JP6604665B2 - 圧電振動子およびセンサ - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 57
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 9
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 18
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 18
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 18
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
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- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02102—Means for compensation or elimination of undesirable effects of temperature influence
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- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/30—Piezoelectric or electrostrictive devices with mechanical input and electrical output, e.g. functioning as generators or sensors
- H10N30/302—Sensors
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- G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
- G01N29/02—Analysing fluids
- G01N29/022—Fluid sensors based on microsensors, e.g. quartz crystal-microbalance [QCM], surface acoustic wave [SAW] devices, tuning forks, cantilevers, flexural plate wave [FPW] devices
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
- G01N29/02—Analysing fluids
- G01N29/036—Analysing fluids by measuring frequency or resonance of acoustic waves
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
- G01N29/22—Details, e.g. general constructional or apparatus details
- G01N29/24—Probes
- G01N29/2437—Piezoelectric probes
- G01N29/245—Ceramic probes, e.g. lead zirconate titanate [PZT] probes
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02015—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles
- H03H9/02039—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles consisting of a material from the crystal group 32, e.g. langasite, langatate, langanite
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/30—Piezoelectric or electrostrictive devices with mechanical input and electrical output, e.g. functioning as generators or sensors
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/853—Ceramic compositions
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
- H10N30/872—Interconnections, e.g. connection electrodes of multilayer piezoelectric or electrostrictive devices
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/88—Mounts; Supports; Enclosures; Casings
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2291/00—Indexing codes associated with group G01N29/00
- G01N2291/02—Indexing codes associated with the analysed material
- G01N2291/025—Change of phase or condition
- G01N2291/0256—Adsorption, desorption, surface mass change, e.g. on biosensors
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- H—ELECTRICITY
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- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
- H03H2003/0407—Temperature coefficient
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Description
本発明は、Ｃａ3（Ｔａ1-yＮｂy）（Ｇａ1-xＡｌx）3Ｓｉ2Ｏ14単結晶（０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１）より構成された振動片を用いた圧電振動子およびこの圧電振動子を用いたセンサに関するものである。
近年、スマートフォンや高速データ通信の普及により、広域通信網のトラフィックが増大し、新たな広帯域通信方式の技術が盛んに開発されている。この広帯域通信方式においては、広帯域な周波数に対応した圧電デバイス（例えば、圧電振動子、発振器、Voltage Controlled Crystal Oscillator：ＶＣＸＯ、Monolithic Crystal Filter：ＭＣＦ等）がキーデバイスの１つとなる。ＶＣＸＯを例にあげると、一般には、容易に入手できること、周波数温度特性が良いことなどから水晶が用いられている（特許文献１参照）。
しかしながら、水晶を用いたＶＣＸＯでは、水晶振動子の電気機械結合係数が０．７％と非常に小さいため、周波数可変幅が小さく、上述したような広帯域化に対応できなくなってきている。このため、周波数温度特性に優れ、かつ、周波数可変幅の広帯域化が可能な圧電結晶による振動子が求められている。ＬｉＴａＯ3圧電単結晶は、電気機械結合係数が大きく広帯域な周波数可変幅を実現できるが、周波数温度特性が１０００ｐｐｍ（−３０℃〜８０℃）と大きいという問題がある。
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、水晶より電気機械結合係数が大きく、より良好な周波数温度特性を有する圧電結晶による振動子を提供することを目的とする。
本発明に係る圧電振動子は、Ｃａ3Ｔａ（Ｇａ1-xＡｌx）3Ｓｉ2Ｏ14単結晶（０＜ｘ≦１）からなる振動片を少なくとも１枚備え、単結晶は、Ｘ軸を回転軸としてＸＺ平面からの回転角をθとしたとき、１８ｘ＋１７．５≦θ≦２４ｘ＋２４．５とされている。
上記圧電振動子において、２０ｘ＋２０．１６≦θ≦２１ｘ＋２２．０８３とされているとよりよい。
本発明に係る圧電振動子は、Ｃａ3Ｎｂ（Ｇａ1-xＡｌx）3Ｓｉ2Ｏ14単結晶（０＜ｘ≦１）からなる振動片を少なくとも１枚備え、単結晶は、Ｘ軸を回転軸としてＸＺ平面からの回転角をθとしたとき、２５ｘ＋２３．０８３≦θ≦３２ｘ＋２６．１６７とされている。
上記圧電振動子において、２７．６ｘ＋２４．３６７≦θ≦２７．８ｘ＋２５．７８３とされているとよりよい。
圧電振動子は、Ｃａ3（Tａ1-yＮｂy）（Ｇａ1-xＡｌx）3Ｓｉ2Ｏ14単結晶（０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなる振動片を少なくとも１枚備え、単結晶は、Ｘ軸を回転軸としてＸＺ平面からの回転角をθとしたとき、｛１８＋（２５−１８）ｙ｝ｘ＋１７．５＋（２３．０８３−１７．５）ｙ≦θ≦｛２４＋（３２−２４）ｙ｝ｘ＋２４．５＋（２６．１６７−２４．５）ｙとされている。
上記圧電振動子において、｛２０＋（２７．６−２０）ｙ｝ｘ＋２０．１６＋（２４．３６７−２０．１６）ｙ≦θ≦｛２１＋（２７．８−２１）ｙ｝ｘ＋２２．０８３＋（２５．７８３−２２．０８３）ｙとされているとよりよい。
上記圧電振動子において、振動片に設けられた電極と、電極に接続された接続端子と、振動片を収容して不活性ガスを封入する気密容器とを備える。
本発明に係るセンサは、上記圧電振動子を用い、振動片に設けられて測定対象の物質が接触する測定領域と、測定領域に対する物質の接触による振動子の共振周波数の変化により測定領域に接触した物質の質量を検出する測定手段とを備える。
以上説明したことにより、本発明によれば、水晶より電気機械結合係数が大きく、より良好な周波数温度特性を有する圧電結晶による振動子が提供でき、この振動子を用いた特定のよいセンサが構成できるという優れた効果が得られる。
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。
［実施の形態１］
はじめに、本発明の実施の形態１について説明する。図１は、本発明の実施の形態１における圧電振動子の構成を示す斜視図である。この圧電振動子は、Ｃａ3Ｔａ（Ｇａ1-xＡｌx）3Ｓｉ2Ｏ14単結晶（０＜ｘ≦１）から構成された振動片１０１を備える。振動片１０１は、例えば板状とされている。また、単結晶は、Ｘ軸を回転軸としてＸＺ平面からの回転角（カット角）をθ（度）としたとき、１８ｘ＋１７．５≦θ≦２４ｘ＋２４．５とされている。θは、ＩＥＣ（International Electrotechnical Commission）の定義による。この定義において、例えば水晶ＡＴカットの角度θは、３５°１５’となる。なお、ＸＹ面がＣａ3Ｔａ（Ｇａ1-xＡｌx）3Ｓｉ2Ｏ14単結晶（０＜ｘ≦１）の（００１）面、ＹＺ面がＣａ3Ｔａ（Ｇａ1-xＡｌx）3Ｓｉ2Ｏ14単結晶（０＜ｘ≦１）の（１１０）面、ＸＺ面がＣａ3Ｔａ（Ｇａ1-xＡｌx）3Ｓｉ2Ｏ14単結晶（０＜ｘ≦１）の（１００）面である。
はじめに、本発明の実施の形態１について説明する。図１は、本発明の実施の形態１における圧電振動子の構成を示す斜視図である。この圧電振動子は、Ｃａ3Ｔａ（Ｇａ1-xＡｌx）3Ｓｉ2Ｏ14単結晶（０＜ｘ≦１）から構成された振動片１０１を備える。振動片１０１は、例えば板状とされている。また、単結晶は、Ｘ軸を回転軸としてＸＺ平面からの回転角（カット角）をθ（度）としたとき、１８ｘ＋１７．５≦θ≦２４ｘ＋２４．５とされている。θは、ＩＥＣ（International Electrotechnical Commission）の定義による。この定義において、例えば水晶ＡＴカットの角度θは、３５°１５’となる。なお、ＸＹ面がＣａ3Ｔａ（Ｇａ1-xＡｌx）3Ｓｉ2Ｏ14単結晶（０＜ｘ≦１）の（００１）面、ＹＺ面がＣａ3Ｔａ（Ｇａ1-xＡｌx）3Ｓｉ2Ｏ14単結晶（０＜ｘ≦１）の（１１０）面、ＸＺ面がＣａ3Ｔａ（Ｇａ1-xＡｌx）3Ｓｉ2Ｏ14単結晶（０＜ｘ≦１）の（１００）面である。
振動片１０１は、例えばチョクラルスキー法により得られたＣａ3Ｔａ（Ｇａ1-xＡｌx）3Ｓｉ2Ｏ14単結晶（０＜ｘ≦１）のインゴットより、ワイヤーソーで切り出して両面を研磨することにより得られる。
例えば、図２に示すように、各電極を形成して所定の信号を印加することで、圧電振動子を動作（発振）させることができる。板状の振動片１０１の主表面には、電極１０２を形成し、振動片１０１の裏面には、電極１０３を形成する。これら電極１０２、電極１０３は、振動片１０１の主表面および裏面に、所定の金属材料を蒸着して金属膜を形成し、形成した金属膜を公知のフォトリソグラフィ技術でパターン加工することで形成できる。金属膜は、例えば、金層およびクロム層の多層構造とすればよい。また、電極１０２、電極１０３の各々に接続する接続端子（不図示）に、信号（励振信号）を印加する回路を接続して用いればよい。
また、上述したように各電極を設けた振動片を、窒素やアルゴンなどの不活性ガスが封入された気密容器に収容して用いればよい。例えば、ＪＩＳ規格で３２２５サイズ以下のチップ、特に２５２０サイズ以下のチップとする場合、従来の水晶振動子では、直列抵抗値の関係で真空封止することが必要とされていたが、本発明の振動子によれば、不活性ガスの雰囲気としても同様の性能が得られる。
次に、実施の形態１におけるＣａ3Ｔａ（Ｇａ1-xＡｌx）3Ｓｉ2Ｏ14単結晶について、Ａｌ置換量（組成比）ｘ（ＧａをＡｌで置換する割合）を０，２５，５０％としたとき、周波数温度特性のカット角θ依存性、および電気機械結合係数のカット角θ依存性を測定した結果について説明する。図３Ａは、周波数温度特性のカット角θ依存性を示す特性図である。また、図３Ｂは、電気機械結合係数のカット角θ依存性を示す特性図である。各Ａｌ置換量の結晶についてカット角θを３°ステップでカットし、得られた振動片を用いて振動子を作製した。共振周波数は２４ＭＨｚになるよう振動片厚みを調整した。
図３Ａに示す周波数温度特性のカット角θ依存性においては、−３０℃〜８０℃の範囲で、共振周波数の温度特性を測定し、周波数変化量を２５℃における共振周波数で規格化しｐｐｍ表示した。図３Ｂに示す電気機械結合係数のカット角θ依存性においては、共振周波数と反共振周波数を用いて、計算を行いパーセント表示とした。
図３Ａに示すように、カット角を変化させると、周波数温度特性はあるカット角で周波数変化量の最小値を持つような変化を示す。また、Ａｌ置換量を変化させると、周波数変化量が小さくなるカット角が変化することがわかる。
一方、図３Ｂに示すように、電気機械結合係数は、カット角を変化させると概ね上に凸な変化を示し、極大となるカット角が存在する。また、周波数変化と同様に、Ａｌ置換量を変えると、極大となるカット角が変化する。一般的に良く使われるＡＴカット水晶振動子の電気機械結合係数が０．７％であるのに対し、本発明による圧電振動子の電気機械結合係数は、２％以上となり、周波数可変幅の広帯域化に貢献することがわかる。
図３Ａに示す周波数温度変化量について、１０００ｐｐｍ以下となる領域を拡大した結果を図４に示す。図４の結果を用い、横軸にＡｌ置換量をとり、周波数温度変化が極小となるカット角と、１０００ｐｐｍ以下及び２００ｐｐｍ以下となるカット角を縦軸にとした状態を図５に示す。各プロットについて、線形近似を行うと以下に示す結果となる。
Ａｌ置換量（組成比）ｘに応じて、カット角θの範囲を「１８ｘ＋１７．５≦θ≦２４ｘ＋２４．５」とすると、周波数温度変化量を１０００ｐｐｍ以下とすることができ好ましい。これは、図５に示す２つの太い破線の範囲内である。さらに、図５に示す２つの細い点線の範囲である「２０ｘ＋２０．１６≦θ≦２１ｘ＋２２．０８３」とすると周波数温度変化量を２００ｐｐｍ以下にすることができ、より好ましい。
次に、発振起動時間について説明する。Ａｌ置換量（組成比）ｘを５％としカット角を２１．１°とした振動片１０１を用いた実施の形態１の圧電振動子と、ＡＴカットの水晶による振動片を用いた圧電振動子との発振起動時間を比較した。両者共に、共振周波数が８ＭＨｚとなる振動片厚みとした。２つの電極に所定の信号電圧を印加して共振周波数８ＭＨｚの発信状態とさせ、信号電圧印加から発信が安定するまでの時間を測定した。測定の結果を以下の表１に示す。なお、表１には、共振抵抗の値についても示している。
水晶振動子の共振抵抗は１７０Ω以上と高く、発振起動時間が１５００μｓｅｃと起動時間が非常に長い。一方、実施の形態１では、共振抵抗が３０Ω以下と低く、発振起動時間が１３０μｓｅｃと水晶の１／１０以下の起動時間となっている。近年の電子デバイスにおいては、消費電力削減の観点から、必要時のみ起動し、これ以外の時間は最小限の動作しか行わないスリープモードが多用されている。
スリープモードからの復帰時間、すなわち発振回路の起動時間は、デバイスとして本来の動作を行うための準備時間であり、この起動時間を短くすることが、消費電力の低減化に重要な要件となる。従来の振動子は、この起動時間が長く、無駄な電力を消費していた。本発明によれば、起動時間を大幅に短縮できるため、機器の低消費電力化に貢献する効果がある。
［実施の形態２］
次に、本発明の実施の形態２について説明する。実施の形態２においても、前述した実施の形態１と同様に図１の斜視図に示す構成となり、実施の形態２においては、Ｃａ3Ｎｂ（Ｇａ1-xＡｌx）3Ｓｉ2Ｏ14単結晶（０＜ｘ≦１）から構成された振動片１０１を備える。振動片１０１は、例えば板状とされている。また、単結晶は、Ｘ軸を回転軸としてＸＺ平面からの回転角（カット角）をθとしたとき、２５ｘ＋２３．０８３≦θ≦３２ｘ＋２６．１６７とされている。θは、ＩＥＣ（International Electrotechnical Commission）の定義による。この定義において、例えば水晶ＡＴカットの角度θは、３５°１５’となる。なお、ＸＹ面がＣａ3Ｎｂ（Ｇａ1-xＡｌx）3Ｓｉ2Ｏ14単結晶（０＜ｘ≦１）の（００１）面、ＹＺ面がＣａ3Ｎｂ（Ｇａ1-xＡｌx）3Ｓｉ2Ｏ14単結晶（０＜ｘ≦１）の（１１０）面、ＸＺ面がＣａ3Ｎｂ（Ｇａ1-xＡｌx）3Ｓｉ2Ｏ14単結晶（０＜ｘ≦１）の（１００）面である。
次に、本発明の実施の形態２について説明する。実施の形態２においても、前述した実施の形態１と同様に図１の斜視図に示す構成となり、実施の形態２においては、Ｃａ3Ｎｂ（Ｇａ1-xＡｌx）3Ｓｉ2Ｏ14単結晶（０＜ｘ≦１）から構成された振動片１０１を備える。振動片１０１は、例えば板状とされている。また、単結晶は、Ｘ軸を回転軸としてＸＺ平面からの回転角（カット角）をθとしたとき、２５ｘ＋２３．０８３≦θ≦３２ｘ＋２６．１６７とされている。θは、ＩＥＣ（International Electrotechnical Commission）の定義による。この定義において、例えば水晶ＡＴカットの角度θは、３５°１５’となる。なお、ＸＹ面がＣａ3Ｎｂ（Ｇａ1-xＡｌx）3Ｓｉ2Ｏ14単結晶（０＜ｘ≦１）の（００１）面、ＹＺ面がＣａ3Ｎｂ（Ｇａ1-xＡｌx）3Ｓｉ2Ｏ14単結晶（０＜ｘ≦１）の（１１０）面、ＸＺ面がＣａ3Ｎｂ（Ｇａ1-xＡｌx）3Ｓｉ2Ｏ14単結晶（０＜ｘ≦１）の（１００）面である。
実施の形態２における振動片１０１においても、例えばチョクラルスキー法により得られたＣａ3Ｎｂ（Ｇａ1-xＡｌx）3Ｓｉ2Ｏ14単結晶（０＜ｘ≦１）のインゴットより、ワイヤーソーで切り出して両面を研磨することにより得られる。
また、図２に示すように、各電極を形成して所定の信号を印加することで、圧電振動子を動作（発振）させることができる。板状の振動片１０１の主表面には、電極１０２を形成し、振動片１０１の裏面には、電極１０３を形成する。これら電極１０２、電極１０３は、振動片１０１の主表面および裏面に、所定の金属材料を蒸着して金属膜を形成し、形成した金属膜を公知のフォトリソグラフィ技術でパターン加工することで形成できる。金属膜は、例えば、金層およびクロム層の多層構造とすればよい。また、電極１０２、電極１０３の各々に接続する接続端子（不図示）に、信号（励振信号）を印加する回路を接続して用いればよい。
次に、実施の形態２におけるＣａ3Ｎｂ（Ｇａ1-xＡｌx）3Ｓｉ2Ｏ14単結晶について、Ａｌ置換量ｘ（ＧａをＡｌで置換する割合）を０，２５，５０％としたとき、周波数温度特性のカット角θ依存性、および電気機械結合係数のカット角θ依存性を測定した結果について説明する。図６Ａは、周波数温度特性のカット角θ依存性を示す特性図である。また、図６Ｂは、電気機械結合係数のカット角θ依存性を示す特性図である。各Ａｌ置換量の結晶についてカット角θを３°ステップでカットし、得られた振動片を用いて振動子を作製した。共振周波数は２４ＭＨｚになるよう振動片厚みを調整した。
図６Ａに示す周波数温度特性のカット角θ依存性においては、−３０℃〜８０℃の範囲で、共振周波数の温度特性を測定し、周波数変化量を２５℃における共振周波数で規格化しｐｐｍ表示した。図６Ｂに示す電気機械結合係数のカット角θ依存性においては、共振周波数と反共振周波数を用いて、計算を行いパーセント表示とした。
図６Ａに示すように、カット角を変化させると、周波数温度特性はあるカット角で周波数変化量の最小値を持つような変化を示す。また、Ａｌ置換量を変化させると、周波数変化量が小さくなるカット角が変化することがわかる。
一方、図６Ｂに示すように、電気機械結合係数は、カット角を変化させると概ね上に凸な変化を示し、極大となるカット角が存在する。また、周波数変化と同様に、Ａｌ置換量を変えると、極大となるカット角が変化する。一般的に良く使われるＡＴカット水晶振動子の電気機械結合係数が０．７％であるのに対し、本発明による圧電振動子の電気機械結合係数は、２％以上となり、周波数可変幅の広帯域化に貢献することがわかる。
図６Ａに示す周波数温度変化量について、１０００ｐｐｍ以下となる領域を拡大した結果を図７に示す。図７の結果を用い、横軸にＡｌ置換量をとり、周波数温度変化が極小となるカット角と、１０００ｐｐｍ以下及び２００ｐｐｍ以下となるカット角を縦軸にとした状態を図８に示す。各プロットについて、線形近似を行うと以下に示す結果となる。
Ａｌ置換量（組成比）ｘに応じて、カット角θの範囲を「２５ｘ＋２３．０８３≦θ≦３２ｘ＋２６．１６７」とすると、周波数温度変化量を１０００ｐｐｍ以下とすることができ好ましい。これは、図８に示す２つの太い破線の範囲内である。さらに、図８に示す２つの細い点線の範囲である「２７．６ｘ＋２４．３６７≦θ≦２７．８ｘ＋２５．７８３」とすると周波数温度変化量を２００ｐｐｍ以下にすることができ、より好ましい。
［実施の形態３］
次に、本発明の実施の形態３について説明する。実施の形態３においても、前述した実施の形態１，２と同様に図１の斜視図に示す構成となり、実施の形態３においては、Ｃａ3（Ｔａ1-yＮｂy）（Ｇａ1-xＡｌx）3Ｓｉ2Ｏ14単結晶（０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１）から構成された振動片１０１を備える。振動片１０１は、例えば板状とされている。また、単結晶は、Ｘ軸を回転軸としてＸＺ平面からの回転角（カット角）をθとしたとき、｛１８＋（２５−１８）ｙ｝ｘ＋１７．５＋（２３．０８３−１７．５）ｙ≦θ≦｛２４＋（３２−２４）ｙ｝ｘ＋２４．５＋（２６．１６７−２４．５）ｙとされている。θは、ＩＥＣ（International Electrotechnical Commission）の定義による。この定義において、例えば水晶ＡＴカットの角度θは、３５°１５’となる。なお、ＸＹ面がＣａ3（Ｔａ1-yＮｂy）（Ｇａ1-xＡｌx）3Ｓｉ2Ｏ14単結晶（０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１）の（００１）面、ＹＺ面がＣａ3（Ｔａ1-yＮｂy）（Ｇａ1-xＡｌx）3Ｓｉ2Ｏ14単結晶（０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１）の（１１０）面、ＸＺ面がＣａ3（Ｔａ1-yＮｂy）（Ｇａ1-xＡｌx）3Ｓｉ2Ｏ14単結晶（０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１）の（１００）面である。
次に、本発明の実施の形態３について説明する。実施の形態３においても、前述した実施の形態１，２と同様に図１の斜視図に示す構成となり、実施の形態３においては、Ｃａ3（Ｔａ1-yＮｂy）（Ｇａ1-xＡｌx）3Ｓｉ2Ｏ14単結晶（０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１）から構成された振動片１０１を備える。振動片１０１は、例えば板状とされている。また、単結晶は、Ｘ軸を回転軸としてＸＺ平面からの回転角（カット角）をθとしたとき、｛１８＋（２５−１８）ｙ｝ｘ＋１７．５＋（２３．０８３−１７．５）ｙ≦θ≦｛２４＋（３２−２４）ｙ｝ｘ＋２４．５＋（２６．１６７−２４．５）ｙとされている。θは、ＩＥＣ（International Electrotechnical Commission）の定義による。この定義において、例えば水晶ＡＴカットの角度θは、３５°１５’となる。なお、ＸＹ面がＣａ3（Ｔａ1-yＮｂy）（Ｇａ1-xＡｌx）3Ｓｉ2Ｏ14単結晶（０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１）の（００１）面、ＹＺ面がＣａ3（Ｔａ1-yＮｂy）（Ｇａ1-xＡｌx）3Ｓｉ2Ｏ14単結晶（０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１）の（１１０）面、ＸＺ面がＣａ3（Ｔａ1-yＮｂy）（Ｇａ1-xＡｌx）3Ｓｉ2Ｏ14単結晶（０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１）の（１００）面である。
実施の形態３における振動片１０１においても、例えばチョクラルスキー法により得られたＣａ3（Ｔａ1-yＮｂy）（Ｇａ1-xＡｌx）3Ｓｉ2Ｏ14単結晶（０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１）のインゴットより、ワイヤーソーで切り出して両面を研磨することにより得られる。
また、図２に示すように、各電極を形成して所定の信号を印加することで、圧電振動子を動作（発振）させることができる。板状の振動片１０１の主表面には、電極１０２を形成し、振動片１０１の裏面には、電極１０３を形成する。これら電極１０２、電極１０３は、振動片１０１の主表面および裏面に、所定の金属材料を蒸着して金属膜を形成し、形成した金属膜を公知のフォトリソグラフィ技術でパターン加工することで形成できる。金属膜は、例えば、金層およびクロム層の多層構造とすればよい。また、電極１０２、電極１０３の各々に接続する接続端子（不図示）に、信号（励振信号）を印加する回路を接続して用いればよい。
次に、実施の形態３におけるＣａ3（Ｔａ1-yＮｂy）（Ｇａ1-xＡｌx）3Ｓｉ2Ｏ14単結晶においては、前述した実施の形態１，２と同様の測定の結果、Ａｌの組成比ｘおよびＮｂの組成比ｙに応じ、カット角θの範囲を「｛１８＋（２５−１８）ｙ｝ｘ＋１７．５＋（２３．０８３−１７．５）ｙ≦θ≦｛２４＋（３２−２４）ｙ｝ｘ＋２４．５＋（２６．１６７−２４．５）ｙ」とすると、周波数温度変化量を１０００ｐｐｍ以下とすることができ好ましい。さらに、「｛２０＋（２７．６−２０）ｙ｝ｘ＋２０．１６＋（２４．３６７−２０．１６）ｙ≦θ≦｛２１＋（２７．８−２１）ｙ｝ｘ＋２２．０８３＋（２５．７８３−２２．０８３）ｙ」とすると周波数温度変化量を２００ｐｐｍ以下にすることができ、より好ましい。
［実施の形態４］
次に、本発明の圧電振動子を用いたセンサについて説明する。このセンサは、振動片に設けられて測定対象の物質が接触する測定領域と、測定領域に対する物質の接触による振動子の共振周波数の変化により測定領域に接触した物質の質量を検出する測定手段とを備える。振動片は、例えば、Ｃａ3Ｔａ（Ｇａ1-xＡｌx）3Ｓｉ2Ｏ14（Ａｌ置換量５％）の単結晶から構成すればよい。カット角（回転角）θを２１．１°とし、周波数を１０ＭＨｚ近傍と設定すればよい。θは、ＩＥＣ（International Electrotechnical Commission）の定義による。この定義において、例えば水晶ＡＴカットの角度θは、３５°１５’となる。
次に、本発明の圧電振動子を用いたセンサについて説明する。このセンサは、振動片に設けられて測定対象の物質が接触する測定領域と、測定領域に対する物質の接触による振動子の共振周波数の変化により測定領域に接触した物質の質量を検出する測定手段とを備える。振動片は、例えば、Ｃａ3Ｔａ（Ｇａ1-xＡｌx）3Ｓｉ2Ｏ14（Ａｌ置換量５％）の単結晶から構成すればよい。カット角（回転角）θを２１．１°とし、周波数を１０ＭＨｚ近傍と設定すればよい。θは、ＩＥＣ（International Electrotechnical Commission）の定義による。この定義において、例えば水晶ＡＴカットの角度θは、３５°１５’となる。
このセンサを用い、測定領域に所定の溶液（純水）を接触させた状態で、圧電振動子における等価直列共振抵抗の変化を測定した。この結果を図９に示す。また、振動片を水晶から構成した同様の圧電振動子（水晶振動子）を用いたセンサについても、同様に測定領域に所定の溶液を接触させた状態で、等価直列共振抵抗の変化を測定した。この結果を図１０に示す。
本発明の圧電振動子によるセンサでは、大気中の等価直列共振抵抗が２０Ω程度と低く、純水を付加しても９０Ωとほとんど劣化していない。これに対し、水晶振動子によるセンサでは、大気中の等価直列共振抵抗はおよそ９０Ωとなり、純水を付加すると２ｋΩまで劣化した。
このように本発明の圧電振動子を用いたセンサによれば、従来の水晶振動子を用いたセンサに比較し、液体中における共振特性の劣化（等価直列共振抵抗の劣化）が少なく、本発明の圧電振動子は、液体を対象としたいわゆるＱＣＭとして好適である。なお、Ｃａの一部をＳｒに置き換えることも可能であり、この構成としても同様である。
なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形および組み合わせが実施可能であることは明白である。
１０１…振動片、１０２，１０３…電極。
Claims (6)
- Ｃａ3Ｔａ（Ｇａ1-xＡｌx）3Ｓｉ2Ｏ14単結晶（０＜ｘ≦１）からなる振動片を少なくとも１枚備え、
前記単結晶は、Ｘ軸を回転軸としてＸＺ平面からの回転角をθとしたとき、１８ｘ＋１７．５≦θ≦２４ｘ＋２４．５とされている
ことを特徴とする圧電振動子。 - 請求項１記載の圧電振動子において、
２０ｘ＋２０．１６≦θ≦２１ｘ＋２２．０８３とされていることを特徴とする圧電振動子。 - Ｃａ3Ｎｂ（Ｇａ1-xＡｌx）3Ｓｉ2Ｏ14単結晶（０＜ｘ≦１）からなる振動片を少なくとも１枚備え、
前記単結晶は、Ｘ軸を回転軸としてＸＺ平面からの回転角をθとしたとき、２５ｘ＋２３．０８３≦θ≦３２ｘ＋２６．１６７とされている
ことを特徴とする圧電振動子。 - 請求項３記載の圧電振動子において、
２７．６ｘ＋２４．３６７≦θ≦２７．８ｘ＋２５．７８３とされていることを特徴とする圧電振動子。 - 請求項１〜４のいずれか１項に記載の圧電振動子であって、
前記振動片に設けられた電極と、
前記電極に接続された接続端子と、
前記振動片を収容して不活性ガスを封入する気密容器と
を備えることを特徴とする圧電振動子。 - 請求項１〜４のいずれか１項に記載の圧電振動子を用いたセンサであって、
前記振動片に設けられて測定対象の物質が接触する測定領域と、
前記測定領域に対する前記物質の接触による前記振動子の共振周波数の変化により前記測定領域に接触した前記物質の質量を検出する測定手段と
を備えることを特徴とするセンサ。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015217394 | 2015-11-05 | ||
| JP2015217394 | 2015-11-05 | ||
| PCT/JP2016/082792 WO2017078135A1 (ja) | 2015-11-05 | 2016-11-04 | 圧電振動子およびセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2017078135A1 JPWO2017078135A1 (ja) | 2018-07-26 |
| JP6604665B2 true JP6604665B2 (ja) | 2019-11-13 |
Family
ID=58662160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017549121A Active JP6604665B2 (ja) | 2015-11-05 | 2016-11-04 | 圧電振動子およびセンサ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11031539B2 (ja) |
| EP (3) | EP3373450B1 (ja) |
| JP (1) | JP6604665B2 (ja) |
| WO (1) | WO2017078135A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7210828B2 (ja) * | 2018-03-06 | 2023-01-24 | 株式会社Piezo Studio | 弾性表面波デバイス |
| JP7337339B2 (ja) | 2019-03-22 | 2023-09-04 | 国立大学法人東北大学 | 膜厚センサ素子 |
| CN110299896B (zh) * | 2019-07-05 | 2023-06-02 | 台晶(重庆)电子有限公司 | 一种石英晶体振荡器切割方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6455986B2 (en) * | 2000-05-03 | 2002-09-24 | Crystal Photonics, Incorporated | Electronic device including langasite structure compound and method for making such devices |
| US6424081B1 (en) * | 2000-05-03 | 2002-07-23 | Crystal Photonics, Incorporated | Electronic device including langasite structure compounds and method for making same |
| JP2002118442A (ja) * | 2000-10-04 | 2002-04-19 | Tdk Corp | 弾性表面波装置及びこれに用いる圧電基板 |
| JP2002271171A (ja) | 2001-03-07 | 2002-09-20 | Tdk Corp | 弾性表面波装置用圧電基板および弾性表面波装置 |
| AT410737B (de) | 2001-05-31 | 2003-07-25 | Avl List Gmbh | Piezoelektrisches resonatorelement der kristallographischen punktgruppe 32 |
| JP2008019122A (ja) * | 2006-07-12 | 2008-01-31 | Nec Tokin Corp | 圧電単結晶組成物 |
| US7667369B2 (en) * | 2006-11-01 | 2010-02-23 | Delaware Capital Formation, Inc. | High sensitivity microsensors based on flexure induced frequency effects |
| JP5962509B2 (ja) * | 2010-10-13 | 2016-08-03 | Tdk株式会社 | ランガサイト型酸化物材料、その製造方法、及び該製造方法で用いられる原材料 |
| JP5987153B2 (ja) * | 2012-11-02 | 2016-09-07 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | 圧電振動子 |
| CN104695017A (zh) * | 2013-12-05 | 2015-06-10 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种硅酸铝镓铌钙压电晶体及其制备方法 |
-
2016
- 2016-11-04 EP EP16862194.4A patent/EP3373450B1/en active Active
- 2016-11-04 EP EP20166995.9A patent/EP3696975A1/en active Pending
- 2016-11-04 JP JP2017549121A patent/JP6604665B2/ja active Active
- 2016-11-04 US US15/773,157 patent/US11031539B2/en active Active
- 2016-11-04 EP EP20166992.6A patent/EP3696974A1/en active Pending
- 2016-11-04 WO PCT/JP2016/082792 patent/WO2017078135A1/ja active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2017078135A1 (ja) | 2017-05-11 |
| EP3373450A1 (en) | 2018-09-12 |
| US11031539B2 (en) | 2021-06-08 |
| JPWO2017078135A1 (ja) | 2018-07-26 |
| EP3373450A4 (en) | 2019-10-09 |
| EP3696974A1 (en) | 2020-08-19 |
| EP3696975A1 (en) | 2020-08-19 |
| EP3373450B1 (en) | 2021-10-13 |
| US20180323366A1 (en) | 2018-11-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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|
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|
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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