JP6662151B2 - Dc/dc変換装置、コンピュータプログラム及びdc/dc変換装置の制御方法 - Google Patents

Dc/dc変換装置、コンピュータプログラム及びdc/dc変換装置の制御方法 Download PDF

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Description

本発明は、DC/DC変換装置、該DC/DC変換装置を制御するためのコンピュータプログラム及び前記DC/DC変換装置の制御方法の制御方法に関する。
車両には、用途に応じて種々のバッテリが使用され、例えば、比較的高圧のバッテリ、低圧のバッテリなどが搭載されている。このため、車両には、走行状態に応じて、高圧のバッテリと低圧のバッテリとの間の電圧を変換するためのDC/DC変換装置が搭載されている。
一方で、機器の小型化要求が高く、受動素子の小型化のためDC/DC変換装置の駆動周波数が高くなってきている。しかし、駆動周波数を高くすると、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又はFETなどのスイッチングデバイスのスイッチング損失が大きくなる。そこで、スイッチング損失を低減すべく、磁気結合によるソフトスイッチングを実現する補助回路を設けたチョッパ回路が開示されている(特許文献1参照)。
"自動車、電子機器の進化を支えるスイッチング電源の上手な作り方"、企業向け人材育成講座、技術者塾、2015年12月7日
しかし、非特許文献1のような回路にあっては、チョッパ回路を構成する2つのスイッチングデバイスの両方がオフとなるデッドタイムが固定値となっているため、補助回路を構成する部品のばらつき、温度変化又は経年変化によりスイッチングデバイスのスイッチング損失が大きくなる場合がある。
本発明は、斯かる事情に鑑みてなされたものであり、スイッチングデバイスのスイッチング損失を最適にすることができるDC/DC変換装置、該DC/DC変換装置を制御するためのコンピュータプログラム及び前記DC/DC変換装置の制御方法を提供することを目的とする。
本発明の実施の形態に係るDC/DC変換装置は、直列に接続された高圧側スイッチングデバイス及び低圧側スイッチングデバイスと、前記高圧側スイッチングデバイス及び低圧側スイッチングデバイスのオン/オフを制御する制御部とを備えるDC/DC変換装置であって、前記制御部は、前記高圧側スイッチングデバイス又は低圧側スイッチングデバイスの一方をオンし他方をオフする第1オン期間と、前記一方をオフし前記他方をオンする第2オン期間と、前記第1オン期間及び第2オン期間の間に前記高圧側スイッチングデバイス及び低圧側スイッチングデバイスの両方をオフするオフ期間とを設けて前記高圧側スイッチングデバイス及び低圧側スイッチングデバイスのオン/オフを制御し、前記他方のスイッチングデバイスに印加される電圧が所定値以下となる時点を前記第2オン期間の開始時点に設定する設定部を備える。
本発明の実施の形態に係るコンピュータプログラムは、コンピュータに、直列に接続された高圧側スイッチングデバイス及び低圧側スイッチングデバイスを備えるDC/DC変換装置を制御させるためのコンピュータプログラムであって、コンピュータを、前記高圧側スイッチングデバイス又は低圧側スイッチングデバイスの一方をオンし他方をオフする第1オン期間と、前記一方をオフし前記他方をオンする第2オン期間と、前記第1オン期間及び第2オン期間の間に前記高圧側スイッチングデバイス及び低圧側スイッチングデバイスの両方をオフするオフ期間とを設けて前記高圧側スイッチングデバイス及び低圧側スイッチングデバイスのオン/オフを制御する制御部と、前記他方のスイッチングデバイスに印加される電圧が所定値以下となる時点を前記第2オン期間の開始時点に設定する設定部として機能させる。
本発明の実施の形態に係るDC/DC変換装置の制御方法は、直列に接続された高圧側スイッチングデバイス及び低圧側スイッチングデバイスを備えるDC/DC変換装置の制御方法であって、前記高圧側スイッチングデバイス又は低圧側スイッチングデバイスの一方をオンし他方をオフする第1オン期間と、前記一方をオフし前記他方をオンする第2オン期間と、前記第1オン期間及び第2オン期間の間に前記高圧側スイッチングデバイス及び低圧側スイッチングデバイスの両方をオフするオフ期間とを設けて前記高圧側スイッチングデバイス及び低圧側スイッチングデバイスのオン/オフを制御部が制御し、前記他方のスイッチングデバイスに印加される電圧が所定値以下となる時点を前記第2オン期間の開始時点に設定部が設定する。
本発明によれば、スイッチングデバイスのスイッチング損失を最適にすることができる。
第1実施形態のDC/DC変換装置の回路構成の一例を示す説明図である。 第1実施形態のDC/DC変換装置の時点t0より前の動作状態の一例を示す模式図である。 第1実施形態のDC/DC変換装置の時点t0からt1までの動作状態の一例を示す模式図である。 第1実施形態のDC/DC変換装置の時点t1からt2までの動作状態の一例を示す模式図である。 第1実施形態のDC/DC変換装置の時点t2からt3までの動作状態の一例を示す模式図である。 第1実施形態のDC/DC変換装置の時点t3からt4までの動作状態の一例を示す模式図である。 第1実施形態のDC/DC変換装置の時点t0からt4までの要部波形の一例を示すタイムチャートである。 高圧側スイッチングデバイス及び低圧側スイッチングデバイスの両方がオフするオフ期間の要部波形の一例を示すタイムチャートである。 スイッチングデバイスの損失とデッドタイムとの関係の一例を示す説明図である。 第1実施形態のDC/DC変換装置によるデッドタイムを調整した場合の要部波形の一例を示すタイムチャートである。 第2実施形態のDC/DC変換装置の回路構成の一例を示す説明図である。 第2実施形態のDC/DC変換装置の動作時の要部波形の一例を示すタイムチャートである。 本実施形態のDC/DC変換装置の制御の処理手順の一例を示すフローチャートである。
[本願発明の実施形態の説明]
本発明の実施の形態に係るDC/DC変換装置は、直列に接続された高圧側スイッチングデバイス及び低圧側スイッチングデバイスと、前記高圧側スイッチングデバイス及び低圧側スイッチングデバイスのオン/オフを制御する制御部とを備えるDC/DC変換装置であって、前記制御部は、前記高圧側スイッチングデバイス又は低圧側スイッチングデバイスの一方をオンし他方をオフする第1オン期間と、前記一方をオフし前記他方をオンする第2オン期間と、前記第1オン期間及び第2オン期間の間に前記高圧側スイッチングデバイス及び低圧側スイッチングデバイスの両方をオフするオフ期間とを設けて前記高圧側スイッチングデバイス及び低圧側スイッチングデバイスのオン/オフを制御し、さらに前記オフ期間の長さを所要値に設定する設定部を備える。
本発明の実施の形態に係るコンピュータプログラムは、コンピュータに、直列に接続された高圧側スイッチングデバイス及び低圧側スイッチングデバイスを備えるDC/DC変換装置を制御させるためのコンピュータプログラムであって、コンピュータを、前記高圧側スイッチングデバイス又は低圧側スイッチングデバイスの一方をオンし他方をオフする第1オン期間と、前記一方をオフし前記他方をオンする第2オン期間と、前記第1オン期間及び第2オン期間の間に前記高圧側スイッチングデバイス及び低圧側スイッチングデバイスの両方をオフするオフ期間とを設けて前記高圧側スイッチングデバイス及び低圧側スイッチングデバイスのオン/オフを制御する制御部と、前記オフ期間の長さを所要値に設定する設定部として機能させる。
本発明の実施の形態に係るDC/DC変換装置の制御方法は、直列に接続された高圧側スイッチングデバイス及び低圧側スイッチングデバイスを備えるDC/DC変換装置の制御方法であって、前記高圧側スイッチングデバイス又は低圧側スイッチングデバイスの一方をオンし他方をオフする第1オン期間と、前記一方をオフし前記他方をオンする第2オン期間と、前記第1オン期間及び第2オン期間の間に前記高圧側スイッチングデバイス及び低圧側スイッチングデバイスの両方をオフするオフ期間とを設けて前記高圧側スイッチングデバイス及び低圧側スイッチングデバイスのオン/オフを制御部が制御し、前記オフ期間の長さを所要値に設定部が設定する。
制御部は、高圧側スイッチングデバイス又は低圧側スイッチングデバイスの一方をオンし他方をオフする第1オン期間と、当該一方をオフし当該他方をオンする第2オン期間と、第1オン期間及び第2オン期間の間に高圧側スイッチングデバイス及び低圧側スイッチングデバイスの両方をオフするオフ期間とを設けて高圧側スイッチングデバイス及び低圧側スイッチングデバイスのオン/オフを制御する。
設定部は、オフ期間の長さを所要値に設定する。高圧側スイッチングデバイス及び低圧側スイッチングデバイスの両方をオフするオフ期間を固定値ではなく、所要値に設定することができるので、第2オン期間の開始時点で高圧側スイッチングデバイス又は低圧側スイッチングデバイスの一方がオンする際に当該一方の電圧(例えば、ドレイン・ソース間電圧)が所定値(例えば0V付近の値)以下となるタイミングが、回路部品のばらつき、温度変化又は経年変化により変動したとしても、当該タイミングを調整することができるので、スイッチングデバイスのスイッチング損失を最適(例えば、最小)にすることができる。
本発明の実施の形態に係るDC/DC変換装置は、入力側の電力を検出する入力電力検出部と、出力側の電力を検出する出力電力検出部とを備え、前記設定部は、前記入力側の電力及び出力側の電力に基づいて前記オフ期間の長さを前記所要値に設定する。
入力電力検出部は、入力側の電力を検出する。出力電力検出部は、出力側の電力を検出する。設定部は、入力側の電力及び出力側の電力に基づいてオフ期間の長さを所要値に設定する。スイッチングデバイスのスイッチング損失が大きくなると入力側の電力と出力側の電力との差分は大きくなり、スイッチングデバイスのスイッチング損失が小さくなると入力側の電力と出力側の電力との差分は小さくなる。そこで、入力側の電力及び出力側の電力に基づいてオフ期間の長さを所要値に設定することにより、スイッチングデバイスのスイッチング損失を最適にすることができる。
本発明の実施の形態に係るDC/DC変換装置は、前記制御部は、前記高圧側スイッチングデバイス及び低圧側スイッチングデバイスのオン/オフを制御する際に前記オフ期間の長さを変動させ、前記制御部がオフ期間を変動させる都度、前記入力側の電力と出力側の電力との差分を算出する差分算出部を備え、前記設定部は、前記制御部が変動させたオフ期間の長さのうち、前記差分算出部で算出した差分が所定の閾値以下となるオフ期間の長さを前記所要値に設定する。
制御部は、高圧側スイッチングデバイス及び低圧側スイッチングデバイスのオン/オフを制御する際にオフ期間の長さを変動させる。オフ期間の長さを変動させるには、例えば、オフ期間の最小値と最大値とを予め定めておき、最大値と最小値との間を所定数(X)の微小期間(d)で区分し、オフ期間をN×dとして、N=1からXまで1つずつ増やせばよい。Nを1つずつ増やす都度、高圧側スイッチングデバイス及び低圧側スイッチングデバイスのオン/オフを制御する。
差分算出部は、制御部がオフ期間を変動させる都度、入力側の電力と出力側の電力との差分を算出する。設定部は、制御部が変動させたオフ期間の長さのうち、差分算出部で算出した差分が所定の閾値以下となるオフ期間の長さを所要値に設定する。所定の閾値は、算出した差分の最小値を特定することができるものであれば、どのような閾値であってもよい。これにより、差分が最小値となるオフ期間の長さ、すなわちスイッチングデバイスのスイッチング損失が最小となるオフ期間の長さ(所要値)を設定することができる。
本発明の実施の形態に係るDC/DC変換装置は、前記制御部は、前記DC/DC変換装置の始動時に前記オフ期間の長さを変動させる。
制御部は、DC/DC変換装置の始動時にオフ期間の長さを変動させる。オフ期間の設定をDC/DC変換装置の始動時に行うことにより、常時行う場合に比べて、オフ期間の長さを変動させることによる不要な発振現象が発生する可能性を低減することができる。
[本願発明の実施形態の詳細]
(第1実施形態)
以下、本発明を実施の形態を示す図面に基づいて説明する。図1は第1実施形態のDC/DC変換装置の回路構成の一例を示す説明図である。DC/DC変換装置は、入力側の端子T1及びG、出力側の端子T2及びGを備える。端子T1及びGには、例えば、リチウムイオン電池などの比較的高い電圧(例えば、12V系のバッテリに比べて高い電圧)のバッテリを接続し、端子T2及びGには、例えば、鉛蓄電池などの比較的低い電圧(例えば、12Vなど)のバッテリを接続することができる。
DC/DC変換装置は、端子T1及びG間に、高圧側スイッチングデバイス10及び低圧側スイッチングデバイス20を直列に接続してある。高圧側スイッチングデバイス10及び低圧側スイッチングデバイス20は、双方向に電流を流すことができ、例えば、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)又はIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)などを用いることができる。また、端子T1及びG間には、入力電力を検出する入力電力検出部61を接続してある。
高圧側スイッチングデバイス10の両端(例えば、ドレイン・ソース間)には、キャパシタ41を並列に接続してある。低圧側スイッチングデバイス20の両端(例えば、ドレイン・ソース間)には、キャパシタ42を並列に接続してある。
高圧側スイッチングデバイス10及び低圧側スイッチングデバイス20の接続点には、トランス32の巻線N1の一端を接続してあり、巻線N1の他端は端子T2に接続されている。トランス32の巻線N2の一端には、スイッチングデバイス31の一端(例えば、ドレイン)を接続してあり、スイッチングデバイス31の他端(例えば、ソース)は、巻線N1の一端に接続してある。トランス32の巻線N2の他端には、ダイオード33のカソードを接続してあり、ダイオード33のアノードは、巻線N1の他端に接続してある。インダクタ321はトランス32の励磁インダクタ、インダクタ322は、トランス32の漏れインダクタを表している。なお、スイッチングデバイス31、巻線N2及びダイオード33は、磁気結合によるソフトスイッチングを実現する補助回路を構成している。
端子T1及びG間には、キャパシタ45、出力電力を検出する出力電力検出部62を接続してある。
制御部50は、設定部51、算出部52などを備え、各スイッチングデバイス10、20、31のオン/オフを制御する。また、制御部50は、入力電力検出部61で検出した入力電力及び出力電力検出部62で検出した出力電力を取得する。
次に、DC/DC変換装置の動作について説明する。図2は第1実施形態のDC/DC変換装置の時点t0より前の動作状態の一例を示す模式図であり、図3は第1実施形態のDC/DC変換装置の時点t0からt1までの動作状態の一例を示す模式図であり、図4は第1実施形態のDC/DC変換装置の時点t1からt2までの動作状態の一例を示す模式図であり、図5は第1実施形態のDC/DC変換装置の時点t2からt3までの動作状態の一例を示す模式図であり、図6は第1実施形態のDC/DC変換装置の時点t3からt4までの動作状態の一例を示す模式図であり、図7は第1実施形態のDC/DC変換装置の時点t0からt4までの要部波形の一例を示すタイムチャートである。以下では、便宜上、時点t0、t1、t2、t3、t4に区切って説明する。また、簡便のため、制御部50等は省略している。
まず、図2及び図7に示すように、時点t0より前では、制御部50は、高圧側スイッチングデバイス10をオフし、低圧側スイッチングデバイス20をオンし、スイッチングデバイス31をオフする。この状態では、高圧側スイッチングデバイス10の両端、すなわち、キャパシタ41の両端には、図示する向きの電圧が生じている。また、励磁インダクタ321に蓄えられたエネルギーにより、低圧側スイッチングデバイス20を介して端子T2及びGに電流が流れる。
図3及び図7に示すように、時点t0において、制御部50は、スイッチングデバイス31をオフからオンにする。時点t0からt1までにおいては、トランス32による磁気結合により、ダイオード33及びスイッチングデバイス31に流れる電流が増加し、漏れインダクタ322にエネルギーが蓄積される。また、低圧側スイッチングデバイス20に流れる電流が減少する。
図4及び図7に示すように、時点t1からt2までにおいては、漏れインダクタ322、及びキャパシタ41、42による共振により、ダイオード33に流れる電流が減少し、また、高圧側スイッチングデバイス10の両端の電圧(例えば、ドレイン・ソース間の電圧)が低下し、時点t2では、0V付近まで低下する。
図5及び図7に示すように、時点t2において、制御部50は、高圧側スイッチングデバイス10をオフからオンにする。時点t2では、高圧側スイッチングデバイス10のドレイン・ソース間の電圧が0V付近であるので、いわゆるゼロボルトスイッチ(ソフトスイッチング)を実現することができる。また、時点t2からt3までにおいては、ダイオード33に流れる電流が減少し、時点t3において、ダイオード33、スイッチングデバイス31に流れる電流は0になる。
図6及び図7に示すように、時点t3からt4までにおいては、ダイオード33、スイッチングデバイス31に流れる電流が0に維持され、高圧側スイッチングデバイス10を通じて端子T1及びG側から端子T2及びG側に電流が流れ、励磁インダクタ321にエネルギーが蓄積される。そして、時点t4において、制御部50は、スイッチングデバイス31をオンからオフにする。
上述のように、制御部50は、高圧側スイッチングデバイス10又は低圧側スイッチングデバイス20の一方をオンし他方をオフする第1オン期間(前述の時点t0からt1までの期間において、低圧側スイッチングデバイス20をオンし、高圧側スイッチングデバイス10をオフする)、当該一方をオフし当該他方をオンする第2オン期間(前述の時点t2からt4までの期間において、低圧側スイッチングデバイス20をオフし、高圧側スイッチングデバイス10をオンする)、並びに第1オン期間及び第2オン期間の間に高圧側スイッチングデバイス10及び低圧側スイッチングデバイス20の両方をオフするオフ期間(前述の時点t1からt2までの期間D1)を設けて高圧側スイッチングデバイス10及び低圧側スイッチングデバイス20のオン/オフを制御する。なお、高圧側スイッチングデバイス10及び低圧側スイッチングデバイス20の両方がオフするオフ期間を、デッドタイムとも称する。
設定部51は、オフ期間の長さを所要値に設定する。高圧側スイッチングデバイス10及び低圧側スイッチングデバイス20の両方をオフするオフ期間を固定値ではなく、所要値に設定することができるので、第2オン期間の開始時点で高圧側スイッチングデバイス又は低圧側スイッチングデバイスの一方がオンする際に当該一方の電圧(例えば、ドレイン・ソース間電圧)が所定値(例えば0V付近の値)以下となるタイミングが、回路部品のばらつき、温度変化又は経年変化により変動したとしても、当該タイミングを調整することができるので、スイッチングデバイスのスイッチング損失を最適(例えば、最小)にすることができる。
図8は高圧側スイッチングデバイス10及び低圧側スイッチングデバイス20の両方がオフするオフ期間の要部波形の一例を示すタイムチャートである。前述の図4で説明したように、オフ期間(図8の符号Dで示す期間、デッドタイム)では、漏れインダクタ322、及びキャパシタ41、42による共振により、高圧側スイッチングデバイス10の両端の電圧(例えば、ドレイン・ソース間の電圧)が低下する。しかし、漏れインダクタ322、及びキャパシタ41、42等の部品のばらつき、温度変化又は経年変化により、これらの部品の値が変化すると、共振による電圧波形が変化し、例えば、図8に示すように、高圧側スイッチングデバイス10をオンするタイミングでは、高圧側スイッチングデバイス10の両端の電圧が、最適値である0V付近から増加することになる。
しかし、本実施の形態では、高圧側スイッチングデバイス10をオンするタイミングを調整することができるので、スイッチングデバイスのスイッチング損失を最適(例えば、最小)にすることができる。以下、デッドタイム(オフ期間)の最適化方法の詳細について説明する。
図9はスイッチングデバイスの損失とデッドタイムとの関係の一例を示す説明図である。図9において、横軸はデッドタイムを示し、縦軸はスイッチングデバイスの損失(スイッチング損失)を示す。図9では、インダクタ、キャパシタ等の部品の値を固定するとともに、所定の雰囲気温度において、デッドタイムを変化させたときのスイッチングデバイスの損失を示す。図9に示すように、スイッチングデバイスの損失がデッドタイムに大きく依存しているとともに、スイッチングデバイスの損失が最適(最小)になるデッドタイムが存在することがわかる。なお、最適なタイミングは、ある特定の時点(時間)に限定されず、図9に示すように、ある時間幅で特定してもよい。
図10は第1実施形態のDC/DC変換装置によるデッドタイムを調整した場合の要部波形の一例を示すタイムチャートである。図10の例は、図7の例に対応する。すなわち、図7の例で示すように、いわゆるソフトスイッチングが実現できたとしても、部品のばらつき、温度変化又は経年変化等により、図8で例示したように、最適なデッドタイムを実現することができなくなる場合がある。しかし、本実施の形態では、設定部51がデッドタイム(オフ期間)を調整するので(図10の例では、デッドタイムをD1からD2へと短くしている)、部品のばらつき、温度変化又は経年変化等に追従させて、ソフトスイッチングを実現することができ、スイッチングデバイスのスイッチング損失を最適(例えば、最小)にすることができる。
設定部51は、入力電力検出部61で検出した入力側の電力(入力電力)及び出力電力検出部62で検出した出力側の電力(出力電力)に基づいてオフ期間の長さを所要値に設定する。スイッチングデバイスのスイッチング損失が大きくなると入力電力と出力電力との差分は大きくなり、スイッチングデバイスのスイッチング損失が小さくなると入力電力と出力電力との差分は小さくなる。そこで、入力電力及び出力電力に基づいてオフ期間の長さを所要値に設定することにより、スイッチングデバイスのスイッチング損失を最適にすることができる。
より具体的には、制御部50は、高圧側スイッチングデバイス10及び低圧側スイッチングデバイス20のオン/オフを制御する際にオフ期間の長さを変動させる。オフ期間の長さを変動させるには、例えば、オフ期間の最小値と最大値とを予め定めておき、最大値と最小値との間を所定数(X)の微小期間(d)で区分し、オフ期間をN×dとして、N=1からXまで1つずつ増やせばよい。Nを1つずつ増やす都度、高圧側スイッチングデバイス10及び低圧側スイッチングデバイス20のオン/オフを制御してDC/DC変換の動作を行う。
すなわち、オフ期間を、まず最小値に設定し、高圧側スイッチングデバイス10及び低圧側スイッチングデバイス20のオン/オフを、例えば、10ms程度実施して、入力電力及び出力電力を検出し、スイッチングデバイスの損失を算出する。次に、オフ期間を微小期間dだけ長くして、高圧側スイッチングデバイス10及び低圧側スイッチングデバイス20のオン/オフを、例えば、10ms程度実施して、入力電力及び出力電力を検出し、スイッチングデバイスの損失を算出する。以下、同様の処理を、オフ期間が最大値になるまで実施する。そして、スイッチング損失が最小値のときのオフ期間を所要値として設定すればよい。
算出部52は、差分算出部としての機能を有し、制御部50がオフ期間を変動させる都度、入力電力と出力電力との差分を算出する。
設定部51は、制御部50が変動させたオフ期間の長さのうち、算出部52で算出した差分が所定の閾値以下となるオフ期間の長さを所要値に設定する。所定の閾値は、算出した差分の最小値を特定することができるものであれば、どのような閾値であってもよい。これにより、差分が最小値となるオフ期間の長さ、すなわちスイッチングデバイスのスイッチング損失が最小となるオフ期間の長さ(所要値)を設定することができる。
また、制御部50は、DC/DC変換装置の始動時にオフ期間の長さを変動させる。オフ期間の設定をDC/DC変換装置の始動時に行うことにより、常時行う場合に比べて、オフ期間の長さを変動させることによる不要な発振現象が発生する可能性を低減することができる。
(第2実施形態)
DC/DC変換装置の構成は、図1に示す構成に限定されない。直列に接続された高圧側スイッチングデバイス及び低圧側スイッチングデバイスを備え、第1オン期間と第2オン期間との間にオフ期間(デッドタイム)を設けるようなスイッチング動作を行う直流変換装置であれば、本実施の形態を適用することができる。以下では、第2実施形態としてのDC/DC変換装置の構成について説明する。
図11は第2実施形態のDC/DC変換装置の回路構成の一例を示す説明図である。第2実施形態のDC/DC変換装置は、いわゆるフェーズシフト方式絶縁型DC/DCコンバータである。なお、第1実施形態と同様の箇所は同一符号を付して説明を省略する。第2実施形態のDC/DC変換装置は、端子T1及びG間に、高圧側スイッチングデバイス11及び低圧側スイッチングデバイス21を直列に接続してある。また、端子T1及びG間に、高圧側スイッチングデバイス12及び低圧側スイッチングデバイス22を直列に接続してある。各スイッチングデバイスは、双方向に電流を流すことができ、例えば、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)又はIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)などを用いることができる。
高圧側スイッチングデバイス11及び低圧側スイッチングデバイス21の接続点には、インダクタ71の一端を接続してあり、インダクタ71の他端は、トランス72の一方の巻線の一端に接続してあり、当該巻線の他端は、高圧側スイッチングデバイス12及び低圧側スイッチングデバイス22の接続点に接続してある。端子T1及びG間には、キャパシタ46を接続してある。
高圧側スイッチングデバイス11の両端にはキャパシタ41を並列に接続してあり、低圧側スイッチングデバイス21の両端にはキャパシタ42を並列に接続してあり、高圧側スイッチングデバイス12の両端にはキャパシタ43を並列に接続してあり、低圧側スイッチングデバイス22の両端にはキャパシタ44を並列に接続してある。
端子T2及びG間に、スイッチングデバイス73、74を直列に接続してある。また、端子T2及びG間に、スイッチングデバイス75、76を直列に接続してある。スイッチングデバイス73、74の接続点には、トランス72の他方の巻線の一端を接続してあり、スイッチングデバイス75、76の接続点には、トランス72の他方の巻線の他端を接続してある。
図12は第2実施形態のDC/DC変換装置の動作時の要部波形の一例を示すタイムチャートである。図12に示すように、モード1では、高圧側スイッチングデバイス12がオンし、低圧側スイッチングデバイス22がオフする第1オン期間に相当する。モード2では、高圧側スイッチングデバイス12及び低圧側スイッチングデバイス22の両方がオフするオフ期間(デッドタイム)に相当する。モード3では、高圧側スイッチングデバイス12がオフし、低圧側スイッチングデバイス22がオンする第2オン期間に相当する。
同様に、モード3では、高圧側スイッチングデバイス11がオフし、低圧側スイッチングデバイス21がオンする第1オン期間に相当する。モード4では、高圧側スイッチングデバイス11及び低圧側スイッチングデバイス21の両方がオフするオフ期間(デッドタイム)に相当する。モード5では、高圧側スイッチングデバイス11がオンし、低圧側スイッチングデバイス21がオフする第2オン期間に相当する。
第2実施形態では、設定部51は、モード2の期間の長さ(デッドタイム)及びモード4の期間の長さ(デッドタイム)を所要値に設定することができるので、回路部品のばらつき、温度変化又は経年変化により変動したとしても、スイッチングデバイスのスイッチング損失を最適(例えば、最小)にすることができる。
次に、上述の各実施形態のDC/DC変換装置の制御方法について説明する。図13は本実施形態のDC/DC変換装置の制御の処理手順の一例を示すフローチャートである。制御部50は、変数Nを1にセットし(S11)、デッドタイム(オフ期間)をN×dに設定する(S12)。ここで、dはオフ期間の最小値であり、最小値と最大値とを所定数で区分したときの微小期間である。制御部50は、DC/DC変換を行う(S13)。なお、DC/DC変換は、入力電力及び出力電力を安定に検出することができる程度の時間(例えば、10ms程度)行えばよい。
制御部50は、DC/DC変換装置の入力電力及び出力電力を検出し(S14)、損失を算出する(S15)。なお、損失は、入力電力と出力電力との差分により算出することができる。なお、算出した損失は、デッドタイムに対応付けて記録することができる。
制御部50は、変数Nが所定数に等しいか否かを判定し(S16)、変数Nが所定数に等しくない場合(S16でNO)、変数Nに1を加算し(S17)、ステップS12以降の処理を続ける。変数Nが所定数に等しい場合(S16でYES)、制御部50は、損失が最小値のときのデッドタイムに設定し(S18)、DC/DC変換を行う(S19)。これ以降、DC/DC変換装置の始動時から常時動作へ移行する。
制御部50は、処理を終了するか否かを判定し(S20)、処理を終了しない場合(S20でNO)、ステップS19以降の処理を続け、処理を終了する場合(S20でYES)、処理を終了する。
本実施の形態のDC/DC変換装置の制御方法は、制御部50を、例えば、CPU(プロセッサ)、RAM(メモリ)などで構成し、図13に示すような、各処理の手順を定めたコンピュータプログラムをRAM(メモリ)にロードし、コンピュータプログラムをCPU(プロセッサ)で実行することにより、DC/DC変換装置の制御方法を実現することができる。
以上に開示された実施の形態及び実施例は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考慮されるべきである。本発明の範囲は、以上の実施の形態及び実施例ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての修正や変形を含むものと意図される。
10、11、12 高圧側スイッチングデバイス
20、21、22 低圧側スイッチングデバイス
31、73、74、75、76 スイッチングデバイス
41、42、43、44、45、46 キャパシタ
32、72 トランス
321 励磁インダクタ
322 漏れインダクタ
33 ダイオード
50 制御部
51 設定部
52 算出部
61 入力電力検出部
62 出力電力検出部
71 インダクタ

Claims (7)

  1. 直列に接続された高圧側スイッチングデバイス及び低圧側スイッチングデバイスと、前記高圧側スイッチングデバイス及び低圧側スイッチングデバイスのオン/オフを制御する制御部とを備えるDC/DC変換装置であって、
    前記制御部は、
    前記高圧側スイッチングデバイス又は低圧側スイッチングデバイスの一方をオンし他方をオフする第1オン期間と、
    前記一方をオフし前記他方をオンする第2オン期間と、
    前記第1オン期間及び第2オン期間の間に前記高圧側スイッチングデバイス及び低圧側スイッチングデバイスの両方をオフするオフ期間と
    を設けて前記高圧側スイッチングデバイス及び低圧側スイッチングデバイスのオン/オフを制御し、
    前記他方のスイッチングデバイスに印加される電圧が所定値以下となる時点を前記第2オン期間の開始時点に設定する設定部を備えるDC/DC変換装置。
  2. 前記直列に接続された高圧側スイッチングデバイス及び低圧側スイッチングデバイスで構成される直列回路に並列に接続され、他の高圧側スイッチングデバイス及び他の低圧側スイッチングデバイスで構成される他の直列回路を備え、
    前記制御部は、
    前記他の高圧側スイッチングデバイス又は他の低圧側スイッチングデバイスの一方をオンし他方をオフする第1オン期間と、
    前記一方をオフし前記他方をオンする第2オン期間と、
    前記第1オン期間及び第2オン期間の間に前記他の高圧側スイッチングデバイス及び他の低圧側スイッチングデバイスの両方をオフするオフ期間と
    を設けて前記他の高圧側スイッチングデバイス及び他の低圧側スイッチングデバイスのオン/オフを制御し、
    前記設定部は、
    前記他方のスイッチングデバイスに印加される電圧が所定値以下となる時点を前記第2オン期間の開始時点に設定する請求項1に記載のDC/DC変換装置。
  3. 入力側の電力を検出する入力電力検出部と、
    出力側の電力を検出する出力電力検出部と
    を備え、
    前記設定部は、
    前記入力側の電力及び出力側の電力に基づいて前記オフ期間の長さを所要値に設定する請求項2に記載のDC/DC変換装置。
  4. 前記制御部は、
    前記高圧側スイッチングデバイス及び低圧側スイッチングデバイスのオン/オフ、及び前記他の高圧側スイッチングデバイス及び他の低圧側スイッチングデバイスのオン/オフを制御する際に前記オフ期間の長さを変動させ、
    前記制御部がオフ期間を変動させる都度、前記入力側の電力と出力側の電力との差分を算出する差分算出部を備え、
    前記設定部は、
    前記制御部が変動させたオフ期間の長さのうち、前記差分算出部で算出した差分が所定の閾値以下となるオフ期間の長さを前記所要値に設定する請求項3に記載のDC/DC変換装置。
  5. 前記制御部は、
    前記DC/DC変換装置の始動時に前記オフ期間の長さを変動させる請求項4に記載のDC/DC変換装置。
  6. コンピュータに、直列に接続された高圧側スイッチングデバイス及び低圧側スイッチングデバイスを備えるDC/DC変換装置を制御させるためのコンピュータプログラムであって、
    コンピュータを、
    前記高圧側スイッチングデバイス又は低圧側スイッチングデバイスの一方をオンし他方をオフする第1オン期間と、
    前記一方をオフし前記他方をオンする第2オン期間と、
    前記第1オン期間及び第2オン期間の間に前記高圧側スイッチングデバイス及び低圧側スイッチングデバイスの両方をオフするオフ期間と
    を設けて前記高圧側スイッチングデバイス及び低圧側スイッチングデバイスのオン/オフを制御する制御部と、
    前記他方のスイッチングデバイスに印加される電圧が所定値以下となる時点を前記第2オン期間の開始時点に設定する設定部と
    して機能させるコンピュータプログラム。
  7. 直列に接続された高圧側スイッチングデバイス及び低圧側スイッチングデバイスを備えるDC/DC変換装置の制御方法であって、
    前記高圧側スイッチングデバイス又は低圧側スイッチングデバイスの一方をオンし他方をオフする第1オン期間と、
    前記一方をオフし前記他方をオンする第2オン期間と、
    前記第1オン期間及び第2オン期間の間に前記高圧側スイッチングデバイス及び低圧側スイッチングデバイスの両方をオフするオフ期間と
    を設けて前記高圧側スイッチングデバイス及び低圧側スイッチングデバイスのオン/オフを制御部が制御し、
    前記他方のスイッチングデバイスに印加される電圧が所定値以下となる時点を前記第2オン期間の開始時点に設定部が設定するDC/DC変換装置の制御方法。
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