JP6598071B2 - Method for heat treatment of glass substrate - Google Patents

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Description

本発明は、ガラス基板の熱収縮率を低減するための熱処理方法に関する。   The present invention relates to a heat treatment method for reducing the thermal shrinkage rate of a glass substrate.

周知のように、近年、スマートフォンやタブレット型端末等のモバイル端末が急速に普及し、モバイル端末を薄型化及び軽量化、さらには高性能化等をするための技術開発競争が激しさを増している。そのため、モバイル端末に搭載される液晶ディスプレイや有機ELディスプレイ等のフラットパネルディスプレイ(以下、FPDという)の基板にも、厚みの薄いガラス基板が用いられる場合が多くなっている。   As is well known, in recent years, mobile terminals such as smartphones and tablet terminals have rapidly spread, and competition for technological development for making mobile terminals thinner and lighter and further improving performance has been intensifying. Yes. For this reason, a thin glass substrate is often used as a substrate for a flat panel display (hereinafter referred to as FPD) such as a liquid crystal display or an organic EL display mounted on a mobile terminal.

FPDの製造工程では、通常、ガラス基板の表面に薄膜状の電気回路(回路パターン)を形成する成膜処理が実行されるが、成膜処理では処理対象のガラス基板が高温に晒される。そのため、ガラス基板の熱収縮率が大きい場合、ガラス基板の表面に所定精度の回路パターンを形成することができず、所望の電気特性を確保できなくなる可能性が高まる。したがって、FPD用のガラス基板は、熱収縮率が低く熱的寸法安定性に優れていることが必要不可欠となる。   In the FPD manufacturing process, a film forming process for forming a thin-film electric circuit (circuit pattern) on the surface of a glass substrate is usually performed. In the film forming process, the glass substrate to be processed is exposed to a high temperature. Therefore, when the thermal contraction rate of the glass substrate is large, a circuit pattern with a predetermined accuracy cannot be formed on the surface of the glass substrate, and the possibility that desired electrical characteristics cannot be secured increases. Therefore, it is essential for the glass substrate for FPD to have a low thermal shrinkage rate and excellent thermal dimensional stability.

そこで、例えば特許文献1には、ガラス基板の熱的寸法安定性を改善することを目的として、ガラス基板に熱処理を施すことが開示されている。特許文献1では、熱処理対象のガラス板を支持部材(耐熱性ガラスセラミック板)の上面に直接載置した状態で熱処理が実行される。   Thus, for example, Patent Document 1 discloses that the glass substrate is subjected to heat treatment for the purpose of improving the thermal dimensional stability of the glass substrate. In patent document 1, heat processing is performed in the state which mounted the glass plate of heat processing object directly on the upper surface of a supporting member (heat-resistant glass ceramic plate).

特開平5−330835号公報JP-A-5-330835

しかしながら、特許文献1に開示された方法で、薄いガラス基板に熱処理を施した場合、熱処理後のガラス基板の平面方向に大きな歪が生じる場合がある。このような歪が生じると、例えば次のような問題が生じ得る。   However, when a thin glass substrate is subjected to heat treatment by the method disclosed in Patent Document 1, a large strain may occur in the planar direction of the glass substrate after the heat treatment. When such distortion occurs, for example, the following problems may occur.

すなわち、FPDの製造工程では、生産効率を上げて低コスト化を図るために、1枚の大判ガラス基板に回路パターンなどを一括で形成した後、その大判ガラス基板から製品サイズの多数のガラス基板を切り出す、いわゆる多面取りが行われるのが一般的である。この場合、ガラス基板の平面方向に大きな歪が存在すると、切り出した後にガラス基板に歪の開放に伴う変形が生じる。その結果、ガラス基板同士を貼り合わせてパネルを作製する際に、予め形成された回路パターン間にズレが発生し、製品不良の原因になる。   That is, in the FPD manufacturing process, in order to increase the production efficiency and reduce the cost, a circuit pattern or the like is formed on a single large glass substrate at a time, and then a large number of glass substrates of a product size are formed from the large glass substrate. In general, so-called multi-chamfering is performed. In this case, if there is a large strain in the plane direction of the glass substrate, the glass substrate is deformed with the release of the strain after cutting. As a result, when manufacturing a panel by bonding glass substrates together, a deviation occurs between circuit patterns formed in advance, which causes a product defect.

本発明は、ガラス基板の熱収縮率を低減するための熱処理で、ガラス基板に歪が生じるのを抑制することを課題とする。   An object of the present invention is to suppress the occurrence of distortion in a glass substrate by heat treatment for reducing the thermal shrinkage rate of the glass substrate.

本願発明者等は、支持部材の上にガラス基板を直接載置した状態で熱処理を行って、その間のガラス基板の挙動を観察した。その結果、熱処理後に歪が大きくなったガラス基板の特徴として干渉縞が観察されることが分かった。この干渉縞はガラス基板の下面の被支持領域と支持部材の上面との間に生じた空隙に起因して生じる。この空隙が生じる主たる原因としては、ガラス基板の下面の被支持領域の周縁部(ガラス基板の下面全体を支持する場合は、特にガラス基板の下面と端面が交差する交差部)が支持部材の上面に引っ掛かり、ガラス基板が支持部材の上面に倣うのを阻止しているためと考えられる。そこで、本願発明者等はこのような知見に基づいて本願発明を提案するものである。   The inventors of the present application performed heat treatment in a state where the glass substrate was directly placed on the support member, and observed the behavior of the glass substrate during that time. As a result, it was found that interference fringes were observed as a feature of the glass substrate with increased strain after the heat treatment. This interference fringe is generated due to a gap generated between the supported region on the lower surface of the glass substrate and the upper surface of the supporting member. The main cause of this gap is the peripheral edge of the supported region on the lower surface of the glass substrate (in the case of supporting the entire lower surface of the glass substrate, particularly the intersection where the lower surface of the glass substrate and the end surface intersect). This is considered to be because the glass substrate is prevented from following the upper surface of the support member. Therefore, the inventors of the present application propose the present invention based on such knowledge.

すなわち、上記課題を解決するために創案された本発明は、支持部材でガラス基板を下方から支持した状態で、前記ガラス基板の熱収縮率を低減するための熱処理を行うガラス基板の熱処理方法であって、少なくともガラス基板の下面の被支持領域の周縁部とこれに対向する支持部材の上面との間に低摩擦シートを配置するとともに、低摩擦シートの上面の静止摩擦係数を0.5以下とし、かつ、低摩擦シートの上面の表面粗さRaをガラス基板の下面の表面粗さRaの5倍以上の大きさとすることを特徴とする。ここで、「表面粗さRa」は、JIS B0601:2001に規定の方法に基づいて測定した値であり、「静止摩擦係数」は、JIS K7125:1999に規定の方法に基づいて測定した値である。また、「被支持領域」は、ガラス基板の下面のうち低摩擦シートによって支持される領域であり、ガラス基板の下面全体のときもあるが、ガラス基板の下面よりも小さいときもある。   That is, the present invention devised to solve the above problems is a glass substrate heat treatment method for performing a heat treatment for reducing the thermal shrinkage of the glass substrate in a state where the glass substrate is supported from below by a support member. In addition, a low friction sheet is disposed between at least the peripheral edge of the supported region on the lower surface of the glass substrate and the upper surface of the supporting member facing the same, and the static friction coefficient of the upper surface of the low friction sheet is 0.5 or less. In addition, the surface roughness Ra of the upper surface of the low friction sheet is set to be not less than five times the surface roughness Ra of the lower surface of the glass substrate. Here, “surface roughness Ra” is a value measured based on the method defined in JIS B0601: 2001, and “static friction coefficient” is a value measured based on the method defined in JIS K7125: 1999. is there. Further, the “supported region” is a region of the lower surface of the glass substrate that is supported by the low friction sheet, and may be the entire lower surface of the glass substrate or may be smaller than the lower surface of the glass substrate.

このような構成によれば、ガラス基板の少なくとも下面の被支持領域の周縁部は、低摩擦シートの上面に接触する。低摩擦シートの上面の静止摩擦係数は0.5以下と小さいため、ガラス基板の下面の被支持領域の周縁部は低摩擦シート上を滑り、ガラス基板がその支持面(低摩擦シートの上面、又は低摩擦シート及び支持部材の上面)に倣うように誘導される。その結果、ガラス基板の下面の被支持領域とその支持面との間に空隙が形成されにくくなり、熱処理に伴う歪の発生を抑制することが可能となる。   According to such a configuration, at least the peripheral portion of the supported region on the lower surface of the glass substrate is in contact with the upper surface of the low friction sheet. Since the static friction coefficient of the upper surface of the low friction sheet is as small as 0.5 or less, the peripheral edge of the supported region on the lower surface of the glass substrate slides on the low friction sheet, and the glass substrate supports its supporting surface (the upper surface of the low friction sheet, Or it is guided to follow the low friction sheet and the upper surface of the support member. As a result, it is difficult to form a gap between the supported region on the lower surface of the glass substrate and the supporting surface, and it is possible to suppress the occurrence of distortion associated with the heat treatment.

ここで、ガラス基板の下面周縁部と低摩擦シートの上面が密着しすぎると、熱処理後にガラス基板を剥離できなくなるという問題が生じるおそれがある。そこで、本願発明では、低摩擦シートの上面の表面粗さRaをガラス基板の下面の表面粗さRaの5倍以上の大きさとして、両者の密着状態を緩和している。これにより、熱処理後であっても、ガラス基板を低摩擦シートから剥離することが可能となる。   Here, if the lower peripheral edge of the glass substrate and the upper surface of the low friction sheet are too closely adhered, there is a possibility that the glass substrate cannot be peeled off after the heat treatment. Therefore, in the present invention, the surface roughness Ra of the upper surface of the low friction sheet is set to 5 times or more the surface roughness Ra of the lower surface of the glass substrate, thereby relaxing the contact state between them. Thereby, even after heat treatment, the glass substrate can be peeled from the low friction sheet.

上記の構成において、低摩擦シートの厚みは、0.01mm〜2mmであることが好ましい。このようにすれば、低摩擦シートの上面が、支持部材の上面の状態の影響を受けにくくなる。また、低摩擦シートの熱容量が大きくなって熱処理時に大きなエネルギーロスが生じるという問題もない。   Said structure WHEREIN: It is preferable that the thickness of a low friction sheet | seat is 0.01 mm-2 mm. In this way, the upper surface of the low friction sheet is less affected by the state of the upper surface of the support member. In addition, there is no problem that the heat capacity of the low friction sheet increases and a large energy loss occurs during heat treatment.

上記の構成において、低摩擦シートの静止摩擦係数は、0.2以下であることが好ましい。このようにすれば、ガラス基板の下面周縁部が低摩擦シートの上面を一層円滑に滑るため、ガラス基板がその支持面に倣いやすくなる。   In the above configuration, the static friction coefficient of the low friction sheet is preferably 0.2 or less. By doing so, the peripheral edge of the lower surface of the glass substrate slides more smoothly on the upper surface of the low friction sheet, so that the glass substrate can easily follow the support surface.

上記の構成において、低摩擦シートが、層状結晶構造を有する無機物から構成することが好ましい。このようにすれば、摩擦係数が低減しやすくなるとともに、耐熱性を高めることができる。   Said structure WHEREIN: It is preferable to comprise a low friction sheet | seat from the inorganic substance which has a layered crystal structure. If it does in this way, while it becomes easy to reduce a friction coefficient, heat resistance can be improved.

上記の構成において、低摩擦シートが、支持部材の上面に剥離可能に敷設されていることが好ましい。このようにすれば、低摩擦シートが損傷した場合であっても、低摩擦シートを容易に交換することができる。   Said structure WHEREIN: It is preferable that the low friction sheet | seat is laid in the upper surface of a supporting member so that peeling is possible. In this way, even if the low friction sheet is damaged, the low friction sheet can be easily replaced.

上記の構成において、ガラス基板の下面全体が被支持領域となるように、低摩擦シートが、ガラス基板の下面全体とこれに対向する支持部材の上面との間に設けられていてもよい。このようにすれば、ガラス基板を支持する支持面全体が低摩擦シートで構成されるため、ガラス基板がその支持面に一層円滑に倣う。   In the above configuration, the low friction sheet may be provided between the entire lower surface of the glass substrate and the upper surface of the support member facing the lower surface so that the entire lower surface of the glass substrate becomes a supported region. In this way, since the entire support surface that supports the glass substrate is formed of the low friction sheet, the glass substrate follows the support surface more smoothly.

上記の構成において、ガラス基板の下面の周縁部を除く領域が被支持領域となるように、ガラス基板の下面の周縁部が低摩擦シートから食み出していてもよい。このようにすれば、ガラス基板の食み出し部を利用してガラス基板のハンドリングを行うことができるので、ガラス基板の低摩擦シート上への載置作業や、低摩擦シート上からの取り出し作業が容易になる。   In the above configuration, the peripheral portion of the lower surface of the glass substrate may protrude from the low friction sheet so that the region excluding the peripheral portion of the lower surface of the glass substrate becomes the supported region. In this way, the glass substrate can be handled using the protruding portion of the glass substrate, so that the glass substrate can be placed on the low friction sheet or removed from the low friction sheet. Becomes easier.

以上のように本発明によれば、ガラス基板の熱収縮率を低減するための熱処理で、ガラス基板に歪が生じるのを抑制することができる。   As described above, according to the present invention, it is possible to suppress the occurrence of distortion in the glass substrate by the heat treatment for reducing the thermal shrinkage rate of the glass substrate.

本発明の実施形態に係る熱処理方法の実行時におけるガラス基板の支持態様を示す図であって、(a)はその平面図、(b)は(a)に示すA−A線矢視断面図である。It is a figure which shows the support aspect of the glass substrate at the time of execution of the heat processing method which concerns on embodiment of this invention, Comprising: (a) is the top view, (b) is AA arrow sectional drawing shown to (a). It is. (a)〜(b)は、図1の低摩擦シートに対するガラス基板の周縁部の載置態様の変化の様子を示す拡大図である。(A)-(b) is an enlarged view which shows the mode of the change of the mounting aspect of the peripheral part of the glass substrate with respect to the low friction sheet | seat of FIG. 本発明の実施形態に係る熱処理方法を実施する際に使用される熱処理装置の断面図である。It is sectional drawing of the heat processing apparatus used when implementing the heat processing method which concerns on embodiment of this invention. (a)〜(c)は、ガラス基板の熱収縮率の測定手順を説明するための図である。(A)-(c) is a figure for demonstrating the measurement procedure of the thermal contraction rate of a glass substrate.

以下、一実施形態に係るガラス基板の熱処理方法について、添付の図面を参照して説明する。   Hereinafter, the heat processing method of the glass substrate which concerns on one Embodiment is demonstrated with reference to attached drawing.

図1(a)及び(b)に示すように、熱処理対象のガラス基板1は、支持部材(セッター)2の上面2aに配置された低摩擦シート3の上面3aに載置される。そして、このような支持態様で、ガラス基板1を熱処理装置(熱処理炉)に導入して加熱することで、ガラス基板の熱収縮率を低減するための熱処理工程が実行される。なお、熱処理工程の前に、ガラス基板1を洗浄する洗浄工程を設けてもよい。このような洗浄工程を設けておけば、ガラス基板1の表面に付着した異物が熱処理に伴ってガラス基板1の表面に焼き付くのを防止することができる。   As shown in FIGS. 1A and 1B, the glass substrate 1 to be heat-treated is placed on the upper surface 3 a of the low friction sheet 3 disposed on the upper surface 2 a of the support member (setter) 2. And the heat processing process for reducing the thermal contraction rate of a glass substrate is performed by introduce | transducing and heating the glass substrate 1 to a heat processing apparatus (heat processing furnace) with such a support aspect. A cleaning process for cleaning the glass substrate 1 may be provided before the heat treatment process. By providing such a cleaning process, it is possible to prevent the foreign matter adhering to the surface of the glass substrate 1 from being seized on the surface of the glass substrate 1 due to the heat treatment.

以下、ガラス基板1、並びに熱処理工程で使用される低摩擦シート3、支持部材2および熱処理装置10のそれぞれについて詳述する。   Hereinafter, each of the glass substrate 1 and the low friction sheet 3, the support member 2, and the heat treatment apparatus 10 used in the heat treatment step will be described in detail.

[ガラス基板]
ガラス基板1は、平面視矩形状をなし、その寸法は好ましくは500mm角以上、より好ましくは700mm角以上、より一層好ましくは1000mm角以上、最も好ましくは1300mm角以上である。一般的に、ガラス基板1の寸法が大きくなるほど、熱処理後のガラス基板1には歪が生じやすくなる。そのため、寸法の大きいガラス基板1ほど、本実施形態の効果を享受しやすくなる。なお、ガラス基板1は、矩形状に限らず、三角形や五角形以上の多角形、円形(楕円形を含む)、不規則形状などであってもよい。
[Glass substrate]
The glass substrate 1 has a rectangular shape in plan view, and the size thereof is preferably 500 mm square or more, more preferably 700 mm square or more, still more preferably 1000 mm square or more, and most preferably 1300 mm square or more. In general, the larger the size of the glass substrate 1, the more easily the glass substrate 1 after heat treatment is distorted. Therefore, the glass substrate 1 having a larger size can easily enjoy the effect of the present embodiment. The glass substrate 1 is not limited to a rectangular shape, and may be a triangle, a pentagon or more polygon, a circle (including an ellipse), an irregular shape, or the like.

ガラス基板1の厚みは0.7mm以下、好ましくは0.5mm以下、より好ましくは0.4mm以下、最も好ましくは0.3mm以下である。通常、厚みが小さくなるほど、自重が小さくなるため、支持部材2の上面に倣いにくくなる。そのため、厚みの薄いガラス基板1ほど、低摩擦シート3の効果がある。また、ガラス基板1の厚みが小さくなるほど、ガラス基板1を構成部品とする製品(例えば、FPD)の薄型化や軽量化等に対する貢献度も高めることができる。ただし、ガラス基板1の厚みがあまりに小さいと、ガラス基板1に最低限要求される強度を確保することができない。そのため、ガラス基板1の厚みは好ましくは1μm以上、より好ましくは3μm以上、最も好ましくは5μm以上とする。   The thickness of the glass substrate 1 is 0.7 mm or less, preferably 0.5 mm or less, more preferably 0.4 mm or less, and most preferably 0.3 mm or less. Usually, the smaller the thickness, the smaller the own weight, so that it is difficult to follow the upper surface of the support member 2. Therefore, the thinner the glass substrate 1 is, the more effective the low friction sheet 3 is. Further, as the thickness of the glass substrate 1 is reduced, the contribution to the reduction in thickness and weight of a product (for example, FPD) having the glass substrate 1 as a component can be increased. However, when the thickness of the glass substrate 1 is too small, the strength required for the glass substrate 1 cannot be ensured. Therefore, the thickness of the glass substrate 1 is preferably 1 μm or more, more preferably 3 μm or more, and most preferably 5 μm or more.

ガラス基板1の歪点は650℃以上、好ましくは660℃以上、より好ましくは670℃以上、最も好ましくは680℃以上である。歪点が高くなるほど、熱収縮率を低減しやすくなる。一方、歪点が高くなり過ぎると、ガラス基板1の生産性が著しく低下するため、ガラス基板1の歪点は、好ましくは725℃以下、より好ましくは720℃以下、最も好ましくは715℃以下である。なお、ここでいう歪点は、ASTM C336に規定の方法に基づいて測定した値である。   The strain point of the glass substrate 1 is 650 ° C. or higher, preferably 660 ° C. or higher, more preferably 670 ° C. or higher, and most preferably 680 ° C. or higher. The higher the strain point, the easier it is to reduce the thermal shrinkage rate. On the other hand, when the strain point becomes too high, the productivity of the glass substrate 1 is remarkably lowered. Therefore, the strain point of the glass substrate 1 is preferably 725 ° C. or less, more preferably 720 ° C. or less, and most preferably 715 ° C. or less. is there. The strain point here is a value measured based on a method defined in ASTM C336.

上述した寸法、厚みおよび歪点を有するガラス基板1は、例えば、ケイ酸塩ガラス、シリカガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダガラス、無アルカリガラス等で形成することができる。本実施形態では、上記した各種ガラスのうち、経年劣化が最も生じ難い無アルカリガラスで形成されたガラス基板を使用する。ここで、無アルカリガラスとは、アルカリ成分(アルカリ金属酸化物)を実質的に含まないガラスを意味し、具体的には、アルカリ成分の含有量が3000ppm以下のガラスを意味する。無アルカリガラスとしては、アルカリ成分の含有量が好ましくは1000ppm以下、より好ましくは500ppm以下、最も好ましくは300ppm以下のものを使用する。   The glass substrate 1 having the above-described dimensions, thickness, and strain point can be formed of, for example, silicate glass, silica glass, borosilicate glass, soda glass, non-alkali glass, or the like. In the present embodiment, among the various glasses described above, a glass substrate made of alkali-free glass that hardly causes aging deterioration is used. Here, the alkali-free glass means glass that does not substantially contain an alkali component (alkali metal oxide), and specifically means glass having an alkali component content of 3000 ppm or less. As the alkali-free glass, those having an alkali component content of preferably 1000 ppm or less, more preferably 500 ppm or less, and most preferably 300 ppm or less are used.

ガラス基板1の下面1bの表面粗さRaは、好ましくは2.0nm以下であり、より好ましくは1.0nm以下であり、さらに好ましくは0.5nm以下であり、最も好ましくは0.2nm以下である。なお、ガラス基板1の上面1aの表面粗さRaは、下面1bと同じであってもよいし、異なっていてもよい。   The surface roughness Ra of the lower surface 1b of the glass substrate 1 is preferably 2.0 nm or less, more preferably 1.0 nm or less, further preferably 0.5 nm or less, and most preferably 0.2 nm or less. is there. In addition, surface roughness Ra of the upper surface 1a of the glass substrate 1 may be the same as that of the lower surface 1b, and may differ.

ガラス基板1は、例えば、オーバーフローダウンドロー法、スロットダウンドロー法、ロールアウト法、フロート法、アップドロー法、リドロー法により製造される。本実施形態では、オーバーフローダウンドロー法により製造されたガラス基板を使用する。   The glass substrate 1 is manufactured by, for example, an overflow downdraw method, a slot downdraw method, a rollout method, a float method, an updraw method, or a redraw method. In this embodiment, a glass substrate manufactured by the overflow downdraw method is used.

[低摩擦シート] [Low friction sheet]

低摩擦シート3は、この実施形態では、ガラス基板1の下面1b全体と、これに対向する支持部材2の上面2aとの間に配置されている。すなわち、この実施形態では、ガラス基板1の下面1b全体がガラス基板1の被支持領域とされる。さらに、低摩擦シート3は、ガラス基板1の外方側に食み出した食み出し部3cを有している。なお、低摩擦シート3は、ガラス基板1の下面1bにおける周縁部1c(図中のハッチング部分)に対応する領域のみに設けられていてもよい。また、食み出し部3cは省略してもよい。すなわち、ガラス基板1の端面と低摩擦シート3の端面とが、面一であってもよい。もちろん、低摩擦シート3の端面が、ガラス基板1の端面よりも僅かに内側に位置していてもよい。この場合、ガラス基板1の下面1bよりもガラス基板1の被支持領域は小さくなる。   In this embodiment, the low-friction sheet 3 is disposed between the entire lower surface 1b of the glass substrate 1 and the upper surface 2a of the support member 2 facing the lower surface 1b. That is, in this embodiment, the entire lower surface 1 b of the glass substrate 1 is a supported region of the glass substrate 1. Furthermore, the low friction sheet 3 has a protruding portion 3 c that protrudes outward from the glass substrate 1. In addition, the low friction sheet 3 may be provided only in the area | region corresponding to the peripheral part 1c (hatching part in a figure) in the lower surface 1b of the glass substrate 1. FIG. Further, the protruding portion 3c may be omitted. That is, the end surface of the glass substrate 1 and the end surface of the low friction sheet 3 may be flush. Of course, the end surface of the low friction sheet 3 may be located slightly inside the end surface of the glass substrate 1. In this case, the supported region of the glass substrate 1 is smaller than the lower surface 1b of the glass substrate 1.

熱処理に伴うガラス基板1の歪の発生を抑制するためには、低摩擦シート3の上面3aにガラス基板1が十分に倣った状態で熱処理を開始する必要がある。そのため、低摩擦シート3の上面3aの静止摩擦係数は0.5以下に設定されている。低摩擦シート3の上面3aの静止摩擦係数は、好ましくは0.4以下、より好ましくは0.3以下、特に好ましくは0.2以下である。静止摩擦係数が小さいほど、熱処理に伴い生じるガラス基板1の平面方向の歪を抑制できる。なお、低摩擦シート3の下面3bの静止摩擦係数は、特に限定されるものではなく、上面3aと同じであってもよいし、異なっていてもよい。   In order to suppress the occurrence of distortion of the glass substrate 1 due to the heat treatment, it is necessary to start the heat treatment with the glass substrate 1 sufficiently following the upper surface 3 a of the low friction sheet 3. Therefore, the static friction coefficient of the upper surface 3a of the low friction sheet 3 is set to 0.5 or less. The static friction coefficient of the upper surface 3a of the low friction sheet 3 is preferably 0.4 or less, more preferably 0.3 or less, and particularly preferably 0.2 or less. As the static friction coefficient is smaller, the planar distortion of the glass substrate 1 caused by the heat treatment can be suppressed. The static friction coefficient of the lower surface 3b of the low friction sheet 3 is not particularly limited and may be the same as or different from the upper surface 3a.

ここで、低摩擦シート3の上面3aの表面平滑性が高すぎると、低摩擦シート3とガラス基板1が過度に密着し、熱処理中にガラス基板1が割れたり、熱処理後にガラス基板1が低摩擦シート3に貼り付いて両者を分離できなくなったりする場合がある。また、ガラス基板1を低摩擦シート3の上面3aに載置する際に、接触箇所が順次貼り付いて、ガラス基板1が低摩擦シート3の上面3aに十分倣い難くなる場合もある。特に、ディスプレイ用途で使用されるガラス基板には高い表面平滑性が要求されるため、表面粗さRaが極めて小さいガラス基板(例えば、Raが0.2nm程度)が一般的に使用されているため、このような問題が生じやすい。そこで、低摩擦シート3の上面3aとガラス基板1の下面1bの密着を緩和するために、低摩擦シート3の上面3aの表面粗さRaは、ガラス基板1の下面1bの表面粗さRaの5倍以上の大きさに設定されている。好ましくは10倍以上、より好ましくは20倍以上、最も好ましくは50倍以上である。   Here, when the surface smoothness of the upper surface 3a of the low friction sheet 3 is too high, the low friction sheet 3 and the glass substrate 1 are excessively adhered to each other, the glass substrate 1 is broken during the heat treatment, or the glass substrate 1 is low after the heat treatment. In some cases, the friction sheet 3 may stick to the friction sheet 3 and cannot be separated. Further, when the glass substrate 1 is placed on the upper surface 3 a of the low friction sheet 3, the contact portions may be attached in sequence, and the glass substrate 1 may be difficult to follow the upper surface 3 a of the low friction sheet 3. In particular, since glass substrates used in display applications require high surface smoothness, glass substrates with extremely small surface roughness Ra (for example, Ra of about 0.2 nm) are generally used. Such a problem is likely to occur. Therefore, in order to alleviate the adhesion between the upper surface 3a of the low friction sheet 3 and the lower surface 1b of the glass substrate 1, the surface roughness Ra of the upper surface 3a of the low friction sheet 3 is equal to the surface roughness Ra of the lower surface 1b of the glass substrate 1. The size is set to 5 times or more. Preferably it is 10 times or more, more preferably 20 times or more, and most preferably 50 times or more.

低摩擦シート3の上面3aの表面粗さRaは、0.02μm以上であることが好ましい。より好ましくは0.05μm以上、より一層好ましくは0.1μm以上、さらに好ましくは0.2μm以上、最も好ましくは0.5μm以上である。上記範囲内に設定しておくことで、ガラス基板1と低摩擦シート3との貼り付きを抑制することができる。一方、表面粗さRaが大きすぎると、静止摩擦係数が大きくなるため、低摩擦シート3の上面3aの表面粗さRaは、5μm以下にすることが好ましい。なお、低摩擦シート3の下面3bの表面粗さRaは、特に限定されるものではなく、上面3aと同じであってもよいし、異なっていてもよい。   The surface roughness Ra of the upper surface 3a of the low friction sheet 3 is preferably 0.02 μm or more. More preferably, it is 0.05 micrometer or more, More preferably, it is 0.1 micrometer or more, More preferably, it is 0.2 micrometer or more, Most preferably, it is 0.5 micrometer or more. By setting within the above range, sticking between the glass substrate 1 and the low friction sheet 3 can be suppressed. On the other hand, if the surface roughness Ra is too large, the coefficient of static friction increases, so the surface roughness Ra of the upper surface 3a of the low friction sheet 3 is preferably 5 μm or less. The surface roughness Ra of the lower surface 3b of the low friction sheet 3 is not particularly limited, and may be the same as or different from the upper surface 3a.

ガラス基板1の下面1bの表面粗さRaをRa1、支持部材2の上面2aの表面粗さRaをRa2とした時、低摩擦シート3の厚みは、Ra1とRa2の合算値より大きいことが好ましい。より好ましくはRa1+Ra2+10μm以上、さらに好ましくはRa1+Ra2+50μm以上、最も好ましくはRa1+Ra2+100μm以上である。上記範囲に設定しておくことで、ガラス基板1と支持部材2を容易に分離することができ、低摩擦シート3の機能を享受しやすくなる。一方、低摩擦シート3の厚みが大きすぎると、熱容量が大きくなり、熱処理時のエネルギーロスが増大する。また、低摩擦シート3の作製コストも高騰するおそれがある。そのため、低摩擦シート3の厚みは、Ra1+Ra2+2000μm以下にすることが好ましい。具体的には、低摩擦シート3の厚みは、0.01mm〜2mmであることが好ましい。   When the surface roughness Ra of the lower surface 1b of the glass substrate 1 is Ra1 and the surface roughness Ra of the upper surface 2a of the support member 2 is Ra2, the thickness of the low friction sheet 3 is preferably larger than the sum of Ra1 and Ra2. . More preferably, it is Ra1 + Ra2 + 10 μm or more, more preferably Ra1 + Ra2 + 50 μm or more, and most preferably Ra1 + Ra2 + 100 μm or more. By setting to the said range, the glass substrate 1 and the supporting member 2 can be isolate | separated easily, and it will become easy to enjoy the function of the low friction sheet | seat 3. FIG. On the other hand, if the thickness of the low friction sheet 3 is too large, the heat capacity increases and the energy loss during heat treatment increases. In addition, the production cost of the low friction sheet 3 may increase. Therefore, the thickness of the low friction sheet 3 is preferably set to Ra1 + Ra2 + 2000 μm or less. Specifically, the thickness of the low friction sheet 3 is preferably 0.01 mm to 2 mm.

低摩擦シート3は、支持部材2から取り外し可能な形態にしておくことが好ましい。このようにすれば、低摩擦シート3が損傷した場合に容易に交換することができる。その結果、低摩擦シート3の損傷に伴うガラス基板1の品質低下を抑制しやすくなる。具体的には、例えば、低摩擦シート3は支持部材2の上面2aに接着層等を介することなく直接敷設されるとともに、低摩擦シート3の下面3bの表面粗さRaが支持部材2の上面2aの表面粗さRaよりも大きく設定される。   It is preferable that the low friction sheet 3 be removable from the support member 2. In this way, when the low friction sheet 3 is damaged, it can be easily replaced. As a result, it becomes easy to suppress the quality deterioration of the glass substrate 1 accompanying the damage of the low friction sheet 3. Specifically, for example, the low friction sheet 3 is directly laid on the upper surface 2 a of the support member 2 without using an adhesive layer or the like, and the surface roughness Ra of the lower surface 3 b of the low friction sheet 3 is set to be the upper surface of the support member 2. It is set larger than the surface roughness Ra of 2a.

低摩擦シート3は、層状の結晶構造を有する無機物で構成されていることが好ましい。層状の結晶構造を有する無機物は、例えば、グラファイト、ボロンナイトライド、二硫化モリブデン、タルク、マイカ等がある。中でも、安価でシート状に製造しやすい点から、グラファイトを用いることが好ましい。低摩擦シート3を構成する上記無機物の純度は、質量%で99.0%以上であることが好ましい。より好ましくは99.5%以上、さらに好ましくは99.8%以上、最も好ましくは99.9%以上である。純度が高いほど、例えば、金属等の不純物に起因したガラス基板への擦り傷が抑制できる。本実施形態では、上記した各種無機物のうち、比較的安価で大型化も容易な純度が99.9%のグラファイトを使用する。   The low friction sheet 3 is preferably composed of an inorganic material having a layered crystal structure. Examples of the inorganic substance having a layered crystal structure include graphite, boron nitride, molybdenum disulfide, talc, and mica. Among them, it is preferable to use graphite because it is inexpensive and easy to manufacture in a sheet form. The purity of the inorganic material constituting the low friction sheet 3 is preferably 99.0% or more by mass%. More preferably, it is 99.5% or more, More preferably, it is 99.8% or more, Most preferably, it is 99.9% or more. As the purity is higher, for example, scratches on the glass substrate due to impurities such as metals can be suppressed. In the present embodiment, among the various inorganic materials described above, graphite having a purity of 99.9% that is relatively inexpensive and easy to increase in size is used.

熱処理後のガラス基板1において、歪や熱収縮率のバラツキに影響を及ぼさない範囲で、ガラス基板1に対する低摩擦シート3の大きさを小さくすることができる。このようにすれば、ガラス基板1の載置及び取り出し作業が容易になる。作業性を考慮した場合、ガラス基板1の下面1b全体の面積に対する低摩擦シート3の面積の割合は、0.5以上1.0以下にすることが好ましい。より好ましくは0.6以上1.0未満、さらに好ましくは0.7以上1.0未満、最も好ましくは0.7以上0.9以下である。   In the glass substrate 1 after the heat treatment, the size of the low friction sheet 3 with respect to the glass substrate 1 can be reduced within a range that does not affect the variation of the strain and the heat shrinkage rate. In this way, the glass substrate 1 can be easily placed and taken out. In consideration of workability, the ratio of the area of the low friction sheet 3 to the entire area of the lower surface 1b of the glass substrate 1 is preferably 0.5 or more and 1.0 or less. More preferably, it is 0.6 or more and less than 1.0, more preferably 0.7 or more and less than 1.0, and most preferably 0.7 or more and 0.9 or less.

以上のように、低摩擦シート3の静止摩擦係数と表面粗さRaを設定すれば、次のような効果を享受できる。すなわち、図2(a)に示すように、ガラス基板1の下面1bの周縁部1c(特に、下面1bと端面1dの交差部1x)が、低摩擦シート3の上面3aに引っ掛かり、ガラス基板1と低摩擦シート3との間に空隙Cが形成される状態は維持されにくい。図2(a)の状態が一時的に生じたとしても、ガラス基板1の下面1bの周縁部1cが低摩擦シート3の上面3aを外方側(X方向)に向かって滑り、これに伴ってガラス基板1の下面1bが下降(Y方向)しながら低摩擦シート3に接近する。また、図2(a)の状態からガラス基板1がさらに下降することで、ガラス基板1の下面1bの周縁部1cが低摩擦シート3の上面3aと面接触し始めたとしても、ガラス基板1の下面1bの周縁部1cが低摩擦シート3の上面3aを外方側(X方向)に向かって滑り、これに伴ってガラス基板1の下面1bが下降(Y方向)しながら低摩擦シート3に接近する。これにより、図2(b)に示すように、ガラス基板1が低摩擦シート3の上面3aに正しく倣う。その結果、ガラス基板1の下面1bと低摩擦シート3の上面3aとの間に空隙Cが形成されにくくなり、熱処理に伴う歪の発生を抑制することが可能となる。また、図2(b)に示すように、ガラス基板1が低摩擦シート3に倣った状態で熱処理を行っても、両者は過度に密着していないので、熱処理後に低摩擦シート3からガラス基板1を容易に分離することも可能となる。   As described above, if the static friction coefficient and the surface roughness Ra of the low friction sheet 3 are set, the following effects can be enjoyed. That is, as shown in FIG. 2 (a), the peripheral edge 1c of the lower surface 1b of the glass substrate 1 (particularly, the intersection 1x of the lower surface 1b and the end surface 1d) is caught by the upper surface 3a of the low friction sheet 3, and the glass substrate 1 It is difficult to maintain the state in which the gap C is formed between the low friction sheet 3 and the low friction sheet 3. Even if the state of FIG. 2 (a) occurs temporarily, the peripheral edge portion 1c of the lower surface 1b of the glass substrate 1 slides on the upper surface 3a of the low friction sheet 3 toward the outer side (X direction). The lower surface 1b of the glass substrate 1 approaches the low friction sheet 3 while descending (Y direction). Further, even when the glass substrate 1 is further lowered from the state of FIG. 2A, the peripheral portion 1 c of the lower surface 1 b of the glass substrate 1 starts to come into surface contact with the upper surface 3 a of the low friction sheet 3. The peripheral edge 1c of the lower surface 1b of the glass substrate 1 slides outward (X direction) on the upper surface 3a of the low friction sheet 3, and the lower surface 1b of the glass substrate 1 descends (Y direction) along with this. To approach. Thereby, as shown in FIG. 2 (b), the glass substrate 1 correctly follows the upper surface 3 a of the low friction sheet 3. As a result, it becomes difficult to form the gap C between the lower surface 1b of the glass substrate 1 and the upper surface 3a of the low friction sheet 3, and it is possible to suppress the occurrence of distortion associated with the heat treatment. Further, as shown in FIG. 2 (b), even when the heat treatment is performed in a state where the glass substrate 1 follows the low friction sheet 3, both are not excessively adhered to each other. 1 can be easily separated.

[支持部材]
支持部材2は、熱処理対象のガラス基板1及び低摩擦シート3を下方側から支持するものであり、ガラス、セラミックス、金属等の耐熱性を有する材料を使用することができる。中でも、支持部材2としては、熱膨張係数が低く、耐熱衝撃性が高い結晶化ガラスを用いることが好ましい。
[Support member]
The support member 2 supports the glass substrate 1 and the low friction sheet 3 to be heat-treated from the lower side, and a heat-resistant material such as glass, ceramics, or metal can be used. Among these, as the support member 2, it is preferable to use crystallized glass having a low thermal expansion coefficient and high thermal shock resistance.

支持部材2の厚みは、0.5〜4.0mmであることが好ましい。より好ましくは0.5〜3.5mm、より一層好ましくは0.5〜3.0mm、さらに好ましくは0.5〜2.5mm、最も好ましくは1.0〜2.5mmである。上記範囲に設定しておくことで、支持部材2が熱変形する可能性が低く、また支持部材2の熱容量が大きくなって熱処理時に大きなエネルギーロスが生じることもない。したがって、ガラス基板1の熱処理を精度よく、且つ効率的に行うことができる。   The thickness of the support member 2 is preferably 0.5 to 4.0 mm. More preferably, it is 0.5-3.5 mm, More preferably, it is 0.5-3.0 mm, More preferably, it is 0.5-2.5 mm, Most preferably, it is 1.0-2.5 mm. By setting it in the above range, the support member 2 is less likely to be thermally deformed, and the heat capacity of the support member 2 is increased, so that a large energy loss does not occur during heat treatment. Therefore, the heat treatment of the glass substrate 1 can be performed accurately and efficiently.

[熱処理装置] [Heat treatment equipment]

熱処理を実行する熱処理装置は、搬送装置を備えないバッチ式炉又は枚葉式炉を使用することが好ましい。このような炉は、ガラス基板1が静置状態で熱処理を受けるため、搬送に伴うガラス基板1の滑動を抑制できる。その結果、ガラス基板1の面内で均一な温度分布を保ちやすくなり、熱収縮率のバラツキや、温度分布に起因した歪や形状の悪化を抑制できる。また、熱処理中に炉内部材との衝突による破損の可能性も低減できる。本実施形態では、図3に示すように、バッチ式炉の熱処理装置10を使用する。   It is preferable to use a batch-type furnace or a single-wafer type furnace that does not include a transfer device as a heat treatment apparatus that performs heat treatment. Such a furnace can suppress the sliding of the glass substrate 1 accompanying conveyance, since the glass substrate 1 receives heat processing in a stationary state. As a result, it becomes easy to maintain a uniform temperature distribution in the surface of the glass substrate 1, and it is possible to suppress variations in the thermal shrinkage rate, and distortion and shape deterioration due to the temperature distribution. Moreover, the possibility of breakage due to collision with the in-furnace member during the heat treatment can be reduced. In this embodiment, as shown in FIG. 3, a heat treatment apparatus 10 for a batch furnace is used.

図3に示すように、熱処理装置10は、ガラスチャンバー11と、ガラス棚12を載置した状態でガラスチャンバー11に対して昇降移動する昇降台13と、ガラスチャンバー11を収容した炉壁14と、ガラスチャンバー11を外部から加熱するヒーター15とを備える。この熱処理装置10は、クリーンルーム内に配設される。要するに、熱処理工程はクリーンルーム内で実行される。   As shown in FIG. 3, the heat treatment apparatus 10 includes a glass chamber 11, a lifting platform 13 that moves up and down relative to the glass chamber 11 with the glass shelf 12 placed thereon, and a furnace wall 14 that houses the glass chamber 11. And a heater 15 for heating the glass chamber 11 from the outside. This heat treatment apparatus 10 is disposed in a clean room. In short, the heat treatment process is performed in a clean room.

ガラスチャンバー11は、下端を開口させた有蓋筒状をなし、その内部に熱処理空間Sを有する。このガラスチャンバー11は、石英ガラスを一体成形することで有蓋筒状に形成されており、継ぎ目のない連続した面によって、熱処理空間Sを区画形成している。   The glass chamber 11 has a covered cylindrical shape with an open lower end, and has a heat treatment space S therein. The glass chamber 11 is formed into a covered cylinder by integrally molding quartz glass, and the heat treatment space S is defined by a continuous surface without a joint.

ガラス棚12は、上下方向に多段状に設けられた複数の収容部16を有し、各収容部16は、昇降台上に立設された少なくとも一対の柱部12aと、柱部12aに対して着脱可能に取り付けられた棚板12bとで区画形成される。柱部12aおよび棚板12bは、何れも石英ガラスで形成されている。本実施形態では、棚板12bとして格子状の枠体を採用しており、棚板12bの上面には複数のピン状突起が設けられている。そして、横姿勢のガラス基板1が低摩擦シート3を備えた支持部材2で下方側から支持され(以下、これを「アセンブリ」ともいう)、ピン状突起により下方側から支持される。   The glass shelf 12 has a plurality of storage portions 16 provided in a multi-stage shape in the vertical direction, and each storage portion 16 has at least a pair of column portions 12a erected on a lifting platform and a column portion 12a. And a shelf board 12b that is detachably attached. Both the column part 12a and the shelf board 12b are formed of quartz glass. In the present embodiment, a grid-like frame is adopted as the shelf plate 12b, and a plurality of pin-like protrusions are provided on the upper surface of the shelf plate 12b. Then, the horizontal glass substrate 1 is supported from below by a support member 2 having a low friction sheet 3 (hereinafter also referred to as “assembly”), and is supported from below by pin-shaped protrusions.

昇降台13は、ガラス棚12を載置した石英ガラス製の載置部13aを有し、この載置部13aが上昇位置に位置したとき、ガラスチャンバー11の下端開口部を閉塞され、ガラス棚12が熱処理空間S内に配置される。一方、載置部13aが下降位置まで下降したとき、載置部13aに載置されたガラス棚12に対し、アセンブリの積み込み及び積み降ろしが行われる。   The elevator 13 has a quartz glass mounting portion 13a on which the glass shelf 12 is mounted. When the mounting portion 13a is located at the raised position, the lower end opening of the glass chamber 11 is closed, and the glass shelf 12 is disposed in the heat treatment space S. On the other hand, when the placing portion 13a is lowered to the lowered position, the assembly is loaded and unloaded on the glass shelf 12 placed on the placing portion 13a.

炉壁14は、下端を開口させた有蓋筒状をなし、その全体が耐火物で構成されている。炉壁14の側部内壁面にヒーター15が取り付けられている。ヒーター15としては、例えば、ニクロム系発熱体に代表される金属系の発熱体が使用される。   The furnace wall 14 has a covered cylindrical shape with the lower end opened, and the whole is made of a refractory material. A heater 15 is attached to the side inner wall surface of the furnace wall 14. As the heater 15, for example, a metal heating element typified by a nichrome heating element is used.

熱処理装置10には、ガラスチャンバー11を外部から冷却する冷却手段(例えば、送風機)を別途設けてもよい。このような冷却手段を設けておくことにより、ヒーター15で加熱された熱処理空間の雰囲気を効率よく冷却することができる。   The heat treatment apparatus 10 may be separately provided with a cooling means (for example, a blower) for cooling the glass chamber 11 from the outside. By providing such a cooling means, the atmosphere of the heat treatment space heated by the heater 15 can be efficiently cooled.

次に、以上の構成を有する熱処理装置により実行される熱処理工程を説明する。熱処理工程では、昇温ステップ、保温ステップおよび降温ステップが順に実施される。   Next, a heat treatment process executed by the heat treatment apparatus having the above configuration will be described. In the heat treatment process, a temperature raising step, a heat retaining step, and a temperature lowering step are sequentially performed.

昇温ステップの実施に先立って、昇降台13の載置部13aを下降位置に位置させ、ガラス棚12の各収容部16にアセンブリを積み込んでから、昇降台13を上昇移動させてガラス棚12をガラスチャンバー11内の熱処理空間Sに配置する。なお、各収容部16に対するアセンブリの積み込み(および熱処理後における各収容部16からのアセンブリの積み降ろし)は、例えば、アセンブリを下方側から支持可能なロボットフォークによって行われる。   Prior to carrying out the temperature raising step, the mounting portion 13a of the lifting / lowering base 13 is positioned at the lowered position, and the assembly is loaded on each receiving portion 16 of the glass shelf 12, and then the lifting / lowering base 13 is moved up and down to move the glass shelf 12. Is disposed in the heat treatment space S in the glass chamber 11. In addition, loading of the assembly with respect to each accommodating part 16 (and unloading of the assembly from each accommodating part 16 after heat processing) is performed by the robot fork which can support an assembly from the downward side, for example.

昇温ステップは、ガラス基板1の温度を所定温度まで上昇させるステップであり、ここではガラス基板1が10℃/分以上、好ましくは15℃/分以上、一層好ましくは20℃/分以上の昇温速度で昇温するようにヒーターの出力が調整される。ただし、ガラス基板1の昇温速度が速過ぎると、ガラス基板1が破損等する可能性が高まることから、昇温速度は100℃/分以下、より好ましくは80℃/分以下とする。   The temperature raising step is a step of raising the temperature of the glass substrate 1 to a predetermined temperature. Here, the glass substrate 1 is raised by 10 ° C./min or more, preferably 15 ° C./min or more, more preferably 20 ° C./min or more. The output of the heater is adjusted so that the temperature is increased at a temperature rate. However, if the rate of temperature increase of the glass substrate 1 is too high, the possibility of the glass substrate 1 being damaged or the like increases, so the rate of temperature increase is 100 ° C./min or less, more preferably 80 ° C./min or less.

そして、昇温ステップでは、ガラス基板1の温度が所定温度になるまでガラスチャンバー11(ガラスチャンバー11内の熱処理空間S)が外部から加熱される。ガラス基板1の歪点をT[単位:℃]としたとき、ガラス基板1の温度が、好ましくはT℃以下、より好ましくは(T−10℃)以下、より一層好ましくは(T−20℃)以下、さらに好ましくは(T−30℃)以下、特に好ましくは(T−40℃)以下、最も好ましくは(T−50℃)以下となるまでガラスチャンバー11が加熱される。これにより、熱処理に伴うガラス基板1の形状変化を可及的に防止しつつ、ガラス基板1の熱収縮率を低減することができる。ただし、ガラス基板1が十分に加熱されなければ、ガラス基板1の熱収縮率を適切に低減することができない。そのため、ガラスチャンバー11は、ガラス基板1の温度が(T−200℃)以上になるまで加熱される。   In the temperature raising step, the glass chamber 11 (the heat treatment space S in the glass chamber 11) is heated from the outside until the temperature of the glass substrate 1 reaches a predetermined temperature. When the strain point of the glass substrate 1 is T [unit: ° C], the temperature of the glass substrate 1 is preferably T ° C or less, more preferably (T-10 ° C) or less, and even more preferably (T-20 ° C). ), More preferably (T-30 ° C.) or less, particularly preferably (T-40 ° C.) or less, most preferably (T-50 ° C.) or less until the glass chamber 11 is heated. Thereby, the thermal contraction rate of the glass substrate 1 can be reduced, preventing the shape change of the glass substrate 1 accompanying heat processing as much as possible. However, if the glass substrate 1 is not sufficiently heated, the thermal shrinkage rate of the glass substrate 1 cannot be reduced appropriately. Therefore, the glass chamber 11 is heated until the temperature of the glass substrate 1 becomes (T-200 ° C.) or higher.

保温ステップでは、所定温度になるまで加熱されたガラス基板1を、上記所定温度のままで所定時間(具体的には0.5〜60分間)保持する。これにより、個々のガラス基板1の熱収縮率を適切に低減しつつ、ガラス基板1の相互間での熱収縮率のバラツキを低減できる。   In the heat retaining step, the glass substrate 1 heated to a predetermined temperature is held at the predetermined temperature for a predetermined time (specifically, 0.5 to 60 minutes). Thereby, the variation in the thermal contraction rate between the glass substrates 1 can be reduced while appropriately reducing the thermal contraction rate of the individual glass substrates 1.

降温ステップでは、ガラス基板1の温度を徐々に降下させる。降温速度は、好ましくは1℃/分以上、より好ましくは5℃/分以上、より一層好ましくは10℃/分以上とする。これにより、降温ステップの処理時間を短縮しつつ、ガラス基板1の生産性を高めることができる。ただし、降温速度が速過ぎると、ガラス基板1の熱収縮率を十分に低減することができないことに加え、ガラス基板1の反りが大きくなる可能性が高まる。そのため、降温速度は100℃/分以下が好ましく、80℃/分以下が一層好ましい。   In the temperature lowering step, the temperature of the glass substrate 1 is gradually decreased. The temperature lowering rate is preferably 1 ° C./min or more, more preferably 5 ° C./min or more, and even more preferably 10 ° C./min or more. Thereby, productivity of the glass substrate 1 can be improved, shortening the processing time of a temperature-falling step. However, if the temperature lowering rate is too fast, the thermal shrinkage rate of the glass substrate 1 cannot be sufficiently reduced, and the possibility that the warp of the glass substrate 1 will increase increases. Therefore, the temperature lowering rate is preferably 100 ° C./min or less, and more preferably 80 ° C./min or less.

なお、ガラス基板1中に残留する歪は、歪により生じる応力として以下に述べる方法で測定される。ガラス基板1中の歪は光学的な複屈折の測定、すなわち直交する直線偏光波の光路差の測定で見積もることができる。光路差をR(nm)として、歪により発生する応力(正確には偏差応力)F(MPa)は、F=R/(C×L)として表される。ここで、Lは偏光波が通過した距離(cm)であり、C(nm/cm)はガラスによって決まる比例定数で光弾性定数と呼ばれる。   The strain remaining in the glass substrate 1 is measured by the method described below as a stress caused by the strain. The strain in the glass substrate 1 can be estimated by measuring optical birefringence, that is, measuring the optical path difference of orthogonally polarized light waves. When the optical path difference is R (nm), the stress (exactly the deviation stress) F (MPa) generated by the strain is expressed as F = R / (C × L). Here, L is the distance (cm) through which the polarized wave has passed, and C (nm / cm) is a proportionality constant determined by glass and is called a photoelastic constant.

熱処理後のガラス基板1において、残留する歪により生じる最大応力は、1MPa以下であることが好ましい。より好ましくは0.8MPa以下、さらに好ましくは0.6MPa以下、最も好ましくは0.5MPa以下である。上記範囲であれば、分割切断してもガラス基板1の変形を抑制することができる。   In the glass substrate 1 after the heat treatment, the maximum stress generated by the remaining strain is preferably 1 MPa or less. More preferably, it is 0.8 MPa or less, More preferably, it is 0.6 MPa or less, Most preferably, it is 0.5 MPa or less. If it is the said range, even if it cut | divides and cut | disconnects, the deformation | transformation of the glass substrate 1 can be suppressed.

以上、本発明の実施形態に係るガラス基板の熱処理方法について説明を行ったが、本発明の実施の形態はこれに限定されるわけではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変更を施すことが可能である。   As mentioned above, although the heat processing method of the glass substrate which concerns on embodiment of this invention was demonstrated, embodiment of this invention is not necessarily limited to this, A various change is performed in the range which does not deviate from the summary of this invention. It is possible.

支持部材の上面に低摩擦シートを配置し、その低摩擦シートの上面にガラス基板を載置した状態で熱処理を施した場合(以下、これを「実施例」ともいう)、支持部材の上面にガラス基板を直接載置した状態で熱処理を施した場合(以下、これを「比較例1及び比較例2」ともいう)のそれぞれにおいて、熱処理前後でガラス基板の平面方向の歪を確認する確認試験を行った。   When a low friction sheet is disposed on the upper surface of the support member and heat treatment is performed with a glass substrate placed on the upper surface of the low friction sheet (hereinafter, also referred to as “example”), Confirmation test for confirming the strain in the planar direction of the glass substrate before and after the heat treatment in each case where the heat treatment is performed with the glass substrate directly placed (hereinafter also referred to as “Comparative Example 1 and Comparative Example 2”). Went.

確認試験の実施に際しては、実施例では支持部材/低摩擦シート/ガラス基板からなるアセンブリを4個準備し、比較例1及び2では支持部材/ガラス基板からなるアセンブリを4個準備した。そして、これら各アセンブリに熱処理を施した。   In carrying out the confirmation test, four assemblies consisting of a support member / low friction sheet / glass substrate were prepared in the examples, and four assemblies consisting of support members / glass substrates were prepared in Comparative Examples 1 and 2. Each of these assemblies was subjected to heat treatment.

熱処理対象のガラス基板は、実施例、比較例1及び比較例2で共通である。ガラス基板としては、厚さ0.5mmで、730mm×920mmの矩形状のガラス基板(具体的には、日本電気硝子株式会社製の無アルカリガラス基板OA−11)を用いた。ガラス基板は、線熱膨張係数が37×10−7/℃(30〜380℃)、歪点は685℃、光弾性定数が30nm/cmである。また、ガラス基板の下面の表面粗さRaは0.2nmである。なお、ガラス基板の上面の表面粗さRaは、確認試験の結果に直接影響しないが、ガラス基板の下面と同程度である。 The glass substrate to be heat-treated is common to the examples, comparative example 1 and comparative example 2. As the glass substrate, a rectangular glass substrate having a thickness of 0.5 mm and a size of 730 mm × 920 mm (specifically, an alkali-free glass substrate OA-11 manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd.) was used. The glass substrate has a linear thermal expansion coefficient of 37 × 10 −7 / ° C. (30 to 380 ° C.), a strain point of 685 ° C., and a photoelastic constant of 30 nm / cm. The surface roughness Ra of the lower surface of the glass substrate is 0.2 nm. Note that the surface roughness Ra of the upper surface of the glass substrate does not directly affect the result of the confirmation test, but is approximately the same as the lower surface of the glass substrate.

支持部材は、実施例、比較例1及び比較例2で、表面粗さRa及び静止摩擦係数以外の条件は共通である。支持部材としては、厚さ4mmで、830mm×1020mmの矩形状の結晶化ガラス板(具体的には、日本電気硝子株式会社製のネオセラムN−0)を用いた。この支持部材の線熱膨張係数は−1×10−7/℃(30〜750℃)である。支持部材の上面の表面粗さRaは、比較例1では0.8μm、比較例2では0.5nmである。支持部材の上面の静止摩擦係数は、比較例1では1.3、比較例2では0.8である。なお、比較例1、2では、上記の結晶化ガラス板の表面を研磨によって調整したものを用いた。実施例における支持部材の上面の表面粗さRa及び静止摩擦係数は、確認試験の結果に直接影響しないため測定していないが、比較例1と同程度のものを用いた。 The support member is the same in Examples, Comparative Example 1 and Comparative Example 2, except for the surface roughness Ra and the static friction coefficient. As the support member, a rectangular crystallized glass plate (specifically, Neoceram N-0 manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd.) having a thickness of 4 mm and a size of 830 mm × 1020 mm was used. The linear thermal expansion coefficient of this support member is −1 × 10 −7 / ° C. (30 to 750 ° C.). The surface roughness Ra of the upper surface of the support member is 0.8 μm in Comparative Example 1 and 0.5 nm in Comparative Example 2. The static friction coefficient of the upper surface of the support member is 1.3 in Comparative Example 1 and 0.8 in Comparative Example 2. In Comparative Examples 1 and 2, a crystallized glass plate whose surface was adjusted by polishing was used. The surface roughness Ra and the coefficient of static friction of the upper surface of the support member in the examples were not measured because they did not directly affect the results of the confirmation test, but those similar to those in Comparative Example 1 were used.

低摩擦シートには、厚さ200μmで、730mm×920mmの矩形状のグラファイト(純度99.9%以上)を用いた。低摩擦シートの上面は、表面粗さRaが1.0μmであり、静止摩擦係数が0.1〜0.2である。なお、低摩擦シートの下面の表面粗さRa及び静止摩擦係数は、確認試験の結果に直接影響しないが、低摩擦シートの上面と同程度である。   As the low friction sheet, rectangular graphite (purity: 99.9% or more) having a thickness of 200 μm and a size of 730 mm × 920 mm was used. The upper surface of the low friction sheet has a surface roughness Ra of 1.0 μm and a static friction coefficient of 0.1 to 0.2. The surface roughness Ra and the static friction coefficient of the lower surface of the low friction sheet do not directly affect the result of the confirmation test, but are approximately the same as the upper surface of the low friction sheet.

熱処理条件は、実施例、比較例1及び比較例2で共通である。熱処理条件は、室温程度のガラス基板を10℃/分の昇温速度で650℃まで昇温させた後、650℃で3分間保持し、さらにその後、60℃/分の降温速度でガラス基板を室温まで降温させる、というものである。なお、試験に用いた全てのガラス基板で、熱処理前の歪により生じる最大応力値は0.3〜0.4MPaであった。   The heat treatment conditions are common to the examples, comparative example 1 and comparative example 2. The heat treatment conditions were as follows: a glass substrate at room temperature was heated to 650 ° C. at a temperature increase rate of 10 ° C./min, held at 650 ° C. for 3 minutes, and then the glass substrate was cooled at a temperature decrease rate of 60 ° C./min. The temperature is lowered to room temperature. In addition, with all the glass substrates used for the test, the maximum stress value generated by the strain before the heat treatment was 0.3 to 0.4 MPa.

上記の確認試験の試験結果を表1に示す。   The test results of the above confirmation test are shown in Table 1.

Figure 0006598071
Figure 0006598071

表1からも明らかなように、実施例では、ガラス基板の支持面を構成する低摩擦シートの上面の静止摩擦係数は0.5以下であり、かつ、低摩擦シートの上面の表面粗さRaはガラス基板の表面粗さRaの5倍以上である。一方、比較例1では、ガラス基板の支持面を構成する支持部材の上面の静止摩擦係数は0.5超であり、かつ、支持部材の上面の表面粗さRaはガラス基板の表面粗さRaの5倍以上である。また、比較例2では、ガラス基板の支持面を構成する支持部材の上面の静止摩擦係数は0.5超であり、かつ、支持部材の上面の表面粗さRaはガラス基板の表面粗さRaの5倍未満である。   As is clear from Table 1, in the example, the static friction coefficient of the upper surface of the low friction sheet constituting the support surface of the glass substrate is 0.5 or less, and the surface roughness Ra of the upper surface of the low friction sheet. Is 5 times or more of the surface roughness Ra of the glass substrate. On the other hand, in Comparative Example 1, the static friction coefficient of the upper surface of the support member constituting the support surface of the glass substrate is more than 0.5, and the surface roughness Ra of the upper surface of the support member is the surface roughness Ra of the glass substrate. 5 times or more. In Comparative Example 2, the static friction coefficient of the upper surface of the support member constituting the support surface of the glass substrate is more than 0.5, and the surface roughness Ra of the upper surface of the support member is the surface roughness Ra of the glass substrate. Less than 5 times.

その結果、実施例においては、全ての試料で熱処理後のガラス基板で歪により生じる最大応力の値は0.3〜0.4MPaであり、熱処理による変化は見られなかった。これに対し、比較例1においては、熱処理後のガラス基板で最大応力値が1.0MPaを超える大きな値になっていた。さらに、比較例2では、支持部材の上面の表面粗さRaがガラス基板の表面粗さRaの5倍未満であるため、ガラス基板と支持部材が過度に密着し、熱処理時にガラス基板と支持部材の熱膨張差が生じた際に、その熱膨張差によってガラス基板が破損するに至った(熱処理中に破損)。従って、本発明に係る熱処理方法は、熱処理に伴う歪の発生を抑制する上で有用であると言える。   As a result, in the examples, the value of the maximum stress generated by strain in the glass substrate after the heat treatment in all the samples was 0.3 to 0.4 MPa, and no change due to the heat treatment was observed. On the other hand, in Comparative Example 1, the maximum stress value of the glass substrate after the heat treatment was a large value exceeding 1.0 MPa. Furthermore, in Comparative Example 2, since the surface roughness Ra of the upper surface of the support member is less than 5 times the surface roughness Ra of the glass substrate, the glass substrate and the support member are in close contact, and the glass substrate and the support member are subjected to heat treatment. When the difference in thermal expansion occurred, the glass substrate was damaged by the difference in thermal expansion (damaged during heat treatment). Therefore, it can be said that the heat treatment method according to the present invention is useful in suppressing the generation of strain accompanying heat treatment.

上記の確認試験に併せ、熱処理に伴ってガラス基板がどの程度熱収縮するか、すなわちガラス基板の熱収縮率を評価した。ガラス基板の熱収縮率は、以下の(1)−(5)に示す手順で測定・算出した。
(1)図4(a)に示すように、ガラス基板の試料として160mm×30mmの短冊状試料Gを準備する。
(2)粒度1000の耐水研磨紙を用いて、短冊状試料Gの長辺方向の両端部のそれぞれにおいて、端縁から長辺方向中央側に20〜40mm程度シフトした位置に短辺方向に延びるマーキングMを形成する。
(3)マーキングMを形成した短冊状試料を長辺方向に沿って二分割し、試料片Ga、Gbを作製する。
(4)両試料片Ga,Gbのうち、何れか一方の試料片(ここでは試料片Gb)のみを熱処理装置で熱処理する。熱処理は、5℃/分の昇温速度で常温から500℃まで昇温→500℃で1時間保持→5℃/分の降温速度で常温まで降温、という手順で実施した。
(5)試料片Gbに上記態様で熱処理を施した後、熱処理していない試料片Gaと、熱処理を施した試料片Gbとを並列に配置し、両試料片Ga,GbでのマーキングMの位置ずれ量ΔL、ΔLをレーザ顕微鏡で読み取り、下記の数式に基づいて熱収縮率[単位:ppm]を算出する。なお、下記の数式中のLは、熱処理前のマーキングM間の離間距離である。
熱収縮率=[{ΔL(μm)+ΔL(μm)}×10]/L(mm)
In addition to the above confirmation test, how much the glass substrate thermally contracted with the heat treatment, that is, the thermal contraction rate of the glass substrate was evaluated. The thermal shrinkage rate of the glass substrate was measured and calculated according to the following procedures (1) to (5).
(1) As shown in FIG. 4A, a 160 mm × 30 mm strip sample G is prepared as a glass substrate sample.
(2) Using water-resistant abrasive paper having a particle size of 1000, in each of both ends in the long side direction of the strip-shaped sample G, it extends in the short side direction to a position shifted by about 20 to 40 mm from the edge to the central side in the long side direction. Marking M is formed.
(3) The strip-shaped sample on which the marking M is formed is divided into two along the long side direction, and sample pieces Ga and Gb are produced.
(4) Only one of the sample pieces Ga and Gb (here, the sample piece Gb) is heat-treated with a heat treatment apparatus. The heat treatment was carried out by the procedure of increasing the temperature from normal temperature to 500 ° C. at a temperature increase rate of 5 ° C./minute→holding at 500 ° C. for 1 hour → decreasing the temperature to room temperature at a temperature decrease rate of 5 ° C./minute.
(5) After heat-treating the sample piece Gb in the above-described manner, the non-heat-treated sample piece Ga and the heat-treated sample piece Gb are arranged in parallel, and the marking M on both the sample pieces Ga and Gb The positional deviation amounts ΔL 1 and ΔL 2 are read with a laser microscope, and the thermal contraction rate [unit: ppm] is calculated based on the following mathematical formula. Incidentally, L 0 in the following equations is the distance between the front heat treatment marking M.
Thermal contraction rate = [{ΔL 1 (μm) + ΔL 2 (μm)} × 10 3 ] / L 0 (mm)

上記の手順で測定・算出したガラス基板の熱収縮率は、何れも10ppm程度と非常に小さい値となっていた。   The thermal contraction rate of the glass substrate measured and calculated according to the above procedure was a very small value of about 10 ppm.

以上より、本発明は、ガラス基板の熱収縮率を低減しつつ、熱処理に伴う歪の発生を抑制する上で有用であることが理解される。   From the above, it is understood that the present invention is useful in suppressing the generation of strain accompanying heat treatment while reducing the thermal shrinkage rate of the glass substrate.

1 ガラス基板
1a 上面
1b 下面
1c 周縁部
2 支持部材
2a 上面
3 低摩擦シート
3a 上面
3b 下面
3c 食み出し部
10 熱処理装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Glass substrate 1a Upper surface 1b Lower surface 1c Peripheral part 2 Support member 2a Upper surface 3 Low friction sheet 3a Upper surface 3b Lower surface 3c Projection part 10 Heat processing apparatus

Claims (7)

支持部材でガラス基板を下方から支持した状態で、前記ガラス基板の熱収縮率を低減するための熱処理を行うガラス基板の熱処理方法であって、
少なくとも前記ガラス基板の下面の被支持領域の周縁部とこれに対向する前記支持部材の上面との間に低摩擦シートを配置するとともに、
前記低摩擦シートの上面の静止摩擦係数を0.5以下とし、かつ、前記低摩擦シートの上面の表面粗さRaを前記ガラス基板の下面の表面粗さRaの5倍以上の大きさとすることを特徴とするガラス基板の熱処理方法。
In a state where the glass substrate is supported from below by a support member, a heat treatment method of the glass substrate is performed to reduce the heat shrinkage rate of the glass substrate,
While disposing a low friction sheet at least between the peripheral edge of the supported region on the lower surface of the glass substrate and the upper surface of the support member facing the same,
The static friction coefficient of the upper surface of the low friction sheet is 0.5 or less, and the surface roughness Ra of the upper surface of the low friction sheet is 5 times or more the surface roughness Ra of the lower surface of the glass substrate. A method for heat-treating a glass substrate.
前記低摩擦シートの厚みが、0.01mm〜2mmであることを特徴とする請求項1に記載のガラス基板の熱処理方法。   The glass substrate heat treatment method according to claim 1, wherein the low friction sheet has a thickness of 0.01 mm to 2 mm. 前記低摩擦シートの静止摩擦係数が、0.2以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載のガラス基板の熱処理方法。   The glass substrate heat treatment method according to claim 1, wherein the low friction sheet has a static friction coefficient of 0.2 or less. 前記低摩擦シートが、層状結晶構造を有する無機物からなることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のガラス基板の熱処理方法。   The said low-friction sheet | seat consists of an inorganic substance which has a layered crystal structure, The heat processing method of the glass substrate in any one of Claims 1-3 characterized by the above-mentioned. 前記低摩擦シートが、前記支持部材の上面に剥離可能に敷設されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のガラス基板の熱処理方法。   The heat treatment method for a glass substrate according to any one of claims 1 to 4, wherein the low friction sheet is detachably laid on an upper surface of the support member. 前記ガラス基板の下面全体が前記被支持領域となるように、前記低摩擦シートが、前記ガラス基板の下面全面とこれに対向する前記支持部材の上面との間に設けられていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のガラス基板の熱処理方法。   The low friction sheet is provided between the entire lower surface of the glass substrate and the upper surface of the support member facing the lower surface so that the entire lower surface of the glass substrate becomes the supported region. The heat processing method of the glass substrate of any one of Claims 1-5 to do. 前記ガラス基板の下面の周縁部を除く領域が前記被支持領域となるように、前記ガラス基板の下面の周縁部が前記低摩擦シートから食み出していることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のガラス基板の熱処理方法。   6. The peripheral portion of the lower surface of the glass substrate protrudes from the low friction sheet so that the region excluding the peripheral portion of the lower surface of the glass substrate becomes the supported region. The heat processing method of the glass substrate of any one of these.
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