JP6602136B2 - 表示装置 - Google Patents

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Description

本発明は、表示装置に関する。
近年、表示パネルは、高精細化に伴いゲート線の本数が増加している。ゲート線の本数が増加すると、ゲート線の引き出し線の本数も増加し、額縁領域の面積が増大する。この問題を解決し得る構成として、例えば特許文献1には、ゲート線を複数のブロック(グループ)に分け、ブロック毎にゲート線を走査する駆動方式が開示されている。この駆動方式によれば、ゲート線の引き出し線の本数を少なくできるため、額縁領域の面積を縮小できる。
特開2008−77007号公報
しかし、従来の駆動方式の表示装置では、ゲート線を選択するための薄膜トランジスタの配置の構造上、隣り合う2つのブロックの間に隙間が生じ、この隙間からバックライト光が漏れる。そして、漏れたバックライト光が表示領域に入り込むことにより、表示画像におけるブロックの境界ごとに横筋等の表示ムラが出現するという問題が生じる。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、グループ毎にゲート線を走査する駆動方式の表示装置における表示ムラを低減することにある。
上記課題を解決するために、本発明に係る表示装置は、第1方向に延在する複数のデータ線と、第2方向に延在するとともに、第1方向に隣り合う複数本ずつが1つのグループに分けられた複数のゲート線と、複数の前記グループそれぞれに対応して複数のブロックに分けられており、それぞれの一方の導通電極が前記複数のゲート線それぞれの端部に接続された複数のセレクタトランジスタと、前記ブロックごとに設けられており、該ブロックに含まれる複数の前記セレクタトランジスタそれぞれの制御電極に接続された複数の選択信号供給配線と、互いに異なる前記グループに対応する複数の前記セレクタトランジスタそれぞれの他方の導通電極に共通して接続された複数のゲート電圧供給配線と、前記複数の選択信号供給配線それぞれに、前記セレクタトランジスタをオン又はオフする制御電圧を供給するとともに、前記複数のゲート電圧供給配線それぞれに、順次、ゲート電圧を供給するゲートドライバと、少なくとも隣り合う2つの前記ブロックの間に配置された遮光部と、を含むことを特徴とする。
本発明に係る表示装置では、前記遮光部は、複数の前記ブロックに含まれる、走査方向に順に並べられた第1ブロック及び第2ブロックにおいて、前記第1ブロックの最後に走査される前記ゲート線に接続された前記セレクタトランジスタと、前記第2ブロックの最初に走査される前記ゲート線に接続された前記セレクタトランジスタとの間に配置されてもよい。
本発明に係る表示装置では、1つの前記ブロックに含まれる複数の前記セレクタトランジスタそれぞれの制御電極は、一体に形成されてもよい。
本発明に係る表示装置では、前記遮光部は、前記セレクタトランジスタの制御電極が延長した部分であってもよい。
本発明に係る表示装置では、前記遮光部は、ダミートランジスタで構成されており、1つの前記ブロックに含まれる複数の前記セレクタトランジスタそれぞれの制御電極と、該ブロックに対応する前記ダミートランジスタの制御電極とは、一体に形成されてもよい。
本発明に係る表示装置では、前記各ダミートランジスタの一方の導通電極及び他方の導通電極には信号線が接続されていなくてもよい。
本発明に係る表示装置では、前記各ダミートランジスタの一方の導通電極にはダミー信号を供給するダミー信号供給配線が接続されており、他方の導通電極には容量が接続されてもよい。
本発明に係る表示装置では、前記各ダミートランジスタの一方の導通電極にはダミー信号を供給するダミー信号供給配線が接続されており、前記複数のダミートランジスタそれぞれの他方の導通電極は互いに電気的に接続されてもよい。
本発明に係る表示装置では、前記各ダミートランジスタの一方の導通電極には対応する前記ゲート電圧供給配線が接続されており、他方の導通電極には容量が接続されてもよい。
本発明に係る表示装置では、前記各ダミートランジスタの一方の導通電極には前記ゲート電圧供給配線が接続されており、前記各ダミートランジスタの他方の導通電極は互いに電気的に接続されてもよい。
本発明に係る表示装置では、前記各ダミートランジスタの一方の導通電極には、対応する前記ゲート電圧供給配線が接続されており、奇数番目の前記ブロックに対応する前記各ダミートランジスタの他方の導通電極には、第1容量が接続されており、偶数番目の前記ブロックに対応する前記各ダミートランジスタの他方の導通電極には、第2容量が接続されてもよい。
本発明に係る表示装置では、前記各ダミートランジスタの一方の導通電極には、対応する前記ゲート電圧供給配線が接続されており、奇数番目の前記ブロックに対応する前記各ダミートランジスタの他方の導通電極は互いに電気的に接続されており、偶数番目の前記ブロックに対応する前記各ダミートランジスタの他方の導通電極は互いに電気的に接続されてもよい。
本発明に係る表示装置によれば、グループ毎にゲート線を走査する駆動方式の表示装置における表示ムラを低減することができる。
本実施形態に係る液晶表示装置の概略構成を示す平面図及び側面図である。 本実施形態に係る表示パネルの概略構成を示す平面図である。 本実施形態に係る表示パネルの詳細な構成を示す平面図である。 本実施形態に係る表示パネルの動作を示すタイミングチャートである。 構成例1に係る表示パネルのブロックの詳細な構成を示す平面図である。 構成例2に係る表示パネルのブロックの詳細な構成を示す平面図である。 構成例3に係る表示パネルのブロックの詳細な構成を示す平面図である。 構成例4に係る表示パネルのブロックの詳細な構成を示す平面図である。 構成例5に係る表示パネルのブロックの詳細な構成を示す平面図である。 本実施形態に係る表示パネルの他の構成を示す平面図である。 変形例に係る表示パネルの構成を示す平面図である。 変形例に係る表示パネルの構成を示す平面図である。 変形例に係る表示パネルの構成を示す平面図である。
本発明の一実施形態について、図面を用いて以下に説明する。本発明の実施形態では、表示装置として、液晶表示装置を例に挙げるが、本発明はこれに限定されず、例えば有機EL表示装置等であってもよい。また、本発明の実施形態では、COG(Chip On Glass)方式の液晶表示装置を例に挙げるが、これに限定されず、例えばCOF(Chip On Film)方式又はTCP(Tape Carrier Package)方式の液晶表示装置であってもよい。
図1は、本実施形態に係る液晶表示装置の概略構成を示す平面図及び側面図である。液晶表示装置100は、表示パネル10、ソースドライバIC2、ゲートドライバIC3、及び、バックライト装置(図示せず)を含んで構成されている。表示パネル10は、薄膜トランジスタ基板4(TFT基板)、カラーフィルタ基板5(CF基板)、及び、両基板間に挟持された液晶層6を含んでいる。ソースドライバIC2及びゲートドライバIC3は、TFT基板4を構成するガラス基板上に直接搭載されている。ソースドライバIC2及びゲートドライバIC3は、表示パネル10の一辺に沿って一列に並んで配置されている。なお、ソースドライバIC2及びゲートドライバIC3の数は限定されない。また、表示パネル10は、画像を表示する表示領域10aと、表示領域10aの周囲の額縁領域10bとを含んでいる。
図2は、表示パネル10における表示領域10aの概略構成を示す平面図である。表示パネル10には、第1方向(例えば行方向)に延在する複数のデータ線11と、第2方向(例えば列方向)に延在する複数のゲート線12とが設けられている。各データ線11と各ゲート線12との各交差部には、薄膜トランジスタ(以下、画素TFTという。)13が設けられている。各データ線11はソースドライバIC2(図1参照)に電気的に接続されており、各ゲート線12はゲートドライバIC3(図1参照)に電気的に接続されている。なお、符号D1は、列方向の最端部に配置される1番目のデータ線11を示し、符号D2は、1番目のデータ線11の列方向に隣り合う2番目のデータ線11を示している。符号G1は、行方向の最端部に配置される1番目のゲート線12を示し、符号G2は、2番目のゲート線12の行方向に隣り合う2番目のゲート線12を示している。ゲート線G1,G2の順に走査される。
表示パネル10には、各データ線11と各ゲート線12との各交差部に対応して、複数の画素14がマトリクス状(行方向及び列方向)に配置されている。TFT基板4には、画素14ごとに配置される複数の画素電極15と、複数の画素14に共通する共通電極16とが設けられている。なお、共通電極16はCF基板5に設けられてもよい。
各データ線11には、対応するソースドライバIC2からデータ信号(データ電圧)が供給される。各ゲート線12には、ゲートドライバIC3からゲート信号(ゲートオン電圧、ゲートオフ電圧)が供給される。共通電極16には、コモンドライバ(図示せず)から共通配線17を介して共通電圧Vcomが供給される。ゲート信号のオン電圧(ゲートオン電圧)がゲート線12に供給されると、ゲート線12に接続された画素TFT13がオンし、画素TFT13に接続されたデータ線11を介して、データ電圧が画素電極15に供給される。画素電極15に供給されたデータ電圧と、共通電極16に供給された共通電圧Vcomとの差により電界が生じる。この電界により液晶を駆動してバックライトの光の透過率を制御することによって画像表示を行う。なお、カラー表示を行う場合は、ストライプ状のカラーフィルタで形成された赤色、緑色、青色に対応するそれぞれの画素14の画素電極15に接続されたそれぞれのデータ線11に、所望のデータ電圧を供給することにより実現される。
図3は、表示パネル10の詳細な構成を示す平面図である。表示パネル10の額縁領域10bの周縁部(図3では、左辺側)には、各データ線11の一端が電気的に接続されるソースドライバIC2(SD−IC)と、各ゲート線12の一端が電気的に接続されるゲートドライバIC3(GD−IC)と、共通配線17の一端が接続される端子Vcomとが配置されている。ゲート線12の一端は、ゲート線12を選択するための薄膜トランジスタ(以下、セレクタTFTという。)21の一方の導通電極(ソース電極)に接続されており、セレクタTFT21の他方の導通電極(ドレイン電極)はゲート電圧供給配線31に電気的に接続されている。セレクタTFT21は、対応するゲート線12を選択するためのスイッチとして機能する。1本のゲート電圧供給配線31には、複数本のゲート線12が電気的に接続されている。具体的には、例えば、ゲート線12の本数が1920本の場合、1番目,31番目,61番目,…,1891番目のゲート線G1,G31,G61,…,G1891が、それぞれに対応するセレクタTFT21を介してゲート電圧供給配線VG1に接続されており、2番目,32番目,62番目,…,1892番目のゲート線G2,G32,G62,…,G1892が、それぞれに対応するセレクタTFT21を介してゲート電圧供給配線VG2に接続されている。同様に、30番目,60番目,90番目,…,1920番目のゲート線G30,G60,G90,…,G1920が、それぞれに対応するセレクタTFT21を介してゲート電圧供給配線VG30に接続されている。すなわち、図3の例では、ゲート線12は、30本おきに同一のゲート電圧供給配線31に接続されている。1本のゲート電圧供給配線31には、64本のゲート線12が電気的に接続されている。ゲート電圧供給配線VG1〜VG30に接続される隣り合う30本のゲート線12は1つのグループを構成している。例えば、ゲート線G1〜G30が1つのグループ(第1グループ)を構成し、ゲート線G31〜G60が1つのグループ(第2グループ)を構成し、ゲート線G1891〜G1920が1つのグループ(第64グループ)を構成している。図3の例では、ゲート線12は、64個のグループで構成されている。
1つのグループに対応する30個のセレクタTFT21は、それぞれの制御電極(ゲート電極)が一体に形成されて同一のゲート選択信号供給配線32(選択信号供給配線)に接続されている。1つのグループに対応する複数のセレクタTFT21で1つのブロックを構成している。ここでは、各ブロックに30個のセレクタトランジスタが含まれている。例えば、ゲート線G1〜G30を含む第1グループに対応する第1ブロックにおいて、ゲート線G1〜G30のそれぞれに接続される30個のセレクタTFT21は、それぞれの制御電極が一体に形成されてゲート選択信号供給配線CLK1に接続されている。また、ゲート線G31〜G60を含む第2グループに対応する第2ブロックにおいて、ゲート線G31〜G60のそれぞれに接続される30個のセレクタTFT21は、それぞれの制御電極が一体に形成されてゲート選択信号供給配線CLK2に接続されている。同様に、ゲート線G1891〜G1920を含む第64グループに対応する第64ブロックにおいて、ゲート線G1891〜G1920のそれぞれに接続される30個のセレクタTFT21は、それぞれの制御電極が一体に形成されてゲート選択信号供給配線CLK64に接続されている。すなわち、各ブロックに対して、互いに異なるゲート選択信号供給配線32が設けられている。
ここで、表示パネル10の動作について説明する。図4は、表示パネル10の動作を示すタイミングチャートである。図4に示すCK1,CK2は、制御回路(図示せず)からゲートドライバIC3に入力されるクロックを示し、CLK1,CLK2は、ゲート選択信号供給配線CLK1,CLK2に供給される電圧を示し、VG1〜VG30は、ゲート電圧供給配線VG1〜VG30に供給される電圧を示す。
先ず、ゲートドライバIC3は、クロックCK1の立ち上がりのタイミングで、ゲート選択信号供給配線CLK1にセレクタTFT21をオンする電圧(ゲートオン電圧)を供給する。これにより、第1グループのゲート線G1〜G30に接続された、第1ブロックの30個のセレクタTFT21がオン状態になる。次に、ゲートドライバIC3は、クロックCK2の立ち上がりのタイミングで、ゲート電圧供給配線VG1に、画素TFT13(図2参照)をオンする電圧(ゲートオン電圧Vgh)を供給する。これにより、ゲート線G1に接続された1列目の画素TFT13がオン状態になり、ソースドライバIC2から出力されたデータ電圧が、画素TFT13に接続されたデータ線11を介して、1列目の画素電極15に供給される。次に、ゲートドライバIC3は、クロックCK2の立ち上がりのタイミングで、ゲート電圧供給配線VG1に、画素TFT13をオフする電圧(ゲートオフ電圧Vgl)を供給するとともに、ゲート電圧供給配線VG2にゲートオン電圧Vghを供給する。これにより、ゲート線G1に接続された1列目の画素TFT13がオフし、ゲート線G2に接続された2列目の画素TFT13がオン状態になり、ソースドライバIC2から出力されたデータ電圧が、画素TFT13に接続されたデータ線11を介して、2列目の画素電極15に供給される。このように、表示パネル10は、第1グループのゲート線G1〜G30を順次駆動して、対応する画素電極15にデータ電圧を供給する。
続いて、ゲートドライバIC3は、クロックCK1の立ち上がりのタイミングで、ゲート選択信号供給配線CLK1にセレクタTFT21をオフする電圧(ゲートオフ電圧)を供給するとともに、ゲート選択信号供給配線CLK2にゲートオン電圧を供給する。これにより、第1グループのゲート線G1〜G30に接続された、第1ブロックの30個のセレクタTFT21がオフし、第2グループのゲート線G31〜G60に接続されたセレクタTFT21がオン状態になる。次に、ゲートドライバIC3は、クロックCK2の立ち上がりのタイミングで、ゲート電圧供給配線VG1にゲートオン電圧Vghを供給する。これにより、ゲート線G31に接続された31列目の画素TFT13がオン状態になり、ソースドライバIC2から出力されたデータ電圧が、画素TFT13に接続されたデータ線11を介して、31列目の画素電極15に供給される。次に、ゲートドライバIC3は、クロックCK2の立ち上がりのタイミングで、ゲート電圧供給配線VG1にゲートオフ電圧Vglを供給するとともに、ゲート電圧供給配線VG2にゲートオン電圧Vghを供給する。これにより、ゲート線G31に接続された31列目の画素TFT13がオフし、ゲート線G32に接続された32列目の画素TFT13がオン状態になり、ソースドライバIC2から出力されたデータ電圧が、画素TFT13に接続されたデータ線11を介して、32列目の画素電極15に供給される。このように、表示パネル10は、第2グループのゲート線G31〜G60を順次駆動して、対応する画素電極15にデータ電圧を供給する。
以降、表示パネル10は、グループごとにゲート線12を順次駆動して、対応する画素電極15にデータ電圧を供給する。ゲートセレクタ方式の表示パネル10の動作方法は上記駆動方法に限定されず、周知の方法を適用することができる。
上記構成によれば、ゲートドライバIC3に接続される配線(引き出し線)の本数を、ゲート線12の本数に比べて少なくすることができるため、全てのゲート線12をゲートドライバICに引き回す構成と比較して、列方向の額縁領域の面積を縮小することができる。
図3に戻り、本実施形態に係る表示パネル10では、さらに、隣り合う2つのブロックの間に、ゲート線12に電気的に接続されないダミー用の薄膜トランジスタ(以下、ダミーTFTという。)22が配置されている。具体的には、ダミーTFT22は、各ブロックにおいて、1番目に走査されるゲート線G1,G31,G61,…,G1891に接続される各セレクタTFT21に対して、走査方向とは反対方向に並んで配置されている。ダミーTFT22は、ゲート電極とドレイン電極とソース電極とを含んで構成されている。ダミーTFT22のゲート電極は、遮光性を有するとともに、セレクタTFT21のゲート電極と一体に形成されている。すなわち、ダミーTFT22は、隣り合う2つのブロックの間から漏れるバックライト光を遮蔽する遮光部としての機能を有する。
ダミーTFT22を含む表示パネル10の構成は特に限定されず、種々の構成を採用することができる。以下、ダミーTFT22を含む表示パネル10の具体的な構成例について説明する。
[構成例1]
図3には、構成例1に係る表示パネル10の構成を示している。図5は、構成例1に係る表示パネル10のブロックの詳細な構成を示す平面図である。図5に示すように、ダミーTFT22aは、ブロックB1において、1番目に走査されるゲート線G1に接続されるセレクタTFTに対して、走査方向とは反対方向に並んで配置されている。またダミーTFT22aは、ゲート電極が、ブロックB1の各セレクタTFT21のゲート電極と一体に形成されてゲート選択信号供給配線CLK1に電気的に接続されており、ドレイン電極及びソース電極には信号線が接続されていない。なお、図5には、複数のセレクタTFTに共通するゲート電極と、各セレクタTFTに対応するドレイン電極、ソース電極及び半導体層(a−Si)とを模式的に示している。以降の図においても同様である。ダミーTFT22bは、ブロックB1,B2の間に配置されている。またダミーTFT22bは、ゲート電極が、ブロックB2の各セレクタTFT21のゲート電極と一体に形成されてゲート選択信号供給配線CLK2に電気的に接続されており、ドレイン電極及びソース電極には信号線が接続されていない。同様に、ダミーTFT22cは、ブロックB2,B3の間に配置されている。またダミーTFT22cは、ゲート電極が、ブロックB3の各セレクタTFT21のゲート電極と一体に形成されてゲート選択信号供給配線CLK3に電気的に接続されており、ドレイン電極及びソース電極には信号線が接続されていない。
ダミーTFT22a,22b,22cは、セレクタTFT21と並んで一直線上に配置されている。またダミーTFT22a,22b,22cそれぞれのゲート電極は、各ブロックB1,B2,B3のセレクタTFT21のゲート電極と一体に形成されている。
上記構成によれば、ブロック間の隙間を遮光できるため上記光漏れに起因する横筋の発生を抑えることができる。
[構成例2]
図6は、構成例2に係る表示パネル10のブロックの詳細な構成を示す平面図である。構成例2に係る表示パネル10は、図5に示した構成例1に係る表示パネル10に、さらに、所定の電圧を有するダミー信号を供給するダミー信号供給配線23と容量24とが追加されている構成である。ダミー信号は、ゲートオン電圧であってもよいし、ゲートオン電圧より低い電圧であってもよい。ダミーTFT22aは、ゲート電極が、ブロックB1の各セレクタTFT21のゲート電極と一体に形成されてゲート選択信号供給配線CLK1に電気的に接続されており、ドレイン電極がダミー信号供給配線DM1に接続されており、ソース電極が容量24に接続されている。ダミーTFT22bは、ゲート電極が、ブロックB2の各セレクタTFT21のゲート電極と一体に形成されてゲート選択信号供給配線CLK2に電気的に接続されており、ドレイン電極がダミー信号供給配線DM2に接続されており、ソース電極が容量24に接続されている。ダミーTFT22cは、ゲート電極が、ブロックB3の各セレクタTFT21のゲート電極と一体に形成されてゲート選択信号供給配線CLK3に電気的に接続されており、ドレイン電極がダミー信号供給配線DM3に接続されており、ソース電極が容量24に接続されている。構成例2によれば、容量24は、各ダミーTFT22の負荷容量として機能するため、各ダミーTFT22に電流が流れることにより発熱する。これにより、特に各ブロックにおいて1番目に走査されるゲート線G1,G31,G61,…,G1891に接続される各セレクタTFT21における発熱量を他のセレクタTFT21の発熱量に近づけることができるため、上記光漏れに起因する横筋の発生を抑えることができるとともに、さらに熱量に起因する横筋の発生を抑えることができる。
[構成例3]
図7は、構成例3に係る表示パネル10のブロックの詳細な構成を示す平面図である。構成例3に係る表示パネル10は、図5に示した構成例1に係る表示パネル10に、さらに、ダミー信号供給配線23とダミー配線25とが追加されている構成である。ダミーTFT22aは、ゲート電極が、ブロックB1の各セレクタTFT21のゲート電極と一体に形成されてゲート選択信号供給配線CLK1に電気的に接続されており、ドレイン電極がダミー信号供給配線DM1に接続されており、ソース電極がダミー配線25に接続されている。ダミーTFT22bは、ゲート電極が、ブロックB2の各セレクタTFT21のゲート電極と一体に形成されてゲート選択信号供給配線CLK2に電気的に接続されており、ドレイン電極がダミー信号供給配線DM2に接続されており、ソース電極がダミー配線25に接続されている。ダミーTFT22cは、ゲート電極が、ブロックB3の各セレクタTFT21のゲート電極と一体に形成されてゲート選択信号供給配線CLK3に電気的に接続されており、ドレイン電極がダミー信号供給配線DM3に接続されており、ソース電極がダミー配線25に接続されている。ダミー配線25には信号が供給されずフローティング状態で配置されている。構成例3によれば、例えばブロックB1に対応するダミーTFT22aは、ダミー配線25を介して、ブロックB2に対応するダミーTFT22bと、ブロックB3に対応するダミーTFT22cとに接続されており、ダミーTFT22b,22cが図6に示した負荷容量と同様の機能を果たすため、ダミーTFT22aに電流が流れることにより発熱する。これにより、構成例2と同様に、熱量に起因する横筋の発生を抑えることができる。
[構成例4]
図8は、構成例4に係る表示パネル10のブロックの詳細な構成を示す平面図である。構成例4に係る表示パネル10は、図5に示した構成例1に係る表示パネル10に、さらに、ゲート電圧供給配線VG0と容量24とが追加されている構成である。ダミーTFT22aは、ゲート電極が、ブロックB1の各セレクタTFT21のゲート電極と一体に形成されてゲート選択信号供給配線CLK1に電気的に接続されており、ドレイン電極がゲート電圧供給配線VG0に接続されており、ソース電極が容量24に接続されている。ダミーTFT22bは、ゲート電極が、ブロックB2の各セレクタTFT21のゲート電極と一体に形成されてゲート選択信号供給配線CLK2に電気的に接続されており、ドレイン電極がゲート電圧供給配線VG0に接続されており、ソース電極が容量24に接続されている。ダミーTFT22cは、ゲート電極が、ブロックB3の各セレクタTFT21のゲート電極と一体に形成されてゲート選択信号供給配線CLK3に電気的に接続されており、ドレイン電極がゲート電圧供給配線VG0に接続されており、ソース電極が容量24に接続されている。構成例4によれば、各ダミーTFT22のドレイン電極には、セレクタTFT21の走査順に従って、順次ゲートオン電圧が供給される。そして容量24は、各ダミーTFT22の負荷容量として機能するため、各ダミーTFT22に電流が流れることにより発熱する。これにより、構成例2と同様に、熱量に起因する横筋の発生を抑えることができる。
[構成例5]
図9は、構成例5に係る表示パネル10のブロックの詳細な構成を示す平面図である。構成例5に係る表示パネル10は、図5に示した構成例1に係る表示パネル10に、さらに、ゲート電圧供給配線VG0とダミー配線25とが追加されている構成である。ダミーTFT22aは、ゲート電極が、ブロックB1の各セレクタTFT21のゲート電極と一体に形成されてゲート選択信号供給配線CLK1に電気的に接続されており、ドレイン電極がゲート電圧供給配線VG0に接続されており、ソース電極がダミー配線25に接続されている。ダミーTFT22bは、ゲート電極が、ブロックB2の各セレクタTFT21のゲート電極と一体に形成されてゲート選択信号供給配線CLK2に電気的に接続されており、ドレイン電極がゲート電圧供給配線VG0に接続されており、ソース電極がダミー配線25に接続されている。ダミーTFT22cは、ゲート電極が、ブロックB3の各セレクタTFT21のゲート電極と一体に形成されてゲート選択信号供給配線CLK3に電気的に接続されており、ドレイン電極がゲート電圧供給配線VG0に接続されており、ソース電極がダミー配線25に接続されている。構成例5によれば、各ダミーTFT22のドレイン電極には、セレクタTFT21の走査順に従って、順次ゲートオン電圧が供給される。また構成例5によれば、例えばブロックB1に対応するダミーTFT22aは、ダミー配線25を介して、ブロックB2に対応するダミーTFT22bと、ブロックB3に対応するダミーTFT22cとに接続されており、ダミーTFT22b,22cが図6に示した負荷容量と同様の機能を果たすため、ダミーTFT22aに電流が流れることにより発熱する。これにより、構成例2と同様に、熱量に起因する横筋の発生を抑えることができる。
上記構成例1〜5では、ダミーTFT22(遮光部)は、隣り合う2つのブロックの間に配置される構成を示したが、これに限定されず、ダミーTFT22は、隣り合う2つのブロックの間と、各ブロック内の所定の位置とに配置されてもよい。例えば、ダミーTFT22は、ブロック内において、隣り合う2つのセレクタTFT21の間に隙間がある場合に、その隙間に配置されてもよい。上記構成は各構成例1〜5に適用できる。
また上記構成例1〜5では、ダミーTFT22は、各ブロックの先頭(前)の位置に配置される構成を示したが、これに限定されず、ダミーTFT22は、例えば図10に示すように、各ブロックの先頭と最終(後)の位置に配置されてもよい。図10は構成例1に対応しているが、上記構成は他の構成例2〜5にも適用できる。上記構成によれば、走査方向に関わらず、上記光漏れに起因する横筋の発生を抑えることができる。
また上記構成例1〜5では、セレクタTFT21及びダミーTFT22が、ゲート線12の一端側に設けられているが、セレクタTFT21及びダミーTFT22は、一端側と他端側の両方に設けられていてもよい。すなわち、ゲート線12を両端から駆動する方式の表示パネルにも適用できる。
上記構成例2(図6参照)及び構成例4(図8参照)では、各ダミーTFT22のソース電極が1つの容量24に接続されているが、本実施形態に係る表示パネル10はこれに限定されない。例えば、図11に示すように、表示パネル10は、奇数ブロック(B1,B3等)に対応するダミーTFT(22a,22c等)のソース電極が容量24a(第1容量)に接続され、偶数ブロック(B2,B4等)に対応するダミーTFT(22b,22d等)のソース電極が容量24b(第2容量)に接続されてもよい。これにより、隣り合う2つのダミーTFTを互いに電気的に切り離すことができるため、例えば隣り合う2本のゲート選択信号供給配線CLKに同時にゲートオン電圧を供給して対応するゲート線を駆動する構成において、隣り合う2つのダミーTFTが同時にオン状態になって互いに電気的に接続することによる不具合を防止することができる。図11は、図6の構成に適用した例を示したが、図8の構成においても同様に適用することができる。
同様に、上記構成例3(図7参照)及び構成例5(図9参照)では、各ダミーTFT22のソース電極が1本のダミー配線25に接続されているが、本実施形態に係る表示パネル10はこれに限定されない。例えば、図12に示すように、表示パネル10は、奇数ブロック(B1,B3等)に対応するダミーTFT(22a,22c等)のソース電極がダミー配線25aに接続され、偶数ブロック(B2,B4等)に対応するダミーTFT(22b,22d等)のソース電極がダミー配線25bに接続されてもよい。これにより、奇数ブロックに対応する各ダミーTFTのソース電極が互いに電気的に接続され、偶数ブロックに対応する各ダミーTFTのソース電極が互いに電気的に接続される。そして、隣り合う2つのダミーTFTを互いに電気的に切り離すことができるため、例えば隣り合う2本のゲート選択信号供給配線CLKに同時にゲートオン電圧を供給して対応するゲート線を駆動する構成において、隣り合う2つのダミーTFTが同時にオン状態になって互いに電気的に接続することによる不具合を防止することができる。図12は、図7の構成に適用した例を示したが、図9の構成においても同様に適用することができる。
上記のとおり、本実施形態に係る表示パネル10では、少なくとも隣り合う2つのブロックの間に遮光部が配置されている。遮光部は、上記構成例1〜5に示したダミーTFT22に限定されない。例えば、遮光部は、セレクタトランジスタのゲート電極の延長領域であるゲート電極延長部26であってもよい。図13は、ゲート電極延長部26を構成例1に適用した場合の表示パネル10の構成を示す平面図である。
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で上記各実施形態から当業者が適宜変更した形態も本発明の技術的範囲に含まれることは言うまでもない。
100 液晶表示装置、2 ソースドライバIC、3 ゲートドライバIC、4 薄膜トランジスタ基板、5 カラーフィルタ基板、6 液晶層、10 表示パネル、10a 表示領域、10b 額縁領域、11 データ線、12 ゲート線、13 画素TFT、14 画素、15 画素電極、16 共通電極、17 共通配線、18 ゲート検査用TFT、19 ソース検査用TFT、21 セレクタTFT、22 ダミーTFT、23 ダミー信号供給配線、24 容量、25 ダミー配線、26 ゲート電極延長部、31 ゲート電圧供給配線、32 ゲート選択信号供給配線、41 検査用制御信号供給配線、42,43 検査用ゲート選択信号供給配線、44,45 検査用ゲート電圧供給配線、46 検査用データ信号供給配線。

Claims (11)

  1. 第1方向に延在する複数のデータ線と、
    第2方向に延在するとともに、第1方向に隣り合う複数本ずつが1つのグループに分けられた複数のゲート線と、
    複数の前記グループそれぞれに対応して複数のブロックに分けられており、それぞれの一方の導通電極が前記複数のゲート線それぞれの端部に接続された複数のセレクタトランジスタと、
    前記ブロックごとに設けられており、該ブロックに含まれる複数の前記セレクタトランジスタそれぞれの制御電極に接続された複数の選択信号供給配線と、
    互いに異なる前記グループに対応する複数の前記セレクタトランジスタそれぞれの他方の導通電極に共通して接続された複数のゲート電圧供給配線と、
    前記複数の選択信号供給配線それぞれに、前記セレクタトランジスタをオン又はオフする制御電圧を供給するとともに、前記複数のゲート電圧供給配線それぞれに、順次、ゲート電圧を供給するゲートドライバと、
    り合う2つの前記ブロックの間に配置されたダミートランジスタと、
    を含むことを特徴とする表示装置。
  2. 前記ダミートランジスタは、複数の前記ブロックに含まれる、走査方向に順に並べられた第1ブロック及び第2ブロックにおいて、前記第1ブロックの最後に走査される前記ゲート線に接続された前記セレクタトランジスタと、前記第2ブロックの最初に走査される前記ゲート線に接続された前記セレクタトランジスタとの間に配置されている、
    ことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
  3. 1つの前記ブロックに含まれる複数の前記セレクタトランジスタそれぞれの制御電極は、一体に形成されている、
    ことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
  4. つの前記ブロックに含まれる複数の前記セレクタトランジスタそれぞれの制御電極と、該ブロックに対応する前記ダミートランジスタの制御電極とは、一体に形成されている、
    ことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
  5. 前記各ダミートランジスタの一方の導通電極及び他方の導通電極には信号線が接続されていない、
    ことを特徴とする請求項4に記載の表示装置。
  6. 前記各ダミートランジスタの一方の導通電極にはダミー信号を供給するダミー信号供給配線が接続されており、他方の導通電極には容量が接続されている、
    ことを特徴とする請求項4に記載の表示装置。
  7. 前記各ダミートランジスタの一方の導通電極にはダミー信号を供給するダミー信号供給配線が接続されており、
    前記複数のダミートランジスタそれぞれの他方の導通電極は互いに電気的に接続されている、
    ことを特徴とする請求項4に記載の表示装置。
  8. 前記各ダミートランジスタの一方の導通電極には対応する前記ゲート電圧供給配線が接続されており、他方の導通電極には容量が接続されている、
    ことを特徴とする請求項4に記載の表示装置。
  9. 前記各ダミートランジスタの一方の導通電極には前記ゲート電圧供給配線が接続されており、
    前記各ダミートランジスタの他方の導通電極は互いに電気的に接続されている、
    ことを特徴とする請求項4に記載の表示装置。
  10. 前記各ダミートランジスタの一方の導通電極には、対応する前記ゲート電圧供給配線が接続されており、
    奇数番目の前記ブロックに対応する前記各ダミートランジスタの他方の導通電極には、第1容量が接続されており、
    偶数番目の前記ブロックに対応する前記各ダミートランジスタの他方の導通電極には、第2容量が接続されている、
    ことを特徴とする請求項4に記載の表示装置。
  11. 前記各ダミートランジスタの一方の導通電極には、対応する前記ゲート電圧供給配線が接続されており、
    奇数番目の前記ブロックに対応する前記各ダミートランジスタの他方の導通電極は互いに電気的に接続されており、
    偶数番目の前記ブロックに対応する前記各ダミートランジスタの他方の導通電極は互いに電気的に接続されている、
    ことを特徴とする請求項4に記載の表示装置。
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