JP6608979B2 - 電圧レギュレータセルフバーンインテストのための方法、システム、及び記憶媒体 - Google Patents
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Description
100F サーバシステム
101 PWMコントローラ
102 電力段
102−1 ドライバ
102−2 ハイサイドMOSFET
102−3 ローサイドMOSFET
103 負荷
104 電源ユニット(PSU)
105 プロセッサ
106 ノースブリッジ(NB)ロジック
107 ペリフェラルコンポーネントインターコネクト(PCI)バス
108 サウスブリッジ (SB)ロジック
109 ストレージデバイス
110 BIOS
111 コントローラ
112 メインメモリ(MEM)
113 冷却コンポーネンツ
114 AC電源
150 ISAスロット
151 ISAスロット
160 PCIeスロット
161 PCIeスロット
170 PCIスロット
171 PCIスロット
200A、200B 例示的な方法
300 コンピューティングデバイス
315 バス
361 メモリ
362 CPU
363 プロセッサ
368 インターフェース
400 システム
402 バス
404 メモリ
406 ROM
408 RAM
410 コントローラ
412 ストレージデバイス
414 MOD1
416 MOD2
418 MOD3
420 入力装置
422 出力装置
424 通信インターフェース
426 センサ
428 キャッシュ
430 プロセッサ
432 フラッシュメモリ
434 ファームウェア
436 ディスプレイ
500 コンピュータシステム
502 チップセット
504 ブリッジ
506 ユーザーインターフェースコンポーネント
508 通信インターフェース
510 プロセッサ
512 ファームウェア
514 出力装置
516 ストレージデバイス
518 RAM
Claims (10)
- 変調コントローラおよび複数の電力段を含むサーバシステムの電源装置(PSD)のセルフバーンインテストを可能にするために、コンピュータが実行する方法であって、
第1の信号を送信し、前記複数の電力段の特定の電力段をオン状態に切り替えるステップ、
少なくとも1つの第2の信号を送信し、前記複数の電力段の他の電力段をトライステートに切り替え、前記他の電力段は、前記特定の電力段が前記オン状態にある期間中に負荷として機能し、前記トライステートの期間中に電力の出力を停止するステップ、および
前記特定の電力段から出力電圧、出力電流、および温度のデータを収集するステップを含み、
前記電力段のそれぞれは、ドライバ、ハイサイドMOSFET、およびローサイドMOSFETを含み、前記ハイサイドMOSFETと前記ローサイドMOSFETは、前記電力段それぞれの出力端子と接続されており、
前記電力段それぞれの前記出力端子と前記負荷の間にインダクタとキャパシタが接続されており、
前記他の電力段が前記トライステートの状態にある場合、前記他の電力段の前記ハイサイドMOSFETはオフ状態である方法。 - 前記他の電力段の対応するローサイドMOSFETは、前記特定の電力段が前記オン状態にある期間中に前記負荷として機能する請求項1に記載の方法。
- 前記複数の電力段のそれぞれは、電圧検出回路、電流検出回路、および温度センサを含み、前記出力電圧、前記出力電流、および前記温度のデータを収集するステップは、前記特定の電力段の前記電圧検出回路、前記電流検出回路、および温度センサから前記データを収集するステップを含む請求項1に記載の方法。
- 前記データが所定の基準に適合しないと判定するステップ、および
警報信号を発生し、前記PSDがセルフバーンインテストに失敗したことを示すステップを含む請求項3に記載の方法。 - 前記データが所定の基準を通過したかどうかを判定するステップ、
前記PSDの少なくとも1つの付加的な電力段がまだテストされるべきかどうかを判定するステップ、
第3の信号を送り、前記少なくとも1つの付加的な電力段の1つをオン状態に切り替えるステップ、および
少なくとも1つの第4の信号を送り、前記複数の電力段の残りの電力段を前記トライステートに切り替えるステップを含む請求項3に記載の方法。 - 変調コントローラおよび複数の電力段を含む電源装置(PSD)のセルフバーンインテストを可能にするシステムであって、前記システムは、
前記PSD、
プロセッサ、および
コンピュータにより読み込み可能であり、指令を記録する記憶媒体を備え、
前記プロセッサが前記指令を実行することによって、システムが処理する工程は、
第1の信号を送信し、前記複数の電力段の特定の電力段をオン状態に切り替えるステップ、
少なくとも1つの第2の信号を送信し、前記複数の電力段の他の電力段をトライステートに切り替え、前記他の電力段は、前記特定の電力段が前記オン状態にある期間中に負荷として機能し、前記トライステートの期間中に電力の出力を停止するステップ、および
前記特定の電力段から出力電圧、出力電流、および温度のデータを収集するステップを含み、
前記電力段のそれぞれは、ドライバ、ハイサイドMOSFET、およびローサイドMOSFETを含み、前記ハイサイドMOSFETと前記ローサイドMOSFETは、前記電力段それぞれの出力端子と接続されており、
前記電力段それぞれの前記出力端子と前記負荷の間にインダクタとキャパシタが接続されており、
前記他の電力段が前記トライステートの状態にある場合、前記他の電力段の前記ハイサイドMOSFETはオフ状態であるシステム。 - 前記複数の電力段のそれぞれは、電圧検出回路、電流検出回路、および温度センサを含み、前記出力電圧、前記出力電流、および前記温度のデータを収集するステップは、前記特定の電力段の前記電圧検出回路、前記電流検出回路、および温度センサから前記データを収集するステップを含む請求項6に記載のシステム。
- 前記工程は、
前記データが所定の基準に適合しないと判定するステップ、および
警報信号を発生し、前記PSDがセルフバーンインテストに失敗したことを示すステップを含む請求項7に記載のシステム。 - 前記工程は、
前記データが所定の基準を通過したかどうかを判定するステップ、
前記PSDの少なくとも1つの付加的な電力段がまだテストされるべきかどうかを判定するステップ、
第3の信号を送り、前記少なくとも1つの付加的な電力段の1つをオン状態に切り替えるステップ、および
少なくとも1つの第4の信号を送り、前記複数の電力段の残りの電力段を前記トライステートに切り替えるステップを含む請求項7に記載のシステム。 - コンピュータにより読み取り可能であり、複数の指令を記録する記憶媒体であって、
プロセッサが前記指令を実行することによって、変調コントローラおよび複数の電力段を含む電源装置(PSD)のセルフバーンインテストを可能にするシステムが処理する工程は、
第1の信号を送信し、前記複数の電力段の特定の電力段をオン状態に切り替えるステップ、
少なくとも1つの第2の信号を送信し、前記複数の電力段の他の電力段をトライステートに切り替え、前記他の電力段は、前記特定の電力段が前記オン状態にある期間中に負荷として機能し、前記トライステートの期間中に電力の出力を停止するステップ、および
前記特定の電力段から出力電圧、出力電流、および温度のデータを収集するステップ、
前記複数の電力段のそれぞれは、電圧検出回路、電流検出回路、および温度センサを含み、前記出力電圧、前記出力電流、および前記温度のデータを収集するステップは、前記特定の電力段の前記電圧検出回路、前記電流検出回路、および温度センサから前記データを収集するステップ、
前記データが所定の基準を通過したかどうかを判定するステップ、
前記PSDの少なくとも1つの付加的な電力段がまだテストされるべきかどうかを判定するステップ、
第3の信号を送り、前記少なくとも1つの付加的な電力段の1つをオン状態に切り替えるステップ、および
少なくとも1つの第4の信号を送り、前記複数の電力段の残りの電力段を前記トライステートに切り替えるステップを含み、
前記電力段のそれぞれは、ドライバ、ハイサイドMOSFET、およびローサイドMOSFETを含み、前記ハイサイドMOSFETと前記ローサイドMOSFETは、前記電力段それぞれの出力端子と接続されており、
前記電力段それぞれの前記出力端子と前記負荷の間にインダクタとキャパシタが接続されており、
前記他の電力段が前記トライステートの状態にある場合、前記他の電力段の前記ハイサイドMOSFETはオフ状態である記憶媒体。
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