ｂ3ＬＹＰ、ベ―スクラスタ6―31Ｇ（ｄ、ｐ））により、実施例4の分子を計算したところ、最適化された三重項幾何構造のエネルギ―準位差は、ΔＥ（Ｓ1―Ｔ1）＝88ｃｍ―1であった。この結果から、実施例4の分子が良好なＴＡＤＦ放射体であることが確認された。
以下の反応説明図は実施例分子4の化学合成を説明する。

反応物及び反応条件
（1） ＣＨ3ＣＯ2Ｎａ：230°Ｃ， 3 時間
（2） ＨＰＯ2， Ｉ2， 赤リン， ＣＨ3ＣＯＯＨ：80°Ｃ， 24時間
（3） （Ｈ3ＰＯ4）ｎ：175°Ｃ， 5時間
（4） Ａｌ［ＯＣＨ（ＣＨ3）2］3：275°Ｃ， 3時間
（5） （ｔ―Ｃ4Ｈ9―Ｃ6Ｈ5）2ＮＨ， Ｐｄ（ＣＨ3ＣＯＯ）2， Ｐ［（Ｃ（ＣＨ3）3］3， （ＣＨ3）3ＣＯＮａ：90°Ｃ， 19時間
（6） Ｋ4［Ｆｅ（ＣＮ）6］， Ｐｄ（ＣＨ3ＣＯＯ）2， Ｐ［（Ｃ（ＣＨ3）3］3， Ｎａ2ＣＯ3， （ＣＨ3）2ＮＣＨＯ：140°Ｃ， 12時間

実施例分子5
以下、本発明にかかる実施例5の分子について詳細に説明する。図13のフロンティア軌道は、ＨＯＭＯ及びＬＵＭＯが分子の顕著に異なっている空間エリア内に位置していることを示す。最低三重項とその上方の 一重項との間の隙間が十分に小さいため、分子は顕著なＴＡＤＦ効果を示すことが予測される。ＴＤ―ＤＦＴ計算（関数Ｂ3ＬＹＰ、ベ―スクラスタ6―31Ｇ（ｄ、ｐ））により、実施例5の分子を計算したところ、最適化された三重項幾何構造のエネルギ―準位差は、ΔＥ（Ｓ1―Ｔ1）＝150ｃｍ―1であった。この結果から、実施例5の分子が良好なＴＡＤＦ放射体であることが確認された。 実施例5の分子の化学合成を、以下の反応図を参照して説明する。

反応物及び反応条件：
（1） ＣＨ3ＣＯ2Ｎａ：230°Ｃ， 3 時間
（2） ＨＰＯ2， Ｉ2， 赤リン， ＣＨ3ＣＯＯＨ： 80°Ｃ， 24時間
（3） （Ｈ3ＰＯ4）ｎ：175°Ｃ， 5時間
（4） Ａｌ［ＯＣＨ（ＣＨ3）2］3：275°Ｃ， 3時間
（5） （ｔ―Ｃ4Ｈ9―Ｃ6Ｈ5）2ＮＨ， Ｐｄ（ＣＨ3ＣＯＯ）2， Ｐ［（Ｃ（ＣＨ3）3］3， （ＣＨ3）3ＣＯＮａ：90°Ｃ， 19時間
（6） Ｋ4［Ｆｅ（ＣＮ）6］， Ｐｄ（ＣＨ3ＣＯＯ）2， Ｐ［（Ｃ（ＣＨ3）3］3， Ｎａ2ＣＯ3， （ＣＨ3）2ＮＣＨＯ：140°Ｃ， 12時間

実施例分子 6
以下、本発明にかかる実施例6の分子について詳細に説明する。図14のフロンティア軌道は、ＨＯＭＯ及びＬＵＭＯが分子の顕著に異なっている空間エリア内に位置していることを示す。最低三重項とその上方の 一重項との間の隙間が十分に小さいため、分子は顕著なＴＡＤＦ効果を示すと予想される。ＴＤ―ＤＦＴ計算（関数Ｂ3ＬＹＰ、ベ―スクラスタ6―31Ｇ（ｄ、ｐ））により、実施例6の分子を計算したところ、最適化された三重項幾何構造のエネルギ―準位差は、ΔＥ（Ｓ1―Ｔ1）＝30ｃｍ―1であった。この結果、実施例6の分子が良好なＴＡＤＦ放射体であることが確認された。

実施例分子 7
図15には実施例7の分子のフロンティア軌道ＨＯＭＯ及びＬＵＭＯが示される。前記軌道が分子の顕著に異なっている空間エリア内に位置しているため、最低三重項とその上方の 一重項との間の隙間が十分に小さいため、分子は顕著なＴＡＤＦ効果を示すと予想される。ＴＤ―ＤＦＴ計算（関数Ｂ3ＬＹＰ、ベ―スクラスタ6―31Ｇ（ｄ、ｐ））により、実施例7の分子を計算したところ、最適化された三重項幾何構造のエネルギ―準位差は、ΔＥ（Ｓ1―Ｔ1）＝550ｃｍ―1であった。この結果、実施例7の分子が良好なＴＡＤＦ放射体であることが確認された。 以下の反応式を参照して、実施例7の分子の化学合成について説明する。

反応物及び反応条件：
（1） ＣＨ3ＣＯ2Ｎａ： 230°Ｃ， 3 時間
（2） ＨＩ （57 ％水溶液）， 赤リン：80 °Ｃ， 24 時間
（3） （Ｈ3ＰＯ4）ｎ，：175°Ｃ， 5時間
（4） Ａｌ［ＯＣＨ（ＣＨ3）2］3： 275°Ｃ， 3時間
（5） （ＣＨ3）2ＮＨ， Ｐｄ（ＣＨ3ＣＯＯ）2， Ｐ［（Ｃ（ＣＨ3）3］3， （ＣＨ3）3ＣＯＮａ：90 °Ｃ， 19 時間

実施例分子8
図16のフロンティア軌道はＨＯＭＯ及びＬＵＭＯが分子の顕著に異なっている空間エリア内に位置していることを示す。このため、最低三重項とその上方の 一重項との間の隙間が十分に小さいため、分子は顕著なＴＡＤＦ効果を示すことが予想される。ＴＤ―ＤＦＴ計算（関数Ｂ3ＬＹＰ、ベ―スクラスタ6―31Ｇ（ｄ、ｐ））により、実施例8の分子を計算したところ、最適化された三重項幾何構造のエネルギ―準位差は、ΔＥ（Ｓ1―Ｔ1）＝540ｃｍ―1であった。この結果、実施例8の分子は良好なＴＡＤＦ放射体であることが確認された。
以下の反応図を参照して、実施例8の分子の化学合成について説明する。


反応物及び反応条件：
（1） ＣＨ3ＣＯ2Ｎａ：230°Ｃ， 3 時間
（2） ＨＩ （57％水溶液）， 赤リン：80°Ｃ， 24 時間
（3） ＣＨ2Ｎ2， ＳＯ2Ｃ12， 80°Ｃ， 2 時間； （ＣＨ3）3ＣＯＨ， Ｃ6Ｈ5ＣＯＯＡｇ， Ｅｔ3Ｎ： 90°Ｃ， 2時間．
（4） （Ｈ3ＰＯ4）ｎ：175°Ｃ， 5時間
（5） Ａｌ［ＯＣＨ（ＣＨ3）2］3：275°Ｃ， 3時間
（6） （ＣＨ3）2ＮＨ， Ｐｄ（ＣＨ3ＣＯＯ）2， Ｐ［（Ｃ（ＣＨ3）3］3， （ＣＨ3）3ＣＯＮａ：90°Ｃ， 19時間
（7） Ｋ4［Ｆｅ（ＣＮ）6］， Ｐｄ（ＣＨ3ＣＯＯ）2， Ｐ［（Ｃ（ＣＨ3）3］3， Ｎａ2ＣＯ3， （ＣＨ3）2ＮＣＨＯ：140°Ｃ， 12時間


実施例分子9
図17には実施例9の分子のフロンティア軌道ＨＯＭＯ及びＬＵＭＯを示す。前記軌道が分子の顕著に異なっている空間エリア内に位置しているため、最低三重項とその上方の 一重項との間の隙間が十分に小さいため、分子は顕著なＴＡＤＦ効果を示すと予想される。ＴＤ―ＤＦＴ計算（関数Ｂ3ＬＹＰ、ベ―スクラスタ6―31Ｇ（ｄ、ｐ））により、実施例9の分子を計算したところ、最適化された三重項幾何構造のエネルギ―準位差は、ΔＥ（Ｓ1―Ｔ1）＝550ｃｍ―1であった。この結果、実施例9の分子が良好なＴＡＤＦ放射体であることが確認された。

実施例分子10
図18には実施例10の分子のフロンティア軌道ＨＯＭＯ及びＬＵＭＯを示す。前記軌道が分子の顕著に異なっている空間エリア内に位置しているため、最低三重項とその上方の 一重項との間の隙間が十分に小さいため、分子は顕著なＴＡＤＦ効果を示すと予想される。ＴＤ―ＤＦＴ計算（関数Ｂ3ＬＹＰ、ベ―スクラスタ6―31Ｇ（ｄ、ｐ））により、実施例10の分子を計算したところ、最適化された三重項幾何構造のエネルギ―準位差は、ΔＥ（Ｓ1―Ｔ1）＝140ｃｍ―1であった。この結果、実施例10の分子が良好なＴＡＤＦ放射体であることが確認された。

実施例分子 11
図19には実施例11の分子のフロンティア軌道ＨＯＭＯ及びＬＵＭＯを示す。前記軌道が分子の顕著に異なっている空間エリア内に位置しているため、最低三重項とその上方の 一重項との間の隙間が十分に小さいため、分子は顕著なＴＡＤＦ効果を表すと予想される。ＴＤ―ＤＦＴ計算（関数Ｂ3ＬＹＰ、ベ―スクラスタ6―31Ｇ（ｄ、ｐ））により、実施例11の分子を計算したところ、最適化された三重項幾何構造のエネルギ―準位差は、ΔＥ（Ｓ1―Ｔ1）＝420ｃｍ―1であった。この結果、実施例11の分子が良好なＴＡＤＦ放射体であることが確認された。

実施例分子 12
図20には実施例12の分子のフロンティア軌道ＨＯＭＯ及びＬＵＭＯを示す。前記軌道が分子の顕著に異なっている空間エリア内に位置しているため、最低三重項とその上方の 一重項との間の隙間が十分に小さいため、分子は顕著なＴＡＤＦ効果を示すと予想される。ＴＤ―ＤＦＴ計算（関数Ｂ3ＬＹＰ、ベ―スクラスタ6―31Ｇ（ｄ、ｐ））により、実施例12の分子を計算したところ、最適化された三重項幾何構造のエネルギ―準位差は、ΔＥ（Ｓ1―Ｔ1）＝1250ｃｍ―1であった。この結果、実施例12の分子が良好なＴＡＤＦ放射体であることが確認された。 図21にはその他の実施例の分子を示す。

Claims (5)

  1. 式Ｉで表される構造を含む有機化合物であって、
    （Ａ）芳香族環であり、置換基としてジアリールアミノ基（アリール環同士が結合して縮合複素芳香環を形成してもよい）またはジアルキルアミノ基（アルキル基が芳香族環に結合してもよい）を有する供与体Ｄと、
    （Ｂ）芳香族環またはヘテロ芳香族環であり、シアノ基またはアルキルスルホニル基を有する受容体Ａと、
    （Ｃ）非共役手段で前記供与体Ｄ及び前記受容体Ａを連結するブリッジＢ1及びブリッジＢ2であり、−ＣＲ３Ｒ４−、−ＣＲ３Ｒ４−ＣＲ３Ｒ４−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＲ３Ｒ４−ＮＲ７−から選択される（Ｒ３，Ｒ４はアルキル、アリール、結合している炭素原子と共に縮合アリール環を形成し、Ｒ７はアルキル、２個のＲ７が結合してアルキレンを形成する）ブリッジＢ1及びブリッジＢ2を有する、有機化合物。
  2. 有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）における、光電変換デバイスの放射体層としての、請求項1に記載の有機化合物の使用。
  3. 請求項1に記載の有機化合物を使用する、光電変換デバイスの製造方法。
  4. 請求項1に記載の有機化合物を有する光電変換デバイス。
  5. 前記光電変換デバイスが、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、発光電気化学電池（ＬＥＥＣまたはＬＥＣ）、ＯＬＥＤセンサ、特に外表に密封されていなかったスクリーンガス及び蒸汽センサ、光学温度センサ、有機太陽電池（ＯＳＣ）、有機電界効果トランジスタ、有機レーザ器、有機ダイオード、有機光電ダイオード及び「ダウンコンバート」システムからなる群から選ばれる、請求項４に記載の光電変換デバイス。
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