JP6630142B2 - 静電気検出装置 - Google Patents

静電気検出装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6630142B2
JP6630142B2 JP2015247127A JP2015247127A JP6630142B2 JP 6630142 B2 JP6630142 B2 JP 6630142B2 JP 2015247127 A JP2015247127 A JP 2015247127A JP 2015247127 A JP2015247127 A JP 2015247127A JP 6630142 B2 JP6630142 B2 JP 6630142B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin plate
plate
sensor
electrostatic charging
static electricity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015247127A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017111073A (ja
Inventor
栄 松崎
栄 松崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Priority to JP2015247127A priority Critical patent/JP6630142B2/ja
Publication of JP2017111073A publication Critical patent/JP2017111073A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6630142B2 publication Critical patent/JP6630142B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

本発明は、被加工物が加工される加工装置内のいずれの箇所で静電気が発生しやすいのかを検証するための静電気検出装置に関する。
IC、LSI等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、研削装置によって裏面が研削され所定の厚さに形成された後、ダイシング装置、レーザー加工装置等により個々のデバイスに分割され、携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。
例えば、図3に示したダイシング装置10を例にとって説明するように、ダイシング装置10は、保護テープTを介してフレームFに保持されたウエーハを収容したカセットが載置されるカセットテーブル11と、カセットからウエーハを搬出する搬出入手段12と、搬出されたウエーハを仮受けする仮受け手段からチャックテーブル14までウエーハを搬送する搬送手段13と、チャックテーブル14に保持されたウエーハを切削加工する切削加工手段15と、加工されたウエーハをチャックテーブル14から搬出手段16によって搬送され搬送されたウエーハを洗浄する洗浄手段17と、から概ね構成されていて、ウエーハは、該ダイシング装置内の各所に搬送されて所望の加工が施されるようになっている。ここで、ウエーハが該加工装置内の各所に搬送、加工されている間にウエーハに静電気が帯電することがあり、各ウエーハに形成された各IC、LSI等のデバイスの品質を低下させるという問題がある(例えば、特許文献1を参照。)。これは、ダイシング装置のみならず、ウエーハを加工する研削装置、レーザー加工装置等においても同様のことがいえる。
特開2002−066865号公報
そこで、被加工物が装置内を搬送されている最中に、該装置のどの場所で静電気が発生しやすいかを検証できれば、除電手段(イオナイザ)を適切な箇所に設置する等の対策を講じることができる。
しかし、従来の一般的に知られている静電気測定器は、静電気を測定するための検出器のサイズが大きく、スペースが限られた装置内での取り回しが困難であり、実際の加工工程に即して、いずれの箇所において静電気が発生するのかを適切に検出する有効な方法がなかった。
本発明は、上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、被加工物を装置内部で搬送しながら種々の加工を行う加工装置内においても静電気の帯電を検出できる静電気検出装置を提供することにある。
上記主たる技術課題を解決するために、本発明によれば、静電気検出装置であって、静電気帯電部板と、該静電気帯電部板に帯電した静電容量を検出するセンサーと、該センサーの検出値を送信する送信部と、該静電気帯電部板を支持すると共に該センサーを収容する収容室を備えた収容ケースと、から少なくとも構成された検出体と、該送信部から送信された検出値を受信する受信機と、から構成され、該センサーは、片持ちで支持部に支持されると共に該静電気帯電部板に対面する導電体薄板と、静電気帯電部板と反対側で該導電体薄板と平行に対面し、該支持部に片持ちで支持された裏面に導電体箔が配設された絶縁体薄板と、該導電体薄板の自由端部と該絶縁体薄板の自由端部とを連結する連結部材と、から構成された可動部と、該絶縁体薄板の裏面に配設された導電体箔と対面して配設された渦電流式変位センサーと、から構成される静電気検出装置が提供される。
静電気帯電部板に対面する導電体薄板をアルミ箔から構成し、該導電体薄板と平行に対面し、片持ちで支持された該絶縁体薄板をポリイミドから構成し、該導電体薄板の自由端部と該絶縁体薄板の自由端部とを連結する連結部材を糸状部材から構成することが好ましい。
また、該検出体は、検出すべき装置の搬送手段によって被加工物の如く搬送されて装置内の各所における静電容量を検出する静電気検出装置に適用することができ、該受信機は、検出された静電容量の値を経過時間と共に記憶する記憶部を備えるようにすることが好ましい。
本発明における静電気検出装置は、静電気帯電部板と、該静電気帯電部板に帯電した静電容量を検出するセンサーと、該センサーの検出値を送信する送信部と、該静電気帯電部板を支持すると共に該センサーを収容する収容室を備えた収容ケースと、から少なくとも構成された検出体と、該送信部から送信された検出値を受信する受信機と、から構成され、該センサーは、片持ちで支持部に支持されると共に該静電気帯電部板に対面する導電体薄板と、静電気帯電部板と反対側で該導電体薄板と平行に対面し、該支持部に片持ちで支持された裏面に導電体箔が配設された絶縁体薄板と、該導電体薄板の自由端部と該絶縁体薄板の自由端部とを連結する連結部材と、から構成された可動部と、該絶縁体薄板の裏面に配設された導電体箔と対面して配設された渦電流式変位センサーと、から構成されるため、ダイシング装置等の加工装置における搬送手段によって該検出体が各所に搬送されている最中の静電容量をリアルタイムで検出することが可能となり、検出対象となっている装置のどの場所で静電気が発生しやすいのかを認識して除電手段(イオナイザ)を適切な場所に配設する等の対策を講じることができる。
本発明に基づき構成される静電気検出装置の検出体を示す斜視図。 本発明に基づき形成される検出体のA−A断面図、該断面図の要部拡大図、及び受信機を説明する説明図。 本発明が適用される一例として示されるダイシング装置。
以下、本発明の静電気検出装置の好適な実施形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
図1、2には、本発明に従って構成される静電気検出装置の構成する検出体20、受信機30が示されている。検出体20は、該当する装置の被加工物の形状に合わせて形成することができ、図3に示すダイシング装置に適用される直径が200mmの円板形状のウエーハを模して形成されており、該ダイシング装置にて搬送される実際のウエーハと同様に、保護テープTを介して環状のフレームFに保持される。本実施形態の検出体20は、帯電しやすい塩化ビニールからなる静電気帯電部板21、半導体材料として知られたSi(ケイ素)からなる収容ケース22から構成されている。なお、静電気帯電部板21については、塩化ビニールに限定されず、静電気が発生しやすい箇所を発見しやすいように、帯電しやすい材料、例えば、ポリエチレン、ポリウレタン、アクリル等の周知の材料から適宜選択することができると共に、必ずしも帯電しやすい材料であることにも限定されない。例えば、実際に加工に供されるウエーハが半導体Siウエーハであるならば、実際の被加工物に帯電する状況を確認すべく、静電気帯電部板21も収容ケース22と同様にSiから形成することにしてもよい。
収容ケース22は、その中央に静電容量を検出するためのセンサー23を収容したセンサー収容部22aと、該センサー23からの信号を図2に示す受信機30に周知の無線方式にて送信する送信部24を収容した送信部収容部22bと、該センサー23、送信部24に電力を供給する電源25を収容した電源収容部22cと、を備えている。
センサー23は、可動部230と、渦巻き状の平面コイルを内蔵した円板形状の渦電流式変位センサー236から構成され、該渦電流式変位センサー236には、付与される電圧に応じた周波数で発振する発振部と、発振周波数を積算するカウンタとを備えたICチップが付帯(図示は省略)している。この渦電流式変位センサー236は、平面コイルを内蔵する面と対面する位置に存在する導電体との位置に応じて、出力される周波数が変化するように構成されており、対面する導電体が平面コイルを内蔵する面から離れると、渦電流式変位センサーから出力される発振周波数が低くなるようになっている。すなわち、該発振周波数の変化を検知することで、平面コイルを内蔵する渦電流式変位センサー236と、対面する導電体との距離、即ち変位を検知することができるようになっている。
可動部230は、図2の断面図にて示すように、該収容部22aの底部の周縁に固定される支持部231に片持ち支持され、収容ケース22の上方を閉塞する静電気帯電部板21と対面するアルミ箔からなる導電体薄板232と、導電体薄板232の静電気帯電部板21と対峙する面とは反対側に位置し、該導電体薄板232と平行に対面し、該支持部231に片持ちで支持されポリイミドからなる絶縁体薄板233と、から構成され、絶縁体薄板233の裏面、すなわち該導電体薄板232の反対側の面には、導電体であるアルミ箔234が配設されている。また、該導電体薄板232の自由端部と該絶縁体薄板233の自由端部とは、ナイロン糸からなる連結部材235により連結されており、該検知体20が帯電していない定常状態において、該収容部22a底部に敷設される渦電流式変位センサー236に、絶縁体薄板233、アルミ箔234が平行に対面するように固定されている。なお、図2に示すA−A断面図、該断面図の要部Pの拡大図では、説明の都合上、実際の寸法とは異なる寸法比で記載されており、渦電流式変位センサー236は数mm程度の厚みで形成されるのに対し、可動部を形成する導電体薄板、絶縁体薄板、アルミ箔は、それぞれ10μm〜30μm程度の厚みで形成される。
検出体20は、静電気帯電部板21を、センサー23、送信機24、電源25を収容した状態の収容ケース22の各収容部を上方から閉鎖するように収容ケース22の上面にボンド材等によって貼着しており、後述する加工装置内における洗浄領域において洗浄水を噴きつけられても内部に洗浄水が浸水しないように密着させられている。なお、電源25は、周知の非接触式充電方式により外部からコネクタなどを使用せずに充電可能となっている。
該送信部25は、センサー23を構成する渦電流式変位センサー236から出力される発振周波数を積算したカウント値を、後述する受信機30に向けて無線通信により送信するようになっており、当該カウント値を受信した受信機30側では格納されているプログラムにより、経過時間に応じた発振周波数を演算することができるようになっている。
本発明に基づき構成される本実施形態は、概ね上記のとおり構成されており、図2、3を参照しながら、その作用についてさらに説明する。
本実施形態の検出体20は、図3に示すダイシング装置に投入され、実際の加工工程に沿って、被加工物の如く装置内を搬送されるようになっている。また、この際、検出体20に内蔵された電源25から、該センサー23、送信部24に対して所定の電力が供給され、渦電流式変位センサーから発振される発振周波数を積算したカウント値が受信機30に向けて随時送信されている。ここで、該ダイシング装置10にて検出体20が搬送開始された後、検出体20の該静電気帯電部板21に負の電荷が帯電したものとする。図2の要部Pの拡大図に示されているように、静電気帯電部板21に負の電荷が帯電すると、該静電気帯電部板21と対面する導電体薄板232には正の電荷が帯電し、両者は引き付けあうことになる。ここで、該導電体薄板232の自由端部と該絶縁体薄板233の自由端部とは、上記したようにナイロン糸235によって連結されており、導電体薄板232が静電気帯電部板21側に引き付けられるに伴い絶縁体薄膜233と共に、絶縁体薄膜233の裏面に配設されているアルミ箔234も一緒に静電気帯電部薄板21側に引き付けられる。
つまり、静電気帯電部板21に静電気が帯電する結果、その帯電した静電容量に応じて該アルミ箔234が、渦電流式変位センサー236から離反してその間の距離が変化する。該渦電流式変位センサー236は、上述したように対峙する導電体が離反すると、発振周波数が変化(具体的には発振周波数が低下)するように構成されており、当該発振周波数の変化を検出体20に帯電する静電容量に相当する値に変換することが可能となる。
受信機30には、該発振周波数と、渦流式変位センサー236とアルミ箔234との距離を離反させる静電容量とを実験により関連付けたマップ(図示は省略)が記憶されており、受信機30において演算された発振周波数は、検出体20が帯電した静電容量に相当する値に変換され、測定開始からの経過時間と結び付けて記憶される。そして、この静電容量の変化を、図3に示したダイシング装置における時間経過に伴う検出体20の搬送位置と関連付けて分析することができる。すなわち、該ダイシング装置10のカセットCSから検出体20が搬出開始されてから3分後に検出体20から送信される該発振周波数が低下した場合は、搬送開始後3分経過時に当該検出体20が搬送されていた位置、例えば、チャックテーブル14上において静電気を帯電したことが確認でき、チャックテーブル14が待機していた場所が静電気を帯びやすい場所であることが容易に判定できる。そして、該装置内における静電気を帯びやすい箇所、及びその位置において帯電した静電容量が特定されることで、該ダイシング装置に対して除電装置を適切に配設することが可能になり、静電気の影響により加工されるウエーハのデバイスの品質が低下することを抑制することが可能となる。
なお、本実施形態では、検出体20から出力される発振周波数を受信機30に記憶された実験に基づき得られたマップに基づき静電容量に変換したが、必ずしも当該マップを作成して正確な静電容量値に変換する必要はなく、例えば、発振周波数を渦電流式変位センサー236と可動部230のアルミ箔234との距離に変換した値を、簡易的に静電気帯電部板21に帯電した静電容量に相当する値として記憶してもよい。なぜなら、当該装置内において帯電する静電容量を正確に測定することが本発明の目的ではなく、静電気の発生しやすい位置を特定することが重要であるからである。
また、本実施形態の可動部について、静電気帯電部板と対面する該可動部の導電体薄板、渦電流式変位センサーと対面する導電体箔のいずれもアルミニウムにより形成したが、本発明はこれに限定されず、スズ、銀等、他の導電体を選択することも可能である。さらに、本実施形態では、絶縁体薄板をポリイミドから形成したが、これに限定されず、絶縁性を有する樹脂であれば、適宜周知の材料を選択することができる。
なお、上記した実施形態では、本静電気検出装置を、ダイシング装置に適用した例を提示したが、これに限定されず、研削装置、レーザー加工装置等他の加工装置に適用可能であることは当然である。また、上記実施形態では、検出体20を、円板状のウエーハを模して形成したが、これに限定されるものではなく、様々な形状の被加工物に適用することが可能である。
10:ダイシング装置
11:カセットテーブル
12:搬出入手段
13、16:搬送手段
14:チャックテーブル
15:切削手段
17:洗浄手段
20:検出体
21:静電気帯電部板
22:収容ケース
23:センサー
24:送信部
25:電源
30:受信機
230:可動部
236:渦電流式変位センサー

Claims (4)

  1. 静電気検出装置であって、
    静電気帯電部板と、該静電気帯電部板に帯電した静電容量を検出するセンサーと、該センサーの検出値を送信する送信部と、該静電気帯電部板を支持すると共に該センサーを収容する収容室を備えた収容ケースと、から少なくとも構成された検出体と、
    該送信部から送信された検出値を受信する受信機と、から構成され
    該センサーは、片持ちで支持部に支持されると共に該静電気帯電部板に対面する導電体薄板と、該静電気帯電部板と反対側で該導電体薄板と平行に対面し該支持部に片持ちで支持された裏面に導電体箔が配設された絶縁体薄板と、
    該導電体薄板の自由端部と該絶縁体薄板の自由端部とを連結する連結部材と、から構成された可動部と、
    該絶縁体薄板の裏面に配設された導電体箔と対面して配設された渦電流式変位センサーと、から構成される静電気検出装置。
  2. 該静電気帯電部板に対面する導電体薄板がアルミ箔から構成され、該導電体薄板と平行に対面し、片持ちで支持された絶縁体薄板がポリイミドから構成され、
    該導電体薄板の自由端部と該絶縁体薄板の自由端部とを連結する連結部材が糸状部材から構成された請求項1に記載の静電気検出装置。
  3. 該検出体は、検出すべき装置の搬送手段によって被加工物の如く搬送されて装置内の各所における静電容量を検出する請求項1又は2に記載の静電気検出装置。
  4. 該受信機は、検出された静電容量の値を経過時間と共に記憶する記憶部を備える請求項1乃至3のいずれかに記載の静電気検出装置。
JP2015247127A 2015-12-18 2015-12-18 静電気検出装置 Active JP6630142B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015247127A JP6630142B2 (ja) 2015-12-18 2015-12-18 静電気検出装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015247127A JP6630142B2 (ja) 2015-12-18 2015-12-18 静電気検出装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017111073A JP2017111073A (ja) 2017-06-22
JP6630142B2 true JP6630142B2 (ja) 2020-01-15

Family

ID=59081298

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015247127A Active JP6630142B2 (ja) 2015-12-18 2015-12-18 静電気検出装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6630142B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102509643B1 (ko) * 2018-10-31 2023-03-16 삼성전자주식회사 정전기 측정 장치

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6275201A (ja) * 1985-09-30 1987-04-07 Akashi Seisakusho Co Ltd 渦電流式変位計の校正方法
JPH04155202A (ja) * 1990-10-18 1992-05-28 Keyence Corp 渦電流式非接触変位計
JP3531890B2 (ja) * 1995-11-21 2004-05-31 アネルバ株式会社 表面電位測定装置、基板処理装置及び表面電位測定方法
JPH1154591A (ja) * 1997-08-06 1999-02-26 Texas Instr Japan Ltd ダミーウェハ及びその使用方法
JP4643782B2 (ja) * 1999-12-10 2011-03-02 株式会社キーエンス 渦電流式変位計とそれを用いた距離測定方法
JP2002066865A (ja) * 2000-09-01 2002-03-05 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置
US7960670B2 (en) * 2005-05-03 2011-06-14 Kla-Tencor Corporation Methods of and apparatuses for measuring electrical parameters of a plasma process
US20030115978A1 (en) * 2001-12-20 2003-06-26 Moehnke Stephanie J. Apparatus and method for monitoring environment within a container
US6889568B2 (en) * 2002-01-24 2005-05-10 Sensarray Corporation Process condition sensing wafer and data analysis system
JP2004111310A (ja) * 2002-09-20 2004-04-08 Nissin Ion Equipment Co Ltd 基板の帯電電圧計測装置およびイオンビーム照射装置
US7135852B2 (en) * 2002-12-03 2006-11-14 Sensarray Corporation Integrated process condition sensing wafer and data analysis system
US20060043063A1 (en) * 2004-09-02 2006-03-02 Mahoney Leonard J Electrically floating diagnostic plasma probe with ion property sensors
US8889021B2 (en) * 2010-01-21 2014-11-18 Kla-Tencor Corporation Process condition sensing device and method for plasma chamber
JP5834800B2 (ja) * 2011-11-15 2015-12-24 オムロン株式会社 表面電位センサ及び複写機

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017111073A (ja) 2017-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI511219B (zh) 測量構件及測量晶圓堆疊之層厚度及空隙的方法
JP6618822B2 (ja) 研削砥石の消耗量検出方法
JP6230934B2 (ja) 切削装置
KR102143448B1 (ko) 워크 유지 장치 및 이것을 사용한 워크의 옆 어긋남 검출방법
EP2696207A1 (en) Apparatus for measuring quantity of static electricity, and method for measuring quantity of static electricity
US8040655B2 (en) Substrate hold apparatus and method for judging substrate push-up state
CN118645448A (zh) 用于测量工艺配件中心的方法和设备
TWI635295B (zh) Probe card carrier
KR20120034575A (ko) 기판 처리 장치의 데이터 취득 방법 및 센서용 기판
CN105044586B (zh) 芯片电子部件的电特性的连续检查方法
JP6630142B2 (ja) 静電気検出装置
JP4874540B2 (ja) センサー装置を制御する方法及び装置
JP5718601B2 (ja) ダイボンダ及び半導体製造方法
JP5340841B2 (ja) 切削装置
JP5045010B2 (ja) 位置決め手段付き搬送装置
US9926145B2 (en) Conveyance apparatus for electronic components
US9524913B2 (en) Polishing method and polishing apparatus
JP6223862B2 (ja) 切削装置
CN104716079A (zh) 半导体制造装置
JP2016054596A (ja) 異物検知装置
JP2019087674A (ja) 研削装置
WO2015098323A1 (ja) 部品供給装置
CN110379731B (zh) 处理装置
JP2009224519A (ja) 基板検知装置及び方法、並びに半導体装置の製造方法
CN108226658A (zh) 静电检测系统与方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20181016

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190823

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190903

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191024

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20191112

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20191206

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6630142

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250