JP6630878B2 - ダイヤモンド結晶製造装置及びダイヤモンド結晶製造方法 - Google Patents
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- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims description 101
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims description 100
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 78
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 51
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 83
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 74
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 14
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 9
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 8
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000001678 elastic recoil detection analysis Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- -1 that is Chemical compound 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Description
<1> ダイヤモンドライクカーボン膜に、波長350nm以下の深紫外光を照射し、照射された領域の少なくとも一部にダイヤモンド結晶粒子を生成させる照射手段を有するダイヤモンド結晶製造装置。
<2> 前記照射手段は、前記ダイヤモンドライクカーボン膜に対して0.25mW〜10mWの出力の深紫外光を照射する<1>に記載のダイヤモンド結晶製造装置。
<3> 前記照射手段は、前記ダイヤモンドライクカーボン膜に対して0.5μm〜10μmのスポットサイズで深紫外光を照射する<1>又は<2>に記載のダイヤモンド結晶製造装置。
<4> 前記照射手段は、前記ダイヤモンドライクカーボン膜に対する深紫外光の照射を1分〜20分行なう<1>〜<3>のいずれか1つに記載のダイヤモンド結晶製造装置。
<6> 前記ダイヤモンドライクカーボン膜は、水素含有量が3質量%以下である<5>に記載のダイヤモンド結晶製造方法。
<7> 前記ダイヤモンドライクカーボン膜は、テトラヘドラルアモルファスカーボンから構成される<5>又は<6>に記載のダイヤモンド結晶製造方法。
<8> 前記ダイヤモンドライクカーボン膜は、金属基材上に形成された膜である<5>〜<7>のいずれか1つに記載のダイヤモンド結晶製造方法。
本実施形態に係るダイヤモンド結晶製造方法は、ダイヤモンドライクカーボン膜に、波長350nm以下の深紫外光を照射し、照射された領域の少なくとも一部にダイヤモンド結晶粒子を生成させる方法である。例えば、図1に示すように、後述する基材2上のDLC膜1に深紫外光3を照射することにより、照射された領域の少なくとも一部にダイヤモンド結晶粒子が生成される。
(基材の鏡面研磨)
本実施例では、基材として純鉄を用いた。まず、円盤状に切り出した純鉄の表面に鏡面研磨を行なった。具体的には、#80〜#4000の耐水SiC研磨紙を用い、最後に粒度0.04μmのコロイド状シリカを含む懸濁液で鏡面研磨を行なった.
鏡面研磨を施した基材の表面に、特開2007−9303号公報に記載の方法、具体的には、DLC膜形成用のカーボンを蒸発させてプラズマを発生させ、被処理物である基材を発生させたプラズマにより表面処理加工することで厚さ約0.3μmであるDLC膜を成膜した。
次に、図2に概略図で示されている深紫外光照射システム100におけるXYZステージ8にDLC膜10が成膜された基材を装着し、深紫外光の出力、スポットサイズ、照射時間、照射位置などを設定して、DLC膜に対して深紫外光を照射した。このとき、深紫外光の波長は260nmであり、深紫外光の出力、スポットサイズ、照射時間は、それぞれ10mW、1μm、10分であった。これによりDLC膜の深紫外光が照射された領域の少なくとも一部にダイヤモンド結晶を生成した。
次に、実施例1と同様にして、純鉄の基材にDLC膜を成膜し、DLC膜に対して523nmの可視光を照射した。本比較例では、DLC膜に対して260nmの深紫外光の代わりに523nmの可視光を照射したこと以外は、実施例1と同一の条件で光照射を行なった。しかしながら、DLC膜の可視光が照射された領域にダイヤモンド結晶は生成されなかった。
Claims (7)
- ダイヤモンドライクカーボン膜に、波長350nm以下の深紫外光を照射し、照射された領域の少なくとも一部にダイヤモンド結晶粒子を生成させる照射手段を有し、
前記照射手段は、前記ダイヤモンドライクカーボン膜に対して0.25mW〜10mWの出力の深紫外光を照射するダイヤモンド結晶製造装置。 - 前記照射手段は、前記ダイヤモンドライクカーボン膜に対して0.5μm〜10μmのスポットサイズで深紫外光を照射する請求項1に記載のダイヤモンド結晶製造装置。
- 前記照射手段は、前記ダイヤモンドライクカーボン膜に対する深紫外光の照射を1分〜20分行なう請求項1又は請求項2に記載のダイヤモンド結晶製造装置。
- ダイヤモンドライクカーボン膜に、0.25mW〜10mWの出力にて波長350nm以下の深紫外光を照射し、照射された領域の少なくとも一部にダイヤモンド結晶粒子を生成させるダイヤモンド結晶製造方法。
- 前記ダイヤモンドライクカーボン膜は、水素含有量が3質量%以下である請求項4に記載のダイヤモンド結晶製造方法。
- 前記ダイヤモンドライクカーボン膜は、テトラヘドラルアモルファスカーボンから構成される請求項4又は請求項5に記載のダイヤモンド結晶製造方法。
- 前記ダイヤモンドライクカーボン膜は、金属基材上に形成された膜である請求項4〜請求項6のいずれか1項に記載のダイヤモンド結晶製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015208371A JP6630878B2 (ja) | 2015-10-22 | 2015-10-22 | ダイヤモンド結晶製造装置及びダイヤモンド結晶製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015208371A JP6630878B2 (ja) | 2015-10-22 | 2015-10-22 | ダイヤモンド結晶製造装置及びダイヤモンド結晶製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017081765A JP2017081765A (ja) | 2017-05-18 |
JP6630878B2 true JP6630878B2 (ja) | 2020-01-15 |
Family
ID=58711739
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015208371A Active JP6630878B2 (ja) | 2015-10-22 | 2015-10-22 | ダイヤモンド結晶製造装置及びダイヤモンド結晶製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6630878B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007210821A (ja) * | 2006-02-08 | 2007-08-23 | Japan Atomic Energy Agency | レーザーによる硬質材料の合成方法と表面改質方法 |
JP5669117B2 (ja) * | 2013-11-05 | 2015-02-12 | 国立大学法人豊橋技術科学大学 | Dlc膜の製造方法 |
-
2015
- 2015-10-22 JP JP2015208371A patent/JP6630878B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017081765A (ja) | 2017-05-18 |
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