JP6631652B2 - フレームを有する微小電気機械構造体 - Google Patents

フレームを有する微小電気機械構造体 Download PDF

Info

Publication number
JP6631652B2
JP6631652B2 JP2018087341A JP2018087341A JP6631652B2 JP 6631652 B2 JP6631652 B2 JP 6631652B2 JP 2018087341 A JP2018087341 A JP 2018087341A JP 2018087341 A JP2018087341 A JP 2018087341A JP 6631652 B2 JP6631652 B2 JP 6631652B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
frame
rotor
microelectromechanical structure
gap
microelectromechanical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018087341A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018151394A (ja
Inventor
リトコネン、ヴィッレ−ペッカ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of JP2018151394A publication Critical patent/JP2018151394A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6631652B2 publication Critical patent/JP6631652B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/125Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0035Constitution or structural means for controlling the movement of the flexible or deformable elements
    • B81B3/0051For defining the movement, i.e. structures that guide or limit the movement of an element
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0064Constitution or structural means for improving or controlling the physical properties of a device
    • B81B3/0086Electrical characteristics, e.g. reducing driving voltage, improving resistance to peak voltage
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0009Structural features, others than packages, for protecting a device against environmental influences
    • B81B7/0022Protection against electrostatic discharge
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/05Type of movement
    • B81B2203/051Translation according to an axis parallel to the substrate
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P2015/0805Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
    • G01P2015/0808Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate
    • G01P2015/0811Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate for one single degree of freedom of movement of the mass
    • G01P2015/0814Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate for one single degree of freedom of movement of the mass for translational movement of the mass, e.g. shuttle type
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P2015/0862Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with particular means being integrated into a MEMS accelerometer structure for providing particular additional functionalities to those of a spring mass system
    • G01P2015/0871Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with particular means being integrated into a MEMS accelerometer structure for providing particular additional functionalities to those of a spring mass system using stopper structures for limiting the travel of the seismic mass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Description

発明の分野
本発明は、微小電気機械デバイス、および、特に独立請求項の前文に記載する微小電気機械構造体および微小電気機械デバイスに関する。
発明の背景
微小電気機械システム(マイクロエレクトロメカニカルシステム;Microelectromechanical System)、即ち、MEMSは、小型化されたマイクロシステムであって、少なくともいくつかの要素が機械的機能性を有するもの、と定義できる。MEMS構造体は、物理特性におけるごく僅かな変化の迅速かつ正確な検出のために適用することができる。
MEMSのミクロン規模の寸法が、シリコンウェハ上により多くのデバイスを組み込み、これにより、より安価な、広範な範囲の新しい応用の途が開かれた。しかしながら、サイズの極小化は、実装に対する新たな挑戦も生み出した。例えば、MEMS構造体における機械的機能の変位が、電気的構成部品によって、しばしば誘導され、制御され、および/または検出される。小型化された寸法において、電気的構成部品による内部の電磁または静電フィールドは、互いに、意図しない相互作用を起こして測定値に誤差を生じ得ることが理解される。機械的機能の誘導、制御、および検出はまた、外部の電磁または静電フィールドによるかく乱を受け得る。
発明の概要
本発明の目的は、最小化されたサイズにおける正確な測定を可能にする微小電気機械デバイスの構造体を提供することである。本発明の目的は、独立請求項の特徴部分に従う微小電気機械構造体、および微小電気機械デバイスを用いて達成される。
特許請求の範囲は、内部または外部の電気的かく乱をより受けにくい堅牢な微小電気機械構造体を規定する。該構造体は、支持体に懸架されている回転子を有する可動(mobile)要素と、支持体にアンカーされ(anchored)、かつ可動要素を囲む第1のフレームと、可動要素と第1のフレームとの間で、第1のフレームから電気的に絶縁されている、支持体にアンカーされ、かつ可動要素を囲む第2のフレームとを有する。回転子と、第2のフレームとは、同一の電位を有するように、直流的に連結されている。
また、特許請求の範囲は、微小電気機械構造体を含む微小機械デバイスも規定する。本発明の有利な実施態様は、従属請求項に開示される。
本発明のさらなる利点を以下の実施態様とともに詳述する。
図面の簡単な説明
以下に、好ましい実施態様に関連して、添付の図面を参照して、本発明をより詳細に説明する。
図1は、微小電気機械構造体の要素を示す。 図2Aは、可動要素とシールドフレームの例示的な構成を示す。図2Bは、関連する要素フレームの区画とともに、図2Aにおいて印をつけた区画Bの拡大図を示す。図2Cは、図2Aにおいて印をつけた区画Cの拡大図を示す。 図3は、微小電気機械構造体を含む微小電気機械デバイスの要素を示す。
いくつかの実施態様の詳細な説明
下記の各実施態様は例示である。明細書中において「或る」、「1つの」または「いくつかの」実施態様ということがあるが、これは、必ずしもこれらの語による言及が同じ実施態様を意味したり、1つの実施態様にのみ適用される特徴を意味したりするものではない。異なる実施態様の特徴を1つずつ組み合わせて更なる実施態様を提供してもよい。
以下、本発明の様々な実施態様を実施しうるデバイス構成の単純な実施例を用いて本発明の特徴を説明するが、実施態様の描写に関係のある要素のみを詳細に説明する。一般的に当業者に知られている微小電気機械構造体の様々な実装は、本明細書中に具体的に記載しないことがある。
微小電気機械構造体の例として、図1は、慣性センシングに適用し得る微小電気機械構造体の区画を示す。信号に変換される機械的エネルギー(あるいはその逆)を生成するために、微小電気機械構造体は、少なくとも1つの可動要素100を含むようにパターン形成されていてもよい。本明細書において、可動要素100は、懸架スプリング構造102によって支持体に懸架され、かつ支持体に対する運動をなし得る、ゼロでない質量の回転子を有する構造実体を指す。支持体の構造は、微小電気機械デバイスの他の本体要素によって、例えば、層状のシリコン・オン・インシュレータ(SOI)基板と別々にまたは組み合わせて提供される、下層のハンドルウェハ、または被覆するキャップウェハによって、提供されていてもよい。
可動要素100の回転子は、少なくとも1つの方向において可動要素の振動質量体の変位に対して柔軟であり、かつ、他の方向において振動質量体の変位に対して非常に剛性である、懸架スプリング構造102を通して支持体に懸架されていてもよい。懸架スプリング構造102は、標準状態において、設計方向の構造的設計限界の規定範囲内における回転子の運動を許容し、かつ他の方向における可動要素の運動を拒絶するように構成されていてもよい。
可動要素の運動は、例えば容量的に、誘導されまたは検出されてもよい。このために、可動要素100は、固定子を含んでいてもよい。本明細書において、用語「固定子(stator)」は、支持体にアンカーされて、回転子の1以上の可動電極のための1以上の固定電極を形成する可動要素の一部を指す。固定電極および可動電極のペアは、コンデンサを形成し、容量的センシングは、コンデンサの静電容量を変化させる外部の物理パラメータに依存する。これは、コンデンサ電極間の分離(separation)または重なり合う領域を変化させることによって起こり得る。一定の電圧がコンデンサに加えられるとき、静電容量における変化、ひいては回転子の運動は、例えば、ブリッジ回路を用いて測定され得る。
微小電気機械構造体は、有利には、層から犠牲材料を除去することによって層に沿って面内に延びるようにパターン形成されている構成部品を含む層要素である。微小電気機械構造体は、本明細書において、要素フレーム104と呼ばれる第1のフレームを含んでいてもよい。本明細書において、用語「フレーム(frame)」は、支持体にアンカーされていてもよい、可動要素100を囲む外周の構造を指す。フレームは、必ずしも連続的な形状を有していなくてもよいことが理解される。従って、要素フレーム104は、単一の外縁の構造であってもよく、または、可動要素100の周りの外縁境界線を共同して形
成するように配置される1以上のフレームの部分区画(subsections)を含んでいてもよい。また、要素フレーム104は、他の要素も囲んでいてもよいことが理解される。例えば、層要素は、(垂直方向の)異なる軸における運動を検出するための1以上の可動要素と、それらの可動要素の全てを外縁から囲む要素フレーム104とを含んでいてもよい。要素フレーム104は、内部の可動要素に機械的保護を提供し、および/または機密密封を可能にする。同時に、可動要素を外部の電気的かく乱から隔離する導電性の筐体を提供する。要素フレーム104は、定電圧V1、好ましくは接地GNDに接続されていてもよい。
また、微小電気機械構造体は、本明細書において、シールドフレーム106と呼ばれる第2のフレームも含んでいてもよい。また、シールドフレーム106は、可動要素100の周りを囲むが、フレーム要素104と可動要素100の間に配置されている。また、シールドフレーム106は、単一の外縁の構造であってもよく、または、外縁境界線を共同で形成するように配置される1以上のフレームの部分区画を含んでいてもよい。層要素が1以上の可動要素を含む場合は、有利には、各可動要素は、専用のシールドフレームによって囲まれている。外周を囲む要素は、外周を囲まれた単数または複数の要素から、少なくとも1つの要素ギャップによって分離されている。ニュートラル状態においては、図1の第1のギャップ108は、要素フレーム104をシールドフレーム106から分離し、かつ第2のギャップ110は、シールドフレーム106を可動要素100から分離する。シールドフレーム106と、可動要素100の回転子とは、同一の定電圧V2にそれらを接続する直流的な接続を有する(即ち、導電性の材料によって電気的に接続されている)が、第1のギャップ108がシールドフレーム106を要素フレーム104から電気的に絶縁する。
作動時、電気的制御回路は、典型的には、要素フレームに供給される電圧V1と、回転子に供給されるV2とを同一に保つように構成されている。しかしながら、内部のコンデンサ電圧と外部のかく乱のために、これは十分には達成されず、いくらかの電位差が要素フレームと回転子との間に存在しがちである。シールドフレーム106は、V1とV2の間の無作為の電位誤差によって生ずる誤差を効果的に最小化する。
特別な状況においては、可動要素100の回転子は、設計限界を超えて変位するかもしれない。このような状況のために、微小電気機械構造体は、動作制限器を有していてもよい。それらの役割は、回転子が変位し得る最大距離を機械的に制御すること、および/または設計限界を超過したときに制御された方法でエネルギーを消散させることである。従来の構造においては、動作制限器は、典型的に要素フレームと回転子の間にある。しかしながら、電位差に起因して、回転子と要素フレームとの間の接触が要素を短絡させて、その結果、くっついたり、および/または、回転子の静電容量におけるエラーを生じさせたりする。
本構造において、回転子と隣接する要素の間の電位差はゼロであり、それらの間で何らかの接触があっても上述の有害な影響を起こさない。具体的には、従来の多軸センサにおいては、共通の回転子電位が検出に適用されており、外部の衝撃によって生ずる接触は、全方向、即ち、すべての検出軸の信号の損失を意味する。本実施形態においては、接触は、1つの軸の方向において起こり得るが、回転子の電位には無影響である。シールドフレームは、このように検出軸を互いに分離し、これにより、1つの検出軸の方向における衝撃と信号の損失が、他の検出軸の方向における検出エラーを直接生じさせない。動作制限器構造体は、したがって、シールドフレーム106に安全に配置され得る。有利には、しかし、必ずしも必要でないが、動作制限器構造体は柔軟であり、衝撃時に接触する構造要素の損傷のリスクを減少させる。
有利には、シールドフレーム106は、可動要素100の近くに配置される。2つの表面により形成される狭いギャップが、それら表面に垂直な気体の変位を制限することが知られている。これら表面の運動がギャップを絞るとき、気体の圧力は増加し、運動を減速させる。これらの表面が近くにあるほど、より効率的に運動を減速させる。従来の適用においては、可動要素の櫛型構造は、典型的に、少なくとも1つの方向において、該当する気体の減衰を可能にする距離を含んでいる。他の方向においては、気体の減衰は効果的ではない。
結果として、容量型の櫛型構造を適用するミクロスケールの加速度計において、第2のギャップ110の幅は、有利には、櫛型のギャップの幅のオーダーである。固定子に対する回転子の位置が懸架スプリング構造に依存するニュートラル状態において、櫛型のギャップは、平行かつ隣接する、固定子と回転子の櫛型のバーの間の距離に対応すると考え得る。第2のギャップ110の幅は、有利には、そのような櫛型のキャップの幅の0.5倍〜5倍である。シールド電極106は、非常に狭い第2のギャップを提供可能にし、したがって、全方向における可動要素100の回転子について、非常に効率的な気体の減衰を可能にする。要素フレーム104、具体的には第2のギャップは、他方で、他の操作パラメータまたは製造要件に従って自由に寸法決定してもよい。
図2Aは、可動要素とシールドフレームの例示的な構成を示す。図2Bは、関連する要素フレームの区画とともに、図2Aにおいて印をつけた区画Bの拡大図を示す。図2Cは、図2Aにおいて印をつけた区画Cの拡大図を示す。図2A〜図2Cから分かるように、微小電気機械構造体は、可動回転子櫛型200と固定子櫛型202とを有する櫛型構造として実装される可動要素を含んでいてもよい。可動回転子櫛型200は、回転子フレーム204から内側に延びていてもよい。回転子フレーム204は、アンカーされたシールドフレーム206に囲まれていてもよく、また、シールドフレーム206はアンカーされた要素フレーム220によって囲まれていてもよい。このように、第1のギャップ224は、要素フレーム220とシールドフレームとの間の要素ギャップであり、また、第2のギャップ218は、シールドフレーム206と回転子フレーム204との間の要素ギャップである。回転子フレーム204は、第1の方向Dにおいて自由度を有していてもよい。
図2A〜図2Cの例示的な可動要素は、可動要素内に、第1の動作制限器の段階のためのインパクト(衝撃)要素226を含んでいる。第1の動作制限器の段階は、ビームの組み合わせを用いて実現されていてもよく、それらの一方はアンカーに連結されており、他方は回転子フレーム204に連結されている。ビームの外側端(lateral end)は、可動要素と回転子フレーム204の間の第2のギャップ218よりも狭い第1の制限器のギャップ222によって、方向Dにおいて分離されている。どこかの時点で、方向Dにおける回転子フレーム204の運動が増加するとき、第1の制限器のギャップ222が閉じ、ビームの端部が接触し、運動を制限する。
図2A〜図2Cの例示的な可動要素は、また、可動要素とシールドフレームとの間に第2の動作制限器の段階も含んでいる。図に示すように、第2のインパクト要素として、アンカーされたシールドフレーム206は、回転子フレーム204から第2のギャップ218によって分離されている1以上のフレーム突起部216を含んでいてもよい。正しい順序の接触を可能にするために、方向Dにおける第2のギャップ218の範囲は、第1の制限器のギャップ222の範囲(即ち、方向Dにおける第1の動作制限器の段階のビームの外側端の間の距離)よりも大きい。
したがって、設計限界からのわずかな逸脱の場合、回転子フレーム204は、方向Dに運動してもよく、すると直ちに第1のビームが互いに接触して、過度の運動に弾性的に対抗する。ビームの接触面の最適化された形状により、それらの面間の接着力は、最小限で
あり、これにより、懸架スプリング構造による復元力が、接触後の要素間を引き離すのに十分となるように、容易に構成し得る。ビームの復元力は、それゆえ、通常のオーバーロード状態において、実質的に堅固に現れるように配置され得る。
回転子フレーム204の運動がより大きい場合、ビームが曲がり、フレーム突起部216が、いずれ回転子フレーム204と接触するに至る。有利には、第1の動作制限器の段階におけるビームのバネ定数は、第2のインパクト要素における接触面間の接着力を克服し、かつ接触後の運動に回転子フレームを引き戻すのに十分な復元力を提供するように構成される。この2段階の動作制限器の機構は、回転子の運動が意図されている(自由度を有するように懸架されている)方向であって、支持するスプリング構造が提供する復元力が非常に低い方向において、特に重要である。異なって最適化されている動作制限器の段階の組み合わせは、最小限の表面積において実装され得、かつ、組み合わせられて、作動時の様々なかく乱から効率的に復旧できるようにする。
シールドフレーム206と回転子フレーム204との間の第2のギャップ218は、ごく小さく保つことができ、構造における効率的な気体の減衰を可能にする。図2A〜図2Cの実施形態において、第2のギャップ218の幅は、回転子櫛型200と固定子櫛型202との間の櫛型のギャップの幅に等しい。回転子フレーム204とシールドフレーム206とは同一の電位であるが、第2の動作制限器の段階の動作制限器構造体を経由して起こり得る接触は、要素を短絡しない。シールドフレーム206は、回転子フレーム204の運動に対する内部の電磁または静電フィールドの影響を除去し、かつ、それと同時に、効率的な運動制限手段を可能にする。要素フレーム220は、内部要素を囲んで、外部の電気的かく乱から電気的に遮蔽する。
概略的な図3は、図1および図2を用いて上述した微小電気機械構造体を含む例示的な微小電気機械デバイスの原理を示す。微小電気機械デバイスは、第1の部分300と、第2の部分302とを含んでいてもよい。第1の部分300は、微小電気機械構造体を含む、機械的要素を含んでいてもよい。第2の部分302は、電気的信号を微小電気機械構造体から入力するように接続されている電気的回路を含んでいてもよい。図3に示すように、第1の部分内において生成される1以上の信号は、第2の部分302の電気的回路に入力されてもよい。電気的回路に入力される該1以上の信号は、慣性センサの測定結果を表す信号Sを発生させるために使用されてもよい。
微小電気機械デバイスは、様々なセンサ要素を含む複合的なセンサ要素に含まれていてもよく、その例を挙げれば、有線または移動コンピューティング、ゲーム用または通信用デバイス、測定デバイス、レンダリングデバイス、または車両用機能制御ユニット等がある。
技術の進歩に従い、本発明の基本概念が様々な方法で実施し得ることは、当業者に自明である。従って、本発明およびその実施態様は、上記の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲の適用範囲内で変化しうるものである。

Claims (10)

  1. 微小電気機械構造体であって、当該微小電気機械構造体は、
    第1の静電容量型の要素(100)と、第1のフレーム(104)と、第2のフレーム(106)とを有し、これらは、当該微小電気機械構造体の材料層にパターン形成されたものであり、
    前記第1の静電容量型の要素(100)は、固定子と回転子を含んでおり、前記固定子は、固定電極を構成するように支持体にアンカーされ、かつ、前記回転子は、可動要素を構成するように前記支持体に懸架され、
    前記回転子は、回転子フレームを有し、かつ、該回転子フレームから内側に延びている回転子櫛型部を有し、
    前記回転子は、第1の方向への並進運動のための自由度を有、該第1の方向は、当該微小電気機械構造体の前記材料層に平行な方向であり、
    前記第1の静電容量型の要素(100)は、互いに平行にかつ隣合って配置された複数の櫛型のバーを有する櫛型構造であり、
    前記固定電極の櫛型部と前記可動電極の櫛型部は、コンデンサを形成し、該コンデンサの静電容量は、第1の方向への前記回転子の運動によって変化するものであり、
    前記第1のフレーム(104)は、前記支持体にアンカーされ、かつ、当該微小電気機械構造体の前記材料層内において、前記第1の静電容量型の要素の固定子と回転子を囲んでおり、
    前記第2のフレーム(106)は、前記支持体にアンカーされ、かつ、当該微小電気機械構造体の前記材料層内において、前記第1の静電容量型の要素(100)と前記第1のフレーム(104)との間で、前記第1の静電容量型の要素の固定子と回転子を囲み、かつ、前記第2のフレームは、前記第1のフレーム(104)から電気的に絶縁されており、
    前記回転子と前記第2のフレーム(106)とは、同一の電位を有するように、直流的に連結されており、
    当該微小電気機械構造体は、互いに同一の電位になっている前記回転子と前記第2のフレームとの間の要素ギャップ(218)が閉じることによって作動される動作制限器構造体を含んでおり、該要素ギャップは、当該微小電気機械構造体の前記材料層内にある、
    前記微小電気機械構造体。
  2. 前記微小電気機械構造体が、1以上の更なる静電容量型の要素を含み、該静電容量型の要素の各々が専用の第2のフレームによって囲まれており、かつ前記第1のフレームが、当該微小電気機械構造体における全ての静電容量型の要素を囲んでいることを特徴とする、請求項1に記載の微小電気機械構造体。
  3. 前記第1の静電容量型の要素の前記回転子が、第1の方向(D)において自由度を有するように懸架されており、
    当該微小電気機械構造体が、少なくとも1つの他の静電容量型の要素を含んでおり、
    前記他の静電容量型の要素の前記回転子が、前記第1の方向に垂直な方向において自由度を有するように懸架されている
    ことを特徴とする、請求項2に記載の微小電気機械構造体。
  4. 前記第2のフレームが、前記動作制限器構造体の少なくとも1つのインパクト要素を含んでいることを特徴とする、請求項1に記載の微小電気機械構造体。
  5. 当該微小電気機械構造体が、前記要素ギャップ内に動作制限器構造体を提供する少なくとも2つのインパクト要素を含み、それら動作制限器構造体が、連続する順番にて作動されることを特徴とする、請求項1に記載の微小電気機械構造体。
  6. 前記2つのインパクト要素が、第1のインパクト要素(226)と第2のインパクト要素(216)を含んでおり、
    第1のインパクト要素(226)は、特定の方向における前記回転子の変位に応答して第1の制限器のギャップ(222)を閉じることによって接触を誘発されるものであり、前記第1の制限器のギャップ(222)が前記特定の方向において前記要素ギャップ(218)よりも小さいものであり、
    第2のインパクト要素(216)は、前記特定の方向における前記第1の静電容量型の要素の変位に応答して前記要素ギャップ(218)を閉じることによって接触を誘発されるものである、請求項5に記載の微小電気機械構造体。
  7. 前記第1のインパクト要素が、弾性要素を含んでいることを特徴とする、請求項6に記載の微小電気機械構造体。
  8. 前記弾性要素が、前記特定の方向におけるバネ定数を提供し、前記バネ定数が、前記第2のインパクト要素における前記接触の接着力よりも大きい復元力を提供するように構成されていることを特徴とする、請求項7に記載の微小電気機械構造体。
  9. 前記回転子と前記第2のフレームとの間の前記要素ギャップの幅が、前記櫛型のギャップの幅に等しいことを特徴とする、請求項に記載の微小電気機械構造体。
  10. 請求項1〜のいずれか一項に記載の微小電気機械構造体を有することを特徴とする、微小電気機械デバイス。
JP2018087341A 2014-02-26 2018-04-27 フレームを有する微小電気機械構造体 Active JP6631652B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20145186 2014-02-26
FI20145186A FI126599B (en) 2014-02-26 2014-02-26 Microelectromechanical frame structure

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016554176A Division JP6559149B2 (ja) 2014-02-26 2015-02-26 フレームを有する微小電気機械構造体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018151394A JP2018151394A (ja) 2018-09-27
JP6631652B2 true JP6631652B2 (ja) 2020-01-15

Family

ID=52823714

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016554176A Active JP6559149B2 (ja) 2014-02-26 2015-02-26 フレームを有する微小電気機械構造体
JP2018087341A Active JP6631652B2 (ja) 2014-02-26 2018-04-27 フレームを有する微小電気機械構造体

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016554176A Active JP6559149B2 (ja) 2014-02-26 2015-02-26 フレームを有する微小電気機械構造体

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10429406B2 (ja)
EP (1) EP3111234B1 (ja)
JP (2) JP6559149B2 (ja)
CN (1) CN106030315B (ja)
FI (1) FI126599B (ja)
TW (1) TWI660905B (ja)
WO (1) WO2015128821A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021148796A (ja) * 2020-03-18 2021-09-27 株式会社村田製作所 機械的に分離された試験質量を有するmems加速度計

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9725299B1 (en) * 2016-01-27 2017-08-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. MEMS device and multi-layered structure
US9604840B1 (en) * 2016-01-27 2017-03-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Comapny Ltd. MEMS device

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6308569B1 (en) 1999-07-30 2001-10-30 Litton Systems, Inc. Micro-mechanical inertial sensors
JP4636220B2 (ja) 2001-09-03 2011-02-23 トヨタ自動車株式会社 物理量検出装置
JP3987382B2 (ja) * 2002-06-11 2007-10-10 富士通株式会社 マイクロミラー素子およびその製造方法
US7539003B2 (en) 2005-12-01 2009-05-26 Lv Sensors, Inc. Capacitive micro-electro-mechanical sensors with single crystal silicon electrodes
US8146425B2 (en) 2008-09-05 2012-04-03 Analog Devices, Inc. MEMS sensor with movable z-axis sensing element
US8939029B2 (en) 2008-09-05 2015-01-27 Analog Devices, Inc. MEMS sensor with movable Z-axis sensing element
US8186221B2 (en) 2009-03-24 2012-05-29 Freescale Semiconductor, Inc. Vertically integrated MEMS acceleration transducer
JP5223003B2 (ja) 2009-06-03 2013-06-26 アルプス電気株式会社 物理量センサ
WO2011016859A2 (en) 2009-08-04 2011-02-10 Cenk Acar Micromachined inertial sensor devices
JP5285540B2 (ja) 2009-08-25 2013-09-11 パナソニック株式会社 静電容量式センサ
FR2957414B1 (fr) * 2010-03-15 2012-09-28 Commissariat Energie Atomique Capteur de force a bruit reduit
US8555720B2 (en) 2011-02-24 2013-10-15 Freescale Semiconductor, Inc. MEMS device with enhanced resistance to stiction
US8596123B2 (en) 2011-05-05 2013-12-03 Freescale Semiconductor, Inc. MEMS device with impacting structure for enhanced resistance to stiction
US20130019678A1 (en) 2011-07-22 2013-01-24 Lazaroff Dennis M Limiting travel of proof mass within frame of MEMS device
JP5790297B2 (ja) * 2011-08-17 2015-10-07 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー及び電子機器
WO2013071118A1 (en) 2011-11-09 2013-05-16 Robert Bosch Gmbh Proof mass positioning features having curved contact surfaces
JP5979344B2 (ja) 2012-01-30 2016-08-24 セイコーエプソン株式会社 物理量センサーおよび電子機器
JP2013217844A (ja) 2012-04-11 2013-10-24 Panasonic Corp Memsデバイス
JP2013217835A (ja) 2012-04-11 2013-10-24 Panasonic Corp 半導体物理量センサ
DE102012207939A1 (de) 2012-05-11 2013-11-14 Robert Bosch Gmbh Federnder Anschlag für Beschleunigungssensor
JP5772873B2 (ja) 2012-06-13 2015-09-02 株式会社デンソー 静電容量式物理量センサ

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021148796A (ja) * 2020-03-18 2021-09-27 株式会社村田製作所 機械的に分離された試験質量を有するmems加速度計
JP7070746B2 (ja) 2020-03-18 2022-05-18 株式会社村田製作所 機械的に分離された試験質量を有するmems加速度計

Also Published As

Publication number Publication date
EP3111234A1 (en) 2017-01-04
EP3111234B1 (en) 2018-04-04
TWI660905B (zh) 2019-06-01
CN106030315B (zh) 2020-06-09
US20150241467A1 (en) 2015-08-27
FI20145186A (fi) 2015-08-27
JP2018151394A (ja) 2018-09-27
US10429406B2 (en) 2019-10-01
TW201544444A (zh) 2015-12-01
CN106030315A (zh) 2016-10-12
JP6559149B2 (ja) 2019-08-14
FI126599B (en) 2017-03-15
WO2015128821A1 (en) 2015-09-03
JP2017509495A (ja) 2017-04-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI656346B (zh) 功能性元件、加速度感測器及開關
JP6300402B2 (ja) スティクション耐性memsデバイスおよび動作方法
JP6631652B2 (ja) フレームを有する微小電気機械構造体
US8272266B2 (en) Gyroscopes using surface electrodes
EP3014285B1 (en) Capacitive micromechanical sensor structure and micromechanical accelerometer
TWI619668B (zh) 微機電結構與裝置
US20140298910A1 (en) Microelectromechanical z-axis out-of-plane stopper
WO2013115967A1 (en) Mems proof mass with split z-axis portions
WO2011016859A2 (en) Micromachined inertial sensor devices
JP6067026B2 (ja) マイクロ電気機械システム(mems)
US9448070B2 (en) Gyrometer with reduced parasitic capacitances
JP2015031692A (ja) 強いショックおよび加速のときのロバスト動作のためのmems装置増強
CN107003333B9 (zh) Mems 传感器和半导体封装
Benjamin et al. Design and implementation of a bistable force/acceleration sensing device considering fabrication tolerances
JP2012163507A (ja) 加速度センサ
TW201908695A (zh) 電容式微機電加速度計
JP6267357B2 (ja) ガルバニック絶縁した分割動作構造を有する微小機械コンポーネント、およびその駆動方法
Tay et al. A differential capacitive low-g microaccelerometer with mg resolution
Tez et al. Fabrication of a sandwich type three axis capacitive MEMS accelerometer
EP3347674B1 (en) An electrode for a microelectromechanical device
US20190271717A1 (en) Accelerometer sensor
JP2013152111A (ja) 加速度センサ
US20180188028A1 (en) Single-gap shock-stop structure and methods of manufacture for micro-machined mems devices
JP2010078421A (ja) 加速度センサ
MX2012008561A (es) Sensor de extructura capacitiva para acelerometro.

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180524

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180524

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190307

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190319

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20190509

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190718

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20191112

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20191125

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6631652

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150