JP6650626B2 - 非接触給電装置および非接触給電システム - Google Patents

Description

本発明は、一般に、非接触給電装置および非接触給電システムに関し、より詳細には、給電対象に非接触で給電する非接触給電装置および非接触給電システムに関する。

近年、電気自動車やハイブリッド電気自動車等の車両に電力を非接触で伝送する電力伝送システムが提案されている（特許文献１）。

特許文献１に記載された電力伝送システムは、インバータ部と、送電アンテナと、送電制御部と、受電アンテナとを備えている。インバータ部は、フルブリッジ方式で接続された４つの電界効果トランジスタを備えている。特許文献１には、上記車両の底面部に、受電アンテナが配置される旨が記載されている。また、特許文献１には、上記車両を停止させることが可能なスペースの地中部に、送電アンテナ等が埋設される旨が記載されている。また、特許文献１には、車両充電設備が、インバータ部と、送電アンテナと、送電制御部とを備える旨が記載されている。

上記車両充電設備は、送電アンテナと受電アンテナとの間の結合係数を算出し、この結合係数によって送電アンテナと受電アンテナとの間の位置ずれを適切に把握する。これにより、上記車両充電設備では、上記位置ずれに基づいて電力伝送時の適切な周波数を選定することができ、効率的な電力伝送を実行することが可能となる。

特許文献１に記載された電力伝送システムにおける車両充電設備では、例えば、上記車両に電力を非接触で伝送しているとき、地震等の振動に起因して送電アンテナ（給電部）と受電アンテナ（受電部）との相対的な位置ずれが生じる可能性がある。このとき、上記車両充電設備は、上記結合係数を算出し、上記位置ずれを適切に把握する。

しかしながら、上記車両充電設備では、上記結合係数を算出しているときに、送電アンテナと受電アンテナとの相対的な位置ずれによって、インバータ部における４つの電界効果トランジスタがハードスイッチングする虞がある。これにより、上記車両充電設備では、４つの電界効果トランジスタの損失（スイッチング損失）が増加する可能性がある。つまり、上記車両充電設備では、インバータ部の損失が増加する可能性がある。

特開２０１３−２１１９３２号公報

本発明の目的は、インバータ部の損失が増加するのを抑制可能な非接触給電装置および非接触給電システムを提供することである。

本発明に係る一態様の非接触給電装置は、半導体スイッチング素子である第１スイッチング素子および半導体スイッチング素子である第２スイッチング素子を有して、前記第１スイッチング素子及び前記第２スイッチング素子の２つの直列回路を含むフルブリッジ回路、又は、前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子とを含むハーフブリッジ回路を構成し、前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子とを交互にオン状態とすることで直流電圧を交流電圧に変換するインバータ部と、前記インバータ部を制御する制御部と、前記交流電圧が印加され非接触で給電する給電部とを備えている。前記第１スイッチング素子および前記第２スイッチング素子の各々は、制御端子と、前記制御端子の印加電圧又は前記制御端子に流れる電流に応じて導通状態が変化する第１端子及び第２端子と、を有する。前記フルブリッジ回路における前記２つの直列回路のうち一方の直列回路では、前記第１スイッチング素子の前記第１端子は、直流電源の正極に接続され、前記第１スイッチング素子の前記第２端子は、前記第２スイッチング素子の前記第１端子に接続され、前記第２スイッチング素子の前記第２端子は、前記直流電源の負極に接続される。前記フルブリッジ回路における前記２つの直列回路のうち他方の直列回路では、前記第１スイッチング素子の前記第２端子は、前記直流電源の前記負極に接続され、前記第１スイッチング素子の前記第１端子は、前記第２スイッチング素子の前記第２端子に接続され、前記第２スイッチング素子の前記第１端子は、前記直流電源の前記正極に接続される。前記制御部は、前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子とが交互にオン状態となるように、前記第１スイッチング素子および前記第２スイッチング素子を制御する。前記制御部は、第１条件あるいは第２条件の場合、前記第１スイッチング素子および前記第２スイッチング素子をオフ状態にしスイッチング動作を停止させる。前記休止期間は、前記第１スイッチング素子がオン状態からオフ状態になった時点から前記第２スイッチング素子がオフ状態からオン状態へ変化し始める時点までの間である。前記第１条件は、前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子との少なくとも一方の前記第１端子及び前記第２端子間に印加された電圧の電圧値が前記休止期間の開始時の電圧値から第１閾値まで変化しない状態である。前記第２条件は、前記第２スイッチング素子の前記第１端子及び前記第２端子間に流れる電流の電流値が前記休止期間の開始時の電流値から第２閾値まで変化しない状態である。

本発明に係る一態様の非接触給電システムは、前記非接触給電装置と、前記非接触給電装置から非接触で給電される非接触受電装置とを備えている。

実施形態１の非接触給電装置を備えた非接触給電システムの回路図である。 同上の非接触給電システムの使用例を示す模式図である。 実施形態１の非接触給電装置の概略斜視図である。 比較例の非接触給電装置の動作を説明するタイミングチャートである。 実施形態１の非接触給電装置の動作を説明するタイミングチャートである。 実施形態２の非接触給電装置を備えた非接触給電システムの回路図である。 実施形態３の非接触給電装置を備えた非接触給電システムの回路図である。 同上の非接触給電装置の動作を説明するタイミングチャートである。 実施形態１〜３の非接触給電装置における共振特性の一例を示すグラフである。

（実施形態１）
以下では、実施形態１の非接触給電装置１００について、図１〜図３を参照しながら説明する。なお、以下では、説明の便宜上、非接触給電装置１００を備えた非接触給電システム３００を説明した後に、非接触給電装置１００を詳細に説明する。

非接触給電システム３００は、非接触給電装置１００と、非接触受電装置２００とを備えている。

非接触給電装置１００は、例えば、車両９００（図２参照）を駐車させることが可能なスペース（駐車スペース）の地面８００に設置される。車両９００は、例えば、電気自動車である。地面８００は、例えば、コンクリートである。なお、車両９００は、電気自動車に限らず、例えば、ハイブリッド電気自動車等であってもよい。また、地面８００は、コンクリートに限らず、例えば、アスファルト、土等であってもよい。

非接触給電装置１００は、地面８００に設置されるように構成されているが、この構成に限らない。非接触給電装置１００は、例えば、地面８００に形成された穴（埋込穴）に埋め込み配置されるように構成されていてもよい。

非接触受電装置２００は、非接触給電装置１００から非接触で給電されるように構成されている。非接触受電装置２００は、例えば、車両９００の底部に取り付けられる。

非接触受電装置２００は、例えば、図１に示すように、受電部２０と、整流部２１と、平滑部２２と、一対の出力端子２Ａ，２Ｂとを備えている。

受電部２０は、非接触給電装置１００から非接触で供給された電力を受電するように構成されている。受電部２０は、例えば、受電コイル２３と、２つのコンデンサ２４，２５とを備えている。

受電コイル２３は、例えば、スパイラルコイルである。スパイラルコイルとは、平面視において導線が渦巻き状に巻かれたコイル（平面コイル）を意味する。

整流部２１は、受電部２０で受電された電力を整流するように構成されている。整流部２１は、例えば、ダイオードブリッジである。

整流部２１の一対の入力端のうち第１入力端は、コンデンサ２４を介して、受電コイル２３の第１端と電気的に接続されている。整流部２１の一対の入力端のうち第２入力端は、コンデンサ２５を介して、受電コイル２３の第２端と電気的に接続されている。整流部２１の一対の出力端は、平滑部２２と電気的に接続されている。

平滑部２２は、例えば、コンデンサ（例えば、電解コンデンサ）である。平滑部２２の高電位側の接続端は、整流部２１の一対の出力端のうち第１出力端と電気的に接続されている。平滑部２２の低電位側の接続端は、整流部２１の一対の出力端のうち第２出力端と電気的に接続されている。

一対の出力端子２Ａ，２Ｂ間には、例えば、車両９００の負荷９０が電気的に接続される。負荷９０は、例えば、バッテリ９１（図２参照）と、充電装置９２（図２参照）とを備える。充電装置９２は、バッテリ９１を充電するように構成されている。

なお、受電部２０は、コンデンサ２５を備えているが、コンデンサ２５を備えていなくてもよい。整流部２１は、ダイオードブリッジであるが、これに限らない。非接触受電装置２００は、平滑部２２を備えているが、平滑部２２を備えていなくてもよい。

非接触給電装置１００は、例えば、一対の入力端子１Ａ，１Ｂと、インバータ部１０と、制御部１１と、給電部１２と、筐体３０（図２，３参照）とを備えている。

一対の入力端子１Ａ，１Ｂ間には、例えば、直流電源部４００が電気的に接続される。直流電源部４００は、直流電圧を出力するように構成されている。直流電源部４００は、例えば、ＰＦＣ（Power Factor Correction）回路である。なお、非接触給電装置１００は、直流電源部４００を構成要素として含まないが、直流電源部４００を構成要素として含んでもよい。また、直流電源部４００は、ＰＦＣ回路に限らず、例えば、ＡＣ／ＤＣコンバータ等であってもよい。

インバータ部１０は、直流電圧を交流電圧に変換するように構成されている。インバータ部１０は、例えば、フルブリッジ回路である。インバータ部１０は、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４を備えている。非接触給電装置１００では、例えば、スイッチング素子Ｑ１とスイッチング素子Ｑ４とが第１スイッチング素子に相当し、スイッチング素子Ｑ２とスイッチング素子Ｑ３とが第２スイッチング素子に相当する。

スイッチング素子Ｑ１は、第１端子と、第２端子と、制御端子とを備えている。スイッチング素子Ｑ１は、例えば、ノーマリオフ型のｎチャネルＭＯＳＦＥＴである。この場合、スイッチング素子Ｑ１では、第１端子がドレイン端子であり、第２端子がソース端子であり、制御端子がゲート端子である。なお、図１中のスイッチング素子Ｑ１における図記号のダイオードは、内蔵ダイオード（ボディーダイオード）を表している。

３つのスイッチング素子Ｑ２〜Ｑ４の各々は、図１に示すように、スイッチング素子Ｑ１と符号が異なる点を除いて、スイッチング素子Ｑ１と同じ構成である。ゆえに、３つのスイッチング素子Ｑ２〜Ｑ４の各々に関する詳細な説明は省略する。

スイッチング素子Ｑ１のドレイン端子は、入力端子１Ａと電気的に接続されている。スイッチング素子Ｑ１のゲート端子は、制御部１１と電気的に接続されている。スイッチング素子Ｑ１のソース端子は、給電部１２と電気的に接続されている。また、スイッチング素子Ｑ１のソース端子は、スイッチング素子Ｑ２のドレイン端子と電気的に接続されている。スイッチング素子Ｑ２のゲート端子は、制御部１１と電気的に接続されている。スイッチング素子Ｑ２のソース端子は、入力端子１Ｂと電気的に接続されている。また、スイッチング素子Ｑ２のソース端子は、非接触給電装置１００のグランドと電気的に接続されている。

スイッチング素子Ｑ３およびスイッチング素子Ｑ４の電気的な接続は、図１に示すように、スイッチング素子Ｑ１およびスイッチング素子Ｑ２の電気的な接続と同じである。ゆえに、スイッチング素子Ｑ３およびスイッチング素子Ｑ４の各々に関する詳細な説明は省略する。

制御部１１は、インバータ部１０を制御するように構成されている。制御部１１は、例えば、マイクロコンピュータである。上記マイクロコンピュータは、プログラムが記憶されたメモリを備えている。このプログラムには、例えば、非接触給電装置１００を動作させる動作モード等が記述されている。

制御部１１は、例えば、制御回路３と、停止部４とを備えている。非接触給電装置１００では、制御回路３と停止部４とが一体に構成されている。制御回路３は、例えば、上記マイクロコンピュータに設けられたＣＰＵにより構成されている。停止部４は、例えば、上記マイクロコンピュータに設けられた周辺回路により構成されている。

なお、制御部１１は、上記マイクロコンピュータに限らず、例えば、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ等であってもよい。また、制御部１１は、上記マイクロコンピュータに限らず、例えば、制御用ＩＣであってもよい。

制御回路３は、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４を制御するように構成されている。言い換えれば、制御回路３は、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４それぞれに制御信号を出力するように構成されている。４つの制御信号の各々は、例えば、ＰＷＭ（Pulse Width Modulation）信号である。

制御回路３は、２つのスイッチング素子Ｑ１，Ｑ４と、２つのスイッチング素子Ｑ２，Ｑ３とが交互にオン状態となるように、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４を制御するように構成されている。具体的には、制御回路３は、２つのスイッチング素子Ｑ１，Ｑ４に制御信号（第１制御信号Ｓ１）を出力する。また、制御回路３は、２つのスイッチング素子Ｑ２，Ｑ３に制御信号（第２制御信号Ｓ２）を出力する。これにより、非接触給電装置１００では、インバータ部１０が、直流電源部４００からの直流電圧を、矩形波状の交流電圧に変換することが可能となる。

停止部４は、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４のスイッチング動作を停止させることが可能に構成されている。停止部４は、４つスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４それぞれのゲート端子と電気的に接続されている。また、停止部４は、制御回路３と電気的に接続されている。なお、停止部４の詳細については、後述する。

給電部１２は、インバータ部１０により変換された交流電圧が印加されるように構成されている。また、給電部１２は、給電対象（非接触受電装置２００）に非接触で給電するように構成されている。給電部１２は、例えば、給電コイル１３と、２つのコンデンサ１４，１５とを備えている。

給電コイル１３は、例えば、スパイラルコイルである。給電コイル１３は、例えば、平面視において給電コイル１３の外周が長方形状になるように形成されている（図３参照）。

給電コイル１３の第１端は、コンデンサ１４を介して、スイッチング素子Ｑ１のソース端子と電気的に接続されている。給電コイル１３の第２端は、コンデンサ１５を介して、スイッチング素子Ｑ３のソース端子と電気的に接続されている。

なお、給電コイル１３は、平面視において給電コイル１３の外周が長方形状になるように形成されているが、これに限らない。給電コイル１３は、例えば、平面視において給電コイル１３の外周が正方形状になるように形成されていてもよい。また、給電コイル１３は、例えば、平面視において給電コイル１３の外周が楕円形状になるように形成されていてもよい。さらに、給電コイル１３は、例えば、平面視において給電コイル１３の外周が円形状になるように形成されていてもよい。

コンデンサ１４およびコンデンサ１５の各々は、給電コイル１３と共に共振回路を形成するように構成されている。具体的に説明すると、コンデンサ１４およびコンデンサ１５それぞれの静電容量は、コンデンサ１４およびコンデンサ１５の各々が給電コイル１３と共に上記共振回路を形成するように、設定されている。なお、給電部１２は、コンデンサ１５を備えているが、コンデンサ１５を備えていなくてもよい。

非接触給電装置１００では、インバータ部１０、制御部１１および給電部１２が、例えば、複数の電子部品が実装された基板（実装基板）で構成されている。

筐体３０は、実装基板を収納する。言い換えれば、筐体３０は、インバータ部１０、制御部１１および給電部１２を収納する。筐体３０は、ベース３１（図３参照）と、カバー３２（図３参照）とを備えている。

ベース３１は、実装基板が取り付けられる。ベース３１は、板状（例えば、矩形板状）に形成されている。また、ベース３１は、熱伝導性を有する材料により形成されている。熱伝導性を有する材料は、例えば、金属等である。金属は、例えば、アルミニウム等である。

実装基板は、絶縁部材を介して、ベース３１に取り付けられている。上記絶縁部材は、電気絶縁性および熱伝導性を有する材料により形成されている。上記絶縁部材は、例えば、放熱シートである。なお、上記絶縁部材は、放熱シートに限らず、例えば、放熱グリス等であってもよい。

カバー３２は、実装基板を覆う。また、カバー３２は、ベース３１に取り付けられる。

カバー３２は、非金属材料により形成されている。非金属材料は、例えば、合成樹脂等である。合成樹脂は、例えば、繊維強化プラスチック等である。なお、非金属材料は、合成樹脂に限らない。非金属材料は、給電コイル１３で発生する磁界を通す材料であればよい。

インバータ部１０では、２つのスイッチング素子Ｑ１，Ｑ４と２つのスイッチング素子Ｑ２，Ｑ３とが交互にオン状態となるとき、直流電源部４００からの直流電圧を交流電圧に変換する。これにより、非接触給電装置１００では、インバータ部１０により変換された交流電圧を給電コイル１３に印加することが可能となる。このとき、給電コイル１３に印加された電圧は、２つのコンデンサ１４，１５と給電コイル１３との上記共振回路によって共振される。

また、非接触給電装置１００では、給電コイル１３に交流電圧が印加されると、給電コイル１３で発生する磁界による電磁誘導によって、給電コイル１３から非接触受電装置２００（詳細には、受電部２０）に非接触で給電することが可能となる。

次に、非接触給電装置１００とは異なる比較例の非接触給電装置について説明する。

比較例の非接触給電装置の基本構成は、非接触給電装置１００と同じである。また、比較例の非接触給電装置は、非接触給電装置１００における制御部１１の停止部４を備えていない点が、非接触給電装置１００と相違する。なお、比較例の非接触給電装置では、非接触給電装置１００と同様の構成要素に同一の符号を付して説明および図示を適宜省略する。

比較例の非接触給電装置では、図４に示すようなタイミングチャートが得られる。なお、図４中のｔ１は、インバータ部１０が遅相モードから進相モードに移行した時点を表している。図４中のＶｇ１は、第１スイッチング素子（スイッチング素子Ｑ１およびスイッチング素子Ｑ４）のゲート電圧を表している。図４中のＶｇ２は、第２スイッチング素子（スイッチング素子Ｑ２およびスイッチング素子Ｑ３）のゲート電圧を表している。図４中のＶｄｓ１は、第１スイッチング素子のドレイン−ソース間電圧を表している。図４中のＶｄｓ２は、第２スイッチング素子のドレイン−ソース間電圧を表している。図４中のＩｄ１は、第１スイッチング素子のドレイン電流を表している。図４中のＩｄ２は、第２スイッチング素子のドレイン電流を表している。

比較例の非接触給電装置では、インバータ部１０が遅相モードから進相モードに移行した後、休止期間Ｔｄに、スイッチング素子Ｑ２に印加された電圧（スイッチング素子Ｑ２のドレイン−ソース間電圧）の電圧値が変化しない。具体的に説明すると、比較例の非接触給電装置では、インバータ部１０が遅相モードから進相モードに移行した後、休止期間Ｔｄに、スイッチング素子Ｑ２に印加された電圧の電圧値が減少しない。休止期間Ｔｄは、２つのスイッチング素子Ｑ１，Ｑ４がオン状態からオフ状態になった時点から、２つのスイッチング素子Ｑ２，Ｑ３がオフ状態からオン状態へ変化し始める時点までの間である。なお、スイッチング素子Ｑ３に印加された電圧（スイッチング素子Ｑ３のドレイン−ソース間電圧）の電圧値は、スイッチング素子Ｑ２に印加された電圧の電圧値と同じように変化をする。

また、比較例の非接触給電装置では、インバータ部１０が遅相モードから進相モードに移行した後、休止期間Ｔｄに、スイッチング素子Ｑ１に印加された電圧（スイッチング素子Ｑ１のドレイン−ソース間電圧）の電圧値が変化しない。具体的に説明すると、比較例の非接触給電装置では、インバータ部１０が遅相モードから進相モードに移行した後、休止期間Ｔｄに、スイッチング素子Ｑ１に印加された電圧の電圧値が増加しない。なお、スイッチング素子Ｑ４に印加された電圧（スイッチング素子Ｑ４のドレイン−ソース間電圧）の電圧値は、スイッチング素子Ｑ１に印加された電圧の電圧値と同じように変化をする。

ところで、非接触給電装置１００における制御部１１の停止部４は、休止期間Ｔｄに、後述の第１条件であるか否かを判定するように構成されている。また、停止部４は、休止期間Ｔｄに第１条件である場合、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４のスイッチング動作を各別に停止させることが可能に構成されている。制御回路３は、停止部４により休止期間Ｔｄに第１条件であると判定されたとき、第１制御信号Ｓ１および第２制御信号Ｓ２の出力を停止するように構成されている。言い換えれば、制御部１１は、休止期間Ｔｄに第１条件である場合、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４のスイッチング動作を停止させるように構成されている。

第１条件は、例えば、スイッチング素子Ｑ２に印加された電圧（スイッチング素子Ｑ２のドレイン−ソース間電圧）の電圧値が第１閾値Ｖｔ１（図５参照）まで変化しない状態である。例えば、第１条件は、スイッチング素子Ｑ２に印加された電圧の電圧値が第１閾値Ｖｔ１まで減少しない状態である。言い換えれば、第１条件は、スイッチング素子Ｑ２に印加された電圧の電圧値が第１閾値Ｖｔ１よりも大きいときである。第１閾値Ｖｔ１は、例えば、スイッチング素子Ｑ２に印加された電圧の電圧値の変化を検出するための値である。

停止部４は、例えば、図１に示すように、第１停止回路５と、第２停止回路６とを備えている。

第１停止回路５は、検出部７と、設定部８と、コンパレータ９と、スイッチング素子Ｑ５とを備えている。

検出部７は、例えば、スイッチング素子Ｑ２に印加された電圧を検出するように構成されている。検出部７は、例えば、２つの抵抗Ｒ１，Ｒ２を備えている。抵抗Ｒ１の第１端は、スイッチング素子Ｑ２のドレイン端子と電気的に接続されている。抵抗Ｒ１の第２端は、抵抗Ｒ２の第１端と電気的に接続されている。抵抗Ｒ２の第１端は、コンパレータ９の非反転入力端子と電気的に接続されている。抵抗Ｒ２の第２端は、非接触給電装置１００のグランドと電気的に接続されている。

設定部８は、第１閾値Ｖｔ１を設定するように構成されている。設定部８は、コンパレータ９の反転入力端子と電気的に接続されている。

コンパレータ９の出力端子は、スイッチング素子Ｑ５と電気的に接続されている。また、コンパレータ９の出力端子は、制御回路３と電気的に接続されている。

スイッチング素子Ｑ５は、第１端子と、第２端子と、制御端子とを備えている。スイッチング素子Ｑ５は、例えば、ノーマリオン型のｎチャネルＭＯＳＦＥＴである。この場合、スイッチング素子Ｑ５では、第１端子がドレイン端子であり、第２端子がソース端子であり、制御端子がゲート端子である。なお、図１中のスイッチング素子Ｑ５における図記号のダイオードは、内蔵ダイオードを表している。

スイッチング素子Ｑ５のドレイン端子は、スイッチング素子Ｑ２のゲート端子と電気的に接続されている。また、スイッチング素子Ｑ５のドレイン端子は、スイッチング素子Ｑ３のゲート端子と電気的に接続されている。スイッチング素子Ｑ５のソース端子は、非接触給電装置１００のグランドと電気的に接続されている。スイッチング素子Ｑ５のゲート端子は、コンパレータ９の出力端子と電気的に接続されている。

第２停止回路６は、図１に示すように、第１停止回路５と符号が異なる点を除いて、第１停止回路５と同様の構成である。ゆえに、第２停止回路６に関する詳細な説明は適宜省略する。

検出部１７は、例えば、スイッチング素子Ｑ４に印加された電圧（スイッチング素子Ｑ４のドレイン−ソース間電圧）を検出するように構成されている。抵抗Ｒ３の第１端は、スイッチング素子Ｑ４のドレイン端子と電気的に接続されている。

スイッチング素子Ｑ６は、例えば、ノーマリオフ型のｎチャネルＭＯＳＦＥＴである。この場合、スイッチング素子Ｑ６では、第１端子がドレイン端子であり、第２端子がソース端子であり、制御端子がゲート端子である。なお、図１中のスイッチング素子Ｑ６における図記号のダイオードは、内蔵ダイオードを表している。

スイッチング素子Ｑ６のドレイン端子は、スイッチング素子Ｑ１のゲート端子と電気的に接続されている。また、スイッチング素子Ｑ６のドレイン端子は、スイッチング素子Ｑ４のゲート端子と電気的に接続されている。

非接触給電装置１００では、第１停止回路５が、休止期間Ｔｄに第１条件であるか否かを判定するように構成されている。また、第１停止回路５は、休止期間Ｔｄに第１条件である場合、２つのスイッチング素子Ｑ２，Ｑ３のスイッチング動作を停止させるように構成されている。制御回路３は、第１停止回路５により休止期間Ｔｄに第１条件であると判定されたとき、第１制御信号Ｓ１および第２制御信号Ｓ２の出力を停止するように構成されている。

以下、非接触給電装置１００における制御部１１の動作について、図５に基づいて説明する。なお、図５中のｔ２は、インバータ部１０が遅相モードから進相モードに移行した時点を表している。図５中のＶｇ１，Ｖｇ２，Ｖｄｓ１，Ｖｄｓ２，Ｉｄ１，Ｉｄ２は、図４中のＶｇ１，Ｖｇ２，Ｖｄｓ１，Ｖｄｓ２，Ｉｄ１，Ｉｄ２と同じである。図５中のＶ１は、コンパレータ１９の出力電圧を表している。図５中のＶ２は、コンパレータ９の出力電圧を表している。

第１停止回路５は、休止期間Ｔｄに第１条件であるか否かを判定する。要するに、第１停止回路５は、休止期間Ｔｄに、スイッチング素子Ｑ２に印加された電圧の電圧値が第１閾値Ｖｔ１よりも大きいか否かを判定する。また、第１停止回路５は、休止期間Ｔｄに第１条件である場合（図５中のｔ３〜ｔ４の期間）、２つのスイッチング素子Ｑ２，Ｑ３のスイッチング動作を停止させる。

具体的に説明すると、コンパレータ９は、休止期間Ｔｄに、検出部７により検出されたスイッチング素子Ｑ２のドレイン−ソース間電圧が、設定部８により設定された第１閾値Ｖｔ１よりも大きいか否かを判定する。コンパレータ９は、スイッチング素子Ｑ２のドレイン−ソース間電圧が第１閾値Ｖｔ１よりも大きい場合、スイッチング素子Ｑ５をオン状態にして、２つのスイッチング素子Ｑ２，Ｑ３のスイッチング動作を停止させる。

制御回路３は、第１停止回路５により休止期間Ｔｄに第１条件であると判定されたとき、第１制御信号Ｓ１および第２制御信号Ｓ２の出力を停止する（図５中のｔ５の時点）。

非接触給電装置１００では、休止期間Ｔｄに第１条件である場合、制御部１１が４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４のスイッチング動作を停止させる。これにより、非接触給電装置１００では、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４それぞれのゲート電圧（ゲート−ソース間電圧）をローレベルに固定することが可能となる。よって、非接触給電装置１００では、例えば、給電コイル１３と受電コイル２３との相対的な位置ずれによりインバータ部１０が遅相モードから進相モードに移行したとき、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４がハードスイッチングするのを抑制可能となる。その結果、非接触給電装置１００では、特許文献１に記載された電力伝送システムにおける車両充電設備（従来例の非接触給電装置）に比べて、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４の損失（スイッチング損失）が増加するのを抑制することが可能となる。すなわち、非接触給電装置１００では、従来例の非接触給電装置に比べて、インバータ部１０の損失が増加するのを抑制することが可能となる。

第１条件は、スイッチング素子Ｑ２に印加された電圧の電圧値が第１閾値Ｖｔ１まで変化しない状態であるが、これに限らない。第１条件は、例えば、スイッチング素子Ｑ３に印加された電圧（スイッチング素子Ｑ３のドレイン−ソース間電圧）の電圧値が第１閾値Ｖｔ１まで変化しない状態であってもよい。

また、第１条件は、スイッチング素子Ｑ２に印加された電圧の電圧値が第１閾値Ｖｔ１まで変化しない状態であるが、これに限らず、例えば、スイッチング素子Ｑ４に印加された電圧の電圧値が第１閾値Ｖｔ１まで変化しない状態であってもよい。この場合、第１条件は、スイッチング素子Ｑ４に印加された電圧の電圧値が第１閾値Ｖｔ１まで増加しない状態である。具体的に説明すると、第１条件は、例えば、スイッチング素子Ｑ４に印加された電圧の電圧値が第１閾値Ｖｔ１よりも小さいときである。また、この場合、第２停止回路６が、休止期間Ｔｄに第１条件であるか否かを判定する。また、第２停止回路６は、休止期間Ｔｄに第１条件である場合、２つのスイッチング素子Ｑ１，Ｑ４のスイッチング動作を停止させる。制御回路３は、第２停止回路６により休止期間Ｔｄに第１条件であると判定されたとき、第１制御信号Ｓ１および第２制御信号Ｓ２の出力を停止する。なお、第１条件は、スイッチング素子Ｑ４に印加された電圧の電圧値が第１閾値Ｖｔ１まで変化しない状態に限らない。第１条件は、スイッチング素子Ｑ１に印加された電圧（スイッチング素子Ｑ１のドレイン−ソース間電圧）の電圧値が第１閾値Ｖｔ１まで変化しない状態であってもよい。

また、第１条件は、スイッチング素子Ｑ２に印加された電圧の電圧値が第１閾値Ｖｔ１まで変化しない状態と、スイッチング素子Ｑ４に印加された電圧の電圧値が第１閾値Ｖｔ１まで変化しない状態との一方の状態に限らない。第１条件は、スイッチング素子Ｑ２に印加された電圧の電圧値が第１閾値Ｖｔ１まで変化しない状態とスイッチング素子Ｑ４に印加された電圧の電圧値が第１閾値Ｖｔ１まで変化しない状態との両方の状態であってもよい。これにより、制御部１１では、インバータ部１０が遅相モードから進相モードに移行するのを、より精度良く検出することが可能となる。よって、非接触給電装置１００では、インバータ部１０が遅相モードから進相モードに移行したとき、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４がハードスイッチングするのを、より抑制することが可能となる。その結果、非接触給電装置１００では、従来例の非接触給電装置に比べて、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４の損失（スイッチング損失）が増加するのを、より抑制することが可能となる。すなわち、非接触給電装置１００では、従来例の非接触給電装置に比べて、インバータ部１０の損失が増加するのを、より抑制することが可能となる。

休止期間Ｔｄは、２つのスイッチング素子Ｑ１，Ｑ４がオン状態からオフ状態になった時点から、２つのスイッチング素子Ｑ２，Ｑ３がオフ状態からオン状態へ変化し始める時点までの間であるが、これに限らない。休止期間Ｔｄは、２つのスイッチング素子Ｑ２，Ｑ３がオン状態からオフ状態になった時点から、２つのスイッチング素子Ｑ１，Ｑ４がオフ状態からオン状態へ変化し始める時点までの間であってもよい。２つのスイッチング素子Ｑ１，Ｑ４が第１スイッチング素子に相当し、２つのスイッチング素子Ｑ２，Ｑ３が第２スイッチング素子に相当する場合、休止期間Ｔｄ（第１休止期間）は、２つのスイッチング素子Ｑ１，Ｑ４がオン状態からオフ状態になった時点から、２つのスイッチング素子Ｑ２，Ｑ３がオフ状態からオン状態へ変化し始める時点までの間である。また、２つのスイッチング素子Ｑ２，Ｑ３とが第１スイッチング素子に相当し、２つのスイッチング素子Ｑ１，Ｑ４が第２スイッチング素子に相当する場合、休止期間Ｔｄ（第２休止期間）は、２つのスイッチング素子Ｑ２，Ｑ３がオン状態からオフ状態になった時点から、２つのスイッチング素子Ｑ１，Ｑ４がオフ状態からオン状態へ変化し始める時点までの間である。

なお、制御部１１は、第１休止期間と第２休止期間との一方の休止期間に、第１条件あるいは第２条件である場合、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４のスイッチング動作を停止させる構成に限らない。制御部１１は、第１休止期間と第２休止期間との両方の休止期間に、第１条件あるいは第２条件である場合、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４のスイッチング動作を停止させる構成であってもよい。

非接触給電装置１００では、制御回路３が第１制御信号Ｓ１および第２制御信号Ｓ２の出力を停止すると（図５中のｔ５の時点）、スイッチング素子Ｑ２およびスイッチング素子Ｑ３それぞれに印加された電圧が自由振動する。そして、非接触給電装置１００では、スイッチング素子Ｑ２およびスイッチング素子Ｑ３それぞれに印加された電圧が、スイッチング素子Ｑ２およびスイッチング素子Ｑ３それぞれに印加された電圧の最大値Ｖｍａｘの１／２に収束する。なお、スイッチング素子Ｑ１およびスイッチング素子Ｑ４それぞれに印加された電圧も、制御回路３が第１制御信号Ｓ１および第２制御信号Ｓ２の出力を停止すると、自由振動する。また、スイッチング素子Ｑ１およびスイッチング素子Ｑ４それぞれに印加された電圧も、スイッチング素子Ｑ１およびスイッチング素子Ｑ４それぞれに印加された電圧の最大値Ｖｍａｘの１／２に収束する。

第１閾値Ｖｔ１は、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４それぞれに印加された電圧の最大値Ｖｍａｘの１／２未満に設定されていることが好ましい。これにより、非接触給電装置１００では、制御回路３が第１制御信号Ｓ１および第２制御信号Ｓ２の出力を停止させた後、停止部４により４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４それぞれに印加された電圧をローレベルに維持することが可能となる。その結果、非接触給電装置１００では、仮に、制御回路３が第１制御信号Ｓ１および第２制御信号Ｓ２を、再び出力することがあったとしても、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４それぞれに印加された電圧をローレベルに固定することが可能となる。よって、非接触給電装置１００では、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４がハードスイッチングするのを、より抑制することが可能となる。

非接触給電装置１００では、起動時、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４の各々がオフ状態であるため、スイッチング素子Ｑ２およびスイッチング素子Ｑ４それぞれに印加された電圧（ドレイン−ソース間電圧）が高くなる。これにより、非接触給電装置１００では、起動時に、スイッチング素子Ｑ６がオン状態となる。その結果、非接触給電装置１００では、制御回路３からの第１制御信号Ｓ１が、２つのスイッチング素子Ｑ１，Ｑ４それぞれのゲート端子に入力されない場合がある。なお、起動時とは、非接触給電装置１００の動作が開始するときを意味する。

そこで、制御回路３は、非接触給電装置１００の起動時に、コンパレータ１９の出力電圧を強制的にローレベルにする。これにより、非接触給電装置１００では、起動時に、制御回路３からの第１制御信号Ｓ１を、２つのスイッチング素子Ｑ１，Ｑ４それぞれのゲート端子に入力させることが可能となる。

また、制御回路３は、非接触給電装置１００の起動時に、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４のスイッチング動作がソフトスタートするように、第１制御信号Ｓ１および第２制御信号Ｓ２それぞれのデューティ比を小さくすることが好ましい。この場合も、制御回路３は、非接触給電装置１００の起動時に、コンパレータ１９の出力電圧を強制的にローレベルにすることが好ましい。これにより、非接触給電装置１００では、起動時、給電部１２に突入電流が流れるのを抑制することが可能となる。

以上説明した非接触給電装置１００は、第１スイッチング素子（スイッチング素子Ｑ１，Ｑ４）および第２スイッチング素子（スイッチング素子Ｑ２，Ｑ３）を有して直流電圧を交流電圧に変換するインバータ部１０を備えている。また、非接触給電装置１００は、インバータ部１０を制御する制御部１１と、上記交流電圧が印加され非接触で給電する給電部１２とを備えている。制御部１１は、第１スイッチング素子と第２スイッチング素子とが交互にオン状態となるように、第１スイッチング素子および第２スイッチング素子を制御する。制御部１１は、休止期間Ｔｄに第１条件である場合、第１スイッチング素子および第２スイッチング素子のスイッチング動作を停止させる。休止期間Ｔｄは、第１スイッチング素子がオン状態からオフ状態になった時点から第２スイッチング素子がオフ状態からオン状態へ変化し始める時点までの間である。第１条件は、第１スイッチング素子と第２スイッチング素子との少なくとも一方に印加された電圧の電圧値が第１閾値Ｖｔ１まで変化しない状態である。これにより、非接触給電装置１００では、例えば給電コイル１３と受電コイル２３との相対的な位置ずれによりインバータ部１０が遅相モードから進相モードに移行したとき、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４がハードスイッチングするのを抑制可能となる。その結果、非接触給電装置１００では、従来例の非接触給電装置に比べて、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４の損失（スイッチング損失）が増加するのを抑制することが可能となる。すなわち、非接触給電装置１００では、従来例の非接触給電装置に比べて、インバータ部１０の損失が増加するのを抑制することが可能となる。

制御部１１は、第１スイッチング素子（スイッチング素子Ｑ１，Ｑ４）と第２スイッチング素子（スイッチング素子Ｑ２，Ｑ３）とが交互にオン状態となるように第１スイッチング素子および第２スイッチング素子を制御する制御回路３を備えていることが好ましい。また、制御部１１は、第１スイッチング素子および第２スイッチング素子のスイッチング動作を停止させることが可能な停止部４を備えていることが好ましい。停止部４は、休止期間Ｔｄに第１条件である場合、第１スイッチング素子および第２スイッチング素子のスイッチング動作を停止させることが好ましい。この非接触給電装置１００でも、給電コイル１３と受電コイル２３との相対的な位置ずれによって、インバータ部１０が遅相モードから進相モードに移行したとき、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４がハードスイッチングするのを抑制可能となる。

第１条件は、第１スイッチング素子（スイッチング素子Ｑ１，Ｑ４）に印加された電圧である第１電圧の電圧値が第１閾値Ｖｔ１まで増加しない状態であることが好ましい。この非接触給電装置１００でも、給電コイル１３と受電コイル２３との相対的な位置ずれによって、インバータ部１０が遅相モードから進相モードに移行したとき、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４がハードスイッチングするのを抑制可能となる。

上記第１電圧の電圧値が第１閾値Ｖｔ１まで増加しない状態は、上記第１電圧の電圧値が第１閾値Ｖｔ１よりも小さいときであることが好ましい。この非接触給電装置１００でも、給電コイル１３と受電コイル２３との相対的な位置ずれによって、インバータ部１０が遅相モードから進相モードに移行したとき、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４がハードスイッチングするのを抑制可能となる。

第１条件は、第２スイッチング素子（スイッチング素子Ｑ２，Ｑ３）に印加された電圧である第２電圧の電圧値が第１閾値Ｖｔ１まで減少しない状態であることが好ましい。この非接触給電装置１００でも、給電コイル１３と受電コイル２３との相対的な位置ずれによって、インバータ部１０が遅相モードから進相モードに移行したとき、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４がハードスイッチングするのを抑制可能となる。

上記第２電圧の電圧値が第１閾値Ｖｔ１まで減少しない状態は、上記第２電圧の電圧値が第１閾値Ｖｔ１よりも大きいときであることが好ましい。この非接触給電装置１００でも、給電コイル１３と受電コイル２３との相対的な位置ずれによって、インバータ部１０が遅相モードから進相モードに移行したとき、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４がハードスイッチングするのを抑制可能となる。

以上説明した非接触給電システム３００は、非接触給電装置１００と、非接触給電装置１００から非接触で給電される非接触受電装置２００とを備えている。これにより、非接触給電システム３００では、インバータ部１０の損失が増加するのを抑制可能な非接触給電装置１００を備えた非接触給電システム３００を提供することができる。

なお、インバータ部１０は、フルブリッジ回路に限らず、例えば、２つのスイッチング素子を備えたハーフブリッジ回路であってもよい。この場合、２つのスイッチング素子のうち一方のスイッチング素子が第１スイッチング素子に相当し、残りのスイッチング素子が第２スイッチング素子に相当する。

また、給電コイル１３および受電コイル２３の各々は、スパイラルコイルであるが、これに限らず、例えば、ソレノイドコイル等であってもよい。ソレノイドコイルとは、鉄心（コア）に対して導線が螺旋状に巻き付けられたコイルを意味する。

（実施形態２）
以下では、実施形態２の非接触給電装置１１０について、図６に基づいて説明する。非接触給電装置１１０の基本構成は、実施形態１の非接触給電装置１００と同じである。また、非接触給電装置１１０は、図６に示すように、非接触給電装置１００における制御部１１とは異なる構成の制御部４１を備えている点等が、非接触給電装置１００と相違する。なお、実施形態２の非接触給電装置１１０では、非接触給電装置１００と同様の構成要素に同一の符号を付して説明を適宜省略する。また、非接触給電装置１１０は、例えば、実施形態１の非接触給電システム３００に適用されてもよい。

制御部４１は、制御回路３と、停止部４２とを備えている。非接触給電装置１１０では、制御回路３と停止部４２とが一体に構成されている。

ところで、上記比較例の非接触給電装置では、インバータ部１０が遅相モードから進相モードに移行した後（図４中のｔ１以降）、休止期間Ｔｄに、例えば、スイッチング素子Ｑ２に流れる電流（スイッチング素子Ｑ２のドレイン電流）の電流値が変化しない。具合的に説明すると、比較例の非接触給電装置では、インバータ部１０が遅相モードから進相モードに移行した後、休止期間Ｔｄに、スイッチング素子Ｑ２に流れる電流の向きが逆向きにならない。なお、スイッチング素子Ｑ３に流れる電流（スイッチング素子Ｑ３のドレイン電流）の電流値は、図４に示すように、スイッチング素子Ｑ２に流れる電流の電流値と同じように変化をする。

非接触給電装置１１０における制御部４１の停止部４２は、休止期間Ｔｄに、後述の第２条件であるか否かを判定するように構成されている。また、停止部４２は、休止期間Ｔｄに第２条件である場合、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４のスイッチング動作を停止させることが可能に構成されている。制御回路３は、停止部４２により休止期間Ｔｄに第２条件であると判定されたとき、第１制御信号Ｓ１および第２制御信号Ｓ２の出力を停止するように構成されている。言い換えれば、制御部４１は、休止期間Ｔｄに第２条件である場合、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４のスイッチング動作を停止させるように構成されている。

第２条件は、例えば、スイッチング素子Ｑ２に流れる電流（スイッチング素子Ｑ２のドレイン電流）の電流値が第２閾値Ｖｔ２（図５参照）まで変化しない状態である。具体的に説明すると、第２条件は、例えば、スイッチング素子Ｑ２に流れる電流の向きが逆向きにならない状態である。より詳細に説明すると、第２条件は、例えば、スイッチング素子Ｑ２に流れる電流の電流値が第２閾値Ｖｔ２よりも大きいときである。第２閾値Ｖｔ２は、例えば、スイッチング素子Ｑ２に流れる電流の電流値の変化を検出するための値である。

停止部４２は、例えば、図６に示すように、第３停止回路４３と、第４停止回路４４とを備えている。

第３停止回路４３の基本構成は、非接触給電装置１００における第１停止回路５と同じである。ゆえに、第３停止回路４３では、第１停止回路５と同様の構成要素に同一の符号を付して説明を適宜省略する。

第３停止回路４３は、検出部４５と、設定部４６と、コンパレータ９と、スイッチング素子Ｑ５とを備えている。

検出部４５は、例えば、スイッチング素子Ｑ２に流れる電流を検出するように構成されている。検出部４５は、例えば、抵抗Ｒ５を備えている。抵抗Ｒ５の第１端は、スイッチング素子Ｑ２のソース端子と電気的に接続されている。また、抵抗Ｒ５の第１端は、コンパレータ９の非反転入力端子と電気的に接続されている。抵抗Ｒ５の第２端は、非接触給電装置１１０のグランドと電気的に接続されている。

設定部４６は、閾値Ｖｔ２を設定するように構成されている。設定部４６は、コンパレータ９の反転入力端子と電気的に接続されている。

第４停止回路４４は、図６に示すように、第３停止回路４３と符号が異なる点を除いて、第３停止回路４３と同じ構成である。ゆえに、第４停止回路４４に関する詳細な説明は適宜省略する。

検出部４７は、例えば、スイッチング素子Ｑ４に流れる電流（スイッチング素子Ｑ４のドレイン電流）を検出するように構成されている。抵抗Ｒ６の第１端は、スイッチング素子Ｑ４のソース端子と電気的に接続されている。なお、検出部４７は、スイッチング素子Ｑ４に流れる電流を検出するように構成されているが、スイッチング素子Ｑ１に流れる電流（スイッチング素子Ｑ１のドレイン電流）を検出するように構成されていてもよい。

非接触給電装置１１０では、第３停止回路４３が、休止期間Ｔｄに第２条件であるか否かを判定するように構成されている。また、第３停止回路４３は、休止期間Ｔｄに第２条件である場合、２つのスイッチング素子Ｑ２，Ｑ３のスイッチング動作を停止させるように構成されている。制御回路３は、第３停止回路４３により休止期間Ｔｄに第２条件であると判定されたとき、第１制御信号Ｓ１および第２制御信号Ｓ２の出力を停止するように構成されている。なお、非接触給電装置１１０における制御部４１の動作は、非接触給電装置１００における制御部１１と同様である。ゆえに、制御部４１の動作に関する詳細な説明は省略する。

非接触給電装置１１０では、制御部４１が、休止期間Ｔｄに第２条件である場合、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４のスイッチング動作を停止させる。これにより、非接触給電装置１１０では、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４それぞれのゲート電圧（ゲート−ソース間電圧）をローレベルに固定することが可能となる。よって、非接触給電装置１１０では、例えば、給電コイル１３と受電コイル２３との相対的な位置ずれによりインバータ部１０が遅相モードから進相モードに移行したとき、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４がハードスイッチングするのを抑制可能となる。その結果、非接触給電装置１１０でも、従来例の非接触給電装置に比べて、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４の損失（スイッチング損失）が増加するのを抑制することが可能となる。すなわち、非接触給電装置１１０でも、従来例の非接触給電装置に比べて、インバータ部１０の損失が増加するのを抑制することが可能となる。

第２条件は、スイッチング素子Ｑ２に流れる電流の電流値が第２閾値Ｖｔ２まで変化しない状態であるが、これに限らない。第２条件は、例えば、スイッチング素子Ｑ３に流れる電流（スイッチング素子Ｑ３のドレイン電流）の電流値が第２閾値Ｖｔ２まで変化しない状態であってもよい。この場合、検出部４５は、スイッチング素子Ｑ３に流れる電流を検出するように構成される。

休止期間Ｔｄは、２つのスイッチング素子Ｑ１，Ｑ４がオン状態からオフ状態になった時点から、２つのスイッチング素子Ｑ２，Ｑ３がオフ状態からオン状態へ変化し始める時点までの間であるが、これに限らない。休止期間Ｔｄは、２つのスイッチング素子Ｑ２，Ｑ３がオン状態からオフ状態になった時点から、２つのスイッチング素子Ｑ１，Ｑ４がオフ状態からオン状態へ変化し始める時点までの間であってもよい。この場合、第２条件は、スイッチング素子Ｑ１あるいはスイッチング素子Ｑ４に流れる電流の電流値が第２閾値Ｖｔ２まで変化しない状態である。また、この場合、第４停止回路４４が、休止期間Ｔｄに第２条件であるか否かを判定する。また、第４停止回路４４は、休止期間Ｔｄに第２条件である場合、２つのスイッチング素子Ｑ１，Ｑ４のスイッチング動作を停止させる。制御回路３は、第４停止回路４４により休止期間Ｔｄに第２条件であると判定されたとき、第１制御信号Ｓ１および第２制御信号Ｓ２の出力を停止する。

以上説明した非接触給電装置１１０は、インバータ部１０と、インバータ部１０を制御する制御部４１と、給電部１２とを備えている。制御部４１は、第１スイッチング素子（スイッチング素子Ｑ１，Ｑ４）と第２スイッチング素子（スイッチング素子Ｑ２，Ｑ３）とが交互にオン状態となるように第１スイッチング素子および第２スイッチング素子を制御する。制御部４１は、休止期間Ｔｄに第２条件である場合、第１スイッチング素子および第２スイッチング素子のスイッチング動作を停止させる。第２条件は、第２スイッチング素子に流れる電流の電流値が第２閾値Ｖｔ２まで変化しない状態である。これにより、非接触給電装置１１０では、例えば給電コイル１３と受電コイル２３との相対的な位置ずれによりインバータ部１０が遅相モードから進相モードに移行したとき、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４がハードスイッチングするのを抑制可能となる。その結果、非接触給電装置１１０では、従来例の非接触給電装置に比べて、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４の損失（スイッチング損失）が増加するのを抑制することが可能となる。すなわち、非接触給電装置１１０では、従来例の非接触給電装置に比べて、インバータ部１０の損失が増加するのを抑制することが可能となる。

制御部４１は、制御回路３と、第１スイッチング素子（スイッチング素子Ｑ１，Ｑ４）および第２スイッチング素子（スイッチング素子Ｑ２，Ｑ３）のスイッチング動作を停止させることが可能な停止部４２とを備えていることが好ましい。停止部４２は、休止期間Ｔｄに第２条件である場合、第１スイッチング素子および第２スイッチング素子のスイッチング動作を停止させることが好ましい。この非接触給電装置１１０でも、給電コイル１３と受電コイル２３との相対的な位置ずれによって、インバータ部１０が遅相モードから進相モードに移行したとき、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４がハードスイッチングするのを抑制可能となる。

第２条件は、第２スイッチング素子（スイッチング素子Ｑ２，Ｑ３）に流れる電流の向きが逆向きにならない状態であることが好ましい。この非接触給電装置１１０でも、給電コイル１３と受電コイル２３との相対的な位置ずれによって、インバータ部１０が遅相モードから進相モードに移行したとき、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４がハードスイッチングするのを抑制可能となる。

第２スイッチング素子（スイッチング素子Ｑ２，Ｑ３）に流れる電流の向きが逆向きにならない状態は、第２スイッチング素子に流れる電流の電流値が第２閾値Ｖｔ２よりも大きいときであることが好ましい。この非接触給電装置１１０でも、給電コイル１３と受電コイル２３との相対的な位置ずれによって、インバータ部１０が遅相モードから進相モードに移行したとき、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４がハードスイッチングするのを抑制可能となる。

非接触給電装置１１０は、実施形態１の非接触給電装置１００における停止部４の構成を更に備えていてもよい。これにより、制御部４１では、インバータ部１０が遅相モードから進相モードに移行するのを、より精度良く検出することが可能となる。よって、非接触給電装置１１０では、インバータ部１０が遅相モードから進相モードに移行したとき、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４がハードスイッチングするのを、より抑制することが可能となる。その結果、非接触給電装置１１０では、従来例の非接触給電装置に比べて、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４の損失（スイッチング損失）が増加するのを、より抑制することが可能となる。すなわち、非接触給電装置１１０では、従来例の非接触給電装置に比べて、インバータ部１０の損失が増加するのを、より抑制することが可能となる。

（実施形態３）
以下では、実施形態３の非接触給電装置１２０について、図７に基づいて説明する。非接触給電装置１２０の基本構成は、実施形態１の非接触給電装置１００と同じである。また、非接触給電装置１２０は、図７に示すように、非接触給電装置１００における制御部１１とは異なる構成の制御部５１を備えている点等が、非接触給電装置１００と相違する。なお、実施形態３の非接触給電装置１２０では、非接触給電装置１００と同様の構成要素に同一の符号を付して説明を適宜省略する。また、非接触給電装置１２０は、例えば、実施形態１の非接触給電システム３００に適用されてもよい。

制御部５１は、制御回路５２と、停止部５３とを備えている。非接触給電装置１２０では、制御回路５２と停止部５３とが別体に構成されている。

制御回路５２は、例えば、上記マイクロコンピュータである。制御回路５２の基本構成は、非接触給電装置１００における制御回路３と同じである。なお、制御回路５２は、上記マイクロコンピュータに限らず、例えば、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ等であってもよい。また、制御回路５２は、上記マイクロコンピュータに限らず、例えば、制御用ＩＣであってもよい。

停止部５３は、休止期間Ｔｄに第１条件であるか否かを判定するように構成されている。また、停止部５３は、休止期間Ｔｄに第１条件である場合、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４のスイッチング動作を停止させるように構成されている。

停止部５３は、例えば、第５停止回路５４と、第６停止回路６８とを備えている。なお、第５停止回路５４の構成は、非接触給電装置１００における第１停止回路５と同様の構成であるため、同様の構成要素に同一の符号を付して説明を適宜省略する。また、第６停止回路６８の構成は、非接触給電装置１００における第２停止回路６と同様の構成であるため、同様の構成要素に同一の符号を付して説明を適宜省略する。

第５停止回路５４は、検出部７と、設定部８と、比較部５５と、３つの論理回路５６〜５８とを備えている。

比較部５５は、コンパレータ５９と、２つの抵抗Ｒ７，Ｒ８と、スイッチング素子Ｑ７とを備えている。スイッチング素子Ｑ７は、第１端子と、第２端子と、制御端子とを備えている。スイッチング素子Ｑ７は、例えば、バイポーラトランジスタである。この場合、スイッチング素子Ｑ７では、第１端子がコレクタ端子であり、第２端子がエミッタ端子であり、制御端子がベース端子である。

コンパレータ５９の反転入力端子は、検出部７における抵抗Ｒ２の第１端と電気的に接続されている。コンパレータ５９の非反転入力端子は、設定部８と電気的に接続されている。コンパレータ５９の出力端子は、抵抗Ｒ７を介して、スイッチング素子Ｑ７のベース端子と電気的に接続されている。

スイッチング素子Ｑ７のコレクタ端子は、抵抗Ｒ８によりプルアップされている。また、スイッチング素子Ｑ７のコレクタ端子は、３つの論理回路５６〜５８と電気的に接続されている。スイッチング素子Ｑ７のエミッタ端子は、非接触給電装置１２０のグランドと電気的に接続されている。

論理回路５６は、２つのＯＲ回路６０，６１と、ＮＯＴ回路６２とを備えている。

ＯＲ回路６０の第１入力端子は、制御回路５２と電気的に接続されている。ＯＲ回路６０の第２入力端子は、スイッチング素子Ｑ７のコレクタ端子と電気的に接続されている。ＯＲ回路６０の出力端子は、ＯＲ回路６１の第１入力端子と電気的に接続されている。

ＯＲ回路６１の第２入力端子は、論理回路５８と電気的に接続されている。また、ＯＲ回路６１の第２入力端子は、後述の論理回路７２と電気的に接続されている。ＯＲ回路６１の出力端子は、ＮＯＴ回路６２の入力端子と電気的に接続されている。ＮＯＴ回路６２の出力端子は、スイッチング素子Ｑ２のゲート端子と電気的に接続されている。

論理回路５７は、図７に示すように、論理回路５６と符号が異なる点を除いて、論理回路５６と同じ構成である。ゆえに、論理回路５７に関する詳細な説明は適宜省略する。

ＮＯＴ回路６５の出力端子は、スイッチング素子Ｑ３のゲート端子と電気的に接続されている。

論理回路５８は、フリップフロップ６６と、ラッチ回路６７とを備えている。

フリップフロップ６６は、例えば、Ｄフリップフロップである。フリップフロップ６６の第１入力端子（クロック入力端子）は、制御回路５２と電気的に接続されている。フリップフロップ６６の第２入力端子（データ入力端子）は、スイッチング素子Ｑ７のコレクタ端子と電気的に接続されている。フリップフロップ６６の出力端子は、ラッチ回路６７のセット端子と電気的に接続されている。

ラッチ回路６７のリセット端子は、非接触給電装置１２０のグラントと電気的に接続されている。ラッチ回路６７の出力端子は、論理回路５６におけるＯＲ回路６１の第２入力端子と電気的に接続されている。また、ラッチ回路６７の出力端子は、後述の論理回路７０におけるＯＲ回路７５の第２入力端子と電気的に接続されている。さらに、ラッチ回路６７の出力端子は、論理回路５７におけるＯＲ回路６４の第２入力端子と電気的に接続されている。また、ラッチ回路６７の出力端子は、後述の論理回路７１におけるＯＲ回路７８の第２入力端子と電気的に接続されている。

第６停止回路６８は、検出部１７と、設定部１８と、比較部６９と、３つの論理回路７０〜７２とを備えている。

比較部６９は、図７に示すように、比較部５５と符号が異なる点を除いて、比較部５５と同じ構成である。ゆえに、比較部６９に関する詳細な説明は省略する。

２つの論理回路７０，７１の各々は、図７に示すように、論理回路５６と符号が異なる点を除いて、論理回路５６と同じ構成である。ゆえに、２つの論理回路７０，７１の各々に関する詳細な説明は適宜省略する。

論理回路７０におけるＯＲ回路７４の第２入力端子は、スイッチング素子Ｑ８のコレクタ端子と電気的に接続されている。論路回路７０におけるＮＯＴ回路７６の出力端子は、スイッチング素子Ｑ１のゲート端子と電気的に接続されている。

論理回路７１におけるＯＲ回路７７の第２入力端子は、スイッチング素子Ｑ８のコレクタ端子と電気的に接続されている。論理回路７１におけるＮＯＴ回路７９の出力端子は、スイッチング素子Ｑ４のゲート端子と電気的に接続されている。

論理回路７２は、図７に示すように、論理回路５８と符号が異なる点を除いて、論理回路５８と同じ構成である。ゆえに、論理回路７２に関する詳細な説明は適宜省略する。

論理回路７２におけるフリップフロップ８０の第２入力端子（データ入力端子）は、スイッチング素子Ｑ８のコレクタ端子と電気的に接続されている。

非接触給電装置１２０では、第５停止回路５４が、休止期間Ｔｄに第１条件であるか否かを判定するように構成されている。また、第５停止回路５４は、休止期間Ｔｄに第１条件である場合、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４のスイッチング動作を停止させるように構成されている。

以下、非接触給電装置１２０における制御部５１の停止部５３の動作について、図８に基づいて説明する。なお、図８中のｔ６は、インバータ部１０が遅相モードから進相モードに移行した時点を表している。図８中のＶｇ１，Ｖｇ２，Ｖｄｓ１，Ｖｄｓ２は、図４中のＶｇ１，Ｖｇ２，Ｖｄｓ１，Ｖｄｓ２と同じである。図８中のＶｓ１は、第１制御信号Ｓ１の信号レベルを表している。図８中のＶｓ２は、第２制御信号Ｓ２の信号レベルを表している。図８中のＶ３は、比較部６９の出力電圧を表している。図８中のＶ４は、比較部５５の出力電圧を表している。図８中のＶ５は、フリップフロップ６６の出力電圧を表している。図８中のＶ６は、フリップフロップ８０の出力電圧を表している。図８中のＶ７は、ラッチ回路６７の出力電圧を表している。図８中のＶ８は、ラッチ回路８１の出力電圧を表している。

第５停止回路５４は、休止期間Ｔｄに第１条件であるか否かを判定する。具体的に説明すると、第５停止回路５４は、休止期間Ｔｄに、スイッチング素子Ｑ２に印加された電圧の電圧値が第１閾値Ｖｔ１よりも大きいか否かを判定する。

第５停止回路５４は、休止期間Ｔｄに第１条件である場合、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４のスイッチング動作を停止させる。

非接触給電装置１２０では、休止期間Ｔｄに第１条件である場合、停止部５３が４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４のスイッチング動作を停止させる。これにより、非接触給電装置１２０では、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４それぞれのゲート電圧（ゲート−ソース間電圧）をローレベルに固定することが可能となる。よって、非接触給電装置１２０では、例えば、給電コイル１３と受電コイル２３との相対的な位置ずれによりインバータ部１０が遅相モードから進相モードに移行したとき、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４がハードスイッチングするのを抑制可能となる。その結果、非接触給電装置１２０では、従来例の非接触給電装置に比べて、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４の損失（スイッチング損失）が増加するのを抑制することが可能となる。すなわち、非接触給電装置１２０では、従来例の非接触給電装置に比べて、インバータ部１０の損失が増加するのを抑制することが可能となる。

なお、第１条件は、スイッチング素子Ｑ２に印加された電圧の電圧値が第１閾値Ｖｔ１まで変化しない状態であるが、これに限らない。

停止部５３は、休止期間Ｔｄに第１条件であるか否かを判定するように構成されているが、この構成に限らない。停止部５３は、休止期間Ｔｄに第２条件であるか否かを判定するように構成されていてもよい。この場合、停止部５３は、休止期間Ｔｄに第２条件である場合、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４のスイッチング動作を停止させる。

非接触給電装置１２０では、起動時、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４の各々がオフ状態であるため、スイッチング素子Ｑ２およびスイッチング素子Ｑ４それぞれに印加された電圧（ドレイン−ソース間電圧）が高くなる。これにより、非接触給電装置１２０では、起動時に、スイッチング素子Ｑ７およびスイッチング素子Ｑ８の各々がオフ状態となるので、スイッチング素子Ｑ７およびスイッチング素子Ｑ８それぞれのコレクタ−エミッタ間電圧がハイレベルとなる。言い換えれば、非接触給電装置１２０では、起動時に、４つのＯＲ回路６０，６３，７４，７７それぞれの第２入力端子がハイレベルとなる。その結果、非接触給電装置１２０では、制御回路５２からの第１制御信号Ｓ１および第２制御信号Ｓ２が、対応する４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４それぞれのゲート端子に入力されない場合がある。

そこで、制御回路５２は、スイッチング素子Ｑ７およびスイッチング素子Ｑ８それぞれのコレクタ端子と電気的に接続されている。また、制御回路５２は、非接触給電装置１２０の起動時に、スイッチング素子Ｑ７およびスイッチング素子Ｑ８それぞれのコレクタ−エミッタ間電圧を強制的にローレベルにする。これにより、非接触給電装置１２０では、起動時に、制御回路５２からの第１制御信号Ｓ１および第２制御信号Ｓ２を、対応する４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４それぞれのゲート端子に入力させることが可能となる。

また、制御回路５２は、非接触給電装置１２０の起動時に、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４のスイッチング動作がソフトスタートするように、第１制御信号Ｓ１および第２制御信号Ｓ２それぞれのデューティ比を小さくすることが好ましい。この場合も、制御回路５２は、非接触給電装置１２０の起動時に、スイッチング素子Ｑ７およびスイッチング素子Ｑ８それぞれのコレクタ−エミッタ間電圧を強制的にローレベルにすることが好ましい。これにより、非接触給電装置１２０では、起動時、給電部１２に突入電流が流れるのを抑制することが可能となる。

以上説明した非接触給電装置１２０では、制御回路５２と停止部５３とが、別体に構成されている。これにより、非接触給電装置１２０では、停止部５３が、制御回路５２を介さずに、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４のスイッチング動作を、直接、停止させることが可能となる。よって、非接触給電装置１２０では、インバータ部１０が遅相モードから進相モードに移行したとき、非接触給電装置１００および非接触給電装置１１０よりも早く、４つのスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４のスイッチング動作を停止させることが可能となる。

実施形態１〜３における給電コイル１３および受電コイル２３は、スパイラルコイルである。そのため、実施形態１〜３の非接触給電装置１００，１１０，１２０では、給電コイル１３としてソレノイドコイルを用いた場合に比べて、不要輻射ノイズが生じにくい、という利点がある。また、実施形態１〜３の非接触給電装置１００，１１０，１２０では、不要輻射ノイズが低減される結果、インバータ部１０において使用可能な動作周波数の範囲が拡大される、という利点もある。以下、この点について詳述する。

非接触給電システム３００の共振特性は、給電コイル１３と受電コイル２３との結合係数に応じて変化し、ある条件下では、図９に示すように出力に２つの極大値が生じる、いわゆる双峰特性を示す。この共振特性（双峰特性）においては、図９に示すように、第１周波数ｆｒ１と第３周波数ｆｒ３とのそれぞれで出力が極大となる２つの“山”が生じる。これら２つの“山”の間には、第２周波数ｆｒ２で出力が極小となる“谷”が生じる。ここで、第１周波数ｆｒ１と第２周波数ｆｒ２と第３周波数ｆｒ３とは、ｆｒ１＜ｆｒ２＜ｆｒ３の関係にある。以下では、第２周波数ｆｒ２を基準に、第２周波数ｆｒ２より低い周波数領域を「低周波領域」といい、第２周波数ｆｒ２より高い周波数領域を「高周波領域」という。

このような共振特性にあっては、低周波領域の“山”（第１周波数ｆｒ１で極大となる山）と、高周波領域の“山”（第３周波数ｆｒ３で極大となる山）とのそれぞれに、インバータ部１０が遅相モードで動作する領域（以下、「遅相領域」という）が生じる。そのため、インバータ部１０は、動作周波数ｆ１が２つの“山”のいずれにある場合でも、遅相モードで動作可能である。

ここで、インバータ部１０の動作周波数ｆ１が低周波領域の“山”にある場合と、高周波領域の“山”にある場合とを比較すると、低周波領域の“山”にある場合の方が、不要輻射ノイズは小さくなる。つまり、高周波領域の“山”においては、給電コイル１３に流れる電流と、受電コイル２３に流れる電流とが同位相になる。これに対して、低周波領域の“山”においては、給電コイル１３に流れる電流と、受電コイル２３に流れる電流とが逆位相になる。そのため、低周波領域の“山”においては、給電コイル１３で生じる不要輻射ノイズと、受電コイル２３で生じる不要輻射ノイズとが、互いに相殺されることになり、非接触給電システム３００全体でみれば不要輻射ノイズは低減される。

したがって、実施形態１〜３の非接触給電装置１００，１１０，１２０では、給電コイル１３としてソレノイドコイルを用いた場合でも、インバータ部１０の動作周波数ｆ１が低周波領域の“山”の遅相領域（ｆｒ１〜ｆｒ２）にあれば、インバータ部１０が遅相モードで動作し、かつ不要輻射ノイズも低減される。しかし、実施形態１〜３の非接触給電装置１００，１１０，１２０において、給電コイル１３としてソレノイドコイルを用いた場合、低周波領域の“山”の遅相領域は、給電コイル１３と受電コイル２３との結合係数に応じて変化するため、このような不確定な遅相領域にインバータ部１０の動作周波数ｆ１を収める制御が必要になる。

これに対して、実施形態１〜３の非接触給電装置１００，１１０，１２０では、給電コイル１３としてスパイラルコイルを用いているので、たとえインバータ部１０の動作周波数ｆ１が高周波領域の“山”の遅相領域（ｆｒ３より高周波側）にあっても、給電コイル１３としてソレノイドコイルを用いた場合に比べて、不要輻射ノイズが大幅に低減される。つまり、実施形態１〜３の非接触給電装置１００，１１０，１２０では、給電コイル１３としてスパイラルコイルが用いられることで、インバータ部１０の動作周波数ｆ１が低周波領域の“山”の遅相領域に制限されず、インバータ部１０において使用可能な動作周波数ｆ１の範囲が拡大されることになる。なお、高周波領域の“山”の遅相領域も不確定な領域ではあるが、インバータ部１０の動作周波数ｆ１を十分に高い周波数から低周波側にスイープさせれば動作周波数ｆ１は高周波領域の“山”の遅相領域を通るので、複雑な制御は不要である。

上記実施形態は本発明の一例に過ぎず、本発明は、上記実施形態に限定されることはなく、上記実施形態以外であっても、本発明に係る技術的思想を逸脱しない範囲であれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。

３ 制御回路
４ 停止部
１０ インバータ部
１１ 制御部
１２ 給電部
４１ 制御部
４２ 停止部
５１ 制御部
５２ 制御回路
５３ 停止部
１００ 非接触給電装置
１１０ 非接触給電装置
１２０ 非接触給電装置
２００ 非接触受電装置
３００ 非接触給電システム
Ｑ１ スイッチング素子（第１スイッチング素子）
Ｑ２ スイッチング素子（第２スイッチング素子）
Ｑ３ スイッチング素子（第２スイッチング素子）
Ｑ４ スイッチング素子（第１スイッチング素子）

Claims (10)

1. 半導体スイッチング素子である第１スイッチング素子および半導体スイッチング素子である第２スイッチング素子を有して、前記第１スイッチング素子及び前記第２スイッチング素子の２つの直列回路を含むフルブリッジ回路、又は、前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子とを含むハーフブリッジ回路を構成し、前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子とを交互にオン状態とすることで直流電圧を交流電圧に変換するインバータ部と、
   前記インバータ部を制御する制御部と、
   前記交流電圧が印加され非接触で給電する給電部とを備え、
   前記第１スイッチング素子および前記第２スイッチング素子の各々は、制御端子と、前記制御端子の印加電圧又は前記制御端子に流れる電流に応じて導通状態が変化する第１端子及び第２端子と、を有し、
   前記フルブリッジ回路における前記２つの直列回路のうち一方の直列回路では、前記第１スイッチング素子の前記第１端子は、直流電源の正極に接続され、前記第１スイッチング素子の前記第２端子は、前記第２スイッチング素子の前記第１端子に接続され、前記第２スイッチング素子の前記第２端子は、前記直流電源の負極に接続され、
   前記フルブリッジ回路における前記２つの直列回路のうち他方の直列回路では、前記第１スイッチング素子の前記第２端子は、前記直流電源の前記負極に接続され、前記第１スイッチング素子の前記第１端子は、前記第２スイッチング素子の前記第２端子に接続され、前記第２スイッチング素子の前記第１端子は、前記直流電源の前記正極に接続され、
   前記制御部は、前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子とが交互にオン状態となるように前記第１スイッチング素子および前記第２スイッチング素子を制御し、
   前記制御部は、前記第１スイッチング素子がオン状態からオフ状態になった時点から前記第２スイッチング素子がオフ状態からオン状態へ変化し始める時点までの間である休止期間に、前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子との少なくとも一方の前記第１端子及び前記第２端子間に印加された電圧の電圧値が前記休止期間の開始時の電圧値から第１閾値まで変化しない状態である第１条件の場合、あるいは、前記第２スイッチング素子の前記第１端子及び前記第２端子間に流れる電流の電流値が前記休止期間の開始時の電流値から第２閾値まで変化しない状態である第２条件の場合、前記第１スイッチング素子および前記第２スイッチング素子をオフ状態にしスイッチング動作を停止させる
   ことを特徴とする非接触給電装置。
2. 前記制御部は、前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子とが交互にオン状態となるように前記第１スイッチング素子および前記第２スイッチング素子を制御する制御回路と、前記第１スイッチング素子および前記第２スイッチング素子のスイッチング動作を停止させることが可能な停止部とを備え、
   前記停止部は、前記休止期間に、前記第１条件あるいは前記第２条件の場合、前記第１スイッチング素子および前記第２スイッチング素子をオフ状態にしスイッチング動作を停止させる
   ことを特徴とする請求項１記載の非接触給電装置。
3. 前記制御回路と前記停止部とは、別体に構成されている
   ことを特徴とする請求項２記載の非接触給電装置。
4. 前記第１条件は、前記第１スイッチング素子の前記第１端子及び前記第２端子間に印加された電圧である第１電圧の電圧値が前記第１閾値まで増加しない状態である
   ことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の非接触給電装置。
5. 前記第１電圧の電圧値が前記第１閾値まで増加しない状態は、前記第１電圧の電圧値が前記第１閾値よりも小さいときである
   ことを特徴とする請求項４記載の非接触給電装置。
6. 前記第１条件は、前記第２スイッチング素子の前記第１端子及び前記第２端子間に印加された電圧である第２電圧の電圧値が前記第１閾値まで減少しない状態である
   ことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の非接触給電装置。
7. 前記第２電圧の電圧値が前記第１閾値まで減少しない状態は、前記第２電圧の電圧値が前記第１閾値よりも大きいときである
   ことを特徴とする請求項６記載の非接触給電装置。
8. 前記第２条件は、前記第２スイッチング素子の前記第１端子及び前記第２端子間に流れる電流の向きが逆向きにならない状態である
   ことを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の非接触給電装置。
9. 前記第２条件において、前記第２スイッチング素子の前記第１端子及び前記第２端子間に流れる電流の電流値が前記第２閾値よりも大きい
   ことを特徴とする請求項８記載の非接触給電装置。
10. 請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載の非接触給電装置と、前記非接触給電装置から非接触で給電される非接触受電装置とを備えている
    ことを特徴とする非接触給電システム。

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