JP6621869B2 - 高エネルギーイオン注入 - Google Patents
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Description
本発明は、一般には半導体処理に関し、より詳細には、高エネルギーイオンの注入方法に関する。
イオン注入は、集積された半導体装置の製造に関して重要な処理である。当該処理では、ホウ素、燐、砒素等のドーパントイオンが半導体基板に注入され、上記基板の導電率が変化する。FinFETの製作における半導体フィン構造のドーピングのようないくつかの応用は、所望の均一性及び所望の装置性能を達成するために高エネルギーイオン注入処理を必要とする。高エネルギーイオン注入処理では、イオン注入システムは、目標(例えば、半導体ウェハ上に形成された半導体装置を有する半導体ウェハ)上に一連の注入を実行し、各注入は異なるエネルギーで実行される。
或る例示の実施形態では、イオンソース、抽出アセンブリ及び電極アセンブリを有するイオン注入システムは、目標への高エネルギーイオン注入に使用される。第1エネルギー及び第1電流を有するイオンビームは、イオンソース及び抽出アセンブリを用いて生成されてよい。第1電圧は、電極アセンブリの間で印加されてよい。イオンビームは、第1エネルギーで電極アセンブリに入り、第2エネルギーで電極アセンブリから出てもよい。そして、イオンビームは、第3エネルギーで目標にイオンを注入する。第3エネルギーは第2エネルギーと異なってよい。
図1は、高エネルギーイオン注入処理の実行に適したイオン注入システムの一例を示す。
以下の説明は、当業者が種々の実施形態を作成及び使用できるように提示される。特定のシステム、装置、方法、及び応用の説明は、単に例として提供される。ここに記載された上記例に対する種々の変形は、当業者に容易に理解できるものであり、ここに規定した一般的な原理は、種々の実施形態の精神及び目的から逸脱せずに、他の例及び応用に適用してよい。それゆえ、種々の実施形態は、ここに記載し、示した例を限定する意図はなく、特許請求の範囲と矛盾しない範囲と調和するものである。
図1は、種々の実施形態に係る、目標116上への高エネルギーイオン注入処理の実行に適したイオン注入システム100の一例を描写する。システム100は、イオンソース102、抽出アセンブリ104、質量分析器108、及び電極アセンブリ112を含んでよい。イオンビーム106は、イオンソース102及び抽出アセンブリ104によって発生させられてよい。イオンソース102は、例えば、Bernasイオンソース、またはFreemanイオンソースであってよい。イオンソース102は、プラズマを形成するために、ソースガスを電子イオン化することによって、所望のイオン種を発生させてよい。半導体装置の製作のために、所望のイオン種は、限定しないがB+、P+及びAs+のようなホウ素、燐または砒素から成るドーパントイオン種を含んでよい。抽出アセンブリ104は、抽出電圧をそれに対して印加させることが可能な、少なくとも1つの抽出電極を含んでよい。抽出電圧は、抽出アセンブリ104における少なくとも1つの抽出電極に印加されて、イオンソース102からイオンを抽出し、イオンビーム106を発生させてよい。抽出電圧は、一般的に、正のイオン種を有するイオンビームを発生させる場合、イオンソースに対して負の電圧であり、負のイオン種を有するイオンビームを発生させる場合、イオンソースに対して正の電圧である。イオンビーム106は、イオンソース102及び抽出アセンブリ104によって、第1エネルギー及び第1電流で発生してよい。第1エネルギーの大きさは、抽出電圧の大きさによって、少なくとも部分的に決定される。抽出電圧が大きくなるほど、より大きなエネルギーを有するイオンビームが発生する。第1電流の大きさは、イオンソース102において形成されるプラズマの密度、及び抽出電圧の大きさによって、少なくとも部分的に決定される。プラズマの密度が大きくなると共に、抽出電圧が大きくなるほど、より大きな電流を有するイオンビームが発生する。イオンソース102において形成されるプラズマの密度は、ソースガスの流量及びアーク電流によって、少なくとも部分的に決定される。
図3は、目標への高エネルギーイオン注入の処理300の一例を描写する。処理300は、図1で説明したイオン注入システム100のような、イオンソース、抽出アセンブリ及び電極アセンブリを有するイオン注入システムであって、任意の適したイオン注入システムを用いて実行されてよい。追加的には、イオン注入システムは、可変孔及び保持器具を随意に含んでよい。処理300では、注入エネルギー及び注入電流は、イオンソース状態(例えば、ドーパントガス流量、ソース磁界、アーク電流)及び抽出アセンブリ状態(例えば、抽出電圧、抽出電極位置)を変えることなく、調整されてよい。イオンソース及び抽出アセンブリ状態は、それゆえ、処理300中一定に保たれていてよく、注入エネルギーは、電極アセンブリ間に印加される電圧を調整することによって制御され、注入電流は、可変孔の孔幅を調整することによって制御されてよい。このように、イオンビームは、処理300中、安定に維持されてよく、イオンビームエネルギー及び電流を調整する、長いチューニング及び安定化時間(例えば、3−10分)の必要がない。そのため、処理300の処理量は、従来の高エネルギーイオン注入処理と比較して、有用により高くなる。
Claims (17)
- イオンソース、抽出アセンブリ、電極アセンブリおよびイオンビーム電流を調整するとともにイオンビームをブロックする可変孔を有するイオン注入システムを用いて目標へ高エネルギーイオンを注入する方法であって、
(a)上記イオンソース及び上記抽出アセンブリを用いてイオンビームを発生させるステップであって、
上記イオンソースからある距離のところに上記抽出アセンブリを配置するステップと、
上記抽出アセンブリのうちの少なくとも1つの抽出アセンブリに抽出電圧を印加し、発生した上記イオンビームは、上記抽出アセンブリから第1エネルギーで出て行く、ステップとを含んでいる、ステップと、
(b)上記抽出アセンブリが上記イオンソースから上記距離のところに配置されて上記抽出電圧が少なくとも1つの上記抽出アセンブリに印加される間に、上記イオンビームを減速させるために上記電極アセンブリ間に第1電圧を印加するステップと、
ここで、上記イオンビームは上記電極アセンブリに上記第1エネルギーで進入し、上記電極アセンブリから上記第1エネルギーより小さい第2エネルギーで出て行き、上記目標に上記第2エネルギーでイオンを注入し、
(e)上記可変孔を閉じるステップであって、上記可変孔を閉じることは、上記イオンビームをブロックして、上記第2エネルギーで上記イオンビームが上記目標へイオンを注入するのを継続することを防ぐ、ステップと、
(c)上記抽出アセンブリが上記イオンソースから上記距離のところに配置されて上記抽出電圧が少なくとも1つの上記抽出アセンブリに印加されて上記可変孔が閉じられている間に、上記イオンビームを減速させるために上記電極アセンブリ間に印加する電圧を上記第1電圧から第2電圧に変更するステップと、
ここで、上記イオンビームは上記電極アセンブリに上記第1エネルギーで進入し、上記電極アセンブリから上記第1エネルギーおよび上記第2エネルギーより小さい第3エネルギーで出て行き、
(f)上記可変孔を開けるステップであって、上記可変孔を開けることは、上記イオンビームをブロックせず、上記第3エネルギーで上記イオンビームが上記目標へイオンを注入することを可能にする、ステップと、を含むことを特徴とする方法。 - 発生した上記イオンビームは上記第1エネルギーと第1電流を有して上記抽出アセンブリから出て行き、
上記方法は、
上記可変孔を第1孔幅に設定するステップであって、上記電極アセンブリ間に上記第1電圧が印加され、上記可変孔が上記第1孔幅に設定され、上記イオンビームは、上記第1エネルギーと上記第1電流を有して上記電極アセンブリに進入し、上記第2エネルギーと第2電流を有して上記電極アセンブリから出て行き、上記第2エネルギーと上記第2電流を有して上記可変孔に進入し、上記第2エネルギーと第3電流を有して上記可変孔から出て行き、上記第2エネルギーと上記第3電流で上記目標にイオンを注入する、ステップと、
上記可変孔を開けた後に、上記可変孔を第2孔幅に設定するステップであって、上記電極アセンブリ間に上記第2電圧が印加され、上記可変孔が上記第2孔幅に設定され、上記イオンビームは、上記第1エネルギーと上記第1電流を有して上記電極アセンブリに進入し、上記第3エネルギーと第4電流を有して上記電極アセンブリから出て行き、上記第3エネルギーと上記第4電流を有して上記可変孔に進入し、上記第3エネルギーと第5電流を有して上記可変孔から出て行き、上記第3エネルギーと上記第5電流で上記目標にイオンを注入する、ステップと、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 上記第3電流は上記第1電流より小さいことを特徴とする請求項2に記載の方法。
- 上記第5電流は上記第3電流より小さいことを特徴とする請求項3に記載の方法。
- 上記第1エネルギーは2kevから30keVの間であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 上記第1電圧は0kVから30kVの間であり、上記第2電圧は0kVから30kVの間であり、上記第2エネルギーは0.05kevから30keVの間であり、上記第3エネルギーは0.05kevから30keVの間であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 上記イオンビームは上記電極アセンブリにおいて偏向され、上記イオンビームはエネルギー汚染が0.05%未満で上記電極アセンブリから出て行くことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 上記目標は上記電極アセンブリ間に印加する電圧を上記第1電圧から上記第2電圧に変更してから30秒以内に上記第3エネルギーで注入されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- (d)上記抽出アセンブリが上記イオンソースから上記距離のところに配置されて上記抽出電圧が少なくとも1つの上記抽出アセンブリに印加される間に、上記電極アセンブリ間に印加する電圧を上記第2電圧から第3電圧に変更するステップをさらに含み、
ここで、上記イオンビームは上記電極アセンブリに上記第1エネルギーで進入し、上記電極アセンブリから第4エネルギーで出て行き、上記目標に上記第4エネルギーでイオンを注入し、
ここで、上記第4エネルギーは上記第2エネルギー及び上記第3エネルギーと異なることを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 上記目標は上記イオン注入システム内の保持器具上に配置され、上記目標への上記第2エネルギーでの注入時、及び上記第3エネルギーでの注入時、並びに両注入の間において、上記目標は上記保持器具上に残ったままであることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 上記イオンビームが上記目標に上記第2エネルギーでイオンを注入する間、上記目標は第1速度で移動し、上記イオンビームが上記目標に上記第3エネルギーでイオンを注入する間、上記目標は第2速度で移動し、上記第1速度は上記第2速度と異なることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- イオンソース、上記イオンソースからある距離のところに配置されている抽出アセンブリ、電極アセンブリおよびイオンビーム電流を調整するとともにイオンビームをブロックする可変孔を有するイオン注入システムを用いて目標へ高エネルギーイオンを注入するためのコンピュータ実行可能な命令を含む非一時的なコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、
上記コンピュータ実行可能な命令は、
(a)上記イオンソース及び上記抽出アセンブリを用いてイオンビームを発生させる命令であって、
上記抽出アセンブリのうちの少なくとも1つの抽出アセンブリに抽出電圧を印加し、発生した上記イオンビームは、上記抽出アセンブリから第1エネルギーで出て行く、命令とを含んでいる、命令と、
(b)上記抽出アセンブリが上記イオンソースから上記距離のところに配置されて上記抽出電圧が少なくとも1つの上記抽出アセンブリに印加される間に、上記イオンビームを減速させるために上記電極アセンブリ間に第1電圧を印加する命令と、
ここで、上記イオンビームは上記電極アセンブリに上記第1エネルギーで進入し、上記電極アセンブリから上記第1エネルギーより小さい第2エネルギーで出て行き、上記目標に上記第2エネルギーでイオンを注入し、
(e)上記可変孔を閉じる命令であって、上記可変孔を閉じることは、上記イオンビームをブロックして、上記第2エネルギーで上記イオンビームが上記目標へイオンを注入するのを継続することを防ぐ、命令と、
(c)上記抽出アセンブリが上記イオンソースから上記距離のところに配置されて上記抽出電圧が少なくとも1つの上記抽出アセンブリに印加されて上記可変孔が閉じられている間に、上記イオンビームを減速させるために上記電極アセンブリ間に印加する電圧を上記第1電圧から第2電圧に変更する命令と、
ここで、上記イオンビームは上記電極アセンブリに上記第1エネルギーで進入し、上記電極アセンブリから上記第1エネルギーおよび上記第2エネルギーより小さい第3エネルギーで出て行き、
(f)上記可変孔を開ける命令であって、上記可変孔を開けることは、上記イオンビームをブロックせず、上記第3エネルギーで上記イオンビームが上記目標へイオンを注入することを可能にする、命令と、を含むことを特徴とする非一時的なコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。 - 発生した上記イオンビームは上記第1エネルギーと第1電流を有して上記電極アセンブリから出て行き、
上記命令は、
上記可変孔を第1孔幅に設定する命令であって、上記電極アセンブリ間に上記第1電圧が印加され、上記可変孔が上記第1孔幅に設定され、上記イオンビームは、上記第1エネルギーと上記第1電流を有して上記電極アセンブリに進入し、上記第2エネルギーと第2電流を有して上記電極アセンブリから出て行き、上記第2エネルギーと上記第2電流を有して上記可変孔に進入し、上記第2エネルギーと第3電流を有して上記可変孔から出て行き、上記第2エネルギーと上記第3電流で上記目標にイオンを注入する、命令と、
上記可変孔を開けた後に、上記可変孔を第2孔幅に設定する命令であって、上記電極アセンブリ間に上記第2電圧が印加され、上記可変孔が上記第2孔幅に設定され、上記イオンビームは、上記第1エネルギーと上記第1電流を有して上記電極アセンブリに進入し、上記第3エネルギーと第4電流を有して上記電極アセンブリから出て行き、上記第3エネルギーと上記第4電流を有して上記可変孔に進入し、上記第3エネルギーと第5電流を有して上記可変孔から出て行き、上記第3エネルギーと上記第5電流で上記目標にイオンを注入する、命令と、
を含むことを特徴とする請求項12に記載の非一時的なコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。 - 上記第3電流は上記第1電流より小さいことを特徴とする請求項13に記載の非一時的なコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
- 上記第5電流は上記第3電流より小さいことを特徴とする請求項14に記載の非一時的なコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
- 上記イオンビームは上記電極アセンブリにおいて偏向され、上記イオンビームはエネルギー汚染が0.05%未満で上記電極アセンブリから出て行くことを特徴とする請求項12に記載の非一時的なコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
- 上記目標は上記電極アセンブリ間に印加する電圧を上記第1電圧から上記第2電圧に変更してから30秒以内に上記第3エネルギーで注入されることを特徴とする請求項12に記載の非一時的なコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
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