JP6670546B2 - 薄膜の成膜方法 - Google Patents
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- 238000007736 thin film deposition technique Methods 0.000 title 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 78
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 78
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 78
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 59
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 42
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 25
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 23
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 19
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 77
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 40
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 24
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 20
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 9
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 6
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- -1 argon Chemical compound 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000013076 target substance Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/66—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light electrically excited, e.g. electroluminescence
- G01N21/67—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light electrically excited, e.g. electroluminescence using electric arcs or discharges
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- H—ELECTRICITY
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- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
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- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Description
本発明は薄膜の成膜方法に関する。
従来から液晶ディスプレイ等に用いられる透明導電膜、各種の光学部品に用いられる反射防止膜や保護膜のような光学薄膜、包装材料に用いられるガスバリア薄膜、磁気記録に用いられる磁気薄膜などの各種薄膜を成膜する方法としてスパッタリング方法が広く用いられている。
スパッタリング方法の一種である反応性スパッタリング方法では、チャンバ内にスパッタリングガスおよび反応性ガスを注入し、スパッタリングガスによってターゲットから叩き出された物質を反応性ガスと反応させながら基材に堆積させる。その際反応性ガスの流量を調整して、膜厚分布や膜特性のばらつきを抑制している。
反応性ガスの流量を調整するための代表的な制御方法として、プラズマエミッションモニタリング制御（以後PEM制御という）が知られている（例えば、特許文献１：特開２００２−２１２７２０）。PEM制御においては、ターゲットと基材の間に形成されたプラズマの発する光（プラズマの発する光を以後「プラズマ光」という）に含まれる特定の波長の光の強度を一定に保つように反応性ガスの流量を調整する。
スパッタリング方法において観察されるプラズマ光には、スパッタリングガス、反応性ガスおよびターゲットの構成物質のそれぞれのプラズマから発生するプラズマ光が重畳して含まれている。PEM制御において反応性ガスの流量を適切に調整するためには、スパッタリングガス、反応性ガスおよびターゲット物質のそれぞれのプラズマ光のうちのいずれかの強度を精度良く検出する必要がある。
しかし、スパッタリングガス、反応性ガスおよびターゲットの構成物質のそれぞれのプラズマ光の強度のピーク（プラズマ光の強度のピークを以後「ピーク」という）をもたらす波長（プラズマ光の強度のピークをもたらす波長を以後「ピーク波長」という）が互いに近接していると、ピーク波長におけるプラズマ光の強度（ピーク波長におけるプラズマ光の強度を以後「ピーク強度」という）が精度良く検出できない場合がある。この場合、ピーク波長に近接した他の波長のピークがノイズとなり、PEM制御が不能となるおそれがある。
このような事態を避けるため、検出するピークを、近接したピークの無いものに変更することも考えられる。しかしこれを行なうとスパッタリングガス、反応性ガスおよびターゲット材料の選択が制約されるおそれがある。また、目的とする膜によっては検出するピークの変更が不可能なこともある。そのため、検出するピークの変更によりノイズを避ける対策は最善の策とは言えない。
本発明の目的は、プラズマ光を発する物質（例えばスパッタリングガス、反応性ガス、ターゲット材料）の種類の制約を受けることなくPEM制御を行なうことができる薄膜の成膜方法を実現することである。
本願発明者は、薄膜の成膜に用いられるPEM制御において、特定の物質のプラズマ光のピーク強度を検出する際、他の物質のプラズマ光がノイズとして混入しない波長範囲を設定して、特定の物質のプラズマ光のピーク強度を精度良く検出できるようにした。これにより、プラズマ光を発する物質の種類の制約を受けることなくPEM制御ができることを見出し、本発明を完成させた。なお以後、プラズマ光の強度を検出する対象物質を「特定物質」、特定物質のプラズマ光のスペクトルに含まれるピークを「特定ピーク」、特定ピークの波長を「特定ピーク波長」、特定ピークの強度を「特定ピーク強度」という。
（１）本発明は、少なくとも基材、薄膜の成膜材料および薄膜の成膜に使用されるガスが供給されたチャンバ内にて、成膜材料およびガスの構成物質のプラズマを発生させ、プラズマの発光強度を参照してガスの流量を調整しながら基材の表面に薄膜を成膜する薄膜の成膜方法である。
本発明の薄膜の成膜方法は次のステップを含む。
・構成物質に含まれる特定物質を選択するステップ。
・特定物質のプラズマの発する光のスペクトルに含まれる特定ピークを選択するステップ。
・特定ピークを含むプラズマ光を取得するステップ。
・プラズマ光をスペクトルに分解するステップ。
・特定ピーク波長が含まれ、かつ、特定ピーク強度の検出を阻害するノイズが排除されるように、特定ピーク強度の検出波長範囲を設定するステップ。
・検出波長範囲における特定ピーク強度を検出するステップ。
・特定ピーク強度を参照してガスの流量を調整するステップ。
本発明の薄膜の成膜方法は次のステップを含む。
・構成物質に含まれる特定物質を選択するステップ。
・特定物質のプラズマの発する光のスペクトルに含まれる特定ピークを選択するステップ。
・特定ピークを含むプラズマ光を取得するステップ。
・プラズマ光をスペクトルに分解するステップ。
・特定ピーク波長が含まれ、かつ、特定ピーク強度の検出を阻害するノイズが排除されるように、特定ピーク強度の検出波長範囲を設定するステップ。
・検出波長範囲における特定ピーク強度を検出するステップ。
・特定ピーク強度を参照してガスの流量を調整するステップ。
（２）本発明の薄膜の成膜方法においては特定ピーク強度の検出波長範囲を連続的に設定可能である。
（３）本発明の薄膜の成膜方法において特定ピーク強度の検出波長範囲の設定はモノクロメータにより行なわれる。
（４）本発明の薄膜の成膜方法において検出波長範囲は片側１nm以下（上限−下限が２nm以下）である。
本発明により、プラズマ光を発する物質の種類の制約を受けることなくPEM制御を行なうことができる薄膜の成膜方法が実現された。
図１は本発明の薄膜の成膜方法を用いるスパッタリング装置の一例の模式図である。スパッタリング装置１０はチャンバ１１を備える。チャンバ１１の内部には、ターゲット１２、電極１３、コリメータ１４、基材１５が備えられている。電極１３はターゲット１２の背面に固定されており、ターゲット１２と同電位である。ターゲット１２から飛散した原子や化合物が基材１５に付着して薄膜（スパッタリング膜）となる。
チャンバ１１の外部には電源１６、モノクロメータ１７、PEM制御装置１８、マスフローコントローラ１９が備えられている。
電源１６は電極１３に導通しており、電極１３およびターゲット１２の電位を調節する。モノクロメータ１７はコリメータ１４と光ファイバで結ばれている。PEM制御装置１８はモノクロメータ１７と信号線で結ばれている。マスフローコントローラ１９はPEM制御装置１８と信号線で結ばれている。
マスフローコントローラ１９からはガス導入管２０がチャンバ１１内に導通しており、ガス２１がチャンバ１１内に供給されている。ガス２１は、例えばスパッタリングガス（例えばアルゴン）あるいは反応性ガス（例えば酸素）である。基材１５とターゲット１２の間に印加された電圧により、ターゲット１２と基材１５の間の空間にはガス２１およびターゲット１２の構成物質がそれぞれプラズマ化してプラズマ２２が形成されている。
プラズマ２２は、ガス２１およびターゲット１２の構成物質のそれぞれのプラズマ光を発する。プラズマ光はコリメータ１４で取得され光ファイバを通じてモノクロメータ１７に伝送される。モノクロメータ１７ではプラズマ光がスペクトルに分解される。コリメータ１４では広い波長範囲のプラズマ光が取得されるが、モノクロメータ１７により設定された狭い波長範囲のプラズマ光のピーク強度が検出される。
モノクロメータ１７は、回折格子（図示しない）とスリット（図示しない）と光電子増倍管（図示しない）を組み合わせたものである。回折格子とスリットで検出する光の波長範囲を設定し、光電子増倍管でその波長範囲に含まれる特定ピーク強度を検出し、電気信号に変換する。モノクロメータ１７では、波長範囲の中心値は、回折格子面と回折光のなす角度を調整することにより所望の値に連続的に設定できる。また波長範囲は、回折光の通過するスリットの幅を調整することにより所望の値に連続的に設定できる。
モノクロメータ１７で検出された特定ピーク強度の電気信号は、PEM制御装置１８に伝送される。PEM制御装置１８は、特定プラズマ光のピーク強度が一定となるように、マスフローコントローラ１９に信号を伝送する。マスフローコントローラ１９は伝送された信号に基づいてガス２１の流量を調整する。
［本発明の薄膜の成膜方法］
本発明の薄膜の成膜方法においては、成膜材料およびガスの構成物質のそれぞれのプラズマを発生させ、プラズマの発光強度を参照してガスの流量を調整（PEM制御）しながら基材の表面に薄膜を成膜する。
本発明の薄膜の成膜方法においては、成膜材料およびガスの構成物質のそれぞれのプラズマを発生させ、プラズマの発光強度を参照してガスの流量を調整（PEM制御）しながら基材の表面に薄膜を成膜する。
［特定物質を選択するステップ］
まず成膜材料およびガスの構成物質のそれぞれのプラズマ光の固有スペクトルを調査し、PEM制御に最も適した構成物質を選択する。このような構成物質を「特定物質」という。例えばスパッタリングガスがアルゴン、反応性ガスが酸素、ターゲットがケイ素の場合、アルゴン、酸素、ケイ素のうちの一つを特定物質として選択する。
まず成膜材料およびガスの構成物質のそれぞれのプラズマ光の固有スペクトルを調査し、PEM制御に最も適した構成物質を選択する。このような構成物質を「特定物質」という。例えばスパッタリングガスがアルゴン、反応性ガスが酸素、ターゲットがケイ素の場合、アルゴン、酸素、ケイ素のうちの一つを特定物質として選択する。
［特定ピークを選択するステップ］
特定物質のプラズマ光のスペクトルには通常複数のピークが含まれる。特定物質のプラズマ光の複数のピークの中で、PEM制御に最も適したピークを「特定ピーク」として選択する。PEM制御に適したピークは当該ピークの近くに他の構成物質のピークがないものである。近くにある他の構成物質のピークは当該ピークの検出のときノイズとなる。例えば酸素を特定物質としたとき、酸素のプラズマのピークは複数あるが、近くにアルゴンおよびケイ素のピークのない酸素のピークを特定ピークとして選択する。
特定物質のプラズマ光のスペクトルには通常複数のピークが含まれる。特定物質のプラズマ光の複数のピークの中で、PEM制御に最も適したピークを「特定ピーク」として選択する。PEM制御に適したピークは当該ピークの近くに他の構成物質のピークがないものである。近くにある他の構成物質のピークは当該ピークの検出のときノイズとなる。例えば酸素を特定物質としたとき、酸素のプラズマのピークは複数あるが、近くにアルゴンおよびケイ素のピークのない酸素のピークを特定ピークとして選択する。
［特定ピークを含むプラズマ光を取得するステップ］
特定ピークを含むプラズマ光を取得するステップは、例えばコリメータ１４にプラズマ光を入射させることにより実行される。コリメータ１４で取得されるプラズマ光の波長範囲は広いため、通常、特定ピークはその中に含まれる。この波長範囲には、例えば、ガス２１およびターゲット１２の構成物質（例えばアルゴン、酸素、ケイ素）のそれぞれのプラズマ光に含まれる複数のスペクトルが重畳して含まれる。従って単にプラズマ光を取得し、その強度を検出しただけではPEM制御はできない。
特定ピークを含むプラズマ光を取得するステップは、例えばコリメータ１４にプラズマ光を入射させることにより実行される。コリメータ１４で取得されるプラズマ光の波長範囲は広いため、通常、特定ピークはその中に含まれる。この波長範囲には、例えば、ガス２１およびターゲット１２の構成物質（例えばアルゴン、酸素、ケイ素）のそれぞれのプラズマ光に含まれる複数のスペクトルが重畳して含まれる。従って単にプラズマ光を取得し、その強度を検出しただけではPEM制御はできない。
［プラズマ光をスペクトルに分解するステップ］
プラズマ光をスペクトルに分解するステップは例えばコリメータ１４からモノクロメータ１７に伝送された光を、モノクロメータ１７の内部に備えられた回折格子（図示しない）によりスペクトルに分解することにより実行される。プラズマ光をスペクトルに分解するステップは回折格子に限らず、例えばプリズム（図示しない）でも可能である。しかし一般に回折格子の方がプリズムより分解能が高く、また分解能が波長の影響を受けにくいため、回折格子の方が好ましい。
プラズマ光をスペクトルに分解するステップは例えばコリメータ１４からモノクロメータ１７に伝送された光を、モノクロメータ１７の内部に備えられた回折格子（図示しない）によりスペクトルに分解することにより実行される。プラズマ光をスペクトルに分解するステップは回折格子に限らず、例えばプリズム（図示しない）でも可能である。しかし一般に回折格子の方がプリズムより分解能が高く、また分解能が波長の影響を受けにくいため、回折格子の方が好ましい。
［特定ピーク強度の検出波長範囲を設定するステップ］
「検出波長範囲」とはプラズマ発光を検出できる波長範囲を意味する。従って「特定ピーク強度の検出波長範囲」とは特定ピーク強度を検出できる波長範囲を意味する。すなわち「特定ピーク強度の検出波長範囲」内に特定ピーク波長が含まれている。特定ピーク強度を検出する波長範囲を設定するステップにおいては、特定ピークが含まれ、かつ、特定ピーク強度の検出を阻害するノイズとなる他の構成物質のピークが排除される波長範囲を設定する。特定ピークと他の構成物質のピークが近接しているときは、波長範囲を狭く設定しなければならない。そのような場合、後述のように、モノクロメータ１７では波長範囲の設定が可能であるが、バンドパスフィルタ（図示しない）では不可能なときがある。本願においては「特定ピークが含まれ、かつ、特定ピーク強度の検出を阻害するノイズとなる他の構成物質のピークが排除される波長範囲」を設定するが、これはモノクロメータ１７、あるいは、バンドパスフィルタの限界の狭い波長範囲を設定するという意味ではない。ノイズが排除できるならば、できるだけ広い波長範囲を設定する方が望ましい。なぜならば波長範囲が広い方がS/N比（シグナル/ノイズ比）が高くなって検出精度が高くなるからである。本願は、できるだけ狭い波長範囲で特定ピーク強度を検出するという単純な方法ではない。
「検出波長範囲」とはプラズマ発光を検出できる波長範囲を意味する。従って「特定ピーク強度の検出波長範囲」とは特定ピーク強度を検出できる波長範囲を意味する。すなわち「特定ピーク強度の検出波長範囲」内に特定ピーク波長が含まれている。特定ピーク強度を検出する波長範囲を設定するステップにおいては、特定ピークが含まれ、かつ、特定ピーク強度の検出を阻害するノイズとなる他の構成物質のピークが排除される波長範囲を設定する。特定ピークと他の構成物質のピークが近接しているときは、波長範囲を狭く設定しなければならない。そのような場合、後述のように、モノクロメータ１７では波長範囲の設定が可能であるが、バンドパスフィルタ（図示しない）では不可能なときがある。本願においては「特定ピークが含まれ、かつ、特定ピーク強度の検出を阻害するノイズとなる他の構成物質のピークが排除される波長範囲」を設定するが、これはモノクロメータ１７、あるいは、バンドパスフィルタの限界の狭い波長範囲を設定するという意味ではない。ノイズが排除できるならば、できるだけ広い波長範囲を設定する方が望ましい。なぜならば波長範囲が広い方がS/N比（シグナル/ノイズ比）が高くなって検出精度が高くなるからである。本願は、できるだけ狭い波長範囲で特定ピーク強度を検出するという単純な方法ではない。
一例として、図２に590nm付近のプラズマ光のスペクトルを示す。横軸は波長（単位nm）、縦軸は発光強度（任意単位）である。図２のスペクトルにおいてアルゴン(Ar)のピークを検出することを試みる。アルゴンのピークは591.2nm付近にあるが、すぐ近くの592.5nm付近にチッ素(N)のピークがある。モノクロメータ１７の検出波長の中心値を591.2nmとし、波長範囲（片側）を1nmとすると、検出範囲は590.2nm〜592.2nmとなる。このときアルゴンのピークは検出範囲に入るが、チッ素のピークは入らない。これによりチッ素のピークの影響（ノイズ）を受けずに、アルゴンのピーク強度が検出できる。この場合、波長範囲（片側）を例えば1.3nmとすると、検出範囲は589.9nm〜592.5nmとなり、チッ素のピーク（592.5nm）も検出範囲に入りノイズとなるため、アルゴンのピーク強度の検出精度が低下する。
モノクロメータ１７の代わりにバンドパスフィルタ（高精度のカラーフィルタ）（図示しない）を用いて検出波長範囲を設定することもできる。但し市販のバンドパスフィルタの検出（透過）波長範囲は予め定められており、検出波長範囲は離散的にしか選択できない。また個々のバンドパスフィルタの検出波長範囲はモノクロメータ１７に比べてかなり広いため、後述するようにノイズが混入するときがある。
一例として図３に780nm付近のプラズマ光のスペクトルを示す。横軸は波長（単位nm）、縦軸は発光強度（任意単位）である。図３のスペクトルにおいて酸素(O)のピーク強度を検出することを試みる。酸素のピークは776.5nm付近にあるが、近くの771.5nm付近に非常に強いアルゴン(Ar)のピークがある。市販のバンドパスフィルタは検出波長範囲を自由に選択することができない。もし市販のバンドパスフィルタにより776.5nm付近にある酸素のピーク強度を検出しようとすると、一般に中心値が780nm、波長範囲（片側）が8nmのバンドパスフィルタが用いられる。その場合、検出範囲は772nm〜788nmとなるため、酸素のピークに加えて、酸素のピークより強度の強いアルゴンのピークの一部が入る。そのため酸素のピーク強度を精度良く検出することはできない。
オーダーメイドで所望の検出波長範囲のバンドパスフィルタを作製することも可能である。しかしオーダーメイドのバンドパスフィルタは高額であり、しかもバンドパスフィルタは波長範囲を狭くすると透過率が低下するという問題がある。
それに対してモノクロメータ１７を用いて、検出波長の中心値を776.5nm、波長範囲（片側）を1nmに設定すると、検出範囲は775.5nm〜777.5nmとなるため、アルゴンのピークの影響（ノイズ）を受けることなく、酸素のピーク強度を精度良く検出することができる。
ガス２１あるいはターゲット１２の種類によってはバンドパスフィルタを使用しても検出精度の問題がない場合もある。しかしバンドパスフィルタを使用して広い波長範囲の多数の箇所でピーク強度を検出しようとすると、検出波長の異なる多数のバンドパスフィルタを用意する必要がある。このようなことは管理も煩雑であるし経済的にも好ましくない。そのため、バンドパスフィルタよりモノクロメータ１７を用いる方が好ましい。
［特定ピーク強度を検出するステップ］
特定ピーク強度の検出を行なうステップは、特定物質のプラズマの量を推定するために用いられる。これは例えばモノクロメータ１７の内部に備えられた光電子増倍管（図示しない）により行なわれる。光電子増倍管の代わりに、CCD(Charge Coupled Device)検出器やCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)検出器を用いることもできる。しかしCCD検出器やCMOS検出器の動作速度は光電子増倍管に比べて遅いため、プラズマ光の強度が短時間に変化する場合は光電子増倍管の方が好ましい。
特定ピーク強度の検出を行なうステップは、特定物質のプラズマの量を推定するために用いられる。これは例えばモノクロメータ１７の内部に備えられた光電子増倍管（図示しない）により行なわれる。光電子増倍管の代わりに、CCD(Charge Coupled Device)検出器やCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)検出器を用いることもできる。しかしCCD検出器やCMOS検出器の動作速度は光電子増倍管に比べて遅いため、プラズマ光の強度が短時間に変化する場合は光電子増倍管の方が好ましい。
［特定ピーク強度を参照してガスの流量を調整するステップ］
特定ピーク強度を参照してガスの流量を調整するステップは、例えばPEM制御装置１８により実行される。特定ピーク強度を参照してガスの流量を調整することにより、膜厚および膜特性のばらつきの少ない薄膜を成膜することができる。
特定ピーク強度を参照してガスの流量を調整するステップは、例えばPEM制御装置１８により実行される。特定ピーク強度を参照してガスの流量を調整することにより、膜厚および膜特性のばらつきの少ない薄膜を成膜することができる。
［実施例および比較例］
［実施例１］
ターゲットとしてケイ素(Si)を、スパッタリングガスとしてアルゴン(Ar)を、反応性ガスとして酸素(O2)を用いて、反応性スパッタリング方法により酸化ケイ素(SiO2)の薄膜を成膜した。基材１５として白板ガラスを用いた。電源１６としてＤＣパルス電源を用いた。プラズマ２２の領域にはアルゴンのプラズマ光、酸素のプラズマ光、ケイ素のプラズマ光が観察された。
［実施例１］
ターゲットとしてケイ素(Si)を、スパッタリングガスとしてアルゴン(Ar)を、反応性ガスとして酸素(O2)を用いて、反応性スパッタリング方法により酸化ケイ素(SiO2)の薄膜を成膜した。基材１５として白板ガラスを用いた。電源１６としてＤＣパルス電源を用いた。プラズマ２２の領域にはアルゴンのプラズマ光、酸素のプラズマ光、ケイ素のプラズマ光が観察された。
プラズマ光をコリメータ１４で取得し、モノクロメータ１７に伝送した。モノクロメータ１７でプラズマ光をスペクトルに分解し、検出波長の中心値を酸素のピークに近い777nmに設定し、波長範囲（片側）を1nmに設定した。
モノクロメータ１７で検出された酸素のプラズマ光のピーク強度は電気信号に変換されてPEM制御装置１８に伝送された。PEM制御装置１８は、酸素のプラズマ光のピーク強度が一定となるように、マスフローコントローラ１９に信号を伝送した。マスフローコントローラ１９は伝送された信号に基づいて酸素の流量を調整した。
図４に、上記の制御を行なったときの、酸素流量（単位sccm）と放電電圧（単位V）のグラフを示す。図４のグラフに示すように、放電電圧は酸素流量の変化に適切に追随しており、PEM制御が適切に行なわれていた。
スパッタリングの際、基材等から水分、酸素等のアウトガスが発生し、その影響により、基材の幅方向や流れ方向において薄膜の膜厚や特性のばらつきが生じることがある。
例えば酸化物薄膜を成膜する場合、アウトガスに含まれる酸素の影響によりプラズマの状態が不安定となり、酸化物薄膜の膜厚や特性がばらつくことがある。そのため、酸化物薄膜を形成する場合、プラズマの状態が、アウトガスに含まれる酸素の影響を受けないようにすることが求められている。
本発明のスパッタリング方法を用いれば、例えば基材１５からアウトガスとして酸素が予測不可能に発生する場合、酸素のプラズマ光のピーク強度を精度良く検出することにより、基材１５から発生した酸素の分だけ、マスフローコントローラ１９を通して供給する酸素をリアルタイムに減らすことができる。
これにより、基材１５から発生した酸素の量とマスフローコントローラ１９を通して供給する酸素の量の和をPEM制御により一定にすることができる。このようなPEM制御を行なうことによりプラズマ２２が安定する。プラズマ２２が安定すると、基材１５の幅方向や流れ方向において膜厚や特性のばらつきが生じにくい。前述のようにモノクロメータ１７内の光電子増倍管の動作速度が極めて速いため、基材１５から発生する酸素の量が急激に変化するときでも、酸素の量の和を一定にするPEM制御に遅れが生じにくい。
同じく酸化ケイ素(SiO2)の薄膜を成膜する際、検出波長の中心値を、ケイ素のピーク波長に近い251nmに設定し、波長範囲（片側）を1nmに設定した。それ以外は上記と同様にしてケイ素のピーク強度を参照して酸素の流量を調整した。
図５に、上記の制御を行なったときの、酸素流量（単位sccm）と放電電圧（単位V）のグラフを示す。図５のグラフに示すように、放電電圧は酸素流量の変化に適切に追随しており、PEM制御が適切に行なわれていた。
［実施例２］
ターゲットとしてニオブ(Nb)を、スパッタリングガスとしてアルゴン(Ar)を、反応性ガスとして酸素(O2)を用いて、反応性スパッタリング方法により酸化ニオブ(Nb2O5)の薄膜を成膜した。基材１５として白板ガラスを用いた。電源１６としてＤＣパルス電源を用いた。プラズマ２２の領域には、アルゴンのプラズマ光、酸素のプラズマ光、ニオブのプラズマ光が観察された。
ターゲットとしてニオブ(Nb)を、スパッタリングガスとしてアルゴン(Ar)を、反応性ガスとして酸素(O2)を用いて、反応性スパッタリング方法により酸化ニオブ(Nb2O5)の薄膜を成膜した。基材１５として白板ガラスを用いた。電源１６としてＤＣパルス電源を用いた。プラズマ２２の領域には、アルゴンのプラズマ光、酸素のプラズマ光、ニオブのプラズマ光が観察された。
プラズマ光をコリメータ１４で取得し、モノクロメータ１７に伝送した。モノクロメータ１７でプラズマ光をスペクトルに分解し、検出波長の中心値を、酸素のピーク波長に近い777nmに設定し、波長範囲（片側）を1nmに設定した。
モノクロメータ１７で検出された酸素のピーク強度の電気信号は、PEM制御装置１８に伝送された。PEM制御装置１８は、酸素のピーク強度が一定となるように、マスフローコントローラ１９に信号を伝送した。マスフローコントローラ１９は伝送された信号に基づいて酸素の流量を調整した。
図６に、上記の制御を行なったときの、酸素流量（単位sccm）と放電電圧（単位V）のグラフを示す。図６のグラフに示すように、放電電圧は酸素流量の変化に適切に追随しており、PEM制御が適切に行なわれていた。なおグラフの右端ではリニアリティが崩れているが、この部分は実際には使用されないため、実用上の影響はない。
同じく酸化ニオブ(Nb2O5)の薄膜を成膜する際、検出波長の中心値をニオブのピーク波長に近い507nmに設定し、波長範囲（片側）を1nmに設定した。それ以外は上記と同様にしてニオブのピーク強度を参照して酸素の流量を調整した。
図７に、上記の制御を行なったときの、酸素流量（単位sccm）と放電電圧（単位V）のグラフを示す。図７のグラフに示すように、放電電圧は酸素流量の変化に適切に追随しており、PEM制御が適切に行なわれていた。なおグラフの右端ではリニアリティが崩れているが、この部分は実際には使用されないため、実用上の影響はない。
［比較例１］
ターゲットとしてケイ素(Si)を、スパッタリングガスとしてアルゴン(Ar)を、反応性ガスとして酸素(O2)を用いて、反応性スパッタリング方法により酸化ケイ素(SiO2)の薄膜を成膜した。モノクロメータの代わりにバンドパスフィルタを用いた。バンドパスフィルタは波長範囲が酸素のピーク波長に近い772nm〜788nmのものを選択した。それ以外は実施例１と同様にして酸素のピーク強度を参照して酸素の流量を調整した。この場合図４と同様にPEM制御は適切に行なわれていた。
ターゲットとしてケイ素(Si)を、スパッタリングガスとしてアルゴン(Ar)を、反応性ガスとして酸素(O2)を用いて、反応性スパッタリング方法により酸化ケイ素(SiO2)の薄膜を成膜した。モノクロメータの代わりにバンドパスフィルタを用いた。バンドパスフィルタは波長範囲が酸素のピーク波長に近い772nm〜788nmのものを選択した。それ以外は実施例１と同様にして酸素のピーク強度を参照して酸素の流量を調整した。この場合図４と同様にPEM制御は適切に行なわれていた。
同じく酸化ケイ素(SiO2)の薄膜を成膜する際、バンドパスフィルタとして波長範囲がケイ素のピークに近い280nm〜296nmのものを選択した。それ以外は上記と同様にしてケイ素のピーク強度を参照して酸素ガスの流量を調整した。図８に、上記の制御を行なったときの、酸素流量（単位sccm）と放電電圧（単位V）のグラフを示す。図８のグラフに示すように、放電電圧は酸素流量の変化に追随しておらず、PEM制御不能であった。この理由は、バンドパスフィルタの波長範囲が広いため、ケイ素のピーク以外にもアルゴンなどのケイ素以外の物質の光がノイズとして入り込み、ケイ素のピーク強度が精度良く検出できなかったためである。
［比較例２］
ターゲットとしてニオブ(Nb)を、スパッタリングガスとしてアルゴン(Ar)を、反応性ガスとして酸素(O2)を用いて、反応性スパッタリング方法により酸化ニオブ(Nb2O5)の薄膜を成膜した。モノクロメータの代わりにバンドパスフィルタを用いた。バンドパスフィルタは波長範囲が酸素のピーク波長に近い772nm〜788nmのものを選択した。それ以外は実施例２と同様にして酸素のピーク強度を参照して酸素ガスの流量を調整した。
ターゲットとしてニオブ(Nb)を、スパッタリングガスとしてアルゴン(Ar)を、反応性ガスとして酸素(O2)を用いて、反応性スパッタリング方法により酸化ニオブ(Nb2O5)の薄膜を成膜した。モノクロメータの代わりにバンドパスフィルタを用いた。バンドパスフィルタは波長範囲が酸素のピーク波長に近い772nm〜788nmのものを選択した。それ以外は実施例２と同様にして酸素のピーク強度を参照して酸素ガスの流量を調整した。
図９に、上記の制御を行なったときの、酸素流量（単位sccm）と放電電圧（単位V）のグラフを示す。図９のグラフに示すように、放電電圧は酸素流量の変化に追随しておらず、PEM制御不能であった。この理由は、図３に示したように、バンドパスフィルタの波長範囲が広いため、酸素のピークより強いアルゴンの光がノイズとして入り込み、酸素のピーク強度が精度良く検出できなかったためである。
同じく酸化ニオブ(Nb2O5)の薄膜を成膜する際、バンドパスフィルタとしてニオブのピーク波長に近い400nm〜420nmのものを選択した。それ以外は実施例２と同様にしてニオブのピーク強度を参照して酸素ガスの流量を調整した。この場合は図７と同様にPEM制御は適切に行なわれていた。
表１に実施例、比較例のまとめを示す。
実施例１、２においては、特定ピーク強度の検出を阻害するノイズを除くように波長範囲が設定された。これにより、実施例１においては酸素とケイ素のいずれの特定ピーク強度を参照してもPEM制御が可能であり、実施例２においては酸素とニオブのいずれの特定ピーク強度を参照してもPEM制御が可能であった。すなわちガスおよびターゲット材料の制約を受けることなくPEM制御を行なうことができた。従って評価はいずれも適切（○）であった。
比較例１、２においては、検出波長の中心値が予め離散的に定められており、しかも波長範囲が広いバンドパスフィルタを用いている。バンドパスフィルタを用いた場合でも、特定ピーク強度の検出を阻害するようなノイズが入らないときはPEM制御が可能であった（比較例１で酸素、比較例２でニオブを参照した場合）。
しかし複数のピークが近接している場合、特定ピーク強度の検出を阻害するノイズを除くように波長範囲を設定することができなかったため、特定ピーク強度の検出を阻害するようなノイズが入ったときはPEM制御が不可能であった（比較例１でケイ素、比較例２で酸素を用いた場合）。
上記のように比較例１、２においてはPEM制御に用いるガスあるいはターゲットの物質が制約されてしまうため不都合が生じるおそれがある。従って評価はいずれも不適切（X）であった。
［モノクロメータ］
モノクロメータとして堀場ジョバンイボン社製プラズマモニタH-20Vを使用した。
モノクロメータとして堀場ジョバンイボン社製プラズマモニタH-20Vを使用した。
［PEM制御装置］
PEM制御装置としてGencoa社製Speedfloを使用した。
PEM制御装置としてGencoa社製Speedfloを使用した。
なお本発明の薄膜の成膜方法は、スパッタリング方法に限定されず、他の成膜方法、例えば、プラズマＣＶＤ方法などにも応用可能である。
本発明の薄膜の成膜方法の用途に制限は無いが、本発明の薄膜の成膜方法は反応性スパッタリング方法を用いて薄膜を成膜する際に特に好適に用いられる。
１０ スパッタリング装置
１１ チャンバ
１２ ターゲット
１３ 電極
１４ コリメータ
１５ 基材
１６ 電源
１７ モノクロメータ
１８ PEM制御装置
１９ マスフローコントローラ
２０ ガス導入管
２１ ガス
２２ プラズマ
１１ チャンバ
１２ ターゲット
１３ 電極
１４ コリメータ
１５ 基材
１６ 電源
１７ モノクロメータ
１８ PEM制御装置
１９ マスフローコントローラ
２０ ガス導入管
２１ ガス
２２ プラズマ
Claims (3)
- 少なくとも基材、薄膜の成膜材料および前記薄膜の成膜に使用されるガスが供給されたチャンバ内にて、前記成膜材料および前記ガスの構成物質のそれぞれのプラズマを発生させ、前記プラズマの発光強度を参照して前記ガスの流量を調整しながら前記基材の表面に前記薄膜を成膜する薄膜の成膜方法であって、
前記構成物質に含まれる特定物質を選択するステップと、
前記特定物質のプラズマの発する光のスペクトルに含まれる特定ピークを選択するステップと、
前記特定ピークを含むプラズマ光を取得するステップと、
モノクロメータの内部に備えられた回折格子により前記プラズマ光をスペクトルに分解するステップと、
前記特定ピークの波長すなわち特定ピーク波長が含まれ、かつ、前記特定ピークの強度すなわち特定ピーク強度の検出を阻害するノイズが排除されるように、前記特定ピーク強度の検出波長範囲を設定するステップと、
前記検出波長範囲における前記特定ピーク強度を検出するステップと、
前記特定ピーク強度を参照して前記ガスの流量を調整するステップを含み、
前記基材から生じるアウトガスに酸素が含まれ、前記特定物質が酸素であり、前記ガスの流量を調整するステップが特定プラズマ光のピーク強度が一定になるように、マスフローコントローラを通して供給する酸素を基材から発生した酸素の分だけリアルタイムに減らすことを特徴とする薄膜の成膜方法。 - 前記特定ピーク強度の検出波長範囲を連続的に設定可能なことを特徴とする請求項１に記載の薄膜の成膜方法。
- 前記特定ピーク強度の検出波長範囲の設定がモノクロメータにより行なわれることを特徴とする請求項１または２に記載の薄膜の成膜方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015028836A JP6670546B2 (ja) | 2015-02-17 | 2015-02-17 | 薄膜の成膜方法 |
| PCT/JP2016/052046 WO2016132823A1 (ja) | 2015-02-17 | 2016-01-25 | 薄膜の成膜方法 |
| KR1020167029277A KR102443296B1 (ko) | 2015-02-17 | 2016-01-25 | 박막의 성막 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015028836A JP6670546B2 (ja) | 2015-02-17 | 2015-02-17 | 薄膜の成膜方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016151040A JP2016151040A (ja) | 2016-08-22 |
| JP6670546B2 true JP6670546B2 (ja) | 2020-03-25 |
Family
ID=56688797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015028836A Active JP6670546B2 (ja) | 2015-02-17 | 2015-02-17 | 薄膜の成膜方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6670546B2 (ja) |
| KR (1) | KR102443296B1 (ja) |
| WO (1) | WO2016132823A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102161472B1 (ko) * | 2019-12-09 | 2020-10-06 | 주식회사 아바코 | 스퍼터링장치 및 스퍼터링장치 제어방법 |
| US20230029343A1 (en) * | 2021-07-20 | 2023-01-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Sputtering apparatus, film formation method, and method for manufacturing product |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10152773A (ja) * | 1996-11-22 | 1998-06-09 | Sony Corp | スパツタ装置及びスパツタ方法 |
| JP2002212720A (ja) | 2001-01-23 | 2002-07-31 | Canon Inc | スパッタリング方法およびスパッタリング装置 |
| JP2003268540A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-09-25 | Mitsubishi Electric Corp | 成膜方法および成膜装置 |
| JP2008251866A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
| JP6101533B2 (ja) * | 2013-03-27 | 2017-03-22 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 酸化アルミニウムの成膜方法 |
-
2015
- 2015-02-17 JP JP2015028836A patent/JP6670546B2/ja active Active
-
2016
- 2016-01-25 WO PCT/JP2016/052046 patent/WO2016132823A1/ja active Application Filing
- 2016-01-25 KR KR1020167029277A patent/KR102443296B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20170117308A (ko) | 2017-10-23 |
| WO2016132823A1 (ja) | 2016-08-25 |
| JP2016151040A (ja) | 2016-08-22 |
| KR102443296B1 (ko) | 2022-09-14 |
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