CN114553172A

CN114553172A - 温度补偿型谐振器

Info

Publication number: CN114553172A
Application number: CN202210166529.5A
Authority: CN
Inventors: 许欣
Original assignee: Guangdong Guangnaixin Technology Co ltd
Current assignee: Guangdong Guangnaixin Technology Co ltd
Priority date: 2022-02-23
Filing date: 2022-02-23
Publication date: 2022-05-27

Abstract

本发明提供一种温度补偿型谐振器，能将器件的整体温度维持在一个较低水平，由此，能有效抑制频率随温度的漂移，并能有效缓解压电基底与温度补偿材料的界面处的热应力水平。所述温度补偿型谐振器包括：压电基底；形成于所述压电基底的上表面的叉指电极；以及层叠于所述压电基底的上表面、对所述叉指电极进行覆盖、对温度改变所引起的频率漂移进行抑制的频率漂移抑制层，所述频率漂移抑制层沿层叠方向分别具有：具有正声速温度系数的温度补偿层；以及通过热致相变特性来对所述温度补偿型谐振器的温度上升进行抑制的相变层。

Description

温度补偿型谐振器

技术领域

本发明涉及一种温度补偿型谐振器，尤其涉及一种用于射频前端滤波器的温度补偿型声表面波滤波器(Temperature compensated SAW，简称： TC-SAW)。

背景技术

对于声表面波滤波器(SAW：Surface Acoustic Wave)来说，其工作频率对温度非常敏感，具有频率随工作温度漂移的特性，在工程上，频率随温度漂移的大小通常通过频率温度系数(TCF：Temperature Coefficient of Frequency)来衡量，TCF值越小，SAW的温度相关性越小，器件性能越稳定。

现有技术中，常见的用以改善SAW滤波器温度稳定性的方式有以下两种。

其一，是将具有高热膨胀系数(TEC：Thermal Expansion Coefficient)的压电基底与具有低TEC的基片(如蓝宝石或Si或尖晶石)进行键合，以改善器件的TEC，从而改善TCF值，如图7所示。

其二，是在负声速温度系数(TCV：Temperature Coefficient of Velocity (速度温度系数))的钽酸锂(LiTaO₃)、铌酸锂(LiNbO₃)压电基底上沉积一层正声速温度系数(TCV)的温度补偿材料(如SiO₂)，以此来抑制由于温度变化引起的频率漂移，从而改善器件的TCF，如图8所示。

发明内容

本发明所要解决的技术问题

然而，上述第一种方式通常应用于钽酸锂(LiTaO₃)基底的底部，而大多数情况下器件的温升主要源自于叉指换能器(IDT：Inter Digital Transducer) 的指条发热，因此这种方式难以有效抑制压电基底上表面(即图中LiTaO₃基底与叉指电极接触面)的热应变，故而对TCF值的改善效果有限。同时，这种条件下的机电耦合系数较低，难以满足高带宽的需求。

另外，在上述第二种方式的情况下，由于热膨胀系数的差异，容易在压电基底与温度补偿材料的界面处产生很强的应力集中，从而影响器件性能，另外这种结构往往需要覆盖较厚的二氧化硅才能将TCF降低到一个较低水平，不利于器件的小型化设计。

本发明是为了解决上述问题而完成的，其目的在于，提供一种温度补偿型谐振器，能将器件的整体温度维持在一个较低水平，由此，能有效抑制频率随温度的漂移，并能有效缓解压电基底与温度补偿材料的界面处的热应力水平。

解决技术问题的技术方案

为了解决上述技术问题，本发明的第一方面所涉及的温度补偿型谐振器，包括：压电基底；叉指电极，该叉指电极形成于所述压电基底的上表面；以及频率漂移抑制层，该频率漂移抑制层层叠于所述压电基底的上表面，对所述叉指电极进行覆盖，对温度改变所引起的频率漂移进行抑制，所述温度补偿型谐振器的特征在于，所述频率漂移抑制层沿层叠方向分别具有：温度补偿层，该温度补偿层具有正声速温度系数；以及相变层，该相变层通过热致相变特性来对所述温度补偿型谐振器的温度上升进行抑制。

另外，本发明的第二方面所涉及的温度补偿型谐振器优选为在本发明的第一方面中，所述温度补偿层配置于所述压电基底的上表面，对所述叉指电极进行覆盖，所述相变层配置于所述温度补偿层的上表面。

另外，本发明的第三方面所涉及的温度补偿型谐振器优选为在本发明的第二方面中，所述相变层由二氧化钒构成。

另外，本发明的第四方面所涉及的温度补偿型谐振器优选为在本发明的第二方面中，所述相变层由含掺杂的二氧化钒构成，所述掺杂由钨、铪、钼、钽、铌、氟、钌中的一种或多种元素构成，其浓度保持一致。

另外，本发明的第五方面所涉及的温度补偿型谐振器优选为在本发明的第四方面中，所述掺杂的浓度小于4％。

另外，本发明的第六方面所涉及的温度补偿型谐振器优选为在本发明的第二方面中，所述相变层由含掺杂的二氧化钒构成，所述掺杂由钨、铪、钼、钽、铌、氟、钌中的一种或多种元素构成，其浓度沿层叠方向从下到上依次递减。

另外，本发明的第七方面所涉及的温度补偿型谐振器优选为在本发明的第六方面中，所述掺杂的浓度小于4％。

另外，本发明的第八方面所涉及的温度补偿型谐振器优选为在本发明的第一方面中，所述频率漂移抑制层包括第一温度补偿层和第二温度补偿层，所述第一温度补偿层配置于所述压电基底的上表面，对所述叉指电极进行覆盖，所述第二温度补偿层隔着所述相变层配置于所述第一温度补偿层的上表面。

另外，本发明的第九方面所涉及的温度补偿型谐振器优选为在本发明的第八方面中，所述相变层由二氧化钒构成。

另外，本发明的第十方面所涉及的温度补偿型谐振器优选为在本发明的第八方面中，所述相变层由含掺杂的二氧化钒构成，所述掺杂由钨、铪、钼、钽、铌、氟、钌中的一种或多种元素构成，其浓度保持一致。

另外，本发明的第十一方面所涉及的温度补偿型谐振器优选为在本发明的第十方面中，所述掺杂的浓度小于4％。

另外，本发明的第十二方面所涉及的温度补偿型谐振器优选为在本发明的第八方面中，所述相变层由含掺杂的二氧化钒构成，所述掺杂由钨、铪、钼、钽、铌、氟、钌中的一种或多种元素构成，其浓度沿层叠方向从下到上依次递减。

另外，本发明的第十三方面所涉及的温度补偿型谐振器优选为在本发明的第十二方面中，所述掺杂的浓度小于4％。

另外，本发明的第十四方面所涉及的温度补偿型谐振器优选为在本发明的第一方面中，所述频率漂移抑制层包括多个温度补偿层和多个相变层，所述多个温度补偿层与所述多个相变层沿层叠方向交替配置，配置于所述频率漂移抑制层最下方的温度补偿层配置于所述压电基底的上表面，对所述叉指电极进行覆盖。

另外，本发明的第十五方面所涉及的温度补偿型谐振器优选为在本发明的第十四方面中，所述多个相变层由二氧化钒构成。

另外，本发明的第十六方面所涉及的温度补偿型谐振器优选为在本发明的第十四方面中，所述多个相变层由含掺杂的二氧化钒构成，所述掺杂由钨、铪、钼、钽、铌、氟、钌中的一种或多种元素构成，每个相变层的所述掺杂的浓度保持一致。

另外，本发明的第十七方面所涉及的温度补偿型谐振器优选为在本发明的第十六方面中，所述掺杂的浓度小于4％。

另外，本发明的第十八方面所涉及的温度补偿型谐振器优选为在本发明的第十四方面中，所述多个相变层由含掺杂的二氧化钒构成，所述掺杂由钨、铪、钼、钽、铌、氟、钌中的一种或多种元素构成，每个相变层的所述掺杂的浓度沿层叠方向从下到上依次递减。

另外，本发明的第十九方面所涉及的温度补偿型谐振器优选为在本发明的第十八方面中，所述掺杂的浓度小于4％。

另外，本发明的第二十方面所涉及的温度补偿型谐振器优选为在本发明的第一至第十九方面中，还包括调频层，该调频层形成于所述频率漂移抑制层的上表面，对所述温度补偿型谐振器的工作频率进行调节。

另外，本发明的第二十一方面所涉及的温度补偿型谐振器优选为在本发明的第一至第十九方面中，还包括杂散响应抑制层，该杂散响应抑制层形成于所述叉指电极的上表面和两个侧面，对所述温度补偿型谐振器的杂散响应进行抑制。

发明效果

根据本发明所涉及的温度补偿型谐振器，能将器件的整体温度维持在一个较低水平，由此，能有效抑制频率随温度的漂移，并能有效缓解压电基底与温度补偿材料的界面处的热应力水平。

附图说明

图1是表示本发明实施方式1所涉及的温度补偿型谐振器的结构图。

图2是表示图1中的相变层的掺杂浓度的一个示例的结构图。

图3是表示本发明实施方式2所涉及的温度补偿型谐振器的结构图。

图4是表示本发明实施方式3所涉及的温度补偿型谐振器的结构图。

图5是表示本发明实施方式4所涉及的温度补偿型谐振器的结构图。

图6是表示图5中的杂散响应抑制层的结构的俯视图。

图7是表示现有的TCF值改善方式一的结构图。

图8是表示现有的TCF值改善方式二的结构图。

具体实施方式

下面参照附图，对本发明的优选实施方式进行说明。

实施方式1

图1是表示本实施方式1所涉及的温度补偿型谐振器100的结构图。

温度补偿型谐振器100例如是一种用于射频前端滤波器的TC-SAW，如图1所示，包括压电基底1、叉指电极2、温度补偿层3和相变层4，其中，温度补偿层3和相变层4构成频率漂移抑制层。

压电基底1例如由钽酸锂(LiTaO₃)、铌酸锂(LiNbO₃)等材料所构成，在压电基底1的上表面形成有例如由铜等导电材料所构成的叉指电极2。频率漂移抑制层层叠于压电基底1的上表面，并对叉指电极2进行覆盖。本发明的温度补偿型谐振器100利用该频率漂移抑制层来对温度改变所引起的频率漂移、即频率随工作温度的上升而发生的漂移进行抑制。作为温度改变的原因，例如可以且不限于是由叉指电极2在工作时的发热所引起，或由温度补偿型谐振器100工作时的其他部分的发热所引起，或由温度补偿型谐振器100的外部温度的改变所引起。

如图1所示，频率漂移抑制层沿层叠方向分别具有温度补偿层3和相变层4。考虑到后述的相变层4由二氧化钒/含掺杂二氧化钒薄膜构成，而二氧化钒/含掺杂二氧化钒薄膜容易在普通玻璃、石英玻璃、蓝宝石、云母片等基材上生长，并且为了能够更好地实现温度补偿，温度补偿层3优选为由二氧化硅(SiO₂)等具有正声速温度系数的材料所构成。通过温度补偿层3的正声速温度系数，能对由钽酸锂(LiTaO₃)、铌酸锂(LiNbO₃)等具有负声速温度系数的材料所构成的压电基底因温度变化而引起的频率漂移进行抑制，由此，能改善器件的TCF。在本实施方式中，将温度补偿层3配置于压电基底 1的上表面，对叉指电极2进行覆盖。

然而，如上所述，由于压电基底1与温度补偿层3的热膨胀系数存在差异，因此，容易在压电基底1与温度补偿层3之间的界面处产生较大的应力集中，从而会对器件的稳定性和安全性造成影响。

为了解决上述问题，如图1所示，本实施方式的温度补偿型谐振器100 还在温度补偿层3的上表面进一步覆盖一层相变层4，该相变层4通过热致相变特性来对温度补偿型谐振器100的温度上升进行抑制。所谓热致相变特性，是一种通过使相变材料因吸收热量而导致其温度升高，在超过相变温度后，材料的结构发生转变的工艺技术。通过添加具有热致相变特性的相变层4，能够有效地将叉指电极2所产生并经由温度补偿层3而传导至相变层 4的热量进行吸收，从而能有效降低温度，达到抑制温度漂移和缓和热应力水平的效果。

作为相变层4的一个优选示例，例如可以采用二氧化钒(VO₂)来构成相变层4。二氧化钒是一种具有热致相变特性的功能材料，其相变温度接近于室温，在相变温度68℃处发生金属-绝缘体转变(可逆)，这种转变发生的时间不到1纳秒，这对电子应用来说是一个优势。当温度升高到相变温度后，大部分热量用于二氧化钒发生相变，能够有效缓解系统温度继续升高，将温度维持在一个较为稳定的范围。

然而，由于68℃的相变温度对于手机中滤波器的工作温度(-25℃～85℃) 来说可能还是太高了，因此，可以通过低二氧化钒的相变温度将能够更好地控制温度，改善TCF值。研究发现，通过掺杂能明显改变二氧化钒(VO₂) 薄膜的相变温度。例如，W、Mo等大尺寸原子掺杂可以有效降低相变温度，而Al、P等小尺寸原子掺杂则能使相变温度升高。通过各种已知的制备方法，能够制备出各种含掺杂的VO₂，从而能对VO₂的相变温度及性能进行适当调控。

作为掺杂元素的具体示例，为了降低VO₂的相变温度，例如可以由钨、铪、钼、钽、铌、氟、钌中的一种或多种元素来构成所述掺杂。通过控制掺杂的比例，能够将相变温度调控在25℃～55℃的范围内。

另外，本实施方式中虽然列举了以VO₂作为相变材料的示例，但本发明并不局限于此。只要是相变温度在-25℃～80℃、优选为25℃～55℃范围内的低温相变材料，均可用作为构成本发明的相变层的材料。

此外，若相变层4本身具有导电性或发生相变后具有导电性，则与叉指电极2相接触的上述温度补偿层3的厚度应大于叉指电极2的厚度，以免相变层4本身/发生相变后的相变层4导致器件短路。

在本实施方式中，在相变层4为含掺杂的二氧化钒薄膜时，可以使掺杂的浓度保持一致。为了获得较好的热致相变特性，优选使掺杂的浓度小于4 ％。

此外，相变层4的掺杂的浓度也可以是变化的，下面对掺杂浓度变化的情况进行说明。

图2是表示图1中的相变层4的掺杂浓度的一个示例的结构图。为简化说明，图中仅示出了相变层4的结构，而省略了温度补偿型谐振器100的其他组成部分的图示。

如图2所示，相变层4由含掺杂的二氧化钒构成，其中，掺杂的浓度沿层叠方向从下到上依次递减。具体而言，从下到上的掺杂浓度依次为C₁、 C₂、……、C_n(n为2以上的自然数)，且满足C₁＞C₂＞……＞C_n的关系。

以钨为掺杂且n＝2为例。当钨离子与钒离子的掺杂摩尔比为定值，例如 C₁＝C₂＝1.8％时，可将相变温度降低至23℃左右。另一方面，当钨离子与钒离子的掺杂摩尔比为非定值，例如C₁＝1.8％(相变温度23℃左右)、C₂＝0.9％(相变温度44℃左右)时，可使相变温度沿层叠方向逐渐降低。利用前一种结构，有利于将器件的工作温度控制在一个较低的水平，而利用后一种结构，有利于应对来自器件外部的温度突变对器件造成的损伤，可以根据器件的应用场景来适当地进行选择。

另外，作为本实施方式的一个改进结构，如图1所示，温度补偿型谐振器100还可以包括调频层5，该调频层5形成于相变层4的上表面，对温度补偿型谐振器100的工作频率进行调节。该调频层5例如可以由氮化硅、二氧化硅、氮化铝、碳化硅中的一种或多种构成。例如，在沉积完温度补偿层3 相变层4后，通过探针测量频率。当频率偏高时，可以在相变层4上方再覆盖一层由二氧化硅构成的调频层5来将频率调低。另一方面，当频率偏低时，可以在相变层4上方再覆盖一层由氮化硅构成的调频层5来将频率调高。通过配置调频层5，能够进一步对谐振器的工作频率进行调节，从而进一步改善温度补偿型谐振器100的整体性能。

根据本实施方式1的上述结构，通过引入相变层4，能够使器件的整体温度维持在一个较低的水平，因此，能够有效地缓解器件界面处的热应力水平，同时还能够有效地抑制温漂。

此外，通过相变层4和温度补偿层3的共同作用，能够进一步有效降低器件的TCF值，从而能获得温度稳定性更为优异的器件。

实施方式2

图3是表示本实施方式2所涉及的温度补偿型谐振器101的结构图。

与图1所示的温度补偿型谐振器100不同，图3所示的温度补偿型谐振器 101的频率漂移抑制层包括两层温度补偿层、即第一温度补偿层3a和第二温度补偿层3b。如图3所示，第一温度补偿层3a配置于压电基底1的上表面，对叉指电极2进行覆盖。第二温度补偿层3b隔着相变层4配置于第一温度补偿层3a的上表面。其他结构与实施方式1相同，此处省略说明。

根据本实施方式2的上述结构，能进一步加强温度补偿效果，从而能进一步提高温度补偿型谐振器的可靠性。

实施方式3

图4是表示本实施方式3所涉及的温度补偿型谐振器102的结构图。

与实施方式1的温度补偿型谐振器100和实施方式2的温度补偿型谐振器101的不同之处在于，本实施方式3的温度补偿型谐振器102的频率漂移抑制层包括多个温度补偿层3a、3b、……、3n(n为2以上的自然数)和多个相变层4a、4b、……、4n(n为2以上的自然数)。如图4所示，多个温度补偿层3a、 3b、……、3n与多个相变层4a、4b、……、4n沿层叠方向交替配置。配置于频率漂移抑制层的最下方的是温度补偿层3a，该温度补偿层3a配置于压电基底1的上表面，对叉指电极2进行覆盖。

根据本实施方式3的上述结构，能进一步加强温度补偿效果，从而能进一步提高温度补偿型谐振器的可靠性。

另外，当相变层4a、4b、……、4n由含掺杂的二氧化钒构成时，每个相变层的掺杂的浓度可以保持一致，也可以为非定值。具体而言，如图4所示，若设各相变层4a、4b、……、4n的掺杂浓度分别为C₁、C₂、……、C_n，则可以使C₁＝C₂＝……＝C_n。另外，也可以使每个相变层的掺杂的浓度沿层叠方向从下到上依次递减，即，C₁＞C₂＞……＞C_n。

以钽为掺杂物且n＝3为例。钽离子与钒离子的掺杂摩尔比可以为定值，例如C₁＝C₂＝C₃＝3％时，能将相变温度降低至37℃左右。另一方面，当钽离子与钒离子的掺杂摩尔比为非定值时，例如C₁＝3％(相变温度37℃左右)、 C₂＝1.5％(相变温度42℃左右)、C₃＝1％(相变温度52℃左右)时，可使相变温度沿层叠方向逐渐降低。利用前一种结构，有利于将器件的工作温度控制在一个较低的水平，而利用后一种结构，有利于应对来自器件外部的温度突变对器件造成的损伤，可以根据器件的应用场景来适当地进行选择。

此外，为了获得较好的热致相变特性，优选使掺杂的浓度均小于4％。

实施方式4

图5是表示本实施方式4所涉及的温度补偿型谐振器103的结构图，图6 是表示图5中的杂散响应抑制层6的结构的俯视图。

与实施方式1～3的温度补偿型谐振器100～102的不同之处在于，本实施方式4的温度补偿型谐振器103还包括杂散响应抑制层6，该杂散响应抑制层6形成于叉指电极2的上表面和两个侧面。具体而言，如图5和图6所示，每一个叉指电极2都具有与上下两根汇流条7中的一根电连接的第一端、以及与该第一端相反的第二端，第二端与相对的汇流条7之间隔开有间隙。杂散响应抑制层6形成于叉指电极2的上述第二端、以及与相邻的叉指电极2的第二端相对的部位，并且，杂散响应抑制层6对叉指电极2的上表面和两个侧面进行覆盖。即，本实施方式4的温度补偿型谐振器103采用了所谓的 piston法。

关于杂散响应抑制层6的厚度，为了避免使杂散响应抑制层6穿透温度补偿层3a而与相变层4发生接触而造成短路，或者与相邻的叉指电极2发生接触而造成短路，不宜将其厚度设得过厚。

根据本实施方式4的上述结构，能进一步对温度补偿型谐振器的杂散响应进行抑制，从而能进一步提高温度补偿型谐振器的可靠性。

以上对本发明的各实施方式进行了说明，应当认为本次披露的实施方式的所有方面仅是举例表示，并非是限制性的。本发明的范围由权利要求书来表示，而并非由上述实施方式来表示，本发明的范围还包括与权利要求书等同的含义及范围内的所有的修正和变形。

工业上的实用性

本发明的温度补偿型谐振器对于例如手机、基站等无线通信设备的射频前端滤波器的温度补偿型声表面波滤波器是有用的。

标号说明

1压电基底

2叉指电极

3、3a、3b、3n温度补偿层

4、4a、4b、4n相变层

5调频层

6杂散响应抑制层

7汇流条

100、101、102、103温度补偿型谐振器。

Claims

1.一种温度补偿型谐振器，包括：压电基底；叉指电极，该叉指电极形成于所述压电基底的上表面；以及频率漂移抑制层，该频率漂移抑制层层叠于所述压电基底的上表面，对所述叉指电极进行覆盖，对温度改变所引起的频率漂移进行抑制，所述温度补偿型谐振器的特征在于，

所述频率漂移抑制层沿层叠方向分别具有：

温度补偿层，该温度补偿层具有正声速温度系数；以及

相变层，该相变层通过热致相变特性来对所述温度补偿型谐振器的温度上升进行抑制。

2.如权利要求1所述的温度补偿型谐振器，其特征在于，

所述温度补偿层配置于所述压电基底的上表面，对所述叉指电极进行覆盖，

所述相变层配置于所述温度补偿层的上表面。

3.如权利要求2所述的温度补偿型谐振器，其特征在于，

所述相变层由二氧化钒构成。

4.如权利要求2所述的温度补偿型谐振器，其特征在于，

所述相变层由含掺杂的二氧化钒构成，

所述掺杂由钨、铪、钼、钽、铌、氟、钌中的一种或多种元素构成，其浓度保持一致。

5.如权利要求4所述的温度补偿型谐振器，其特征在于，

所述掺杂的浓度小于4％。

6.如权利要求2所述的温度补偿型谐振器，其特征在于，

所述相变层由含掺杂的二氧化钒构成，

所述掺杂由钨、铪、钼、钽、铌、氟、钌中的一种或多种元素构成，其浓度沿层叠方向从下到上依次递减。

7.如权利要求6所述的温度补偿型谐振器，其特征在于，

所述掺杂的浓度小于4％。

8.如权利要求1所述的温度补偿型谐振器，其特征在于，

所述频率漂移抑制层包括第一温度补偿层和第二温度补偿层，

所述第一温度补偿层配置于所述压电基底的上表面，对所述叉指电极进行覆盖，

所述第二温度补偿层隔着所述相变层配置于所述第一温度补偿层的上表面。

9.如权利要求8所述的温度补偿型谐振器，其特征在于，

所述相变层由二氧化钒构成。

10.如权利要求8所述的温度补偿型谐振器，其特征在于，

所述相变层由含掺杂的二氧化钒构成，

11.如权利要求10所述的温度补偿型谐振器，其特征在于，

所述掺杂的浓度小于4％。

12.如权利要求8所述的温度补偿型谐振器，其特征在于，

所述相变层由含掺杂的二氧化钒构成，

13.如权利要求12所述的温度补偿型谐振器，其特征在于，

所述掺杂的浓度小于4％。

14.如权利要求1所述的温度补偿型谐振器，其特征在于，

所述频率漂移抑制层包括多个温度补偿层和多个相变层，

所述多个温度补偿层与所述多个相变层沿层叠方向交替配置，

配置于所述频率漂移抑制层最下方的温度补偿层配置于所述压电基底的上表面，对所述叉指电极进行覆盖。

15.如权利要求14所述的温度补偿型谐振器，其特征在于，

所述多个相变层由二氧化钒构成。

16.如权利要求14所述的温度补偿型谐振器，其特征在于，

所述多个相变层由含掺杂的二氧化钒构成，

所述掺杂由钨、铪、钼、钽、铌、氟、钌中的一种或多种元素构成，

每个相变层的所述掺杂的浓度保持一致。

17.如权利要求16所述的温度补偿型谐振器，其特征在于，

所述掺杂的浓度小于4％。

18.如权利要求14所述的温度补偿型谐振器，其特征在于，

所述多个相变层由含掺杂的二氧化钒构成，

每个相变层的所述掺杂的浓度沿层叠方向从下到上依次递减。

19.如权利要求18所述的温度补偿型谐振器，其特征在于，

所述掺杂的浓度小于4％。

20.如权利要求1至19的任一项所述的温度补偿型谐振器，其特征在于，

还包括调频层，该调频层形成于所述频率漂移抑制层的上表面，对所述温度补偿型谐振器的工作频率进行调节。

21.如权利要求1至19的任一项所述的温度补偿型谐振器，其特征在于，还包括杂散响应抑制层，该杂散响应抑制层形成于所述叉指电极的上表面和两个侧面，对所述温度补偿型谐振器的杂散响应进行抑制。