JP6586629B2 - 半導体パッケージ及び半導体装置 - Google Patents

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Description

本開示は、半導体パッケージ及び半導体装置に関する。
近年、例えばスマートフォン又はデジタルカメラに用いられる半導体パッケージは、高密度化、小型化が望まれている。また、顧客によって求められる機能も多様化しており、様々な要望に対応する半導体パッケージ（例えば、複数のＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）を搭載した半導体パッケージ、１つの機能に特化した半導体パッケージ）が存在する。
従来の半導体パッケージとして、半導体パッケージの外周に配置されたランドパッドを取り囲むように保護部材を配置することで、アンダーフィル樹脂の注入からランドパッドを保護する半導体パッケージが知られている（例えば、特許文献１参照）。
また、テープ基板を挟んで、上下に重ねられた半導体パッケージを接続した積層構造の半導体パッケージが知られている（例えば、特許文献２参照）。
特開２００９−１００７３号公報 特開２００９−２７８０６４号公報
従来の半導体パッケージでは、半導体パッケージに実装されるＩＣの個数に依存せずに基板を共通化し、コストを削減することが困難であった。
本開示は、上記事情に鑑みてなされたものであり、実装されるＩＣの個数に依存せずに基板を共通化し、コストを削減できる半導体パッケージ及び半導体装置を提供する。
本開示の半導体パッケージは、第１のＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）に接続するための複数の第１パッドを含む第１のパッド領域と、第２の基板に接続するための複数の第２パッドを含む第２のパッド領域と、が形成された第１の表層と、前記第１の表層と反対側に形成され、第２のＩＣに接続するための複数の第３パッドを含む第３のパッド領域が形成された第２の表層と、を含む第１の基板を備え、前記複数の第２パッドは、前記第１のパッド領域の周りを少なくとも３列で囲み、前記複数の第２パッドのうち、内周部に配置された１つ以上のパッドは、前記複数の第１パッドのうち１つ以上のパッドと、前記複数の第３パッドのうち１つ以上のパッドとの両方に接続されており、前記複数の第２パッドのうち、外周部に配置された１つ以上のパッドは、前記複数の第１パッドのうち１つ以上のパッドと接続され、前記複数の第３パッドとは接続されておらず、前記複数の第２パッドのうち、中間部に配置された１つ以上のパッドは、前記複数の第３パッドのうち１つ以上のパッドと接続され、前記複数の第１パッドとは接続されておらず、前記第３のパッド領域に前記第２のＩＣが実装され、前記第１のパッド領域に前記第１のＩＣが実装されている場合、前記複数の第２パッドのうち、前記外周部に配置された１つ以上のパッドと、前記中間部に配置された１つ以上のパッドを用いて、前記第２の基板と接続し、前記第３のパッド領域に前記第２のＩＣが実装され、前記第１のパッド領域に前記第１のＩＣが実装されていない場合、前記複数の第２パッドのうち、前記内周部に配置された１つ以上のパッドと、前記中間部に配置された１つ以上のパッドと、を用いて、前記第２の基板と接続される。
本開示によれば、複数の実装形式において基板を共通化し、コストを削減できる。
実施形態における半導体パッケージの構造例（第１の表層７）を示す平面図 実施形態における半導体パッケージの構造例（第２の表層８）を示す平面図 実施形態における第２のパッド領域におけるパッド１１Ａに対する配線接続例を示す断面図 実施形態における第２のパッド領域におけるパッド１１Ｃに対する配線接続例を示す断面図 実施形態における第２のパッド領域におけるパッド１１Ｂに対する配線接続例を示す断面図 実施形態におけるＢＢＩＣが実装された半導体装置であって最も内側に配置されたパッドの接続例を示す断面図 実施形態におけるＢＢＩＣが実装されない半導体装置であって最も内側に配置されたパッドの接続例を示す断面図 実施形態におけるＢＢＩＣが実装された半導体装置であって最も外周に配置されたパッドの接続例を示す断面図 実施形態におけるＢＢＩＣが実装されない半導体装置であって最も外周に配置されたパッドの接続例を示す断面図 実施形態におけるＢＢＩＣが実装された半導体装置であって中間に配置されたパッドの接続例を示す断面図 実施形態におけるＢＢＩＣが実装されない半導体装置であって中間に配置されたパッドの接続例を示す断面図 変形例におけるキャビティ基板を含む半導体装置の構造例を示す断面図
以下、本開示の実施形態について、図面を用いて説明する。
（本開示の一形態を得るに至った経緯）
従来の半導体パッケージは、顧客からの様々な要望に対応する半導体パッケージを全て個別に準備するため、例えば、設計又は管理に関するコストが増大していた。
例えば、高周波帯（例えばミリ波帯）において無線通信するＲＦＩＣ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）が実装された半導体パッケージを、外部基板とＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）とにより接続する場合について説明する。従来の半導体パッケージは、顧客の要望によって、外部基板と対向する半導体パッケージのパッド領域にベースバンド処理用のＢＢＩＣ（Ｂａｓｅｂａｎｄ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）が実装される場合と、外部のＢＢＩＣを使用するため、半導体パッケージにはＢＢＩＣが実装されない場合がある。
特許文献１に記載の半導体パッケージは、複数のＩＣが実装できる半導体パッケージではなく、１つのＩＣ用の半導体パッケージである。従って、特許文献１に記載の半導体パッケージは、複数のＩＣを実装する場合、ＩＣの数に対応して半導体パッケージの種類が増えて、コストが増大する。
特許文献２に記載の半導体パッケージは、半導体パッケージを２段に重ねることによって、複数のＩＣが実装できるが、半導体パッケージの種類は削減されないため、コストが増大する。また、特許文献２に記載の半導体パッケージは、無線モジュールの実装は考慮されていないため、無線モジュールが実装された場合、半導体パッケージを複数段重ねることによって、アンテナ特性が劣化する。
以下の実施形態では、実装されるＩＣの個数に依存せずに基板を共通化し、コストを削減できる半導体パッケージ及び半導体装置について説明する。
以下の実施形態の半導体パッケージは、例えば、ＲＦＩＣが実装される半導体パッケージを用いて説明する。半導体パッケージは、基板と、基板に形成されるパッド（電極パッド）を含む。ＲＦＩＣは、第２のＩＣの一例であり、高周波帯（例えばミリ波帯）において無線通信に係る処理をするための無線モジュールの１つである。また、半導体パッケージは、ＢＢＩＣが実装される場合と、ＢＢＩＣが実装されない場合とがある。ＢＢＩＣは、第１のＩＣの一例であり、ベースバンド帯において無線通信に係る処理をするための無線モジュールの１つである。
以下の実施形態の半導体装置は、例えば、上記半導体パッケージ、ＲＦＩＣ、導電性部材（例えば半田ボール）を含む。半導体装置は、ＢＢＩＣを含む場合と、ＢＢＩＣを含まない場合とがある。
（第１の実施形態）
図１Ａは、第１の実施形態の半導体パッケージ１の構造例（第１の表層７）を示す平面図である。図１Ｂは、第１の実施形態の半導体パッケージ１の構造例（第２の表層８）を示す平面図である。半導体パッケージ１は、第１の表層７及び第２の表層８が両面に形成された基板３（例えば樹脂基板）を有する。図１Ａは、外部基板９（図３Ａ参照）と対向する側の第１の表層７を示す。図１Ｂは、第１の表層７と反対側の基板３の、ＲＦＩＣ４（図３Ａ参照）が実装される第２の表層８を示す。基板３は、第１の基板の一例であり、外部基板９は、第２の基板の一例である。
高周波帯（例えば６０ＧＨｚのミリ波帯）では波長が短いので、半導体パッケージ１の第２の表層８には、例えばアンテナが搭載され、ＲＦＩＣ４と一体化される。これにより、半導体パッケージ１は、アンテナに対して又はアンテナから伝送される信号の伝送損失を低減できる。
第１の表層７は、フリップチップ接続用（ＩＣ接続用の一例）の第１のパッド領域１０、及び外部基板接続用の第２のパッド領域１１を含む。第１のパッド領域１０は、ベースバンド処理用のＢＢＩＣ５が実装される領域であり、例えば矩形の領域である。第１のパッド領域１０は、例えば、格子点状に配置された複数のパッド１０Ａを含む。
第２のパッド領域１１は、第１のパッド領域１０から所定の間隔離れて、第１のパッド領域１０を囲む領域であり、例えばループ状の領域である。第２のパッド領域１１は、半導体パッケージ１の外周に沿うようにループ状に形成されたパッドを含む。パッドは、第１のパッド領域を囲む３列のパッド１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃを含む。３列のパッド１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃは、例えば等間隔に配置される。
パッド１１Ａは、第２のパッド領域１１の最も内周に配置される。パッド１１Ｃは、第２のパッド領域１１の最も外周に配置される。パッド１１Ｂは、パッド１１Ａとパッド１１Ｃの中間に配置される。
ここでは、第２のパッド領域１１は、第１のパッド領域１０の周りを囲む３列のパッドが配置されることを例示したが、４列以上のパッドが配置されてもよい。
第２の表層８は、フリップチップ接続用の第３のパッド領域１２を含む。第３のパッド領域１２は、例えば、格子点状に配置された複数のパッド１２Ａを含む。
図２Ａは、第２のパッド領域におけるパッド１１Ａに対する配線接続例を示す断面図である。パッド１１Ａは、線路２１Ａを介して、第１のパッド領域１０に配置されたパッド１０Ａと、第３のパッド領域１２に配置されたパッド１２Ａとに、接続される。図２Ａは、３か所の接続を示す。線路２１Ａは、例えば、基板３の内層に形成される。
パッド１１Ａは、後述するように、ＲＦＩＣ４と外部のＢＢＩＣとを接続し、ベースバンド信号又はＲＦＩＣ４と外部のＢＢＩＣとの間の制御信号の伝送に用いられる。ベースバンド信号は、例えばＩＱ信号が伝送される。ベースバンド信号又は制御信号は、後述する外部インターフェースの信号又はＢＢＩＣの制御信号と比較して、信号本数が少ないため、パッド１１Ａのパッド数は少なくてよい。このため、パッド１１Ａは、パッド数を多くすることが難しい、最も内周に配置できる。
図２Ｂは、第２のパッド領域におけるパッド１１Ｃに対する配線接続例を示す断面図である。パッド１１Ｃは、線路２１Ｃを介して、第１のパッド領域１０に配置されたパッド１０Ａと接続される。パッド１１Ｃは、第１のパッド領域１０に実装されたＢＢＩＣ５と接続され、半導体パッケージ１の内部と外部との間での外部インターフェースの信号又はＢＢＩＣの制御信号の伝送に用いられる。線路２１Ｃは、例えば、基板３の内層に形成される。
図２Ｃは、第２のパッド領域におけるパッド１１Ｂに対する配線接続例を示す断面図である。パッド１１Ｂは、線路２１Ｂを介して、第３のパッド領域１２に配置されたパッド１２Ａと接続される。パッド１１Ｂは、例えば、ＲＦＩＣ４への電源供給、又は、半導体パッケージ１の内部と外部との間でのＲＦＩＣ４の制御信号の伝送に用いられる。線路２１Ｂは、例えば、基板３の内層に形成される。
次に、半導体パッケージ１を用いた半導体装置２０について説明する。
半導体装置２０は、例えば、半導体パッケージ１、第３のパッド領域１２に実装されたＲＦＩＣ４、半田ボール２２、を含む。半導体装置２０は、第１のパッド領域１０にＢＢＩＣ５を実装しても実装しなくてもよい。半導体装置２０は、外部基板９を含んでも含まなくてもよい。半導体装置２０は、第２のパッド領域１１において外部基板９とＢＧＡにより接続される。半田ボール２２は、導電性部材の一例である。
図３Ａは、第１の表層７の第１のパッド領域１０にＢＢＩＣ５が実装された半導体装置２０の最も内側に配置されたパッドの接続例を示す断面図である。ＢＢＩＣ５は、様々なデジタル信号処理（例えば、符号処理、復号処理、送信に係る処理、受信に係る処理）を行うので、例えば多くのパッドを有する。
図３Ａでは、外部基板９に配置されたパッド９ａと、第２のパッド領域１１に配置されたパッド１１Ａと、の間には、半田ボール２２が存在しない。つまり、半導体装置２０が備えるＲＦＩＣ４及びＢＢＩＣ５と外部基板９との間で、信号は伝送されない。従って、半導体装置２０は、例えば、ＲＦＩＣ４及びＢＢＩＣ４の間で伝送特性の劣化を抑制して信号伝送できる。
図３Ｂは、第１の表層７の第１のパッド領域１０にＢＢＩＣ５が実装されない半導体装置２０の構造例を示す断面図である。図３Ｂでは、外部基板９に配置されたパッド９ａと、第２のパッド領域１１に配置されたパッド１１Ａとが、半田ボール２２を介して接続される。従って、半導体パッケージ１は、外部基板９と接続される。
ここで、半田ボール２２の大きさは、ＢＢＩＣ５の実装を考慮して決定され、ＢＢＩＣ５の厚み（高さ）と、ＢＢＩＣ５を半導体パッケージ１に接続するためのバンプ２４の高さと、の合計値よりも、大きな値となる。
例えば、ＢＢＩＣ５の厚みが１５０μｍ、バンプ２４の高さが８０μｍである場合、半田ボール２２の大きさ（直径）は、合計値２３０μｍよりも大きくなり、例えば４００μｍである。
また、半田ボール２２の大きさは、第２のパッド領域１１に配置されたパッド１１Ａ〜１１Ｃの大きさと、パッド１１Ａ〜１１Ｃの上に塗布されるレジスト開口の大きさとを決定する。例えば、４００μｍの半田ボール２２を使用する場合、レジスト開口の大きさは、例えば３００μｍであり、パッド１１Ａ〜１１Ｃの大きさは、例えば４００μｍである。
図３Ａに示すように、第１のパッド領域１０にＢＢＩＣ５が実装される場合、第３のパッド領域１２に実装されたＲＦＩＣ４の端子は、線路２１Ａを介してＢＢＩＣ５の端子と接続される。半田ボール２２は、第２のパッド領域１１に配置されたパッド１１Ａと外部基板９との間に、配置しない。つまり、半導体パッケージ１は、パッド１１Ａと外部基板９との間に半田ボール２２を配置しないことで、例えば、近接する半田ボール２２とＢＢＩＣ５とが接触して電気が流れることを抑制できる。なお、半導体パッケージ１は、外周のパッド１１Ｃと半田ボール２２とが接続される。
一方、図３Ｂに示すように、第１のパッド領域１０にＢＢＩＣ５が実装されない場合、第３のパッド領域１２に実装されたＲＦＩＣ４の端子は、線路２１Ａを介して第２のパッド領域１１に配置されたパッド１１Ａと接続される。半田ボール２２は、第２のパッド領域１１に配置されたパッド１１Ｃと外部基板９との間に、配置しない。ＲＦＩＣ４の端子は、パッド１１Ａと外部基板９と間に配置する半田ボール２２を介して、例えば外部のＢＢＩＣと接続される。つまり、１つの半導体パッケージ１において第２のパッド領域１１を３列にすることで、ＢＢＩＣ５の有無に対応することができる。
図４Ａは、第１の表層７の第１のパッド領域１０にＢＢＩＣ５が実装された半導体装置２０であって、第２のパッド領域１１の最も外周に配置されたパッド１１Ｃと接続例を示す断面図である。図４Ｂは、第１の表層７の第１のパッド領域１０にＢＢＩＣ５が実装されない半導体装置２０であって、第２のパッド領域１１の最も外周に配置されたパッド１１Ｃと接続例を示す断面図である。
図４Ａでは、第１のパッド領域１０に実装されたＢＢＩＣ５の端子は、線路２１Ｃを介して第２のパッド領域１１の最も外周にあるパッド１１Ｃと接続され、パッド１１Ｃを介して外部基板９と接続される。つまり、半田ボール２２は、第２のパッド領域１１の最も内周にあるパッド１１Ａと外部基板９との間に、配置されない。これにより、半導体パッケージ１は、外部基板９に対してベースバンド処理された信号を送出できる。また、半導体パッケージ１は、外部基板９から信号が入力され、入力された信号に対してベースバンド処理ができる。
図４Ｂでは、第１のパッド領域１０にＢＢＩＣ５を実装しないため、第２のパッド領域１１の最も外周にあるパッド１１Ｃは、使用されない。
図５Ａは、第１の表層７の第１のパッド領域１０にＢＢＩＣ５が実装された半導体装置２０であって、第２のパッド領域の中間に配置されたパッド１１Ｂの接続例を示す。図５Ｂは第１の表層７の第１のパッド領域１０にＢＢＩＣ５が実装されない半導体装置２０であって、第２のパッド領域の中間に配置されたパッド１１Ｂの接続例を示す。
第３のパッド領域１２に実装されたＲＦＩＣ４の端子は、線路２１Ｂを介して第２のパッド領域１１の中間に配置されたパッド１１Ｂと接続され、パッド１１Ｂを介して外部基板９と接続される。従って、半導体パッケージ１は、外部基板９に対してＲＦ信号を送出できる。また、半導体パッケージ１は、外部基板９から信号が入力され、入力された信号に対してＲＦ処理ができる。
次に、半導体装置２０において、第２のパッド領域１１に配置されたパッド１１Ａ〜１１Ｃのうち、半田ボール２２が実装されるパッドについて、一例を説明する。
まず、半導体パッケージ１を使用して半導体装置２０を製造する場合、ＲＦＩＣ４を基板３に実装する。次に、顧客からの要望が、例えば、ベースバンド処理用のＢＢＩＣ５を実装した半導体装置２０である場合、半田ボール２２は、第２のパッド領域１１のパッド１１Ｂ，１１Ｃに実装される（例えば、図３Ａ，図４Ａ，図５Ａ参照）。なお、顧客からの要望が、例えば、ベースバンド処理用のＢＢＩＣ５を実装しない半導体装置２０である場合、半田ボール２２は、第２のパッド領域１１のパッド１１Ａ，１１Ｂに実装される（例えば、図３Ｂ，図４Ｂ，図５Ｂ参照）。
つまり、半導体パッケージ１は、ＲＦＩＣ４とＢＢＩＣ５との両方が実装された半導体装置２０を製造する場合、ＲＦＩＣ４が実装されＢＢＩＣ５が実装されない半導体装置２０を製造する場合、の両方に対応できる。
以上示したように、半導体パッケージ１は、複数のＩＣを実装した半導体装置２０と、１つのＩＣを実装した半導体装置２０との両方に対応できる。つまり、半導体パッケージ１は、実装されるＩＣの個数に依存せずに基板を共通化できる。これにより、半導体パッケージ１及び半導体装置２０の設計又は管理に関するコストを低減できる。従って、汎用性の高い半導体パッケージ１を提供できる。
半導体パッケージ１は、第２のパッド領域１１に、第１のパッド領域１０の周りを少なくとも３列で囲む複数のパッド１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃが配置される。半導体パッケージ１は、第２のパッド領域１１の内周に配置されたパッド１１Ａと、第１のパッド領域１０に配置されたパッドと、第３のパッド領域１２に配置されたパッドとの、例えば、三箇所を接続できる。
これにより、ＢＢＩＣ５が実装された半導体パッケージ１は、ＲＦＩＤ４とＢＢＩＣ５とが接続され、両者間で信号を伝送できる。また、ＢＢＩＣ５が実装されない半導体パッケージ１は、ＲＦＩＤ５とパッド１１Ａを介して、例えば外部基板９に実装された外部のＢＢＩＣと接続され、両者間で信号を伝送できる。
また、第１のパッド領域１０にＢＢＩＣ５が実装された半導体パッケージ１は、第２のパッド領域１１の内周のパッド（パッド１１Ａ）が半田ボール２２と接続されないため、ＢＢＩＣ５と半田ボール２２との間に一定の距離を確保できる。
また、第１のパッド領域１０にＢＢＩＣ５が実装されない半導体パッケージ１は、第２のパッド領域１１の内周のパッド（パッド１１Ａ）に半田ボール２２が接続される。半導体パッケージ１は、ＢＢＩＣ５が実装されないため、内周のパッド（パッド１１Ａ）を内側（第１のパッド領域１０側）に寄せることかでき、小型化できる。
また、半導体パッケージ１は、第３のパッド領域１２に配置されたパッド１２Ａと、第１のパッド領域１０に配置されたパッド１０Ａと、が接続される。これにより、第３のパッド領域１２に実装されたＲＦＩＣ４から第１のパッド領域１０に実装されたＢＢＩＣ５へ信号が伝送されるので、半導体装置２０は、例えば、ＲＦＩＣ４に含まれるアンテナにより受信された信号のベースバンド処理を、半導体装置２０の内部において、実施できる。
また、第２のパッド領域１１の最も外周に配置されたパッド１１Ｃは、第１のパッド領域１０に配置されたパッド１０Ａと接続される。これにより、第１のパッド領域１０にＢＢＩＣ５が実装された場合、最も外周のパッド１１ＣがＢＢＩＣ５の端子と接続されるので、半導体パッケージ１は、ＢＢＩＣ５から外部基板９に繋げるためのパッド数を多く確保することができる。これにより、半導体パッケージ１は、ＢＢＩＣ５のより多くの機能、外部インターフェースに対応できる。
また、第２のパッド領域１１の中間に配置されたパッド１１Ｂは、第３のパッド領域１２に配置されたパッド１２Ａと接続される。これにより、第２のパッド領域１１の最も内周に配置されたパッド１１Ａ及び最も外周に配置されたパッド１１Ｃに半田ボール２２が接続されない場合でも、第２のパッド領域１１の中間に配置されたパッド１１Ｂは、半田ボール２２と接続される。従って、外部基板９と接続される第２のパッド領域１１において、３つのうちの両端のパッド１１Ａ，１１Ｃに半田ボール２２が実装され、半導体パッケージ１は、真中のパッド１１Ｂに半田ボール２２が実装される。これにより、半導体装置２０は、基板３と外部基板９との接合強度を向上できる。
また、半導体装置２０は、例えば、半導体パッケージ１と、第３のパッド領域１２に実装されたＩＣ（ＲＦＩＣ４）と、第１のパッド領域１０に実装されたＩＣ（ＢＢＩＣ４）と、外部基板９と、第２のパッド領域１１の中間及び外周に配置されたパッド（１１Ｂ，１１Ｃ）と外部基板９とを接続する半田ボール２２と、を備えてもよい。
これにより、半導体装置２０は、第１のパッド領域及び第３のパッド領域の両方にＩＣが実装された半導体パッケージ１を使用できる。また、第１のパッド領域１０に実装されたＩＣと第３のパッド領域１２に実装されたＩＣとが接続されるので、半導体パッケージ１は、ＲＦＩＣ４とＢＢＩＣの間でベースバンド信号や制御信号が伝送され、半導体パッケージ１内において無線信号処理からベースバンド信号処理までを実現できる。また、半導体装置２０は、実装時にＩＣと半田ボール２２が誤って接続しないように、ＩＣと半田ボール２２との間の距離を一定以上確保する必要がある。半導体装置２０は、第２のパッド領域１１の最も内周に配置されたパッド１１Ａと外部基板９との間に空きを生じさせることができるため、第１のパッド領域１０に実装されたＩＣと半田ボール２２との間の距離を確保できる。よって、半導体装置２０は、第２のパッド領域１１の最も内周に配置されたパッド１１Ａを内側に寄せることができ、小型化できる。
また、半導体装置２０は、例えば、半導体パッケージ１と、第３のパッド領域１２に実装されたＩＣ（ＲＦＩＣ４）と、外部基板９と、第２のパッド領域１１の内周及び中間に配置されたパッド（１１Ａ，１１Ｂ）と外部基板９とを接続する半田ボール２２と、を備えてもよい。
これにより、半導体装置２０は、第３のパッド領域１２にＩＣが実装された半導体パッケージ１を使用できる。また、第１のパッド領域１０にＩＣが実装されない場合、第２のパッド領域１１の最も外周に配置されたパッド１１Ｃは、外部基板９と接続されない。これにより、半導体装置２０は、パッド１１Ｃに対向する、外部基板９に配置されたパッド９ａを省略することができるため、外部基板９の配線領域を広げることができ、外部基板の小型化ができる。なお、半導体パッケージ１は、ＢＢＩＣ５（第１のＩＣ）を第１のパッド領域１０に接続する場合、第２のパッド領域１１の最も内周に配置されたパッド１１Ａ（電極パッド）をレジストで覆い、ＢＢＩＣ５を第１のパッド領域１０に接続しない場合は、第２のパッド領域１１の最も外周に配置されたパッド１１Ｃ（電極パッド）をレジストで覆うように異なるレジストパターンとしてもよい。
（変形例）
半導体装置では、ＢＢＩＣを実装する場合、半田ボールの大きさをＢＢＩＣの高さ（ＢＢＩＣの厚み（高さ）とＢＢＩＣのバンプとの合計値）より大きくする必要があった。このため、外部基板接続用のパッド領域における各パッドの間隔（パッド間隔）は、半田ボールの大きさに依存するので、パッド間隔を十分に狭くすることが困難であった。パッド間隔が広い場合、パッド数が少なくなり、ＢＢＩＣの機能や対応する外部インターフェースの種類が制限されることがあった。
図６は、変形例の半導体装置２０Ａの構造例を示す図である。半導体装置２０Ａでは、ＢＢＩＣ５Ａが実装され、半導体パッケージ１と外部基板９との間に、例えば、図３Ａよりも小さな半田ボール２２Ａ，２２Ｂが配置される。
半導体装置２０Ａは、半導体パッケージ１、ＲＦＩＣ４、ＢＢＩＣ５、半導体パッケージ１と外部基板９との間に配置されたキャビティ基板３１、及び半田ボール２２Ａ，２２Ｂと、を備える。半導体装置２０は、外部基板９を含んでもよい。キャビティ基板３１は、第３の基板の一例である。半田ボール２２Ａは、キャビティ基板３１と、半導体パッケージ１の基板３の第２のパッド領域１１のパッド１１Ｂ，１１Ｃと、を接続する。半田ボール２２Ｂは、キャビティ基板３１と外部基板９とを接続する。
半導体装置２０Ａでは、第２のパッド領域１１に配置されたパッド１１Ｂ，１１Ｃは、キャビティ基板３１を介して外部基板９と接続される。これにより、第２のパッド領域１１に実装されるＢＢＩＣ５Ａの厚みが大きく、第２のパッド領域１１と外部基板９との間の距離が長く確保される場合でも、半田ボール２２Ａ，２２Ｂは、小さくできる。よって、半導体装置２０Ａは、第２のパッド領域１１のパッド間隔を狭くでき、小さな面積で第２のパッド領域１１を形成でき、半導体装置２０Ａの小型化が容易となる。
また、半導体装置２０Ａは、パッド間隔を狭くすることで、第２のパッド領域１１に配置されるパッド数を増加でき、多数配置されたパッド１１Ａ〜１１ＣにＢＢＩＣ５Ａを実装できる。多数のパッド１１Ａ〜１１Ｃを用いることで、多数の信号を伝送できるので、半導体装置２０Ａは、より多くの機能に対応することができる。このように、半導体装置２０Ａは、キャビティ基板３１を使用することで、ＢＢＩＣ５Ａの高さに対する依存を小さくして、第２のパッド領域１１のパッド間隔を決定できる。
以上、図面を参照しながら各種の実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
また、半導体パッケージ１は、第２のパッド領域１１には、第１のパッド領域１０の周りを４列以上で囲むパッドが配置されてもよい。例えば、半導体パッケージ１は、第２のパッド領域１１の外周側から連続する列に配置されたパッドを外周部のパッドとしてもよい。外周部のパッドは、上記実施形態における３列のうちの外周のパッドと同様に扱われてよい。例えば、第２のパッド領域１１の内周側から連続する列に配置されたパッドは、内周部のパッドとしてもよい。内周部のパッドは、上記実施形態における３列のうちの内周のパッドと同様に扱われてよい。例えば、第２のパッド領域１１の外周部と内周部との間に配置されたパッドは、中間部のパッドとしてもよい。中間部のパッドは、上記実施形態における３列のうちの中間のパッドと同様に扱われてよい。
例えば、ベースバンド処理用のＢＢＩＣ５が実装されない半導体パッケージ１は、半田ボール２２の大きさを小さくしてもよい。これにより、半導体装置２０，２０Ａは、低背化できる。
また、各パッドは、円形であることを例示したが、円形以外の形状（例えば矩形状）であってもよい。
（本開示の一態様の概要）
本開示の第１の半導体パッケージは、
第１のＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）に接続するための複数の第１パッドを含む第１のパッド領域と、第２の基板に接続するための複数の第２パッドを含む第２のパッド領域と、が形成された第１の表層と、
前記第１の表層と反対側に形成され、第２のＩＣに接続するための複数の第３パッドを含む第３のパッド領域が形成された第２の表層と、
を含む第１の基板を備え、
前記複数の第２パッドは、前記第１のパッド領域の周りを少なくとも３列で囲み、
前記複数の第２パッドのうち、内周部に配置された１つ以上のパッドは、前記複数の第１パッドのうち１つ以上のパッドと、前記複数の第３パッドのうち１つ以上のパッドとの両方に接続されており、
前記複数の第２パッドのうち、外周部に配置された１つ以上のパッドは、前記複数の第１パッドのうち１つ以上のパッドと接続され、前記複数の第３パッドとは接続されておらず、
前記複数の第２パッドのうち、中間部に配置された１つ以上のパッドは、前記複数の第３パッドのうち１つ以上のパッドと接続され、前記複数の第１パッドとは接続されておらず、
前記第３のパッド領域に前記第２のＩＣが実装され、前記第１のパッド領域に前記第１のＩＣが実装されている場合、
前記複数の第２パッドのうち、前記外周部に配置された１つ以上のパッドと、前記中間部に配置された１つ以上のパッドを用いて、前記第２の基板と接続し、
前記第３のパッド領域に前記第２のＩＣが実装され、前記第１のパッド領域に前記第１のＩＣが実装されていない場合、
前記複数の第２パッドのうち、前記内周部に配置された１つ以上のパッドと、前記中間部に配置された１つ以上のパッドと、を用いて、前記第２の基板と接続される。
本開示の第１の半導体装置は、
第１の半導体パッケージと、
前記第１のパッド領域に実装された第１のＩＣと、
前記第３のパッド領域に実装された第２のＩＣと、
前記第２の基板と、
前記第２のパッド領域の中間部及び外周部に配置された１つ以上のパッドと、前記第２の基板と、を接続する１つ以上の導電性部材と、
を備える。
本開示の第２の半導体装置は、第１の半導体装置であって、
更に、前記第２のパッド領域と前記第２の基板との間に配置された第３の基板を備え、
前記導電性部材は、前記第２のパッド領域の中間部及び外周部に配置された１つ以上のパッドと、前記第３の基板と、を接続する１つ以上の第１の導電性部材と、前記第３の基板と前記第２の基板とを接続する１つ以上の第２の導電性部材と、を備える。
本開示の第３の半導体装置は、
第１の半導体パッケージと、
前記第３のパッド領域に実装された第２のＩＣと、
前記第２の基板と、
前記第２のパッド領域の内周部及び中間部に配置された１つ以上のパッドと、前記第２の基板と、を接続する１つ以上の導電性部材と、
を備える。
以上、図面を参照しながら各種の実施形態について説明したが、本開示はかかる例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本開示の技術的範囲に属するものと了解される。また、開示の趣旨を逸脱しない範囲において、上記実施形態における各構成要素を任意に組み合わせてもよい。
本開示は、実装されるＩＣの個数に依存せずに基板を共通化し、コストを削減できる半導体パッケージ及び半導体装置等に有用である。
１ 半導体パッケージ
３ 基板
４ ＲＦＩＣ
５，５Ａ ＢＢＩＣ
７ 第１の表層
８ 第２の表層
９ 外部基板
９ａ，１０Ａ，１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１２Ａ パッド
１０ 第１のパッド領域
１１ 第２のパッド領域
１２ 第３のパッド領域
２０，２０Ａ 半導体装置
２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ 線路
２２，２２Ａ，２２Ｂ 半田ボール
２４ バンプ
３１ キャビティ基板

Claims (4)

  1. 第１のＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）に接続するための複数の第１パッドを含む第１のパッド領域と、第２の基板に接続するための複数の第２パッドを含む第２のパッド領域と、が形成された第１の表層と、
    前記第１の表層と反対側に形成され、第２のＩＣに接続するための複数の第３パッドを含む第３のパッド領域が形成された第２の表層と、
    を含む第１の基板を備え、
    前記複数の第２パッドは、前記第１のパッド領域の周りを少なくとも３列で囲み、
    前記複数の第２パッドのうち、内周部に配置された１つ以上のパッドは、前記複数の第１パッドのうち１つ以上のパッドと、前記複数の第３パッドのうち１つ以上のパッドとの両方に接続されており、
    前記複数の第２パッドのうち、外周部に配置された１つ以上のパッドは、前記複数の第１パッドのうち１つ以上のパッドと接続され、前記複数の第３パッドとは接続されておらず、
    前記複数の第２パッドのうち、中間部に配置された１つ以上のパッドは、前記複数の第３パッドのうち１つ以上のパッドと接続され、前記複数の第１パッドとは接続されておらず、
    前記第３のパッド領域に前記第２のＩＣが実装され、前記第１のパッド領域に前記第１のＩＣが実装されている場合、
    前記複数の第２パッドのうち、前記外周部に配置された１つ以上のパッドと、前記中間部に配置された１つ以上のパッドを用いて、前記第２の基板と接続し、
    前記第３のパッド領域に前記第２のＩＣが実装され、前記第１のパッド領域に前記第１のＩＣが実装されていない場合、
    前記複数の第２パッドのうち、前記内周部に配置された１つ以上のパッドと、前記中間部に配置された１つ以上のパッドと、を用いて、前記第２の基板と接続する、
    半導体パッケージ。
  2. 請求項１に記載の半導体パッケージと、
    前記第２のパッド領域と前記第２の基板との間に配置された第３の基板を備え、
    前記第２のパッド領域と前記第３の基板とは、導電性部材を用いて接続され、
    前記第２の基板と前記第３の基板とは、前記導電性部材を用いて接続される、
    半導体装置。
  3. 前記第１のＩＣは、ベースバンド信号を出力するＩＣであり、
    前記第２のＩＣは、無線信号を出力するＩＣであり、
    前記第２のパッド領域と前記第２の基板とは、導電性部材を用いて接続された、
    請求項１に記載の半導体パッケージ。
  4. 請求項１に記載の半導体パッケージと、
    前記第２のパッド領域と前記第２の基板との間に配置された第３の基板と、
    を備え、
    前記第２のパッド領域と前記第３の基板とは、導電性部材を用いて接続され、
    前記第２の基板と前記第３の基板とは、前記導電性部材を用いて接続される、
    半導体装置。
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