JP6622510B2 - 発光素子、その制御方法、及びそれを用いた光干渉断層計 - Google Patents
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Description
実施例1として、SLDの構成において、リッジ導波路に、発光領域と発光スペクトル変調領域を有する例について、図2を用いて説明する。なお、図1(a)と機能が同じ部分については、同じ符号を用いた。
実施例2として、リッジ導波路に2つの発光領域を有するSLDについて、図4を用いて説明する。
実施例3として、リッジ導波路部に複数の発光領域と発光スペクトル変調領域を有する例について、図12を用いて説明する。
本実施例では、本発明のSLDを光源として用いた光干渉断層計(OCT装置)の例を示す。
101 第一の端面
104、304、404 第一の受光部
105 第二の端面
107、307、407 第二の受光部
108 リッジ部
110 下部電極
111 基板
113 活性層
116 上部電極
201、401、402 発光領域(電流注入領域)
202 発光スペクトル変調領域
Claims (11)
- 下部電極を備えた基板上に、該基板側から下部クラッド層、活性層及び上部クラッド層が順次積層されてなる光導波路層と、前記活性層にキャリアを注入するための上部電極とを有し、
前記光導波路層が、光出射面となる第一及び第二の端面を有するスーパールミネッセントダイオードであって、
前記第一の端面からの出射光と前記第二の端面からの出射光のビーム特性が異なり、さらに、
前記第一の端面からの出射光の光パワーの少なくとも一部を受光して第一の検出信号を生成する第一の受光部と、
前記第二の端面からの出射光の光パワーの少なくとも一部を受光して第二の検出信号を生成する第二の受光部と、
前記第一の検出信号の初期値をA、許容範囲を±αとしたときに、前記第一の検出信号の値がA±αの範囲内となるようにし、かつ、前記第二の検出信号の初期値をB、許容範囲を±βとしたときに、前記第二の検出信号の値がB±βの範囲内となるように、前記上部電極への電流注入量を制御するための制御部とを有している
ことを特徴とするスーパールミネッセントダイオード。 - 前記光導波路層が発光スペクトル変調領域を有していることを特徴とする、請求項1記載のスーパールミネッセントダイオード。
- 前記上部電極を2つ以上有することを特徴とする、請求項1又は2記載のスーパールミネッセントダイオード。
- 前記第一及び第二の受光部の少なくとも一方が、前記第一あるいは第二の端面からの出射光を光ファイバに集光し、該集光された出射光の光パワーの一部を該光ファイバから分岐したファイバ端に設置されたフォトディテクタにより受光して検出信号を生成するように構成されたことを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載のスーパールミネッセントダイオード。
- 前記第一及び第二の受光部の少なくとも一方が、前記第一あるいは第二の端面からの出射光をハーフミラーで分岐し、該分岐された一方の出射光の光パワーをフォトディテクタにより受光して検出信号を生成するように構成されたことを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載のスーパールミネッセントダイオード。
- 前記第一及び第二の受光部の少なくとも一方が、前記第一あるいは第二の端面で反射された光を受光するように該端面の近傍にモノリシックに形成されたフォトディテクタからなることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載のスーパールミネッセントダイオード。
- 前記活性層が多重量子井戸構造を有し、該多重量子井戸構造を構成する井戸層及び障壁層の少なくとも一方の組成又は厚さが、全ての量子井戸で同一ではない非対称量子井戸構造であることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一項に記載のスーパールミネッセントダイオード。
- 前記フォトディテクタに入射する光の波長を選択するための波長フィルタが設けられていることを特徴とする、請求項4〜6のいずれか一項に記載のスーパールミネッセントダイオード。
- 請求項1に記載のスーパールミネッセントダイオードの制御方法であって、前記制御部が、
前記第一の検出信号の初期値をA、許容範囲を±αとしたときに、前記第一の検出信号の値がA±αの範囲内となるように、前記上部電極への注入電流値を調整する工程、
前記第二の検出信号の初期値をB、許容範囲を±βとしたときに、前記第二の検出信号の値がB±βの範囲内にあるかどうかを判断する工程、及び
前記第二の検出信号の値がB±βの範囲内になかった場合に信号を出す工程、
を実行することを特徴とする方法。 - 請求項3に記載のスーパールミネッセントダイオードの制御方法であって、前記制御部が、
前記第一の検出信号の初期値をA、許容範囲を±αとしたときに、前記第一の検出信号の値がA±αの範囲内にあるかどうかを判断する第一の判断工程、
前記第一の検出信号の値がA±αの範囲内になかった場合に、前記第一の検出信号の値がA±αの範囲内となるように、前記2つ以上の上部電極の一つへの注入電流値を調整する第一の調整工程、
前記第二の検出信号の初期値をB、許容範囲を±βとしたときに、前記第二の検出信号の値がB±βの範囲内にあるかどうかを判断する第二の判断工程、及び
前記第二の検出信号の値がB±βの範囲内になかった場合に、前記第二の検出信号の値がB±βの範囲内となるように、前記2つ以上の上部電極の別の一つへの注入電流値を調整する第二の調整工程、
を実行し、
前記第一の調整工程と第二の調整工程は、同時に行わないことを特徴とする方法。 - 請求項1〜8のいずれか一項に記載のスーパールミネッセントダイオードと、
前記スーパールミネッセントダイオードからの出射光を検体に照射し、該検体からの反射光を伝達する検体測定部と、
前記スーパールミネッセントダイオードからの出射光を参照ミラーに照射し、該参照ミラーからの反射光を伝達する参照部と、
前記検体測定部が伝達した該検体からの反射光と前記参照部が伝達した該参照ミラーからの反射光とを干渉させる干渉部と、
前記干渉部で生成された干渉光を検出する光検出部と、
前記光検出部で検出された光の情報に基づいて、前記検体の断層像を得る画像処理部と、
を有することを特徴とする光干渉断層計。
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