JP6593901B2 - 光源装置および投写型表示装置、半導体発光素子の冷却方法 - Google Patents

光源装置および投写型表示装置、半導体発光素子の冷却方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6593901B2
JP6593901B2 JP2018536564A JP2018536564A JP6593901B2 JP 6593901 B2 JP6593901 B2 JP 6593901B2 JP 2018536564 A JP2018536564 A JP 2018536564A JP 2018536564 A JP2018536564 A JP 2018536564A JP 6593901 B2 JP6593901 B2 JP 6593901B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light source
flow path
heat radiating
source bank
holding member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018536564A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2018042524A1 (ja
Inventor
祐輔 谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp NEC Display Solutions Ltd
Original Assignee
NEC Display Solutions Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Display Solutions Ltd filed Critical NEC Display Solutions Ltd
Publication of JPWO2018042524A1 publication Critical patent/JPWO2018042524A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6593901B2 publication Critical patent/JP6593901B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B21/00Projectors or projection-type viewers; Accessories therefor
    • G03B21/14Details
    • G03B21/16Cooling; Preventing overheating
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B21/00Projectors or projection-type viewers; Accessories therefor
    • G03B21/14Details
    • G03B21/20Lamp housings
    • G03B21/2006Lamp housings characterised by the light source
    • G03B21/2013Plural light sources
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B21/00Projectors or projection-type viewers; Accessories therefor
    • G03B21/14Details
    • G03B21/20Lamp housings
    • G03B21/2006Lamp housings characterised by the light source
    • G03B21/2033LED or laser light sources
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024Arrangements for thermal management

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Projection Apparatus (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

本発明は、光源装置および投写型表示装置、半導体発光素子の冷却方法に関するものである。
投写型表示装置の光源などに使用される発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)や半導体レーザー(LD:Laser Diode)などの半導体発光素子は電気を流すことで発光するが、発光時に熱も発生させる。半導体発光素子の温度が上昇すると発光効率が下がり、十分な光量が得られなくなり、半導体発光素子の寿命も短くなる。投写型表示装置において、安定的に光学性能を発揮させ、その性能を継続的に維持するためには、半導体発光素子を冷却して使用時の温度を一定温度以下に制御する必要がある。
特許文献1(特開2015−130461号公報)には、半導体発光素子の冷却方式として、密閉筐体の内部空間内に半導体レーザーが設置される設置部材を設け、設置部材の内部には冷媒流路を設け、冷媒流路の入り口端部と出口端部を密閉筐体の外部空間とする技術が開示されている。
特開2015−130461号公報
特許文献1に開示される技術では、冷却対象である半導体発光素子を冷媒流路により冷却している。冷媒流路は、冷媒流路の内部を循環する液体や気体などの冷媒により冷却対象の熱を受熱する。受熱した冷媒は、冷媒流路の出口からラジエーターに排出され、ラジエーターによる放熱が行われることで冷却された後に、再度ポンプにより冷却流路の入り口に還流される。
冷媒流路の内部を循環する冷媒の温度は受熱により上昇し、冷媒流路の出口部での温度は入り口部での温度よりも高くなってしまう。
近年の投写型表示装置には高輝度のものが求められている。これに伴い、光源を構成する半導体発光素子には高出力のものが複数用いられるようになっている。出射面を同じとする複数の半導体発光素子をアレイ状に配置することで、光源としての輝度は高いものとなるが、その分、発熱量も増加する。
複数の半導体発光素子を特許文献1に開示されるような冷媒流路を用いて冷却すると、冷媒の温度が入り口部と出口部で異なることから冷却される半導体発光素子の温度が均一にならない。半導体発光素子は動作温度によりその出力強度が変動するため、各半導体発光素子の出力光に輝度ムラが発生し、さらには投写型表示装置より投写される映像光にも色ムラが発生してしまう。
本発明は、複数の半導体発光素子をより均一に冷却する光源装置および投写型表示装置、半導体発光素子の冷却方法を提供することを目的としている。
本発明による光源装置は、複数の半導体発光素子と、
前記複数の半導体発光素子を収容する光源バンクと、
第1の面に前記光源バンクを搭載し、前記第1の面の裏面である第2の面に冷却機構が設けられる光源バンク保持部材と、を有し、
前記冷却機構は、
前記光源バンク保持部材を挟んで前記光源バンクに対応する位置に設けられた放熱部と、
前記第2の面を、前記放熱部を含めて覆う流路カバーと、
前記流路カバーに設けられ、冷媒が流入する流入端子と、
前記流路カバーに設けられ、前記流入端子との間に前記放熱部による流路が形成される、冷媒が流出する流出端子と、
前記流入端子と前記放熱部との間に形成され、前記放熱部に形成される流路よりも抵抗が小さな第1流路と、を有する。
本発明による投写型表示装置は、上記の光源装置を備えている。
本発明による半導体発光素子の冷却方法は、光源バンクに収容された複数の半導体発光素子を冷却する半導体発光素子の冷却方法であって、
光源バンク保持部材の第1の面に前記光源バンクを搭載し、前記第1の面の裏面である第2の面に冷却機構を設け、
前記冷却機構として、
放熱部を、前記光源バンク保持部材を挟んで前記光源バンクに対応する位置に設け、
流路カバーにより前記第2の面を、前記放熱部を含めて覆い、
冷媒が流入する流入端子を前記流路カバーに設け、
前記流入端子との間に前記放熱部による流路が形成されるように、冷媒が流出する流出端子を前記流路カバーに設け、
前記放熱部に形成される流路よりも抵抗が小さな第1流路を前記流入端子と前記放熱部との間に形成する。
上記の構成を備える本発明においては、複数の半導体発光素子がより均一に冷却される。
本発明による光源装置の一実施形態の構成を示す分解斜視図である。 図1に示した実施形態の組立体を示す斜視図である。 図1に示した実施形態の組立体を示す斜視図である。 図1に示した実施形態の冷却動作を説明するための平面図である。 図1に示した実施形態の冷却動作を説明するための平面図である。 図1に示した実施形態の冷却動作を説明するための断面図である。 (a)は図6中の流入口101部分の断面構造を示す図であり、(b)は図6中の流出口102部分の断面構造を示す図である。 本発明による投写型表示装置の一実施形態の構成を示すブロック図である。
発明の実施の形態
次に、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
第1の実施形態
図1は本発明による光源装置の一実施形態の構成を示す分解斜視図、図2および図3はその組立体を示す斜視図である。
本実施形態の光源装置は、図1に示すように、流入口101、流出口102、流路カバー103、放熱部104、光源バンク保持部材105、光源基板106、および、光源バンク107から構成されている。
光源バンク保持部材105には複数の平行なフィン形状の放熱部104が形成され、放熱部104を覆う流路カバー103には冷媒の入り口および出口となる流入口101および流出口102が取り付けられている。
光源バンク保持部材105の放熱部104が形成されない側には、図2に示すように光源基板保持部材201と光源バンク107が搭載される。3個の光源バンク107は3個の光源基板106を収容している。3個の光源基板106のそれぞれには、LDである半導体発光素子301が図3に示されるように8個搭載され、各半導体発光素子301の出射光は光源バンク107に各半導体発光素子に対応して設けられた開口から出射する。
光源バンク107は収容するCANタイプの半導体発光素子301および光源バンク保持部材105と直接接触しており、本実施形態において、各半導体発光素子301は、光源バンク107および光源バンク保持部材105を介して、光源バンク保持部材105に設けられた放熱部104などにより構成される冷却機構により冷却される。
図4ないし図7は本実施形態で行われる冷却動作を説明するための図であり、図4は平面図、図5は図4の流路カバー103を外した状態での冷媒の進行状況を示す平面図、図6は断面図である。
本実施形態の流路カバー103は、光源バンク保持部材105に形成されたフィン形状の放熱部104を覆い、流路を形成するものであるが、流入口101と光源バンク保持部材105との間にはフィン形状の放熱部104が設けられ、流出口102と光源バンク保持部材105との間にはフィン形状の放熱部104は設けられていない。また、図4の平面図および図6の断面図に示すように、放熱部104の流入口101側には、流入口101と連通し、流入口101から冷媒の出口となる流出口102側に直線的に向かう第1流路401が設けられている。
第1流路401は、流入口101、流出口102、流路カバー103、放熱部104とともに冷却機構を構成するもので、図5に示すように、矩形形状の放熱部104を形成するフィン形状は、図面上下方向を長手方向とするように平行に形成され、第1流路401は図面左右方向を長手方向とするとともに、情熱部104の複数のフィン形状に平行な対辺の略中央部を結ぶとともに、放熱部104を形成する各フィンのすべてに亘るように細長い形状に形成されている。
流入口101と放熱部104との間に何も設けられない第1流路401は、フィン形状の放熱部104に形成される流路よりも抵抗が低いため、流入口101から流入した冷媒は、図4ないし図6の矢印Aに示すように、まず、第1流路401を満たす。
上述したように、各半導体発光素子301は、光源バンク107および光源バンク保持部材105を介して、光源バンク保持部材105に設けられた放熱部104などにより構成される冷却機構により冷却される。光源バンク107と放熱部104は光源バンク保持部材105に設けられるが、これらが設けられる位置は、図6に示すように、光源バンク保持部材105を挟んで一致するものとされている。
第1流路401を満たした冷媒は、図4ないし図6の矢印Bに示すように、フィン形状の放熱部104を通って光源バンク保持部材105の放熱部104の形成面に向かう。矢印A状態から矢印Bの状態に遷移するときの冷媒は、放熱部104からの受熱動作を開始していない。このため、放熱部104の形成面に向かう冷媒の温度は流入口101からの距離に関わらずに同じ温度となり、光源バンク107および光源バンク107に収容される半導体発光素子301は同じ条件で冷却される。
放熱部104の形成面に達した冷媒は、図4ないし図6の矢印Cに示すように、フィン形状の放熱部104の側部を通って流出口102側へ向かい、その後、図4ないし図6の矢印Dに示すように、流出口102から流出する。
図7(a)は図6中の流入口101部分の断面構造を示す図であり、図7(b)は図6中の流出口102部分の断面構造を示す図である。
上述したように、第1流路401は放熱部104を形成する各フィン形状のすべてに亘るように細長い形状に形成されている。このため、図7(a)に示すように、流出口101から第1流路401に流入する冷媒は、同じ温度、かつ、同時に放熱部104を形成する各フィン形状間に供給される。光源バンク107と放熱部104の設置位置は、光源バンク保持部材105を挟んで一致するように設けられているので、光源バンク保持部材105および光源バンク107に収容される複数の半導体発光素子301は同じ条件で冷却される。このように、複数の半導体発光素子が従来のように上流と下流で異なる温度条件で冷却されないことから、複数の半導体発光素子301はより均一に冷却される。
放熱部401を通った冷媒は、図7(b)に示すように流出口102から流出する。流入口101、流出口102の流路断面は同じ面積とされ、さらには、第1流路401の流路断面も同じ面積とされている。流入口101、流出口102の流路断面を同じ面積とすることにより、流入口101に流入する冷媒と流出口102から流出する冷媒の流速は等しいものとなり、円滑な冷媒の流れを確保することができる。この冷媒の流れの円滑性は、第1流路401の流路断面の面積を流入口101、流出口102の流路断面の面積と同じとすることによりさらに向上する。
上記のように構成される本実施形態の光源装置においては、複数の半導体発光素子がより均一に冷却されることから、各半導体発光素子による出力光は、輝度ムラの発生が抑制されたものとなる。
第2の実施形態
図8は、第1の実施形態に示した光源装置を備えた投写型表示装置の一実施形態の構成を示すブロック図である。
投写型表示装置1100は、第1の実施形態で説明した光源装置を備えた光源1101と、光学エンジン部1102と、画像形成ユニット1103と、投写レンズ(投写光学系)1104とを有している。
画像形成ユニット1103は、画像信号に応じて光を変調する表示デバイス1105〜1107を備え、光学エンジン部1102から出射された光に基づいて画像を形成する機能を有している。本実施形態では、表示デバイス1105〜1107として、反射型表示素子であるデジタルマイクロミラーデバイス(DMD)が用いられている。さらに、本実施形態では、画像形成ユニット1103は、赤色光、緑色光、および青色光に対応した3つの表示デバイス1105〜1107を備えている。投写レンズ1104は、画像形成ユニット1103から出射された光をスクリーン1109などに投写して、画像として表示する機能を有している。
また、投写型表示装置1100は、画像形成ユニットのDMDを冷却するための冷却装置を備えている。
上記のように構成される本実施形態の投写型表示装置においては、輝度ムラが抑制された光源装置の出力光を用いることから、色ムラの発生が抑制された品質の高い映像光を出力するものとなっている。
101 流入口
102 流出口
103 流路カバー
104 放熱部
105 光源バンク保持部材
106 光源基板
107 光源バンク

Claims (7)

  1. 複数の半導体発光素子と、
    前記複数の半導体発光素子を収容する光源バンクと、
    第1の面に前記光源バンクを搭載し、前記第1の面の裏面である第2の面に冷却機構が設けられる光源バンク保持部材と、を有し、
    前記冷却機構は、
    前記光源バンク保持部材を挟んで前記光源バンクに対応する位置に設けられた放熱部と、
    前記第2の面を、前記放熱部を含めて覆う流路カバーと、
    前記流路カバーに設けられ、冷媒が流入する流入端子と、
    前記流路カバーに設けられ、前記流入端子との間に前記放熱部による流路が形成される、冷媒が流出する流出端子と、
    前記流入端子と前記放熱部との間に形成され、前記放熱部に形成される流路よりも抵抗が小さな第1流路とを備え
    前記流入端子と前記光源バンク保持部材との間には、前記放熱部が設けられており、前記流出端子と前記光源バンク保持部材との間には、前記放熱部が設けられていない構造を有する光源装置。
  2. 請求項1記載の光源装置において、
    前記流入端子と前記流出端子の流路断面の面積が等しい光源装置。
  3. 請求項2記載の光源装置において、
    前記流入端子および前記流出端子と、前記第1の流路の流路断面の面積が等しい光源装置。
  4. 請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の光源装置において、
    前記放熱部は複数の平行なフィン形状を備え、前記第1流路は各フィン形状のすべてに亘るように形成されている光源装置。
  5. 請求項4に記載の光源装置において、
    前記放熱部は矩形形状であり、前記第1流路は前記複数のフィン形状に平行な対辺の略中央部を結ぶように形成されている光源装置。
  6. 請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の光源装置を備えた投写型表示装置。
  7. 光源バンクに収容された複数の半導体発光素子を冷却する半導体発光素子の冷却方法であって、
    光源バンク保持部材の第1の面に前記光源バンクを搭載し、前記第1の面の裏面である第2の面に冷却機構を設け、
    前記冷却機構として、
    放熱部を、前記光源バンク保持部材を挟んで前記光源バンクに対応する位置に設け、
    流路カバーにより前記第2の面を、前記放熱部を含めて覆い、
    冷媒が流入する流入端子を前記流路カバーに設け、
    前記流入端子との間に前記放熱部による流路が形成されるように、冷媒が流出する流出端子を前記流路カバーに設け、
    前記流入端子と前記光源バンク保持部材との間には、前記放熱部が設けられており、前記流出端子と前記光源バンク保持部材との間には、前記放熱部が設けられていない構造とし、
    前記放熱部に形成される流路よりも抵抗が小さな第1流路を前記流入端子と前記放熱部との間に形成する半導体発光素子の冷却方法。
JP2018536564A 2016-08-30 2016-08-30 光源装置および投写型表示装置、半導体発光素子の冷却方法 Active JP6593901B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2016/075370 WO2018042524A1 (ja) 2016-08-30 2016-08-30 光源装置および投写型表示装置、半導体発光素子の冷却方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2018042524A1 JPWO2018042524A1 (ja) 2019-06-24
JP6593901B2 true JP6593901B2 (ja) 2019-10-23

Family

ID=61301472

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018536564A Active JP6593901B2 (ja) 2016-08-30 2016-08-30 光源装置および投写型表示装置、半導体発光素子の冷却方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10665767B2 (ja)
JP (1) JP6593901B2 (ja)
CN (1) CN109565148B (ja)
WO (1) WO2018042524A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102019123063A1 (de) * 2019-08-28 2021-03-04 Automotive Lighting Reutlingen Gmbh Verbund aus einem Kraftfahrzeugscheinwerfer und einem Kühlmittelkreislauf eines Kraftfahrzeugs
CN111555112A (zh) * 2020-05-21 2020-08-18 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 一种发光装置及其制造方法与激光设备

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62149180A (ja) * 1985-12-23 1987-07-03 Matsushita Electric Works Ltd Led装置
JP4133774B2 (ja) * 2003-12-02 2008-08-13 Necディスプレイソリューションズ株式会社 液晶プロジェクタ装置および液晶プロジェクタ装置の冷却方法
JP2009237546A (ja) * 2008-03-07 2009-10-15 Sanyo Electric Co Ltd 投写型映像表示装置および照明装置
JP2010098204A (ja) * 2008-10-20 2010-04-30 Stanley Electric Co Ltd 光源の冷却構造
JP4831202B2 (ja) * 2009-04-03 2011-12-07 セイコーエプソン株式会社 プロジェクター
CN101640378B (zh) * 2009-08-31 2011-12-28 西安炬光科技有限公司 新型低成本水平阵列液体制冷半导体激光器及其制备方法
CN101854027A (zh) * 2010-04-30 2010-10-06 西安炬光科技有限公司 一种用于半导体激光器的液体制冷器
JP6187081B2 (ja) * 2013-09-19 2017-08-30 岩崎電気株式会社 照射ユニット
JP2015130461A (ja) 2014-01-09 2015-07-16 三菱電機株式会社 半導体レーザ装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20190252591A1 (en) 2019-08-15
CN109565148B (zh) 2021-09-10
US10665767B2 (en) 2020-05-26
CN109565148A (zh) 2019-04-02
JPWO2018042524A1 (ja) 2019-06-24
WO2018042524A1 (ja) 2018-03-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107765496B (zh) 光源装置、图像投影装置、光源装置的设置方法
JP4561917B2 (ja) プロジェクタ
JP4988912B2 (ja) 投写型映像表示装置
JP5201612B2 (ja) 光源装置およびこれを備えた投写型表示装置
US20110001937A1 (en) Projection Display Device And Illumination Device
US7967475B2 (en) LED device radiator of LED projection system
CN112114476B (zh) 激光投影设备
JP2010170148A (ja) プロジェクタ
JP4657242B2 (ja) 投写型映像表示装置
CN112526806A (zh) 激光投影设备
JP2007103748A (ja) 熱交換器、液冷システム、光源装置、プロジェクタ、電子デバイスユニット、電子機器
CN110687739A (zh) 激光投影设备
JP4654664B2 (ja) 光源装置および投射型表示装置
JP6593901B2 (ja) 光源装置および投写型表示装置、半導体発光素子の冷却方法
CN110780517A (zh) 激光投影设备
JP2006047914A (ja) プロジェクタ
JP6246414B2 (ja) 半導体レーザ光源装置、半導体レーザ光源システムおよび映像表示装置
CN112526810B (zh) 激光投影设备
US20200103733A1 (en) Projection-type display apparatus
WO2018020644A1 (ja) 光源装置および投写型表示装置、半導体発光素子の冷却方法
WO2018042519A1 (ja) 光源装置、光源システム、および、投写型表示装置
JP6079409B2 (ja) 液晶表示装置
JP2006047718A (ja) プロジェクタ
JP5298513B2 (ja) プロジェクタ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190221

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190702

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190819

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190827

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190919

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6593901

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350