JP6600724B1 - Conductive ring, power supply device using conductive ring, and electroplating jig using power supply device - Google Patents
Conductive ring, power supply device using conductive ring, and electroplating jig using power supply device Download PDFInfo
- Publication number
- JP6600724B1 JP6600724B1 JP2018155610A JP2018155610A JP6600724B1 JP 6600724 B1 JP6600724 B1 JP 6600724B1 JP 2018155610 A JP2018155610 A JP 2018155610A JP 2018155610 A JP2018155610 A JP 2018155610A JP 6600724 B1 JP6600724 B1 JP 6600724B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive ring
- conductive
- semiconductor device
- power supply
- electroplating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
【課題】電流密度分布の一致性が優れる導電リング、導電リングによる電力供給装置及び電力供給装置による電気メッキ治具の提供。【解決手段】本発明は、複数段の導電段３１により構成される分断型構成の導電リング本体３を含み、複数段に均一に分割され、各段では独立電流制御が可能であることによって、ウェハ又はプリント配線板全体の電流密度分布の一致性と均一性を確保し、表面の電気メッキ層の質を保証する。従来の導電リングの本体にニケッルメッキ層と銀メッキ層を設け、導電抵抗を降下し、電流伝達の安定性を増加するため、導電リング本体のメンテナンスと交換の頻度が減少し、メンテナンスのコストを低下させる。【選択図】図１Provided are a conductive ring having excellent consistency of current density distribution, a power supply device using the conductive ring, and an electroplating jig using the power supply device. The present invention includes a conductive ring body 3 having a divided configuration constituted by a plurality of conductive stages 31 and is divided into a plurality of stages uniformly, and independent current control is possible in each stage. The consistency and uniformity of the current density distribution of the entire wafer or printed wiring board is ensured, and the quality of the surface electroplating layer is guaranteed. A conventional nickel ring layer and silver plating layer are provided on the main body of the conductive ring to lower the conductive resistance and increase the stability of current transmission, thus reducing the frequency of maintenance and replacement of the conductive ring body and reducing the maintenance cost. Let [Selection] Figure 1
Description
本発明は、電気メッキの技術領域に関し、特に導電リング、導電リングによる電力供給装置及び電力供給装置による電気メッキ治具に関する。 The present invention relates to the technical field of electroplating, and more particularly to a conductive ring, a power supply device using a conductive ring, and an electroplating jig using the power supply device.
半導体デバイス（ウェハ又はプリント配線板等）の生産において、その表面に電気メッキを行う必要がある。例えば、ウェハの場合は、導電リングが備えられる電気メッキ治具にウェハを配置して、これら導電リングを電気メッキ治具に配置されているウェハに接触させるようになっているので、ウェハを電気メッキする治具に配置されているウェハが電気メッキの工程において外部電源に接続することができ、電気メッキ液の分解によってその表面に所要のメッキ層を形成することができる。ところが、実際の電気メッキ工程において、ウェハのそれぞれの領域でメッキ層の厚さが同様ではない不都合が非常に起こりやすい。主な原因として、それぞれの領域における電流密度分布には偏差があることである。電流密度分布の均一化確保の解決はしつこく迫っている問題になっている。 In the production of semiconductor devices (such as wafers or printed wiring boards), it is necessary to perform electroplating on the surface. For example, in the case of a wafer, the wafer is placed on an electroplating jig provided with a conductive ring, and these conductive rings are brought into contact with the wafer placed on the electroplating jig. The wafer placed on the jig to be plated can be connected to an external power source in the electroplating process, and a required plating layer can be formed on the surface by decomposition of the electroplating solution. However, in an actual electroplating process, a disadvantage that the thickness of the plating layer is not the same in each region of the wafer is very likely to occur. The main cause is that there is a deviation in the current density distribution in each region. The solution to ensure uniform current density distribution is a persistent issue.
上記の技術に存在する不足の部分に対して、本発明は、導電リング、導電リングによる電力供給装置及び電力供給装置による電気メッキ治具を提供し、電気メッキの工程においてウェハ又はプリント配線板等の半導体デバイスに対して各領域独立電流制御を行うことによって、電流密度分布の一致性が優れる導電リングを確保している。 The present invention provides a conductive ring, a power supply device using the conductive ring, and an electroplating jig using the power supply device, and a wafer or a printed wiring board in the electroplating process. By performing independent current control for each region on the semiconductor device, a conductive ring with excellent consistency of current density distribution is secured.
上記の技術に存在する不足の部分に対して、本発明は、導電リング、導電リングによる電力供給装置及び電力供給装置による電気メッキ治具を提供し、電気メッキの工程においてウェハ又はプリント配線板等の半導体デバイスに対して各領域独立電流制御を行うことによって、電流密度分布の一致性が優れる導電リングを確保している。 The present invention provides a conductive ring, a power supply device using the conductive ring, and an electroplating jig using the power supply device, and a wafer or a printed wiring board in the electroplating process. By performing independent current control for each region on the semiconductor device, a conductive ring with excellent consistency of current density distribution is secured.
上記の目的を達成するために、本発明は、複数段の導電段により構成される分断型構成の導電リング本体を含み、隣り合う導電段はその間の断口に絶縁ゴムが充填されて隔離されており、導電リング本体の表面に絶縁ゴム層が覆われており、前記導電リング本体に少なくとも一つの電極と少なくとも一つの支持足が備えられている導電リングを提供する。 In order to achieve the above-mentioned object, the present invention includes a conductive ring body having a divided configuration constituted by a plurality of conductive stages, and adjacent conductive stages are isolated by filling an insulating rubber between the cuts between them. And providing a conductive ring in which an insulating rubber layer is covered on a surface of the conductive ring body, and the conductive ring body includes at least one electrode and at least one support foot.
特に、導電リング本体の外表面に裏側から外側へ順次にニケッルメッキ層と銀メッキ層が備えられ、かつ銀メッキ層がニケッルメッキ層と絶縁ゴム層の間に配置される。 In particular, a nickel plating layer and a silver plating layer are sequentially provided on the outer surface of the conductive ring body from the back side to the outside, and the silver plating layer is disposed between the nickel plating layer and the insulating rubber layer.
特に、前記ニケッルメッキ層の厚さは3〜8μmであり、前記銀メッキ層の厚さは15〜30μmであり、前記断口の寸歩は3〜5mmであり、前記導電リング本体はステンレス製であり、各導電段にそれぞれ複数個の前記支持足が周方向に沿って設けられている。 Particularly, the thickness of the nickel plating layer is 3 to 8 μm, the thickness of the silver plating layer is 15 to 30 μm, the step size of the cut is 3 to 5 mm, and the conductive ring body is made of stainless steel. A plurality of support legs are provided along the circumferential direction in each conductive stage.
上記の目的を達成するために、本発明は、高周波スイッチ整流器と上記導電リングを含み、前記高周波スイッチ整流器の数と導電リングの導電段の数とは同じで、かつそれぞれの高周波スイッチ整流器がその相応するそれぞれの導電段に接続されており、それぞれの高周波スイッチ整流器の陽極ごとは陽極板に接続されており、該導電リングが半導体デバイスに接続されており、陽極板と半導体デバイスの間は電気メッキ液であり、高周波スイッチ整流器は回路全体に電圧電流を供給しており、高周波スイッチ整流器の電圧電位によって、陽極板から金属陽イオンが電気めっき液に溶解し、めっき液の金属イオンは、電力線の方向に従って半導体デバイスに移動し、最後には、金属陽イオンが半導体デバイスにおいて電子を獲得して金属の単質が析出し、電気メッキの工程が完成する導電リングによる電力供給装置を提供する。 In order to achieve the above object, the present invention includes a high-frequency switch rectifier and the conductive ring, wherein the number of the high-frequency switch rectifier and the number of conductive stages of the conductive ring are the same, and each high-frequency switch rectifier has its Each of the high-frequency switch rectifiers is connected to an anode plate, the conductive ring is connected to the semiconductor device, and an electrical connection is made between the anode plate and the semiconductor device. The high-frequency switch rectifier supplies the voltage and current to the entire circuit, and the metal cation is dissolved in the electroplating solution from the anode plate by the voltage potential of the high-frequency switch rectifier. The metal cations acquire electrons in the semiconductor device and finally move to the semiconductor device. There precipitated electroplating process to provide a power supply device by the conductive ring to complete.
上記の目的を達成するために、本発明は、治具本体と、カバー板と前記電力供給装置を備えており、
前記治具本体に半導体デバイスに合わせる凹溝が設けられており、前記電力供給装置の導電リング本体が前記半導体デバイスの下面に設けられており、前記カバー板に弾性ワッシャーと前記凹溝に合わせる外形寸歩のボスが設けられており、
前記カバー板が半導体デバイスの上面に締めされる時に、ボスが凹溝に入るとそれらによってチャンパーが形成されており、前記半導体デバイスと導電リング本体が該チャンパーに配置されており、複数個の導電銅フックが配列して治具本体に固定されており、かつ高周波スイッチ整流器のそれぞれがその対応する導電銅フックによりワイヤを介してその対応する導電段の電極に接続されている電力供給装置による電気メッキ治具を提供する。
In order to achieve the above object, the present invention comprises a jig body, a cover plate, and the power supply device.
The jig body is provided with a groove to match the semiconductor device, the conductive ring body of the power supply device is provided on the lower surface of the semiconductor device, and the cover plate has an outer shape to match the elastic washer and the groove. There is a short boss,
When the cover plate is fastened to the upper surface of the semiconductor device, when the boss enters the concave groove, a champ is formed by them, and the semiconductor device and the conductive ring body are disposed on the champ, and a plurality of conductive layers are formed. Electricity by a power supply device in which copper hooks are arranged and fixed to the jig body, and each of the high-frequency switch rectifiers is connected to the electrodes of the corresponding conductive stage via wires by the corresponding conductive copper hooks Provide plating jig.
特に、前記凹溝内に導電リング本体を配置するリング溝が設けられており、前記ボスに外ネジが設けられ、前記凹溝の内壁に外ネジに締合される内ネジが設けられており、カバー板が内・外ネジにより下回転する時、カバー板の半導体デバイスに対する圧力は下回転距離に対し線形関係を持つ。 In particular, a ring groove for disposing a conductive ring body is provided in the concave groove, an external screw is provided on the boss, and an internal screw that is fastened to the external screw is provided on the inner wall of the concave groove. When the cover plate is rotated downward by the inner and outer screws, the pressure of the cover plate on the semiconductor device has a linear relationship with the lower rotation distance.
従来の技術と比較すると、本発明が提供する導電リング、導電リングによる電力供給装置及び電力供給装置による電気メッキ治具は以下の有益な効果が奏する。
1）導電リングは、複数段に均一に分割され、各段では独立電流制御が可能であることによって、ウェハ又はプリント配線板全体の電流密度分布の一致性と均一性を確保し、表面の電気メッキ層の質を保証する。
2）従来の導電リングの本体にニケッルメッキ層と銀メッキ層を設け、導電抵抗を降下し、電流伝達の安定性を増加するため、導電リング本体のメンテナンスと交換の頻度を減少し、メンテナンスのコストを低下する。
3）高周波スイッチ整流器によって各段の導電リング本体に対してそれぞれ電流制御を行って、電力供給の際に電流フィードバックに応じてリアルタイムで整流することができる。これによって、一層容易にウェハ又はプリント配線板全体の電流密度分布の一致性と均一性を確保することができる。
4）ボスが凹溝に入るとそれらによってチャンパーが形成される。前記半導体デバイスと導電リング本体が該チャンパー内に配置される。このような構造方式を採用することにより、導電リング本体の導電の形態は、伝統的な点接触、線接触から面接触に変わり、大幅に電流のウェハにおける分布の均一性と電流密度を向上する。また、ウェハと導電リング本体の間に一定の圧力が存在するから、電気メッキ液の振動が発生したとしても、接触不都合も生じない。また、弾性ワッシャーによって電気メッキ液とウェハの下面とは隔離されているので、電気メッキの工程において薬剤が互いに侵食される現象を防ぐことができる。これによって、ウェハ又はプリント配線板の質が向上する。
Compared with the prior art, the conductive ring, the power supply device using the conductive ring, and the electroplating jig using the power supply device provided by the present invention have the following beneficial effects.
1) The conductive ring is uniformly divided into multiple stages, and independent current control is possible at each stage, ensuring consistency and uniformity of the current density distribution of the entire wafer or printed wiring board, and surface electrical Guarantee the quality of the plating layer.
2) A nickel-plated layer and a silver-plated layer are provided on the main body of the conventional conductive ring to reduce the conductive resistance and increase the stability of current transmission. To lower.
3) Current control can be performed on the conductive ring bodies of each stage by the high-frequency switch rectifier, and rectification can be performed in real time according to current feedback when supplying power. This makes it possible to more easily ensure the consistency and uniformity of the current density distribution of the entire wafer or printed wiring board.
4) When the boss enters the groove, a champ is formed by them. The semiconductor device and the conductive ring body are disposed in the champ. By adopting such a structural method, the conductive form of the conductive ring body changes from traditional point contact, line contact to surface contact, greatly improving the uniformity of current distribution and current density in the wafer. . In addition, since there is a certain pressure between the wafer and the conductive ring body, no contact inconvenience occurs even if the electroplating solution vibrates. In addition, since the electroplating solution and the lower surface of the wafer are separated from each other by the elastic washer, it is possible to prevent a phenomenon in which the chemicals are eroded from each other in the electroplating process. This improves the quality of the wafer or printed wiring board.
本発明をより明確に記述するため、以下図面を用いて本発明をさらに描写する。 In order to describe the present invention more clearly, the present invention will be further described below with reference to the drawings.
図1〜2に示すように、本発明にかかる導電リングは、複数段の導電段31により構成される分断型構成の導電リング本体3を含む。隣り合う導電段はその間の断口32に絶縁ゴムが充填されて隔離される。導電リング本体3の表面に絶縁ゴム層が覆われている。また、前記導電リング本体3に少なくとも一つの電極33と少なくとも一つの支持足34が備えられている。 As shown in FIGS. 1 and 2, the conductive ring according to the present invention includes a conductive ring body 3 having a split type structure including a plurality of conductive stages 31. Adjacent conductive steps are isolated by filling insulating rubber in the cuts 32 between them. An insulating rubber layer is covered on the surface of the conductive ring body 3. The conductive ring body 3 is provided with at least one electrode 33 and at least one support foot 34.
本実施例において、導電リング本体3の外表面に裏側から外側へ順次にニケッルメッキ層と銀メッキ層が備えられ、かつ銀メッキ層がニケッルメッキ層と絶縁ゴム層の間に配置される。 In the present embodiment, a nickel plating layer and a silver plating layer are sequentially provided on the outer surface of the conductive ring body 3 from the back side to the outside, and the silver plating layer is disposed between the nickel plating layer and the insulating rubber layer.
本実施例において、前記ニケッルメッキ層の厚さは3〜8μmであり、前記銀メッキ層の厚さは15〜30μmであり、前記断口の寸歩は3〜5mmである。前記導電リング本体はステンレス製であり、各導電段にそれぞれ複数個の前記支持足が周方向に沿って設けられている。上記のように構成される導電リングは、複数段に均一に分割され、各段では独立電流制御が可能であることによって、ウェハ又はプリント配線板全体の電流密度分布の一致性と均一性を確保し、表面の電気メッキ層の質を保証する。 In this embodiment, the nickel plating layer has a thickness of 3 to 8 μm, the silver plating layer has a thickness of 15 to 30 μm, and the cut length is 3 to 5 mm. The conductive ring body is made of stainless steel, and a plurality of the support legs are provided along the circumferential direction in each conductive stage. The conductive ring configured as described above is uniformly divided into multiple stages, and independent current control is possible at each stage, ensuring consistency and uniformity in the current density distribution of the entire wafer or printed wiring board. And ensure the quality of the surface electroplating layer.
上記導電リング本体3は、望ましい実施例としては、導電リング本体3の防食性を向上するために、ステンレス製であり、表面にニケッルメッキ層と銀メッキ層がメッキ形成され、裏側から外側へ順次に配置されることによって、導電抵抗を降下し、電流伝達の安定性を増加するため、導電リング本体3のメンテナンスと交換の頻度を減少し、メンテナンスのコストを低下する。また、望ましくは、ニケッルメッキ層の厚さは3〜8μmであり、前記銀メッキ層の厚さは15〜30μmである。 The conductive ring body 3 is preferably made of stainless steel in order to improve the corrosion resistance of the conductive ring body 3, and a nickel plating layer and a silver plating layer are formed on the surface thereof in order from the back side to the outside. The arrangement reduces the conductive resistance and increases the stability of current transmission, thereby reducing the frequency of maintenance and replacement of the conductive ring body 3 and lowering the maintenance cost. Preferably, the nickel plating layer has a thickness of 3 to 8 μm, and the silver plating layer has a thickness of 15 to 30 μm.
また、図3に示すように、本発明はさらに導電リングによる電力供給装置を提供する。電力供給装置は、高周波スイッチ整流器6と上記導電リングを含む。前記高周波スイッチ整流器の数と導電リングの導電段31の数とは同じで、かつそれぞれの高周波スイッチ整流器がその相応するそれぞれの導電段に接続されている。それぞれの高周波スイッチ整流器の陽極ごとは陽極板10に接続されている。該導電リングが半導体デバイスに接続されており、陽極板と半導体デバイスの間は電気メッキ液である。高周波スイッチ整流器は回路全体に電圧電流を供給している。高周波スイッチ整流器の電圧電位によって、陽極板から金属陽イオンが電気めっき液に溶解する。めっき液の金属イオンは、電力線の方向に従って半導体デバイスに移動する。最後には、金属陽イオンが半導体デバイスにおいて電子を獲得して金属の単質が析出する。こうして、電気メッキの工程が完成する。ここで、半導体デバイスはウェハである。 Further, as shown in FIG. 3, the present invention further provides a power supply device using a conductive ring. The power supply device includes a high-frequency switch rectifier 6 and the conductive ring. The number of high-frequency switch rectifiers and the number of conductive stages 31 of the conductive ring are the same, and each high-frequency switch rectifier is connected to its corresponding conductive stage. Each anode of each high-frequency switch rectifier is connected to an anode plate 10. The conductive ring is connected to the semiconductor device, and an electroplating liquid is provided between the anode plate and the semiconductor device. The high frequency switch rectifier supplies voltage and current to the entire circuit. The metal cation is dissolved in the electroplating solution from the anode plate by the voltage potential of the high-frequency switch rectifier. The metal ions of the plating solution move to the semiconductor device according to the direction of the power line. Finally, the metal cation acquires electrons in the semiconductor device, and a single metal is deposited. Thus, the electroplating process is completed. Here, the semiconductor device is a wafer.
高周波スイッチ整流器ごとは、順次に接続されている電磁ノイズフィルタ、整流器、フィルタ、高周波変圧器、高周波フィルタ、モス管、制御チップとドライブを含む。交流網が順次に電磁ノイズフィルタ、整流器、フィルタ、高周波変圧器、高周波フィルタ、モス管、制御チップとドライブを経て、安定的な出力電流が得られる。図3は本発明にかかる電気メッキの電力供給装置の原理図を図示する。導電リング本体3の4段はそれぞれ独立して四つの高周波スイッチ整流器に接続されている。高周波スイッチ整流器において、交流網が電磁ノイズフィルタを経て直接に整流され濾波され、変換器を経て直流電圧が数十又は数百kHzの高周波方形波に変換され、高周波変圧器で隔離され降圧され、さらに高周波数フィルタを経て直流電圧が出力される。サンプリング、比較、増幅、制御、ドライブ回路を経て、変換器におけるパワートランジスターのデューティ比を制御し、安定的な出力電流が得られる。高周波スイッチ整流器は定電流制限電圧モードを有する。即ち、電気メッキのパラメータ（部品の面積、温度、濃度、pH値）が変化すると、出力電流が自動的に設定値に恒常に保たれて変化しなく、ウェハ全体の電流密度分布の一致性と均一性を確保し、表面の電気メッキ層の質を保証する。ここで、高周波スイッチ整流器の電流は10Aであり、電圧は15Vであるが、市販されている。 Each high-frequency switch rectifier includes an electromagnetic noise filter, a rectifier, a filter, a high-frequency transformer, a high-frequency filter, a moss tube, a control chip, and a drive that are sequentially connected. The AC network sequentially passes through an electromagnetic noise filter, a rectifier, a filter, a high frequency transformer, a high frequency filter, a moss tube, a control chip and a drive, and a stable output current is obtained. FIG. 3 illustrates a principle diagram of an electroplating power supply apparatus according to the present invention. The four stages of the conductive ring body 3 are independently connected to four high-frequency switch rectifiers. In the high-frequency switch rectifier, the AC network is directly rectified and filtered through an electromagnetic noise filter, the DC voltage is converted into a high-frequency square wave of tens or hundreds of kHz through a converter, and is isolated and stepped down by a high-frequency transformer. Furthermore, a DC voltage is output through a high frequency filter. Through the sampling, comparison, amplification, control, and drive circuit, the duty ratio of the power transistor in the converter is controlled, and a stable output current can be obtained. The high frequency switch rectifier has a constant current limiting voltage mode. That is, when the electroplating parameters (part area, temperature, concentration, pH value) change, the output current is automatically kept constant at the set value and does not change. Ensures uniformity and ensures the quality of the surface electroplating layer. Here, the current of the high-frequency switch rectifier is 10 A and the voltage is 15 V, but it is commercially available.
図4〜5に示すように、本発明はさらに電力供給装置による電気メッキ治具を提供する。治具本体1と、カバー板4と前記電力供給装置を備えている。前記治具本体に半導体デバイスに合わせる凹溝11が設けられており、前記電力供給装置の導電リング本体が前記半導体デバイスの下面に設けられている。前記カバー板4に弾性ワッシャー5と前記凹溝に合わせる外形寸歩のボス7が設けられている。半導体デバイスはウェハ又はプリント配線板であり、図示した半導体デバイスはウェハ2である。 As shown in FIGS. 4 to 5, the present invention further provides an electroplating jig using a power supply device. A jig body 1, a cover plate 4, and the power supply device are provided. A concave groove 11 is provided in the jig body to match the semiconductor device, and a conductive ring body of the power supply device is provided on the lower surface of the semiconductor device. The cover plate 4 is provided with an elastic washer 5 and a boss 7 having an outer shape matching the concave groove. The semiconductor device is a wafer or a printed wiring board, and the illustrated semiconductor device is a wafer 2.
前記カバー板が半導体デバイスの上面に締めされる時に、ボスが凹溝に入るとそれらによってチャンパーが形成されており、前記半導体デバイスと導電リング本体が該チャンパーに配置される。複数個の導電銅フックが配列して治具本体に固定されており、かつ高周波スイッチ整流器のそれぞれがその対応する導電銅フック9によりワイヤを介してその対応する導電段の電極に接続されている。治具本体に線溝が開設されており、これに応じて、線溝に格段の導電リング本体に接続されるワイヤ8が配置されている。今段階製品のレイアウトの合理性を考えると、導電リング本体が4段に仕切られており、これに応じて、高周波スイッチ整流器の数は4個とされている。もちろん、実際によって導電リング本体が6段や8段などに仕切られてもよい。 When the cover plate is fastened to the upper surface of the semiconductor device, if the boss enters the concave groove, a champ is formed by them, and the semiconductor device and the conductive ring body are arranged on the champ. A plurality of conductive copper hooks are arranged and fixed to the jig body, and each of the high-frequency switch rectifiers is connected to the corresponding conductive stage electrode via a wire by the corresponding conductive copper hook 9. . A wire groove is formed in the jig body, and in accordance with this, a wire 8 connected to a remarkable conductive ring body is arranged in the wire groove. Considering the rationality of the product layout at this stage, the conductive ring body is divided into four stages, and accordingly, the number of high-frequency switch rectifiers is four. Of course, the conductive ring body may be partitioned into 6 stages or 8 stages depending on the actual situation.
このようにして、導電リング本体3の導電の形態は、伝統的な点接触、線接触から面接触に変わり、大幅に電流のウェハ2における分布の均一性と電流密度を向上する。また、ウェハ2と導電リング本体3の間に一定の圧力が存在するから、電気メッキ液の振動が発生したとしても、接触不都合も生じない。また、弾性ワッシャー5によって電気メッキ液とウェハ2の下面とは隔離されているので、電気メッキの工程において薬剤が互いに侵食される現象を防ぐことができる。これによって、ウェハ2の質を向上する。 In this way, the conductive form of the conductive ring body 3 changes from traditional point contact, line contact to surface contact, and greatly improves the uniformity of current distribution in the wafer 2 and the current density. In addition, since there is a certain pressure between the wafer 2 and the conductive ring body 3, no contact inconvenience occurs even if the electroplating solution vibrates. Further, since the electroplating solution and the lower surface of the wafer 2 are separated from each other by the elastic washer 5, it is possible to prevent the phenomenon that the chemicals are eroded from each other in the electroplating process. Thereby, the quality of the wafer 2 is improved.
本実施例において、前記凹溝内に導電リング本体を配置するリング溝が設けられている。電気メッキ治具の長時間使用では導電リング本体3が結び合う現象を防ぐために、凹溝内に導電リング本体3を配置するリング溝を設けてもよい。その形状を導電リング本体3に合わせるので、ウェハ2を締める過程では導電リング本体3が倒れるか回転するなどしてウェハ2の表面電流分布を不均一にさせることを防止することができる。 In the present embodiment, a ring groove for disposing a conductive ring main body is provided in the concave groove. In order to prevent a phenomenon in which the conductive ring body 3 is combined when the electroplating jig is used for a long time, a ring groove for disposing the conductive ring body 3 may be provided in the recessed groove. Since the shape is matched to the conductive ring main body 3, it is possible to prevent the surface current distribution of the wafer 2 from becoming non-uniform due to the conductive ring main body 3 falling or rotating in the process of tightening the wafer 2.
本実施例において、前記ボスに外ネジが設けられ、前記凹溝の内壁に外ネジに締合される内ネジが設けられている。カバー板が内・外ネジにより下回転する時、カバー板の半導体デバイスに対する圧力は下回転距離に対し線形関係を持つ。カバー板4がネジにより下回転する時、カバー板4のウェハ2に対する圧力は下回転距離に対し線形関係を持つので、圧力に対する調整が容易になる。それ以外、ウェハ2に接触する導電リング本体3に受力不均一の問題はないので、ウェハ2の各領域の導電性の一致性を保証するとともに、ウェハ2の周辺の密閉性も一致している。本実施例ではウェハを例として説明を行ったが、上述したものはプリント配線板にも適応することができる。 In this embodiment, an external screw is provided on the boss, and an internal screw that is fastened to the external screw is provided on the inner wall of the concave groove. When the cover plate is rotated downward by the inner and outer screws, the pressure of the cover plate on the semiconductor device has a linear relationship with the lower rotation distance. When the cover plate 4 is rotated downward by a screw, the pressure of the cover plate 4 on the wafer 2 has a linear relationship with the lower rotation distance, so that adjustment to the pressure becomes easy. Other than that, there is no problem of non-uniform force reception on the conductive ring body 3 in contact with the wafer 2, so that the consistency of the conductivity of each area of the wafer 2 is guaranteed and the sealing around the wafer 2 is also consistent. Yes. In this embodiment, the wafer has been described as an example. However, the above can be applied to a printed wiring board.
以上の開示は本発明のいくつかの実施例であり、本発明はこれらに限定されず、本領域の技術者が思いつく如何なる変化も本発明の保護範囲内にある。 The above disclosure is several embodiments of the present invention, and the present invention is not limited to them. Any change conceived by a person skilled in the art is within the protection scope of the present invention.
Claims (4)
複数段の導電段により構成される分断型構成の導電リング本体を含み、隣り合う導電段はその間の断口に絶縁ゴムが充填されて隔離されており、前記導電リング本体に少なくとも一つの電極と少なくとも一つの支持足が備えられており、
導電リング本体の外表面に裏側から外側へ順次にニッケルメッキ層と銀メッキ層が備えられ、かつ銀メッキ層がニッケルメッキ層と絶縁ゴム層の間に配置されており、
前記ニッケルメッキ層の厚さは3〜8μmであり、前記銀メッキ層の厚さは15〜30μmであり、前記断口の寸歩は3〜5mmであり、前記導電リング本体はステンレス製であり、各導電段にそれぞれ複数個の前記支持足が周方向に沿って設けられていることを特徴とする導電リング。 A conductive ring used for applications in which each region independent current control is performed on a semiconductor device such as a wafer or a printed wiring board in an electroplating process,
It includes a conductive ring body configured split type composed of a conductive stage in a plurality of stages, electrically adjacent Dendan are isolated and insulated rubber filled in between the cross-sectional opening, and at least one electrode before Kishirubeden ring body at least one support foot have been found with,
A nickel plating layer and a silver plating layer are sequentially provided from the back side to the outside on the outer surface of the conductive ring body, and the silver plating layer is disposed between the nickel plating layer and the insulating rubber layer ,
The thickness of the nickel plating layer is 3 to 8 μm, the thickness of the silver plating layer is 15 to 30 μm, the step size of the cut is 3 to 5 mm, the conductive ring body is made of stainless steel, A conductive ring, wherein a plurality of support legs are provided in each conductive stage along the circumferential direction.
前記治具本体に半導体デバイスに合わせる凹溝が設けられており、前記電力供給装置の導電リング本体が前記半導体デバイスの下面に設けられており、前記カバー板に弾性ワッシャーと前記凹溝に合わせる外形寸歩のボスが設けられており、
前記カバー板が半導体デバイスの上面に締めされる時に、ボスが凹溝に入るとそれらによってチャンパーが形成されており、前記半導体デバイスと導電リング本体が該チャンパーに配置されており、複数個の導電銅フックが配列して治具本体に固定されており、かつ高周波スイッチ整流器のそれぞれがその対応する導電銅フックによりワイヤを介してその対応する導電段の電極に接続されていることを特徴とする電力供給装置による電気メッキ治具。 A jig body, a cover plate, and the power supply device according to claim 2 ;
The jig body is provided with a groove to match the semiconductor device, the conductive ring body of the power supply device is provided on the lower surface of the semiconductor device, and the cover plate has an outer shape to match the elastic washer and the groove. There is a short boss,
When the cover plate is fastened to the upper surface of the semiconductor device, when the boss enters the concave groove, a champ is formed by them, and the semiconductor device and the conductive ring body are disposed on the champ, and a plurality of conductive layers are formed. The copper hooks are arranged and fixed to the jig body, and each of the high-frequency switch rectifiers is connected to the electrode of the corresponding conductive stage through the wire by the corresponding conductive copper hook. Electroplating jig with power supply device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018155610A JP6600724B1 (en) | 2018-08-22 | 2018-08-22 | Conductive ring, power supply device using conductive ring, and electroplating jig using power supply device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018155610A JP6600724B1 (en) | 2018-08-22 | 2018-08-22 | Conductive ring, power supply device using conductive ring, and electroplating jig using power supply device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP6600724B1 true JP6600724B1 (en) | 2019-10-30 |
| JP2020029592A JP2020029592A (en) | 2020-02-27 |
Family
ID=68383362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018155610A Active JP6600724B1 (en) | 2018-08-22 | 2018-08-22 | Conductive ring, power supply device using conductive ring, and electroplating jig using power supply device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6600724B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114908403A (en) * | 2022-04-13 | 2022-08-16 | 上海戴丰科技有限公司 | Wafer loading and unloading hanger equipment |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100576757B1 (en) * | 1997-12-16 | 2006-05-03 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | A plating apparatus |
| US6517689B1 (en) * | 1998-07-10 | 2003-02-11 | Ebara Corporation | Plating device |
| JP2005220414A (en) * | 2004-02-06 | 2005-08-18 | Ebara Corp | Plating apparatus |
-
2018
- 2018-08-22 JP JP2018155610A patent/JP6600724B1/en active Active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114908403A (en) * | 2022-04-13 | 2022-08-16 | 上海戴丰科技有限公司 | Wafer loading and unloading hanger equipment |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2020029592A (en) | 2020-02-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3218713U (en) | Conductive ring, power supply device using conductive ring, and electroplating jig using power supply device | |
| CN108754590A (en) | Conducting ring, based on its for electric installation and based on the electroplate jig for electric installation | |
| US5620581A (en) | Apparatus for electroplating metal films including a cathode ring, insulator ring and thief ring | |
| US9708724B2 (en) | Anode unit and plating apparatus having such anode unit | |
| CN208869693U (en) | Conducting ring, based on its power supply unit and based on the electroplate jig of power supply unit | |
| JP6600724B1 (en) | Conductive ring, power supply device using conductive ring, and electroplating jig using power supply device | |
| KR101860216B1 (en) | High resistance virtual anode for electroplating cell | |
| CN212451705U (en) | Electroplating carrier | |
| JP2009024242A (en) | Plating device for metal pipe, and plating method for metal pipe | |
| KR102213335B1 (en) | A jig for electroplating | |
| CN114351226B (en) | Electroplating hanger and electroplating device | |
| KR102548837B1 (en) | An insoluble anode assembly for manufacturing an electrolytic metal foil | |
| TWI730206B (en) | Electrolytic plating apparatus | |
| TWI666344B (en) | Conductive ring, power supply device based on same, and electroplating fixture based on power supply device | |
| JP2015500401A (en) | Coating apparatus and method for coating a workpiece | |
| JP3096296B1 (en) | Electroplating equipment | |
| JPH05243183A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| KR101504957B1 (en) | Ceramic mono block, and process of forming in/out port and coupling pattern on ceramic filter | |
| TWM571073U (en) | Conductive ring, power supply device based and electroplating fixture based on power supply device | |
| CN112760700B (en) | Electroplating device for pulse electroplating | |
| CN215757705U (en) | Electroplating jig, electroplating module and electroplating system | |
| JPH05239698A (en) | Electroplating method | |
| CN219260245U (en) | Electroplating jig for local plane of semiconductor electronic element | |
| KR20100050970A (en) | Electro plating equipment and method of electro plating using the same | |
| CN107604423A (en) | A kind of clamping device electroplated in high precision suitable for more substrates |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180831 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190719 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190721 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190917 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191007 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6600724 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |