JP6601738B2 - 結晶積層構造体、及びその製造方法 - Google Patents
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Description
(結晶積層構造体の構成)
図1は、実施の形態に係る結晶積層構造体1の垂直断面図である。結晶積層構造体1は、Ga2O3系基板10と、Ga2O3系基板10の主面11上にエピタキシャル結晶成長により形成されたβ−Ga2O3系単結晶膜12を有する。
以下に、本実施の形態に係るβ−Ga2O3系単結晶膜12の成長に用いる気相成長装置の構造の一例について説明する。
以下に、本実施の形態に係るβ−Ga2O3系単結晶膜12の成長工程の一例について説明する。
上記実施の形態によれば、HVPE法を用いて、ガリウムの原料ガスの生成条件や、β−Ga2O3系単結晶膜の成長条件を制御することにより、高品質かつ大口径のβ−Ga2O3系単結晶膜を効率的に成長させることができる。また、β−Ga2O3系単結晶膜が結晶品質に優れるため、β−Ga2O3系単結晶膜上に品質のよい結晶膜を成長させることができる。このため、本実施の形態に係るβ−Ga2O3系単結晶膜を含む結晶積層構造体を高品質な半導体装置の製造に用いることができる。
Claims (2)
- Ga2O3系基板と、
前記Ga2O3系基板の主面上に設けられたClを含むβ−Ga2O3系単結晶膜と、
を含み、
前記β−Ga2O3系単結晶膜は、その厚さ方向に1×1016〜5×1016(atoms/cm3)の前記Clを含む部分を有し、
前記β−Ga2O3系単結晶膜は、1×1013〜1×1020/cm3の範囲でIV族元素によるキャリア濃度が制御可能である結晶積層構造体。 - 結晶積層構造体をHVPE法によって製造する製造方法であって、
Ga2O3系基板を反応チャンバー内の結晶成長領域に配置する工程と、
塩化ガリウム系ガス及び酸素含有ガスを前記反応チャンバー内の結晶成長領域へ供給してβ−Ga2O3系単結晶膜を900℃以上で前記Ga2O3系基板上に成長させる工程と、を有し、
前記β−Ga 2 O 3 系単結晶膜を900℃以上で前記Ga 2 O 3 系基板上に成長させる工程は、前記塩化ガリウム系ガス及び酸素含有ガスに併せてIV族元素のドーパントを添加するための塩化物系ガスを前記反応チャンバー内の結晶成長領域へ供給して、前記β−Ga2O3系単結晶膜のキャリア濃度を1×1013〜1×1020/cm3の範囲にする工程を含む、結晶積層構造体の製造方法。
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