JP6586345B2 - Substrate holding device - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 69
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 83
- 239000011796 hollow space material Substances 0.000 claims description 42
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 37
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 14
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 10
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004323 axial length Effects 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 229910001026 inconel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
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Description
本発明は、導電体が埋設されている基体の保持面においてウエハ等の基板を保持する基板保持装置に関する。 The present invention relates to a substrate holding apparatus that holds a substrate such as a wafer on a holding surface of a base body in which a conductor is embedded.
静電チャックの基体に埋設されている静電チャック電極に対して電圧を印可するため、次のような構成の接続端子が提案されている(たとえば特許文献1〜3参照)。すなわち、基体において基板が吸着される表面とは反対側の裏面から静電チャック電極まで縦方向(基体の厚さ方向)に連続する縦穴が形成されている。略円柱状の金属製の受電端子が縦穴に嵌入され、その上端部(先端部)が静電チャック電極に対してロウ付けにより接合されている。 In order to apply a voltage to the electrostatic chuck electrode embedded in the base of the electrostatic chuck, a connection terminal having the following configuration has been proposed (for example, see Patent Documents 1 to 3). That is, a vertical hole that is continuous in the vertical direction (thickness direction of the substrate) is formed from the back surface of the substrate opposite to the surface on which the substrate is attracted to the electrostatic chuck electrode. A substantially cylindrical metal power receiving terminal is fitted into the vertical hole, and its upper end (tip) is joined to the electrostatic chuck electrode by brazing.
しかし、受電端子に対して外力が作用した場合、受電端子と静電チャック電極との接合箇所に過大な力が作用して当該接合箇所が破損し、さらには両者の電気的な接続状態が破綻する可能性がある。これは、基体および静電チャック電極の熱膨張係数の差によって静電チャック電極に熱応力が作用した場合も同様である。 However, when an external force is applied to the power receiving terminal, an excessive force is applied to the joint between the power receiving terminal and the electrostatic chuck electrode to break the joint, and the electrical connection between the two is broken. there's a possibility that. The same applies to the case where thermal stress acts on the electrostatic chuck electrode due to the difference in thermal expansion coefficient between the substrate and the electrostatic chuck electrode.
そこで、本発明は、受電端子に作用する外力または基体に埋設されている静電チャック電極などの導電体に作用する熱応力の、当該受電端子と当該導電体との電気的な接続状態に対する影響の軽減を図りうる基板保持装置を提供することを目的とする。 In view of this, the present invention relates to the influence of an external force acting on a power receiving terminal or a thermal stress acting on a conductor such as an electrostatic chuck electrode embedded in a substrate on an electrical connection state between the power receiving terminal and the conductor. An object of the present invention is to provide a substrate holding device capable of reducing the above.
本発明は、表面を基板の保持面とする平板状のセラミックス焼結体からなる基体と、前記基体に埋設されている導電体と、前記基体にその裏面から前記導電体の一部まで縦方向に連続するように形成されている縦穴に配置され、前記導電体に電気的に接続される受電端子と、を備えている基板保持装置に関する。 The present invention includes a base made of a flat ceramic sintered body whose surface is a holding surface of a substrate, a conductor embedded in the base, and a vertical direction from the back surface of the base to a part of the conductor. It is related with the board | substrate holding apparatus provided with the power receiving terminal arrange | positioned in the vertical hole formed so that it may continue, and is electrically connected to the said conductor.
本発明の基板保持装置は、前記受電端子が、第1要素と、前記第1要素に対して変位可能に設けられている第2要素と、前記第1要素および前記第2要素の間に付勢力を作用させる付勢要素と、を備え、前記第1要素が前記基体に対して固定され、かつ、前記第2要素が前記付勢要素の付勢力によって前記導電体に対して押圧され、前記第1要素および前記第2要素のそれぞれの一部が前記縦穴に配置されていることを特徴とする。 In the substrate holding device of the present invention, the power receiving terminal is provided between the first element, the second element that is displaceable with respect to the first element, and between the first element and the second element. A biasing element that exerts a force, the first element is fixed to the base, and the second element is pressed against the conductor by a biasing force of the biasing element , A part of each of the first element and the second element is disposed in the vertical hole .
本発明の基板保持装置によれば、第1要素が基体に対して固定され、かつ、第2要素が第1要素との間に作用する付勢要素の付勢力によって導電体に対して押圧されている。これにより、基体の縦穴に配置されている受電端子(第1要素、第2要素および付勢要素により構成されている。)と、基体に埋設されている導電体とが電気的に接続されている。受電端子の第1要素に外力が作用し、これに応じた力が第1要素から第2要素に作用した場合でも、第2要素が導電体に対して相対的に変位可能である。これは、基体および導電体の熱膨張係数の差に応じて熱応力が導電体に作用した場合も同様である。よって、受電端子またはその構成要素である第2要素と導電体との電気的な接続状態が維持されながらも、受電端子(第2要素)および導電体の間に作用する力の過大防止、ひいては受電端子および導電体の損傷の防止が図られる。このように、受電端子に作用する外力または基体に埋設されている導電体に作用する熱応力の、当該受電端子と当該導電体との電気的な接続状態に対する影響の軽減が図られうる。 According to the substrate holding device of the present invention, the first element is fixed to the base body, and the second element is pressed against the conductor by the urging force of the urging element acting between the first element. ing. As a result, the power receiving terminal (configured by the first element, the second element, and the urging element) arranged in the vertical hole of the base is electrically connected to the conductor embedded in the base. Yes. Even when an external force acts on the first element of the power receiving terminal and a corresponding force acts on the second element from the first element, the second element can be displaced relative to the conductor. The same applies to the case where thermal stress acts on the conductor according to the difference in thermal expansion coefficient between the substrate and the conductor. Therefore, while the electrical connection state between the power receiving terminal or the second element which is a component of the power receiving terminal and the conductor is maintained, the force acting between the power receiving terminal (second element) and the conductor is prevented from being excessive. It is possible to prevent damage to the power receiving terminal and the conductor. Thus, the influence of the external force acting on the power receiving terminal or the thermal stress acting on the conductor embedded in the base body on the electrical connection state between the power receiving terminal and the conductor can be reduced.
この状態で、外部電源に接続されている給電端子およびこれに接続されている受電端子を通じて、この基体に埋設されている導電体に対して電圧が印可される。導電体が静電チャック電極を構成する場合、当該導電体への電圧印加によって基体の一端面側に載置されているウエハなどの基板がクーロン力などによって基体に吸着保持される。導電体が抵抗発熱体を構成する場合、当該導電体への電圧印加によって基板の温度の場所によらない均一化が図られる。導電体が高周波電圧印加用電極(または接地用電極)を構成する場合、当該導電体およびこれと対をなす、基体1に埋設されているまたは基体1の外側に配置されている接地用電極(また高周波電圧印加用電極)の間に高周波電圧が印加されることによって基板の周囲にハロゲンガス等のプラズマが生成される。 In this state, a voltage is applied to the conductor embedded in the substrate through the power supply terminal connected to the external power source and the power receiving terminal connected to the power supply terminal. When the conductor constitutes an electrostatic chuck electrode, a substrate such as a wafer placed on one end surface side of the substrate is attracted and held on the substrate by a Coulomb force or the like by applying a voltage to the conductor. In the case where the conductor constitutes a resistance heating element, the voltage is applied to the conductor to make the substrate temperature uniform regardless of the location of the substrate. When the conductor constitutes a high-frequency voltage application electrode (or grounding electrode), the grounding electrode (which is embedded in the base 1 or arranged outside the base 1 and is paired with the conductor and the grounding electrode) Further, when a high frequency voltage is applied between the high frequency voltage application electrodes), plasma such as halogen gas is generated around the substrate.
本発明の一態様の基板保持装置において、前記受電端子が、前記第1要素および前記第2要素を部分的に離間させる間隙が前記第1要素および前記第2要素の間に存在するように構成され、かつ、前記間隙に配置されて前記第1要素および前記第2要素のそれぞれに当接している中間要素をさらに備えている。 In the substrate holding device of one aspect of the present invention, the power receiving terminal is configured such that a gap for partially separating the first element and the second element exists between the first element and the second element. And an intermediate element disposed in the gap and in contact with each of the first element and the second element.
当該構成の基板保持装置によれば、第1要素に外力が作用した場合、第2要素に対して第1要素との間隙が存在しない部分(当接している部分)において第1要素から直接的に力を作用させるのみならず、当該間隙が存在する部分においても中間要素を介して第1要素から間接的に力を作用させることができる。このように、第1要素に作用する外力に起因して第2要素に作用する力の分散が図られ、受電端子(第2要素)および導電体の間に作用する力の過大防止、ひいては受電端子および導電体の損傷の防止が図られる。 According to the substrate holding device having such a configuration, when an external force is applied to the first element, the first element is directly connected to the second element in a portion where there is no gap with the first element (the portion in contact). In addition to applying a force to the gap, a force can be applied indirectly from the first element via the intermediate element even in a portion where the gap exists. In this way, the force acting on the second element due to the external force acting on the first element is distributed, so that the force acting between the power receiving terminal (second element) and the conductor is prevented from being excessively increased. The terminal and the conductor are prevented from being damaged.
本発明の一態様の基板保持装置において、前記受電端子が、前記第1要素および前記第2要素のそれぞれの周面の間に前記間隙が環状に延在するように構成され、かつ、前記中間要素が前記間隙の全周にわたって配置されている。 In the substrate holding device of one aspect of the present invention, the power receiving terminal is configured such that the gap extends in an annular shape between the peripheral surfaces of the first element and the second element, and the intermediate terminal Elements are arranged all around the gap.
当該構成の基板保持装置によれば、第1要素に作用した外力に起因して、第1要素から中間要素の一部を介して第2要素に力が作用した場合、この力とは反対向きの抗力を第1要素から中間要素の当該一部とは反対側の部分を介して第2要素に作用させることができる。このように、第1要素に作用する外力に起因して第2要素に偏向的に力が作用する事態が防止され、受電端子(第2要素)および導電体の間に作用する力の過大防止、ひいては受電端子および導電体の損傷の防止が図られる。 According to the substrate holding device having the above configuration, when a force is applied to the second element from the first element through a part of the intermediate element due to an external force applied to the first element, the force is opposite to the force. Can be applied to the second element from the first element through the part of the intermediate element opposite to the part. In this way, it is possible to prevent a situation in which a force is deflected from acting on the second element due to an external force acting on the first element, and to prevent an excessive force acting between the power receiving terminal (second element) and the conductor. As a result, damage to the power receiving terminal and the conductor can be prevented.
本発明の一態様の基板保持装置において、前記中間要素のうち少なくとも一部が導電性を有する。 In the substrate holding device of one embodiment of the present invention, at least a part of the intermediate element has conductivity.
当該構成の基板保持装置によれば、前記のように受電端子(第2要素)および導電体の間に作用する力の過大防止を図りうる中間要素の一部に対して当接する第1要素および第2要素の導通が確保される。「中間要素の一部」とは、単一の中間要素の一部または複数の中間要素のうち少なくとも1つの中間要素の一部もしくは全部を意味する。 According to the substrate holding device having the configuration, as described above, the first element that abuts against a part of the intermediate element that can prevent excessive force acting between the power receiving terminal (second element) and the conductor, and The conduction of the second element is ensured. “Part of the intermediate element” means a part of the single intermediate element or a part or all of at least one intermediate element among the plurality of intermediate elements.
本発明の一態様の基板保持装置において、前記第1要素の外周面に雄ネジが形成される一方で前記基体の前記縦穴の内周面に雌ネジが形成され、前記第1要素の雄ネジと前記縦穴の雌ネジとが螺着されることで前記第1要素が前記基体に固定されている。 In the substrate holding apparatus of one aspect of the present invention, a male screw is formed on the outer peripheral surface of the first element, while a female screw is formed on the inner peripheral surface of the vertical hole of the base, and the male screw of the first element The first element is fixed to the base body by screwing the female screw in the vertical hole.
当該構成の基板保持装置によれば、受電端子(第1要素)をその軸線回りに基体に対して回動させることにより、受電端子と基体との取り付けおよび機械的固定ならびに当該固定解除および取り外し作業が実施されるので、当該作業の容易化が図られる。 According to the substrate holding device having the above configuration, the power receiving terminal (first element) is rotated with respect to the base body around the axis thereof, whereby the power receiving terminal and the base body are attached and mechanically fixed, and the fixing is released and removed. Therefore, the work can be facilitated.
本発明の一態様の基板保持装置において、前記第1要素が筒状または有底筒状に形成され、前記第2要素が、前記第1要素の中空空間から部分的に突出して当該中空空間に可動に配置され、前記付勢要素が前記第1要素の中空空間に配置されて前記第2要素を前記第1要素の軸線方向に付勢する。 In the substrate holding device according to one aspect of the present invention, the first element is formed in a cylindrical shape or a bottomed cylindrical shape, and the second element partially protrudes from the hollow space of the first element into the hollow space. Arranged movably, the biasing element is disposed in the hollow space of the first element and biases the second element in the axial direction of the first element.
当該構成の基板保持装置によれば、受電端子を構成する付勢要素が露出していない分だけ、当該受電端子の取り扱いの容易化が図られる。 According to the substrate holding device having the configuration, the handling of the power receiving terminal can be facilitated by the amount that the biasing element constituting the power receiving terminal is not exposed.
本発明の一態様の基板保持装置において、前記第1要素が、筒状または有底筒状の本体と、前記本体に対して着脱自在であり、かつ、前記第1要素の中空空間からの前記第2要素の突出量を制限する、開口を有する蓋体と、を備えている。 In the substrate holding device according to one aspect of the present invention, the first element is detachable from the cylindrical or bottomed cylindrical main body, and the main body, and the hollow space of the first element is used. And a lid having an opening for limiting the protruding amount of the second element.
当該構成の基板保持装置によれば、基体に対する機械的な固定が解除された第1要素を構成する蓋体が本体から取り外されうるので、第2要素など、第1要素の中空空間に配置されている部品の点検、修理または交換などの作業の容易化が図られる。 According to the substrate holding device having such a configuration, the lid constituting the first element whose mechanical fixation to the base body has been released can be removed from the main body, so that the second element or the like is disposed in the hollow space of the first element. The work such as inspection, repair, or replacement of the parts is facilitated.
(第1実施形態)
(構成)
図1に示されている本発明の第1実施形態としての基板保持装置は、基体1と、導電体2と、受電端子4と、を備えている静電チャックとして構成されている。
(First embodiment)
(Constitution)
The substrate holding apparatus according to the first embodiment of the present invention shown in FIG. 1 is configured as an electrostatic chuck including a base 1, a conductor 2, and a power receiving terminal 4.
基体1は、セラミックス焼結体などの絶縁性誘電体からなり、表面101をウエハなどの基板(図示略)が吸着保持される吸着面とする平板状に形成されている。本実施形態における基体1は略円板状であるが、多角形板状または楕円板状などのさまざまな形状であってもよい。 The substrate 1 is made of an insulating dielectric such as a ceramic sintered body, and is formed in a flat plate shape having a surface 101 as an adsorption surface on which a substrate (not shown) such as a wafer is adsorbed and held. The substrate 1 in the present embodiment has a substantially disc shape, but may have various shapes such as a polygonal plate shape or an elliptical plate shape.
基体1の吸着面には、当該吸着面から突出する略円柱状、略半球状または略円錐台状の複数のピン(図示略)が、三角格子状に配置されるように形成されている。なお、ピンの配置態様は正方格子状または同心円状など変更されてもよく、ピンが部分的にまたは全体的に省略されてもよい。基体1の縦方向(厚さ方向)についてその裏面102から導電体2まで断面が略円形状の縦穴10が形成されている。縦穴10の内周面には雌ねじ112が形成されている。 A plurality of pins (not shown) having a substantially cylindrical shape, a substantially hemispherical shape, or a substantially truncated cone shape protruding from the suction surface are formed on the suction surface of the base 1 so as to be arranged in a triangular lattice shape. In addition, the arrangement | positioning aspect of a pin may be changed, such as a square lattice form or concentric form, and a pin may be abbreviate | omitted partially or entirely. A vertical hole 10 having a substantially circular cross section is formed from the back surface 102 to the conductor 2 in the vertical direction (thickness direction) of the substrate 1. A female screw 112 is formed on the inner peripheral surface of the vertical hole 10.
導電体2は、基体1において吸着面に対して平行な姿勢で埋設されている薄板状または薄膜状の金属からなり、静電チャック電極を構成する。 The conductor 2 is made of a thin plate-like or thin-film metal embedded in the base 1 in a posture parallel to the attracting surface, and constitutes an electrostatic chuck electrode.
受電端子4は、基体1の縦穴10に少なくとも一部が配置され、導電体2に電気的に接続される。複数の独立した静電チャック電極を構成する導電体2が基体1に埋設されている場合、各導電体2に対応する複数の受電端子4が基体1に設けられている。受電端子4は、略円筒状に形成されている導電体(たとえば金属)からなる第1要素41と、第1要素41に対して軸線方向に変位可能に設けられている略円筒状に形成されている導電体からなる第2要素42と、第1要素41および第2要素42の間に付勢力を作用させる付勢要素43と、を備えている。 The power receiving terminal 4 is at least partially disposed in the vertical hole 10 of the base 1 and is electrically connected to the conductor 2. When the conductors 2 constituting a plurality of independent electrostatic chuck electrodes are embedded in the base body 1, a plurality of power receiving terminals 4 corresponding to the respective conductors 2 are provided on the base body 1. The power receiving terminal 4 is formed in a substantially cylindrical shape provided with a first element 41 made of a conductor (for example, metal) formed in a substantially cylindrical shape, and displaceable in the axial direction with respect to the first element 41. And a biasing element 43 for applying a biasing force between the first element 41 and the second element 42.
第1要素41は、略円筒状の本体410と、本体410の上部に着脱自在に取り付けられている略円筒状の蓋体420とを備えている。本体410の下端部の内周面には雌ネジ401が形成され、本体410の上端部の内周面には雌ネジ412が形成されている。蓋体420は略円盤状に形成されている上部と、当該上部よりも小径の略円柱状に形成されている下部とにより構成されている。すなわち、蓋体420の外径は上部のほうが下部よりも大きい。蓋体420の上部の外周面には雄ネジ402が形成され、蓋体420の下部の外周面には雄ネジ422が形成されている。なお、本体410の上端部が縦穴10に配置される場合、蓋体420の上部外周面に加えてまたは代えて、本体410の上端部に雄ネジが形成されていてもよい。蓋体420の中空空間(開口)は、略円柱状の上側中空空間と、上側中空空間よりも大径の略円柱状の下側中空空間とに区分される。すなわち、蓋体420の内径(中空空間の径)は上側のほうが下側よりも小さい。本実施形態は、蓋体420の軸線方向についてその上部および下部の境界位置は、上側中空空間および下側中空空間の境界位置よりも上方にあるが、両境界位置が同一であってもよいし、上下関係が逆であってもよい。 The first element 41 includes a substantially cylindrical main body 410 and a substantially cylindrical lid body 420 that is detachably attached to the upper portion of the main body 410. A female screw 401 is formed on the inner peripheral surface of the lower end portion of the main body 410, and a female screw 412 is formed on the inner peripheral surface of the upper end portion of the main body 410. The lid body 420 is composed of an upper portion formed in a substantially disc shape and a lower portion formed in a substantially cylindrical shape having a smaller diameter than the upper portion. That is, the outer diameter of the lid 420 is larger at the upper part than at the lower part. A male screw 402 is formed on the outer peripheral surface of the upper portion of the lid body 420, and a male screw 422 is formed on the outer peripheral surface of the lower portion of the lid body 420. When the upper end portion of the main body 410 is disposed in the vertical hole 10, a male screw may be formed on the upper end portion of the main body 410 in addition to or instead of the upper outer peripheral surface of the lid body 420. The hollow space (opening) of the lid 420 is divided into a substantially cylindrical upper hollow space and a substantially cylindrical lower hollow space having a larger diameter than the upper hollow space. That is, the inner diameter of the lid 420 (the diameter of the hollow space) is smaller on the upper side than on the lower side. In the present embodiment, the upper and lower boundary positions in the axial direction of the lid body 420 are above the boundary position between the upper hollow space and the lower hollow space, but both boundary positions may be the same. The vertical relationship may be reversed.
本体410の上端部内周面に形成されている雌ネジ412と、蓋体420の下部外周面に形成されている雄ネジ422とにより、本体410および蓋体420が螺着されることにより第1要素41が構成されている。この際、本体410の環状上端面413と、蓋体420の上部の環状下端面423とが当接している。第1要素41の中空空間は、軸線を共通にする略円柱状の4つの中空空間により構成されている。当該4つの中空空間は、上から順に蓋体420の上側中空空間および下側中空空間により構成されている第1中空空間と、蓋体420の下側中空空間より大径の第2中空空間と、蓋体420の下側中空空間と同径の第3中空空間と、前記のように雌ネジ401が形成されている第4中空空間と、により構成されている。 The main body 410 and the lid body 420 are screwed together by the female screw 412 formed on the inner peripheral surface of the upper end portion of the main body 410 and the male screw 422 formed on the lower outer peripheral surface of the lid body 420, thereby the first. Element 41 is configured. At this time, the annular upper end surface 413 of the main body 410 is in contact with the annular lower end surface 423 of the upper portion of the lid body 420. The hollow space of the first element 41 is constituted by four substantially cylindrical hollow spaces having a common axis. The four hollow spaces are, in order from the top, a first hollow space constituted by an upper hollow space and a lower hollow space of the lid body 420, and a second hollow space having a larger diameter than the lower hollow space of the lid body 420. The third hollow space having the same diameter as the lower hollow space of the lid 420 and the fourth hollow space in which the female screw 401 is formed as described above.
第2要素42は、蓋体420の上側中空空間と同径またはわずかに小径の略円柱状に形成されている上部と、蓋体420の下側中空空間よりわずかに小径であって当該上部より大径の略円柱状に形成されている下部とにより構成されている。第2要素42の上端部は、当該上部よりも小径の円柱状または円盤状に形成されている。第2要素42は、その上部を蓋体420の上側中空空間(開口)を通じて第1要素41から上方に突出させ、かつ、その下部を蓋体420の下側中空空間、ならびに、第1要素41の第2中空空間および第3中空空間に挿通させた状態で、第1要素41の中空空間に配置されている。第2要素42の下部の環状上端面414が、第1要素41を構成する蓋体420の環状下端面424に当接することで、第2要素42の上部の第1要素41からの突出量が制限される。第2中空空間を画定する第1要素41の内周面と、第2要素42の下部外周面との間には略円環状または略円筒状の間隙が存在する。 The second element 42 has an upper portion formed in a substantially cylindrical shape having the same diameter as or slightly smaller in diameter than the upper hollow space of the lid body 420, and a slightly smaller diameter than the lower hollow space of the lid body 420. It is comprised by the lower part currently formed in the large diameter substantially cylindrical shape. The upper end portion of the second element 42 is formed in a columnar shape or a disc shape having a smaller diameter than the upper portion. The upper part of the second element 42 protrudes upward from the first element 41 through the upper hollow space (opening) of the lid body 420, and the lower part of the second element 42 projects from the lower hollow space of the lid body 420 and the first element 41. The first element 41 is disposed in the hollow space in a state of being inserted into the second hollow space and the third hollow space. The annular upper end surface 414 of the lower part of the second element 42 abuts on the annular lower end surface 424 of the lid body 420 constituting the first element 41, so that the protruding amount of the upper part of the second element 42 from the first element 41 is increased. Limited. A substantially annular or substantially cylindrical gap exists between the inner peripheral surface of the first element 41 defining the second hollow space and the lower outer peripheral surface of the second element 42.
付勢要素43は本実施形態ではコイルバネにより構成され、第1要素41の第3中空空間に配置され、第1要素41に対して第2要素42を上方に付勢している。付勢要素43は導電性を有していてもいなくてもよい。付勢要素43はコイルバネのほか、皿バネ、板バネ、ベローズ空気バネ、同極を対向させている一対または複数対の磁石などにより構成されていてもよい。 In the present embodiment, the biasing element 43 is configured by a coil spring, and is disposed in the third hollow space of the first element 41, and biases the second element 42 upward with respect to the first element 41. The biasing element 43 may or may not have conductivity. In addition to the coil spring, the biasing element 43 may be constituted by a disc spring, a leaf spring, a bellows air spring, a pair or a plurality of pairs of magnets facing the same pole, and the like.
第2中空空間を画定する第1要素41の内周面と、第2要素42の下部外周面との間に存在する略円環状の間隙には、円環状に形成されているスペーサとしての第1中間要素441と、円環状に形成されているコイルスプリングからなる第2中間要素442が配置されている。第2中間要素442は、その全周にわたって第2中空空間を画定する第1要素41の内周面と、第2要素42の下部外周面とに対して摺動可能に当接している。本実施形態では、3個の第1中間要素441の間に2個の第2中間要素442が介在した状態で当該中間要素が軸線方向に重なるように配置されている。第1中間要素441および第2中間要素442のそれぞれの個数および軸線方向の配置順序は、第1要素41の第2中空空間の軸線方向の長さなどに応じて任意に変更されてもよい。第1中間要素441および第2中間要素442は導体が望ましいが、第1中間要素441は絶縁体であってもよい。また第1中間要素441は第2要素42と一体化した構造であってもよい。 A substantially annular gap existing between the inner peripheral surface of the first element 41 that defines the second hollow space and the lower outer peripheral surface of the second element 42 has a first annular spacer. A first intermediate element 441 and a second intermediate element 442 made of a coil spring formed in an annular shape are arranged. The second intermediate element 442 is slidably in contact with the inner peripheral surface of the first element 41 and the lower outer peripheral surface of the second element 42 that define the second hollow space over the entire periphery. In the present embodiment, with the two second intermediate elements 442 interposed between the three first intermediate elements 441, the intermediate elements are arranged so as to overlap in the axial direction. The number of the first intermediate elements 441 and the second intermediate elements 442 and the arrangement order in the axial direction may be arbitrarily changed according to the axial length of the second hollow space of the first element 41 and the like. The first intermediate element 441 and the second intermediate element 442 are preferably conductors, but the first intermediate element 441 may be an insulator. Further, the first intermediate element 441 may have a structure integrated with the second element 42.
受電端子4を構成する第1要素41(詳細には蓋体420の上部外周面)に形成されている雄ネジ402と、基体1の縦穴10の内周面に形成されている雌ネジ112とにより、受電端子4が基体1に螺着される。これにより、基体1に対して受電端子4が固定されている。この際、受電端子4を構成する第2要素42の上端部が、付勢要素43の付勢力によって導電体2に対して押圧されている。これにより、受電端子4と導電体2との電気的な接続が確立されている。 A male screw 402 formed on the first element 41 constituting the power receiving terminal 4 (specifically, an upper outer peripheral surface of the lid 420), and a female screw 112 formed on the inner peripheral surface of the vertical hole 10 of the base 1 Thus, the power receiving terminal 4 is screwed to the base body 1. Thereby, the power receiving terminal 4 is fixed to the base 1. At this time, the upper end portion of the second element 42 constituting the power receiving terminal 4 is pressed against the conductor 2 by the biasing force of the biasing element 43. Thereby, the electrical connection between the power receiving terminal 4 and the conductor 2 is established.
受電端子4を構成する第1要素41の下端部に形成されている雌ネジ401と、給電端子(図示略)の略円柱状の上端部外周面に形成されている雄ネジとにより、受電端子4と給電端子とが螺着される。すなわち、給電端子の上端部は第1要素41の第4中空空間に配置される。給電端子の後端部には、給電端子を外部電源に接続する電線が接続されている(図示略)。 A power receiving terminal is formed by a female screw 401 formed at the lower end portion of the first element 41 constituting the power receiving terminal 4 and a male screw formed on the outer peripheral surface of the substantially cylindrical upper end portion of the power feeding terminal (not shown). 4 and the power supply terminal are screwed together. That is, the upper end portion of the power supply terminal is disposed in the fourth hollow space of the first element 41. An electric wire that connects the power supply terminal to an external power source is connected to the rear end of the power supply terminal (not shown).
(作製方法)
前記構成の基板保持装置(静電チャック)は、たとえば次のような手順で作製される。すなわち、導電体2(静電チャック電極)が埋設されている原料粉末の成形体がホットプレス焼結される。原料粉末としては、たとえば高純度(例えば純度99.9%以上)の窒化アルミニウム粉末、必要に応じてこれに適量の酸化イットリウム粉末などの焼結助剤が添加された混合原料粉末が用いられる。そのほか、アルミナ粉末等、他のセラミックス粉末が原料粉末として用いられてもよい。導電体2としては、たとえばMo箔(例えば厚さ0.1[mm])が用いられる。そのうえで、当該焼結体に複数のピンおよび縦穴10がブラスト加工またはミリング加工などの適当な加工法にしたがって形成される。
(Production method)
The substrate holding device (electrostatic chuck) having the above-described configuration is manufactured by the following procedure, for example. That is, the raw material powder compact in which the conductor 2 (electrostatic chuck electrode) is embedded is hot-press sintered. As the raw material powder, for example, high purity (for example, purity 99.9% or more) aluminum nitride powder, and mixed raw material powder to which a sintering aid such as an appropriate amount of yttrium oxide powder is added as necessary are used. In addition, other ceramic powders such as alumina powder may be used as the raw material powder. As the conductor 2, for example, a Mo foil (for example, a thickness of 0.1 [mm]) is used. In addition, a plurality of pins and vertical holes 10 are formed in the sintered body according to an appropriate processing method such as blasting or milling.
受電端子4が縦穴10の個数に応じた個数だけ準備される。具体的には、第1要素41を構成する本体410および蓋体420、第2要素42、付勢要素43、第1中間要素441ならびに第2中間要素442が形成される。第1要素41の本体410の上方から中空空間に付勢要素43が挿入されて配置され、さらにその上に第2要素42が挿入されて配置される。さらには第2要素42の外周面および本体410の内周面の間の間隙に環状の第1中間要素441および第2中間要素442が挿入されて配置される。その上で、蓋体420が本体410に螺着されることにより受電端子4が作製される。 The number of power receiving terminals 4 corresponding to the number of vertical holes 10 is prepared. Specifically, a main body 410 and a lid 420, a second element 42, a biasing element 43, a first intermediate element 441, and a second intermediate element 442 constituting the first element 41 are formed. The biasing element 43 is inserted into the hollow space from above the main body 410 of the first element 41, and the second element 42 is further inserted thereon. Furthermore, annular first intermediate element 441 and second intermediate element 442 are inserted and arranged in the gap between the outer peripheral surface of second element 42 and the inner peripheral surface of main body 410. Then, the power receiving terminal 4 is manufactured by screwing the lid 420 to the main body 410.
第1受電端子4を構成する第1要素41に形成されている雄ネジ402と、基体1の縦穴10の内周面に形成されている雌ネジ112とにより、受電端子4が基体1に螺着される。受電端子4を構成する第2要素42の上端部が、付勢要素43の付勢力によって導電体2に対して押圧される。前記工程によって前記構成の基板保持装置が製造される。 The power receiving terminal 4 is screwed onto the base 1 by a male screw 402 formed on the first element 41 constituting the first power receiving terminal 4 and a female screw 112 formed on the inner peripheral surface of the vertical hole 10 of the base 1. Worn. The upper end portion of the second element 42 constituting the power receiving terminal 4 is pressed against the conductor 2 by the urging force of the urging element 43. The substrate holding apparatus having the above structure is manufactured by the above process.
第1要素41を構成する本体410および蓋体420、第2要素42、付勢要素43、第1中間要素441ならびに第2中間要素442は、ニッケルまたはインコネルのようなニッケル系合金を主成分とした素材にすることにより耐熱性が750℃まで使用可となる。また、これらに金メッキをすることにより半導体製造プロセス環境下での耐食性の向上を図ることができる。 The main body 410 and the lid 420, the second element 42, the biasing element 43, the first intermediate element 441, and the second intermediate element 442 constituting the first element 41 are mainly composed of nickel or an alloy based on nickel, such as Inconel. The heat resistance can be used up to 750 ° C. by using the prepared material. Further, by applying gold plating to these, it is possible to improve the corrosion resistance under the semiconductor manufacturing process environment.
これらの素材と本発明の構造を組みあわせることにより高温環境下での使用による熱応力に晒されても受電端子と導電体との電気的な接続状態に対する影響の軽減を図ることができる。 By combining these materials and the structure of the present invention, the influence on the electrical connection state between the power receiving terminal and the conductor can be reduced even when exposed to thermal stress due to use in a high temperature environment.
(機能)
前記構成の基板保持装置(静電チャック)によれば、第1要素41が基体1に対して螺着によって固定され、かつ、第2要素42が第1要素41との間に作用する付勢要素43の付勢力によって導電体2に対して押圧されている。これにより、基体1の縦穴10に配置されている受電端子4と、基体1に埋設されている導電体2とが電気的に接続されている。受電端子4の第1要素41に外力が作用し、これに応じた力が第1要素41から第2要素42に作用した場合でも、第2要素42が導電体2に対して相対的に変位可能であ
る。これは、基体1および導電体2の熱膨張係数の差に応じて導電体2に熱応力が作用した場合も同様である。よって、受電端子4(または第2要素42)と導電体2との電気的な接続状態が維持されながらも、第1要素41に作用する外力または基体1および導電体2の熱膨張係数の差に応じて導電体2に作用する熱応力に起因して受電端子4(第2要素42)および導電体2の間に作用する力の過大防止、ひいては受電端子4および導電体2の損傷の防止が図られる。
(function)
According to the substrate holding device (electrostatic chuck) configured as described above, the first element 41 is fixed to the base body 1 by screwing, and the second element 42 acts between the first element 41 and the urging force. It is pressed against the conductor 2 by the biasing force of the element 43. As a result, the power receiving terminal 4 disposed in the vertical hole 10 of the base 1 and the conductor 2 embedded in the base 1 are electrically connected. Even when an external force acts on the first element 41 of the power receiving terminal 4 and a corresponding force acts on the second element 42 from the first element 41, the second element 42 is displaced relative to the conductor 2. Is possible. The same applies to the case where thermal stress is applied to the conductor 2 according to the difference in thermal expansion coefficient between the base 1 and the conductor 2. Therefore, while the electrical connection state between the power receiving terminal 4 (or the second element 42) and the conductor 2 is maintained, the difference between the external force acting on the first element 41 or the thermal expansion coefficient between the base 1 and the conductor 2 is maintained. Accordingly, the force acting between the power receiving terminal 4 (second element 42) and the conductor 2 due to the thermal stress acting on the conductor 2 is prevented, and thus the power receiving terminal 4 and the conductor 2 are prevented from being damaged. Is planned.
第1要素41に外力が作用した場合、第2要素42に対して、第1要素41(その第1中空空間および第3中空空間を画定する内周面)との当接部分において第1要素41から直接的に力を作用させるのみならず、第2中空空間における間隙に配置されている第1中間要素441および第2中間要素442を介して第1要素41から間接的に力を作用させることができる。第1要素41に作用した外力に起因して、第1要素41から環状の第1中間要素441および第2中間要素442のそれぞれの一部を介して第2要素42に力が作用した場合、この力とは反対向きの抗力を第1要素41から第1中間要素441および第2中間要素442それぞれの当該一部とは反対側の部分を介して第2要素42に作用させることができる。このように、第1要素41に作用する外力または基体1および導電体2の熱膨張係数の差に応じて導電体2に作用する熱応力に起因して、第2要素42に集中的または偏向的に力が作用する事態が防止され、受電端子4(第2要素42)および導電体2の間に作用する力の過大防止が図られる。 When an external force is applied to the first element 41, the first element is in contact with the second element 42 in contact with the first element 41 (the inner peripheral surface defining the first hollow space and the third hollow space). In addition to applying a force directly from 41, a force is applied indirectly from the first element 41 via the first intermediate element 441 and the second intermediate element 442 disposed in the gap in the second hollow space. be able to. When a force is applied to the second element 42 from the first element 41 through a part of each of the annular first intermediate element 441 and the second intermediate element 442 due to an external force applied to the first element 41, A drag force in the direction opposite to this force can be applied to the second element 42 from the first element 41 through the part of the first intermediate element 441 and the second intermediate element 442 opposite to each part. As described above, the second element 42 is concentrated or deflected due to the external force acting on the first element 41 or the thermal stress acting on the conductor 2 according to the difference in thermal expansion coefficient between the base 1 and the conductor 2. Thus, it is possible to prevent a situation where force is applied, and to prevent excessive force acting between the power receiving terminal 4 (second element 42) and the conductor 2.
(第2実施形態)
(構成)
図2に示されている本発明の第2実施形態としての基板保持装置は、受電端子4の構成を除き、本発明の第1実施形態としての基板保持装置(静電チャック(図1参照))とほぼ同様の構成であるので、共通または対応する構成には同一の符号を用い、作製方法も含めて説明を省略する。
(Second Embodiment)
(Constitution)
The substrate holding device as the second embodiment of the present invention shown in FIG. 2 is the substrate holding device (electrostatic chuck (see FIG. 1)) as the first embodiment of the present invention except for the configuration of the power receiving terminal 4. ), The same reference numerals are used for common or corresponding components, and the description including the manufacturing method is omitted.
第1要素41は、略円柱状に形成されている上部と、当該上部よりも大径かつ基体1の縦穴10と略同径または僅かに小径の略円柱状に形成されている下部により構成されている。第1要素41の下部下端面から一定の深さまで軸線方向に延在する縦穴が形成され、当該縦穴の内周面に雌ネジ401が形成されている。第1要素41の下部の上端部外周面に雄ネジ402が形成されている。第2要素42は、略円柱状の上部と、外径が当該上部よりも大径かつ基体1の縦穴10より小径の略有蓋円筒状に形成されている下部とにより構成されている。第2要素42の下部はその内径(当該下部の下端面から軸線方向に一定の深さまで連続する縦穴の径)は、第1要素41の上部よりも大径になるように形成されている。 The first element 41 includes an upper portion formed in a substantially cylindrical shape and a lower portion formed in a substantially cylindrical shape having a diameter larger than that of the upper portion and substantially the same as or slightly smaller than the vertical hole 10 of the base body 1. ing. A vertical hole extending in the axial direction from the lower bottom surface of the first element 41 to a certain depth is formed, and a female screw 401 is formed on the inner peripheral surface of the vertical hole. A male screw 402 is formed on the outer peripheral surface of the lower end of the first element 41. The second element 42 includes a substantially columnar upper portion and a lower portion formed in a substantially covered cylindrical shape having an outer diameter larger than that of the upper portion and smaller than the vertical hole 10 of the base body 1. The lower portion of the second element 42 has an inner diameter (a diameter of a vertical hole continuing from the lower end surface of the lower portion to a certain depth in the axial direction) larger than the upper portion of the first element 41.
第1要素41の上部外周面と第2要素42の下部内周面との間に存在する略円筒状の間隙に、第1要素41に対して第2要素42を上方に付勢する付勢要素43(たとえばコイルバネ)が配置されている。付勢要素43は導電性を有していてもいなくてもよいが、中間要素の役割を兼ねている。 A bias that biases the second element 42 upward with respect to the first element 41 in a substantially cylindrical gap existing between the upper outer peripheral surface of the first element 41 and the lower inner peripheral surface of the second element 42. An element 43 (for example, a coil spring) is arranged. The biasing element 43 may or may not have conductivity, but also serves as an intermediate element.
(機能)
前記構成の基板保持装置(静電チャック)によれば、第1実施形態の基板保持装置と同様の作用により、受電端子4(または第2要素42)と導電体2との電気的な接続状態が維持されながらも、第1要素41に作用する外力または基体1および導電体2の熱膨張係数の差に応じて導電体2に作用する熱応力に起因して、受電端子4(第2要素42)および導電体2の間に作用する力の過大防止、ひいては受電端子4および導電体2の損傷の防止が図られる。
(function)
According to the substrate holding device (electrostatic chuck) configured as described above, the electrical connection state between the power receiving terminal 4 (or the second element 42) and the conductor 2 is the same as that of the substrate holding device of the first embodiment. Is maintained, the power receiving terminal 4 (second element) is caused by an external force acting on the first element 41 or a thermal stress acting on the conductor 2 according to the difference in thermal expansion coefficient between the base 1 and the conductor 2. 42) and the force acting between the conductors 2 can be prevented from being excessive, and the power receiving terminal 4 and the conductor 2 can be prevented from being damaged.
(本発明の他の実施形態)
基体1に対する第1要素41の機械的な固定方法は縦穴10の内周面に形成されている雌ネジ112および第1要素41の外周面に形成されている雄ネジ402の螺着に限られず、他の固定方法が採用されてもよい。
(Other embodiments of the present invention)
The mechanical fixing method of the first element 41 to the base body 1 is not limited to the screwing of the female screw 112 formed on the inner peripheral surface of the vertical hole 10 and the male screw 402 formed on the outer peripheral surface of the first element 41. Other fixing methods may be employed.
たとえば、第1要素41が基体1の縦穴10に圧入されることにより、第1要素41が基体1に対して固定されていてもよい。第1要素41の外周面と縦穴10の内周面とが接着剤により接着されていてもよい。一般的に接着剤の熱伝導率は金属よりも低いので、基体1から第1要素41を通じて流れる熱量の低減が図られる。このため、基体1の表面101(基板の吸着面)において受電端子4に相当する箇所に局所的な低温箇所(コールドスポット)が生じる事態が抑制される。 For example, the first element 41 may be fixed to the base body 1 by press-fitting the first element 41 into the vertical hole 10 of the base body 1. The outer peripheral surface of the first element 41 and the inner peripheral surface of the vertical hole 10 may be bonded with an adhesive. Generally, since the thermal conductivity of the adhesive is lower than that of metal, the amount of heat flowing from the substrate 1 through the first element 41 can be reduced. For this reason, the situation where the local low-temperature location (cold spot) arises in the location corresponding to the power receiving terminal 4 in the surface 101 (substrate adsorption surface) of the base 1 is suppressed.
第1要素41の下端部に径方向外側に拡張されている部位が設けられ、当該部位に縦貫通孔が設けられ、当該縦貫通孔を通じて当該部位が基体1の下端にネジ止めされてもよい。この場合、第1要素41がその外周面と縦穴10の内周面との間に間隙が存在するように構成されることにより、基体1から第1要素41を通じて流れる熱量の低減が図られる。このため、基体1の表面101において受電端子4に相当する箇所にコールドスポットが生じる事態が抑制される。 A portion extended radially outward may be provided at the lower end portion of the first element 41, a vertical through hole may be provided in the portion, and the portion may be screwed to the lower end of the base body 1 through the vertical through hole. . In this case, the first element 41 is configured such that a gap exists between the outer peripheral surface of the first element 41 and the inner peripheral surface of the vertical hole 10, thereby reducing the amount of heat flowing from the base 1 through the first element 41. For this reason, a situation in which a cold spot is generated at a position corresponding to the power receiving terminal 4 on the surface 101 of the base 1 is suppressed.
基体1に対して固定されている第1要素41に対して、付勢要素43の付勢力によって第2要素42が基体1に埋設されている導電体2に対して電気的に接続される範囲で、受電端子4が前記実施形態とは異なる形態で構成されていてもよい。第1実施形態の基板保持装置において第1中間要素441および第2中間要素442のうち一方または両方が省略されてもよい。 A range in which the second element 42 is electrically connected to the conductor 2 embedded in the base body 1 by the biasing force of the biasing element 43 with respect to the first element 41 fixed to the base body 1. Thus, the power receiving terminal 4 may be configured in a different form from the above embodiment. In the substrate holding device of the first embodiment, one or both of the first intermediate element 441 and the second intermediate element 442 may be omitted.
前記実施形態における基板保持装置において、静電チャック電極を構成する導電体2に加えて、薄板状または薄膜状の金属からなり発熱抵抗体を構成する導電体が基体1に対して埋設されていてもよい。発熱抵抗体を構成する導電体は、基体1の縦方向について当該導電体2よりも裏面102に近い位置に、表面101に対して平行な姿勢で基体1に埋設されている。発熱抵抗体を構成する導電体についても、静電チャック電極を構成する導電体2と同様の構成の受電端子および給電端子を介して外部電源に接続される。 In the substrate holding device in the embodiment, in addition to the conductor 2 constituting the electrostatic chuck electrode, a conductor constituting a heating resistor made of a thin plate or thin film metal is embedded in the substrate 1. Also good. The conductor constituting the heating resistor is embedded in the base body 1 in a posture parallel to the front surface 101 at a position closer to the back surface 102 than the conductor 2 in the longitudinal direction of the base body 1. The conductor constituting the heating resistor is also connected to an external power source via a power receiving terminal and a power feeding terminal having the same configuration as that of the conductor 2 constituting the electrostatic chuck electrode.
この場合、基板保持装置はたとえば特開2013−157570号公報に記載されている方法にしたがって製造される。すなわち、第1導電体2(静電チャック電極)が埋設されている第1原料粉末の成形体と、第2導電体(発熱抵抗体)が埋設されている第2原料粉末の成形体とが重ね合わせられた状態で、まとめてホットプレス焼結される。その上で、当該焼結体にピンおよび縦穴10が適当な加工法にしたがって形成されることにより基板保持装置(ヒータ付静電チャック)が製造される。静電チャック電極を構成する導電体2に加えてまたは代えて、薄板状または薄膜状の金属からなり高周波電圧印加用電極または接地用電極を構成する導電体が基体1に対して埋設されていてもよい。 In this case, the substrate holding device is manufactured, for example, according to a method described in JP2013-157570A. That is, a first raw material powder compact in which the first conductor 2 (electrostatic chuck electrode) is embedded and a second raw material powder compact in which the second conductor (heating resistor) is embedded. In the state of being superposed, they are hot-press sintered together. Then, a pin and a vertical hole 10 are formed in the sintered body according to an appropriate processing method, whereby a substrate holding device (electrostatic chuck with a heater) is manufactured. In addition to or instead of the conductor 2 constituting the electrostatic chuck electrode, a conductor made of a thin plate-like or thin-film metal and constituting a high-frequency voltage application electrode or a grounding electrode is embedded in the substrate 1. Also good.
そのほか、第1導電体2およびこれを挟む一対の第1原料粉末の成形体と、第2導電体およびこれを挟む一対の第2原料粉末の成形体とが重ね合わせられた状態で、まとめてホットプレス焼結されることにより基板保持装置が製造されてもよい。また、第1導電体2が埋設されている第1原料粉末の成形体と、第2導電体が埋設されている第2原料粉末の成形体とが別個にホットプレス焼結されることにより第1基体部分および第2基体部分が作製された上で、両基体部分が接合されることにより基板保持装置が製造されてもよい。この場合、窒化アルミニウム焼結体の接合材としてアルミナ−酸化イットリウム系の接合材が用いられ、そのほかガラス系接合材が用いられてもよい。ガラス系材料としては、石英、ソーダ石灰ガラス、硼珪酸ガラスなどが採用される。 In addition, the first conductor 2 and a pair of first raw material powder compacts sandwiching the first conductor 2 and the second conductor and a pair of second raw material powder compacts sandwiching the first conductor 2 are put together. The substrate holding device may be manufactured by hot press sintering. In addition, the first raw material powder compact in which the first conductor 2 is embedded and the second raw material powder compact in which the second conductor is embedded are separately hot-press-sintered. After the first base portion and the second base portion are fabricated, the substrate holding device may be manufactured by bonding both base portions. In this case, an alumina-yttrium oxide-based bonding material may be used as the bonding material for the aluminum nitride sintered body, and a glass-based bonding material may also be used. Quartz, soda-lime glass, borosilicate glass, etc. are employed as the glass material.
1‥基体、2‥導電体(静電チャック電極)、4‥受電端子、10‥縦穴、41‥第1要素、42‥第2要素、43‥コイルバネ(付勢要素)、410‥本体、420‥蓋体、441‥第1中間要素、442‥第2中間要素。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Base | substrate 2 ... Conductor (electrostatic chuck electrode), 4 ... Power receiving terminal, 10 ... Vertical hole, 41 ... 1st element, 42 ... 2nd element, 43 ... Coil spring (biasing element), 410 ... Main body, 420 ··· lid, 441 ··· first intermediate element, 442 ··· second intermediate element.
Claims (7)
前記受電端子が、第1要素と、前記第1要素に対して変位可能に設けられている第2要素と、前記第1要素および前記第2要素の間に付勢力を作用させる付勢要素と、を備え、
前記第1要素が前記基体に対して固定され、かつ、前記第2要素が前記付勢要素の付勢力によって前記導電体に対して押圧され、
前記第1要素および前記第2要素のそれぞれの一部が前記縦穴に配置されていることを特徴とする基板保持装置。 A base made of a plate-like ceramic sintered body whose surface is the holding surface of the substrate, a conductor embedded in the base, and a continuous surface in the vertical direction from the back surface of the base to a part of the conductor. A power receiving terminal that is disposed in a vertical hole formed in and electrically connected to the conductor,
The power receiving terminal includes a first element, a second element provided so as to be displaceable with respect to the first element, and a biasing element that applies a biasing force between the first element and the second element. With
The first element is fixed to the base body, and the second element is pressed against the conductor by the biasing force of the biasing element ;
A part of each of the first element and the second element is disposed in the vertical hole .
前記受電端子が、前記第1要素および前記第2要素を部分的に離間させる間隙が前記第1要素および前記第2要素の間に存在するように構成され、かつ、前記間隙に配置されて前記第1要素および前記第2要素のそれぞれに当接している中間要素をさらに備えていることを特徴とする基板保持装置。 The substrate holding apparatus according to claim 1, wherein
The power receiving terminal is configured such that a gap that partially separates the first element and the second element exists between the first element and the second element, and disposed in the gap. The substrate holding apparatus further comprising an intermediate element in contact with each of the first element and the second element.
前記受電端子が、前記第1要素および前記第2要素のそれぞれの周面の間に前記間隙が環状に延在するように構成され、かつ、前記中間要素が前記間隙の全周にわたって配置されていることを特徴とする基板保持装置。 The substrate holding apparatus according to claim 2, wherein
The power receiving terminal is configured such that the gap extends annularly between the peripheral surfaces of the first element and the second element, and the intermediate element is disposed over the entire circumference of the gap. A substrate holding device.
前記中間要素のうち少なくとも一部が導電性を有することを特徴とする基板保持装置。 The substrate holding apparatus according to claim 2 or 3,
At least a part of the intermediate element is conductive.
前記第1要素の外周面に雄ネジが形成される一方で前記基体の前記縦穴の内周面に雌ネジが形成され、前記第1要素の雄ネジと前記縦穴の雌ネジとが螺着されることで前記第1要素が前記基体に固定されていることを特徴とする基板保持装置。 In the substrate holding device according to any one of claims 1 to 4,
A male screw is formed on the outer peripheral surface of the first element, while a female screw is formed on the inner peripheral surface of the vertical hole of the base, and the male screw of the first element and the female screw of the vertical hole are screwed together. Thus, the first element is fixed to the base body.
前記第1要素が筒状または有底筒状に形成され、
前記第2要素が、前記第1要素の中空空間から部分的に突出して当該中空空間に可動に配置され、
前記付勢要素が前記第1要素の中空空間に配置されて前記第2要素を前記第1要素の軸線方向に付勢することを特徴とする基板保持装置。 In the substrate holding device according to any one of claims 1 to 5,
The first element is formed in a cylindrical shape or a bottomed cylindrical shape,
The second element partially protrudes from the hollow space of the first element and is movably disposed in the hollow space;
The substrate holding apparatus, wherein the biasing element is disposed in a hollow space of the first element and biases the second element in an axial direction of the first element.
前記第1要素が、筒状または有底筒状の本体と、前記本体に対して着脱自在であり、かつ、前記第1要素の中空空間からの前記第2要素の突出量を制限する、開口を有する蓋体と、を備えていることを特徴とする基板保持装置。 The substrate holding apparatus according to claim 6, wherein
The first element has a cylindrical or bottomed cylindrical main body, an opening that is detachable with respect to the main body, and restricts a protruding amount of the second element from the hollow space of the first element. A substrate holding device.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015209423A JP6586345B2 (en) | 2015-10-23 | 2015-10-23 | Substrate holding device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015209423A JP6586345B2 (en) | 2015-10-23 | 2015-10-23 | Substrate holding device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017084884A JP2017084884A (en) | 2017-05-18 |
JP6586345B2 true JP6586345B2 (en) | 2019-10-02 |
Family
ID=58711283
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015209423A Active JP6586345B2 (en) | 2015-10-23 | 2015-10-23 | Substrate holding device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6586345B2 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020255319A1 (en) * | 2019-06-20 | 2020-12-24 | 株式会社日立ハイテク | Plasma processing device and plasma processing method |
KR102396865B1 (en) * | 2021-12-08 | 2022-05-12 | 주식회사 미코세라믹스 | Electro static chuck |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4767788B2 (en) * | 2006-08-12 | 2011-09-07 | 日本特殊陶業株式会社 | Electrostatic chuck device |
JP6195519B2 (en) * | 2010-08-06 | 2017-09-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | Electrostatic chuck and method of using the same |
-
2015
- 2015-10-23 JP JP2015209423A patent/JP6586345B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017084884A (en) | 2017-05-18 |
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Date | Code | Title | Description |
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