JP2017201669A - Heating member and electrostatic chuck - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a heating member capable of easily performing temperature control, such as uniforming a temperature distribution of the heating member in a plane direction, and an electrostatic chuck.SOLUTION: An electrostatic chuck 1 has portions where a plurality of first heating elements 23 of a first heating portion 13 and a plurality of second heating elements 25 of a second heating portion 15 are arranged in a circumferential direction of a ceramic substrate 17, respectively, and moreover, the number of the first heating elements 23 is greater than that of the second heating elements 25. Therefore, temperatures of a ceramic heater 5 (accordingly the electrostatic chuck 1) in a plane direction can be easily uniformed, and moreover, temperatures at specific locations can be also easily controlled.SELECTED DRAWING: Figure 5

Description

本発明は、例えば半導体ウェハ等の被加工物を加熱できるセラミックヒータ等の加熱部材と、その加熱部材を備えた静電チャックに関するものである。   The present invention relates to a heating member such as a ceramic heater that can heat a workpiece such as a semiconductor wafer, and an electrostatic chuck including the heating member.

従来、半導体製造装置では、半導体ウェハ(例えばシリコンウェハ)に対して、ドライエッチング(例えばプラズマエッチング)等の処理が行われている。このドライエッチングの精度を高めるためには、半導体ウェハを確実に固定しておく必要があるので、半導体ウェハを固定する固定手段として、静電引力によって半導体ウェハを固定する静電チャックが用いられている。   Conventionally, in a semiconductor manufacturing apparatus, a process such as dry etching (for example, plasma etching) is performed on a semiconductor wafer (for example, a silicon wafer). In order to increase the accuracy of this dry etching, it is necessary to securely fix the semiconductor wafer. As a fixing means for fixing the semiconductor wafer, an electrostatic chuck for fixing the semiconductor wafer by electrostatic attraction is used. Yes.

具体的には、静電チャックでは、例えば、セラミック基板内に吸着用電極を備えており、この吸着用電極に電圧を印加させた際に生じる静電引力を用いて、半導体ウェハをセラミック基板の上面(搭載面)に吸着させる。なお、静電チャックでは、例えば、セラミック基板の下面(接合面)に金属ベースが接合されている。   Specifically, in an electrostatic chuck, for example, an adsorption electrode is provided in a ceramic substrate, and an electrostatic attractive force generated when a voltage is applied to the adsorption electrode is used to attach a semiconductor wafer to the ceramic substrate. Adsorb to the upper surface (mounting surface). In the electrostatic chuck, for example, a metal base is bonded to the lower surface (bonding surface) of the ceramic substrate.

また、静電チャックには、吸着面に吸着された半導体ウェハの温度を調節(加熱または冷却)する機能を有するものがある。例えば、セラミック基板内に発熱体を配置し、この発熱体によってセラミック基板を加熱することにより、吸着面上の半導体ウェハを加熱する技術がある。   Some electrostatic chucks have a function of adjusting (heating or cooling) the temperature of the semiconductor wafer attracted to the attracting surface. For example, there is a technique of heating a semiconductor wafer on an adsorption surface by disposing a heating element in a ceramic substrate and heating the ceramic substrate with the heating element.

さらに、静電チャックの加熱を精密に行うために、セラミック基板を複数の加熱ゾーンに区分したセラミックヒータも開発されている。具体的には、各加熱ゾーンに各加熱ゾーンを独立して加熱することができる発熱体を配置して、セラミック基板の温度調節機能を向上させた多ゾーンヒータ付きセラミックヒータも提案されている(特許文献1参照)。   Furthermore, in order to precisely heat the electrostatic chuck, a ceramic heater in which a ceramic substrate is divided into a plurality of heating zones has been developed. Specifically, a ceramic heater with a multi-zone heater has been proposed in which a heating element capable of independently heating each heating zone is arranged in each heating zone to improve the temperature adjustment function of the ceramic substrate ( Patent Document 1).

また、近年では、この多ゾーンヒータ付きセラミックヒータについて、より精度良く温度調節を行う等の目的で、セラミック基板の内部に、厚み方向に2層の発熱体を配置したセラミックヒータが開発されている。   Further, in recent years, a ceramic heater in which two layers of heating elements are arranged in the thickness direction inside the ceramic substrate has been developed for the purpose of adjusting the temperature more accurately with respect to the ceramic heater with a multi-zone heater. .

この2層タイプのセラミックヒータでは、搭載面側に発熱量の小さな発熱体からなるサブヒータを配置し、その反対面側に発熱量の大きな発熱体からなるメインヒータを配置した構造が考えられる。   In this two-layer type ceramic heater, a structure in which a sub-heater made of a heating element having a small heat generation amount is arranged on the mounting surface side and a main heater made of a heating element having a large heat generation amount is arranged on the opposite surface side can be considered.

特開2005−166354号公報JP 2005-166354 A

しかしながら、上述した従来技術では、例えばセラミックヒータの平面方向における温度(面内温度)が均一になるように加熱した場合でも、例えばエッチング装置の構造などの何らかの原因により、セラミックヒータに部分的に温度差が発生することがあった。例えばセラミックヒータの平面方向において、その外周の近傍にて一部に温度が低い箇所が発生することがあった。   However, in the above-described prior art, even when the ceramic heater is heated so that the temperature in the plane direction (in-plane temperature) is uniform, for example, due to some cause such as the structure of the etching apparatus, the ceramic heater is partially heated. Differences sometimes occurred. For example, in the planar direction of the ceramic heater, a portion having a low temperature may occur in the vicinity of the outer periphery thereof.

このようにセラミックヒータに温度差が生じる場合には、サブヒータを制御して均熱化
を図ることが考えられるが、サブヒータの発熱量はメインヒータの発熱量に比べて小さいため(例えば10分の1程度)、その温度差を解消することは容易ではない。
When a temperature difference occurs in the ceramic heater as described above, it is conceivable to control the sub heater so as to achieve a uniform temperature. However, the heat value of the sub heater is smaller than the heat value of the main heater (for example, 10 minutes). It is not easy to eliminate the temperature difference.

つまり、サブヒータを用いた場合でも、メインヒータの加熱部分における温度の変化に対応することは容易ではない。
本発明は、前記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、加熱部材の平面方向における温度分布の均一化等の温度調節を容易に行うことができる加熱部材及び静電チャックを提供することにある。
That is, even when the sub-heater is used, it is not easy to cope with the temperature change in the heated portion of the main heater.
The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a heating member and an electrostatic chuck capable of easily performing temperature adjustment such as uniform temperature distribution in the planar direction of the heating member. There is.

(1)本発明の第1局面は、被加工物が搭載される第1の主面と第1の主面の反対側の第2の主面とを有するとともに、電気絶縁性を有する絶縁基板と、絶縁基板に配置されて通電により発熱する発熱部と、を備えるとともに、発熱部として、絶縁基板の内部に配置された第1発熱部と、第1発熱部よりも第2の主面側に配置された第2発熱部と、を備えた加熱部材に関するものである。   (1) A first aspect of the present invention includes an insulating substrate having a first main surface on which a workpiece is mounted and a second main surface opposite to the first main surface, and having electrical insulation. And a heat generating portion that is disposed on the insulating substrate and generates heat when energized. The heat generating portion includes a first heat generating portion disposed inside the insulating substrate and a second main surface side of the first heat generating portion. The heating member provided with the 2nd exothermic part arranged in.

この加熱部材は、絶縁基板を厚み方向から見た平面視で、第1発熱部及び第2発熱部は、それぞれ独立して温度調節が可能な複数の発熱体からなり、第1発熱部及び第2発熱部の複数の発熱体は、それぞれ絶縁基板の周方向に複数配置されている。しかも、第1発熱部の発熱体数は、第2発熱部の発熱体数より大である。   The heating member is a plan view of the insulating substrate as viewed from the thickness direction, and the first heat generating part and the second heat generating part are each composed of a plurality of heat generating elements capable of adjusting the temperature independently. A plurality of heat generating elements of the two heat generating parts are respectively arranged in the circumferential direction of the insulating substrate. In addition, the number of heating elements of the first heating part is larger than the number of heating elements of the second heating part.

このように、本第1局面では、第1発熱部及び第2発熱部の複数の発熱体は、それぞれ絶縁基板の周方向に複数配置されており、しかも、第1発熱部の発熱体数は第2発熱部の発熱体数より大であるので、加熱部材の平面方向における温度の均一化が容易であり、しかも、特定の箇所の温度を調節することも容易である。   Thus, in the first aspect, the plurality of heating elements of the first heating unit and the second heating unit are arranged in the circumferential direction of the insulating substrate, respectively, and the number of heating elements of the first heating unit is Since it is larger than the number of heating elements of the second heating part, it is easy to make the temperature uniform in the plane direction of the heating member, and it is also easy to adjust the temperature at a specific location.

例えば、第2発熱部の発熱体の発熱量を(第1発熱部より)多くして、加熱部材の全体の温度を速やかに均一化できる。
また、例えば、周囲の環境等の何らかの原因で、第2発熱部の一部(例えば外周部分の周方向における一部)の領域の温度が低下するような状況でも、当該領域に配置された第2発熱部の周方向の一部の発熱体(例えば第1発熱部の発熱体より発熱量の大きな発熱体)の発熱状態を制御することにより、当該領域の温度を上昇させて、加熱部材の全体の温度の均一化を図ることができる。
For example, the heat generation amount of the heating element of the second heat generating part can be increased (than the first heat generating part), and the entire temperature of the heating member can be made uniform quickly.
In addition, for example, even in a situation where the temperature of a part of the second heat generating part (for example, part of the outer peripheral part in the circumferential direction) decreases due to some cause such as the surrounding environment, the 2 By controlling the heating state of a part of the heating elements in the circumferential direction of the heating part (for example, a heating element having a larger heating amount than the heating element of the first heating part), the temperature of the region is raised, The entire temperature can be made uniform.

さらに、第1発熱部では第2発熱部よりも多くの発熱体を用いることにより、特定の位置(例えば第2発熱部の発熱体で温度調節できる領域よりも狭い加熱領域)の温度調節を精度良く行うこともできる。   In addition, the first heating unit uses more heating elements than the second heating unit, so that the temperature adjustment at a specific position (for example, a heating region narrower than the region where the temperature can be adjusted by the heating element of the second heating unit) is accurate. You can do it well.

(2)本発明の第2局面では、第1発熱部は、平面視で、同心状に区分された複数の第1環状領域にそれぞれ配置された第1環状部を有するとともに、第1環状部は絶縁基板の周方向に複数の発熱体を有している。   (2) In the second aspect of the present invention, the first heat generating portion includes a first annular portion disposed in each of a plurality of first annular regions concentrically divided in a plan view, and the first annular portion. Has a plurality of heating elements in the circumferential direction of the insulating substrate.

また、第2発熱部は、平面視で、同心状に区分された複数の第2環状領域にそれぞれ配置された第2環状部を有するとともに、第2環状部は絶縁基板の周方向に複数の発熱体を有している。   The second heat generating portion has a second annular portion arranged in each of a plurality of second annular regions concentrically divided in a plan view, and the second annular portion has a plurality of circumferential directions of the insulating substrate. Has a heating element.

本第2局面は、加熱部材の好ましい構成を例示したものである。この構成によって、第1発熱部及び第2発熱部は、径方向及び周方向において、区分された所定の領域の温度調節を容易に行うことができる。   The second aspect illustrates a preferable configuration of the heating member. With this configuration, the first heat generating portion and the second heat generating portion can easily adjust the temperature of the predetermined predetermined region in the radial direction and the circumferential direction.

(3)本発明の第3局面は、平面視で、複数の第2環状領域のうち最外周より内周側の1つの前記第2環状領域からなる第2内側環状領域と、複数の第1環状領域のうち第2内側環状領域と重なる2つ以上の第1環状領域からなる第1内側環状領域とに関するものである。   (3) According to a third aspect of the present invention, in a plan view, among the plurality of second annular regions, the second inner annular region including one second annular region on the inner peripheral side from the outermost periphery, and the plurality of first annular regions. The present invention relates to a first inner annular region composed of two or more first annular regions overlapping with a second inner annular region in the annular region.

この加熱部材は、絶縁基板の径方向において、第1内側環状領域内の発熱体の配列数は、第2内側環状領域内の発熱体の配列数より多く、且つ、絶縁基板の周方向において、第1内側環状領域内の発熱体の配列数は第2内側環状領域内の発熱体の配列数より多い。   In the heating member, in the radial direction of the insulating substrate, the number of heating elements in the first inner annular region is greater than the number of heating elements in the second inner annular region, and in the circumferential direction of the insulating substrate, The number of heating elements in the first inner annular region is greater than the number of heating elements in the second inner annular region.

本第3局面では、第1内側環状領域内の発熱体の配列数は、径方向及び周方向の両方向とも、第2内側環状領域内の発熱体の配列数より多いので、第1内側環状領域内の多くの発熱体により、小さな領域毎に精度良く温度調節ができる。   In the third aspect, the number of heating elements in the first inner annular region is larger than the number of heating elements in the second inner annular region in both the radial direction and the circumferential direction. With many of the heating elements, the temperature can be accurately adjusted for each small area.

また、第2内側環状領域内の発熱体の配列数は、径方向及び周方向の両方向とも、第1内側環状領域内の発熱体の配列数より少ないので、第2発熱部の発熱体の数を抑制でき、よって、その発熱体に接続される配線数や端子数を低減できるという利点がある。   In addition, since the number of heating elements in the second inner annular region is smaller than the number of heating elements in the first inner annular region in both the radial direction and the circumferential direction, the number of heating elements in the second heating unit is small. Therefore, there is an advantage that the number of wirings and terminals connected to the heating element can be reduced.

(4)本発明の第4局面は、平面視で、複数の第1環状領域のうち最外周の1つの第1環状領域からなる第1外側環状領域と、複数の第2環状領域のうち第1外側環状領域と重なる2つ以上の第2環状領域からなる第2外側環状領域とに関するものである。   (4) According to a fourth aspect of the present invention, in a plan view, the first outer annular region composed of one first annular region at the outermost periphery among the plurality of first annular regions and the first of the plurality of second annular regions. The present invention relates to a second outer annular region composed of two or more second annular regions overlapping one outer annular region.

この加熱部材では、絶縁基板の径方向において、第2外側環状領域内の発熱体の配列数は第1外側環状領域内の発熱体の配列数以上であり、且つ、絶縁基板の周方向において、第1外側環状領域内の発熱体の配列数は第2外側環状領域内の発熱体の配列数より多い。   In the heating member, in the radial direction of the insulating substrate, the number of heating elements in the second outer annular region is equal to or greater than the number of heating elements in the first outer annular region, and in the circumferential direction of the insulating substrate, The number of heating elements in the first outer annular region is greater than the number of heating elements in the second outer annular region.

本第4局面では、第2外側環状領域内の発熱体の配列数は、径方向にて、第1外側環状領域内の発熱体の配列数以上であり、且つ、第1外側環状領域内の発熱体の配列数は、周方向にて、第2外側環状領域内の発熱体の配列数より多いので、第1外側環状領域内の多くの発熱体により、小さな領域毎に精度良く温度調節ができる。   In the fourth aspect, the number of heating elements in the second outer annular region is greater than or equal to the number of heating elements in the first outer annular region in the radial direction, and in the first outer annular region. Since the number of heating elements arranged in the circumferential direction is larger than the number of heating elements arranged in the second outer annular region, the temperature adjustment can be accurately performed for each small region by many heating elements in the first outer annular region. it can.

しかも、第2外側環状領域内の発熱体の配列数が、径方向にて、第1外側環状領域内の発熱体の配列数より多い場合には、より小さい領域の温度制御を行うことができる。
特に、例えば第1発熱部より第2発熱部の発熱量を多くすることにより、即ち最外周に配置された第2発熱部の発熱体の発熱量を(第1発熱部より)多くすることにより、絶縁基板の外周部分の温度を容易に調節できる。
Moreover, when the number of heating elements arranged in the second outer annular region is larger than the number of heating elements arranged in the first outer annular region in the radial direction, temperature control of a smaller region can be performed. .
In particular, for example, by increasing the amount of heat generated by the second heat generating portion from that of the first heat generating portion, that is, by increasing the amount of heat generated by the heating element of the second heat generating portion disposed on the outermost periphery (than the first heat generating portion). The temperature of the outer peripheral portion of the insulating substrate can be easily adjusted.

この絶縁基板の外周部分(例えば最外周)は、外界の影響を受けやすいので、温度が変化し易いが、本第4局面では、外周部分にそのような大きな温度変化があっても、発熱量の多い第2外側環状領域内の発熱体が径方向に多く配置されていることにより、外周部分の温度を容易に所望の温度に調節することができる。   Since the outer peripheral portion (for example, the outermost periphery) of this insulating substrate is easily affected by the outside world, the temperature is likely to change. However, in this fourth aspect, even if there is such a large temperature change in the outer peripheral portion, the amount of heat generated Since many heat generating elements in the second outer annular region having a large amount are arranged in the radial direction, the temperature of the outer peripheral portion can be easily adjusted to a desired temperature.

(5)本発明の第5局面では、平面視で、第2発熱部の単位面積当たりの発熱量は、第1発熱部の単位面積当たりの発熱量より大である。
本第5局面では、第2発熱部の単位面積当たりの発熱量は、第1発熱部の単位面積当たりの発熱量より大であるので、第2発熱部により、絶縁基板(従って加熱部材)の温度を容易に所望の温度に制御できる。例えば加熱部材の平面方向における温度を容易に均一化できる。
(5) In the fifth aspect of the present invention, the heat generation amount per unit area of the second heat generating portion is larger than the heat generation amount per unit area of the first heat generating portion in plan view.
In the fifth aspect, since the heat generation amount per unit area of the second heat generating portion is larger than the heat generation amount per unit area of the first heat generating portion, the second heat generating portion causes the insulating substrate (and thus the heating member) to The temperature can be easily controlled to a desired temperature. For example, the temperature in the planar direction of the heating member can be easily made uniform.

なお、発熱量の小さな第1発熱部の(第2発熱部より数の多い)発熱体を用いて、加熱部材の平面方向における所定の領域(第2発熱部より狭い領域)の温度を精度良く調節す
ることができる。
It should be noted that the temperature of a predetermined region (region narrower than the second heat generating portion) in the plane direction of the heating member is accurately used by using the heating element of the first heat generating portion (a larger number than the second heat generating portion) having a small heat generation amount. Can be adjusted.

(6)本発明の第6局面では、加熱部材の表面に、第1発熱部に電気的に接続されて外部から電力が供給される第1端子部と、第2発熱部に電気的に接続されて外部から電力が供給される第2端子部とを備えており、第2端子部は第1端子部より大きな電力の供給が可能な端子部である。   (6) In the sixth aspect of the present invention, on the surface of the heating member, a first terminal portion that is electrically connected to the first heat generating portion and is supplied with electric power from the outside, and is electrically connected to the second heat generating portion. And a second terminal portion to which electric power is supplied from the outside. The second terminal portion is a terminal portion capable of supplying larger electric power than the first terminal portion.

本第6局面では、第2端子部に第1端子部より大きな電力を供給することにより、第2発熱部の単位面積当たりの発熱量を、第1発熱部の単位面積当たりの発熱量より大きくすることができる。   In the sixth aspect, by supplying larger electric power to the second terminal portion than the first terminal portion, the heat generation amount per unit area of the second heat generating portion is larger than the heat generation amount per unit area of the first heat generating portion. can do.

(7)本発明の第7局面は、第1〜第6局面のいずれかの加熱部材を備えるとともに、絶縁基板に静電電極を備えた静電チャックである。
本第7局面では、静電チャックは前記加熱部材を備えているので、この加熱部材によって上述した温度調節を容易に行うことができる。
(7) A seventh aspect of the present invention is an electrostatic chuck including the heating member according to any one of the first to sixth aspects and having an electrostatic electrode on an insulating substrate.
In the seventh aspect, since the electrostatic chuck includes the heating member, the above-described temperature adjustment can be easily performed by the heating member.

なお、本発明としては、下記の構成(a)〜(d)を採用することもできる。
(a)絶縁基板の内部に第1発熱部が配置され、絶縁基板の第2の主面に第2発熱部が配置されている加熱部材。
In addition, as this invention, the following structure (a)-(d) is also employable.
(A) A heating member in which the first heat generating portion is disposed inside the insulating substrate and the second heat generating portion is disposed on the second main surface of the insulating substrate.

(b)第2発熱部は、絶縁基板の厚み方向に沿って異なる位置に配置された複数の発熱体からなる加熱部材。
(c)絶縁基板は、セラミックス基板である加熱部材。
(B) A 2nd heat generating part is a heating member which consists of a several heat generating body arrange | positioned in a different position along the thickness direction of an insulated substrate.
(C) The insulating substrate is a heating member that is a ceramic substrate.

(d)絶縁基板の第2の主面側に金属板が接合されている加熱部材。
<以下に、本発明の各構成について説明する>
・前記主面とは、板材(基板)の厚み方向における端部をなす表面のことである。
(D) A heating member in which a metal plate is bonded to the second main surface side of the insulating substrate.
<Each configuration of the present invention will be described below>
-The said main surface is the surface which makes the edge part in the thickness direction of a board | plate material (board | substrate).

・静電電極は、電力を受けて発生する静電引力によって、被加工物を吸着する電極である。
・周方向とは、平面視で、加熱部材の重心の周囲を囲む方向である。例えば円盤の場合には、外周に沿った方向(円周方向)である。
An electrostatic electrode is an electrode that attracts a workpiece by electrostatic attraction generated by receiving electric power.
-A circumferential direction is a direction which surrounds the circumference | surroundings of the gravity center of a heating member by planar view. For example, in the case of a disk, it is a direction along the outer periphery (circumferential direction).

・径方向とは、平面視で、加熱部材の重心から外周に向かう方向である。例えば同心状に配置された各環状領域については、その配置方向(即ち配列された方向)である。
・「大きな電力の供給が可能な端子部」とは、供給する電力を増加させた場合に、(第1端子部に比べて)破損が生じにくい端子部(即ち第2端子部)である。
-A radial direction is a direction which goes to an outer periphery from the gravity center of a heating member by planar view. For example, for the annular regions arranged concentrically, the arrangement direction (that is, the arranged direction) is used.
The “terminal portion capable of supplying a large amount of power” is a terminal portion (that is, the second terminal portion) that is less likely to be damaged (compared to the first terminal portion) when the supplied power is increased.

・前記発熱部は、第1、第2発熱部を備えており、各発熱部は、平面視で、環状(詳しくは同心状)に配置された発熱体からなる第1、第2環状部を備えている。各環状領域(即ち第1、第2環状領域、第1、第2内側環状領域、第1、第2外側環状領域)は、平面視で、それぞれ、各環状領域に対応して環状(詳しくは同心状)に配置された発熱体を含むように区分された領域である。   The heat generating portion includes first and second heat generating portions, and each heat generating portion includes first and second annular portions made of heat generating elements arranged in an annular shape (specifically concentric) in plan view. I have. Each annular region (that is, the first and second annular regions, the first and second inner annular regions, the first and second outer annular regions) has an annular shape corresponding to each annular region in plan view (specifically, This is a region divided so as to include heating elements arranged concentrically.

・前記絶縁基板の材料としては、セラミックスや樹脂等を採用できる。
セラミックスとしては、酸化アルミニウム(アルミナ)、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム(ジルコニア)、炭化ケイ素等を主成分(セラミックス中で50質量%以上)とする材料が挙げられる。なお、前記主成分以外に、例えば希土類化合物を添加することもできる。
-Ceramics, resin, etc. can be adopted as the material of the insulating substrate.
Examples of the ceramic include a material mainly composed of aluminum oxide (alumina), aluminum nitride, zirconium oxide (zirconia), silicon carbide, or the like (50% by mass or more in the ceramic). In addition to the main component, for example, a rare earth compound may be added.

樹脂としては、ポリイミド、フッ素系樹脂等を採用できる。
・発熱部(従って発熱体)は、通電によって発熱する抵抗発熱体であり、この発熱体の材料としては、タングステン、タングステンカーバイド、モリブデン、モリブデンカーバイド、タンタル、白金等が挙げられる。
As the resin, polyimide, fluorine resin, or the like can be used.
The heating part (and hence the heating element) is a resistance heating element that generates heat when energized, and examples of the material of the heating element include tungsten, tungsten carbide, molybdenum, molybdenum carbide, tantalum, and platinum.

・端子部としては、電気の接続用部材であるコネクタの導電部分と接続される(セラミック基板上に設けられた)導電部分であり、ピン又はピンが挿入されるピン孔等の構成を採用できる。   -The terminal part is a conductive part (provided on the ceramic substrate) connected to the conductive part of the connector, which is an electrical connection member, and can adopt a configuration such as a pin or a pin hole into which the pin is inserted. .

・静電電極の材料としては、タングステン、モリブデン等が挙げられる。   -Examples of the material of the electrostatic electrode include tungsten and molybdenum.

第1実施形態の静電チャックを一部破断して示す斜視図である。It is a perspective view showing a part of the electrostatic chuck of the first embodiment. 静電チャックを厚み方向に破断し、その一部を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which fractures | ruptures an electrostatic chuck in the thickness direction and shows the part typically. 第1発熱部の加熱ゾーン、加熱領域、第1発熱体の平面方向における配置を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the arrangement | positioning in the planar direction of the heating zone of a 1st heat generating part, a heating area | region, and a 1st heat generating body. 第2発熱部の加熱ゾーン、加熱領域、第2発熱体の平面方向における配置を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the arrangement | positioning in the planar direction of the heating zone of a 2nd heat generating part, a heating area | region, and a 2nd heat generating body. 第1発熱部及び第2発熱部を重ね合わせ、セラミックヒータの厚み方向から見た(平面視の)説明図である。It is explanatory drawing (plan view) which piled up the 1st heat generating part and the 2nd heat generating part, and was seen from the thickness direction of the ceramic heater. 第1発熱部及び第2発熱部を重ね合わせ、内周側の加熱ゾーンZ1と最外周の加熱ゾーンZ2とを区別して示す説明図である。It is explanatory drawing which overlaps a 1st heat generating part and a 2nd heat generating part, and distinguishes and shows the heating zone Z1 of an inner peripheral side, and the heating zone Z2 of an outermost periphery. (a)は第1発熱部及び第2発熱部の内周側の加熱ゾーンの一部を示す説明図、(b)は(a)の加熱ゾーンのうち第1発熱部の加熱ゾーンの外周側の温度の高い状態を示す説明図、(c)は第1発熱部及び第2発熱部を重ねた場合の温度状態を示す説明図である。(A) is explanatory drawing which shows a part of heating zone of the inner peripheral side of a 1st heat generating part and a 2nd heat generating part, (b) is the outer peripheral side of the heating zone of a 1st heat generating part among the heating zones of (a). Explanatory drawing which shows the state with high temperature of this, (c) is explanatory drawing which shows the temperature state at the time of overlapping a 1st heat generating part and a 2nd heat generating part. (a)は第1発熱部及び第2発熱部の最外周の加熱ゾーンの一部を示す説明図、(b)は(a)の加熱ゾーンのうち第1発熱部の一部の加熱領域の温度の高い状態を示す説明図、(c)は第1発熱部及び第2発熱部を重ねた場合の温度状態を示す説明図である。(A) is explanatory drawing which shows a part of heating zone of the outermost periphery of a 1st heat generating part and a 2nd heat generating part, (b) is a heating region of a part of 1st heat generating part among the heating zones of (a). Explanatory drawing which shows a state with high temperature, (c) is explanatory drawing which shows a temperature state at the time of overlapping a 1st heat generating part and a 2nd heat generating part. 第1発熱部及び第2発熱部を重ね合わせ、内周側の加熱ゾーンZ1と最外周の2つの加熱ゾーンZ2とを区別して示す説明図である。It is explanatory drawing which overlaps a 1st heat generating part and a 2nd heat generating part, and distinguishes and shows the heating zone Z1 of an inner peripheral side, and two heating zones Z2 of an outermost periphery. (a)は第1発熱部及び第2発熱部の外周側の加熱ゾーンの一部を示す説明図、(b)は(a)の加熱ゾーンのうち第1発熱部及び第2発熱部の一部の範囲の温度の高い状態を示す説明図、(c)は第1発熱部及び第2発熱部を重ねた場合の温度状態を示す説明図である。(A) is explanatory drawing which shows a part of heating zone of the outer peripheral side of a 1st heat generating part and a 2nd heat generating part, (b) is one of a 1st heat generating part and a 2nd heat generating part among the heating zones of (a). Explanatory drawing which shows the state with the high temperature of the range of a part, (c) is explanatory drawing which shows the temperature state at the time of overlapping a 1st heat generating part and a 2nd heat generating part. その他の実施形態の変形例を模式的に示し、(a)は変形例1の静電チャックを厚み方向に破断して示す断面図、(b)は変形例2の静電チャックを厚み方向に破断して示す断面図、(c)は変形例3の静電チャックを厚み方向に破断して示す断面図、(d)は変形例4のセラミックヒータを厚み方向に破断して示す断面図である。The modification of other embodiment is shown typically, (a) is sectional drawing which fractures | ruptures the electrostatic chuck of modification 1 in the thickness direction, (b) is the electrostatic chuck of modification 2 in the thickness direction FIG. 7C is a cross-sectional view showing the fracture of the electrostatic chuck of Modification 3 in the thickness direction, and FIG. 8D is a cross-sectional view of the ceramic heater of Modification 4 broken in the thickness direction. is there.

[1.第1実施形態]
ここでは、第1実施形態として、例えば半導体ウェハを吸着保持できる静電チャックを例に挙げる。
[1−1.構成]
まず、第1実施形態の静電チャックの構造について説明する。
[1. First Embodiment]
Here, as the first embodiment, for example, an electrostatic chuck capable of attracting and holding a semiconductor wafer is taken as an example.
[1-1. Constitution]
First, the structure of the electrostatic chuck of the first embodiment will be described.

図1に示す様に、第1実施形態の静電チャック1は、図1の上側にて被加工物である半導体ウェハ3を吸着する装置であり、セラミックヒータ(加熱部材)5と金属ベース7と
が積層されて接着剤層9により接合されたものである。
As shown in FIG. 1, the electrostatic chuck 1 of the first embodiment is a device that adsorbs a semiconductor wafer 3 that is a workpiece on the upper side of FIG. 1, and includes a ceramic heater (heating member) 5 and a metal base 7. Are laminated and bonded by the adhesive layer 9.

なお、セラミックヒータ5の図1の上方の搭載面(上面:吸着面)が第1の主面Aであり、下面が第2の主面Bである。また、金属ベース7の上面が第3の主面Cであり、下面が第4の主面Dである。   The upper mounting surface (upper surface: adsorption surface) of the ceramic heater 5 in FIG. 1 is the first main surface A, and the lower surface is the second main surface B. Further, the upper surface of the metal base 7 is the third main surface C, and the lower surface is the fourth main surface D.

このうち、セラミックヒータ5は、円盤形状であり、吸着用電極(静電電極)11、第1発熱部13、第2発熱部15等を備えたセラミック基板(絶縁基板)17から構成されている。なお、吸着用電極11、第1発熱部13、第2発熱部15は、セラミック基板17に埋設されている。   Among these, the ceramic heater 5 has a disk shape and is composed of a ceramic substrate (insulating substrate) 17 provided with an adsorption electrode (electrostatic electrode) 11, a first heat generating portion 13, a second heat generating portion 15, and the like. . The adsorption electrode 11, the first heat generating part 13, and the second heat generating part 15 are embedded in the ceramic substrate 17.

金属ベース7は、セラミックヒータ5より大径の円盤形状であり、セラミックヒータ5と同軸に接合されている。この金属ベース7には、セラミック基板17(従って半導体ウェハ3)を冷却するために、冷却用流体(冷媒)が流される流路(冷却路)19が設けられている。なお、冷却用流体としては、例えばフッ化液又は純水等の冷却用液体などを用いることができる。   The metal base 7 has a disk shape larger in diameter than the ceramic heater 5 and is joined to the ceramic heater 5 coaxially. The metal base 7 is provided with a flow path (cooling path) 19 through which a cooling fluid (refrigerant) flows in order to cool the ceramic substrate 17 (and thus the semiconductor wafer 3). As the cooling fluid, for example, a cooling liquid such as a fluorinated liquid or pure water can be used.

また、静電チャック1には、リフトピン(図示せず)が挿入されるリフトピン孔21等が、静電チャック1を厚み方向に貫くように、複数箇所に設けられている。このリフトピン孔21は、半導体ウェハ3を冷却するために第1の主面A側に供給される冷却用ガスの流路(冷却用ガス孔)としても用いられる。   The electrostatic chuck 1 is provided with a plurality of lift pin holes 21 or the like into which lift pins (not shown) are inserted so as to penetrate the electrostatic chuck 1 in the thickness direction. The lift pin hole 21 is also used as a cooling gas flow path (cooling gas hole) supplied to the first main surface A side to cool the semiconductor wafer 3.

なお、リフトピン孔21とは別に、冷却用ガス孔(図示せず)を設けてもよい。冷却用ガスとしては、例えばヘリウムガスや窒素ガス等の不活性ガスなどを用いることができる。   In addition to the lift pin holes 21, a cooling gas hole (not shown) may be provided. As the cooling gas, for example, an inert gas such as helium gas or nitrogen gas can be used.

次に、静電チャック1の各構成について、図2に基づいて詳細に説明する。
<セラミックヒータ>
図2に模式的に示すように、セラミックヒータ5(従ってセラミック基板17)は、その第2の主面B側が、例えばインジウムからなる接着剤層9により、金属ベース7の第3の主面C側に接合されている。
Next, each configuration of the electrostatic chuck 1 will be described in detail with reference to FIG.
<Ceramic heater>
As schematically shown in FIG. 2, the ceramic heater 5 (and hence the ceramic substrate 17) has a third main surface C of the metal base 7 on the second main surface B side by an adhesive layer 9 made of indium, for example. It is joined to the side.

このセラミック基板17は、複数のセラミック層(図示せず)が積層されたものであり、アルミナを主成分とするアルミナ質焼結体である。なお、アルミナ質焼結体は、絶縁体(誘電体)である。   The ceramic substrate 17 is formed by laminating a plurality of ceramic layers (not shown), and is an alumina sintered body mainly composed of alumina. The alumina sintered body is an insulator (dielectric).

セラミック基板17の内部には、図2の上方より、後に詳述するように、吸着用電極11、第1発熱部13を構成する複数の第1発熱体23、第2発熱部15を構成する複数の第2発熱体25等が配置されている。   Inside the ceramic substrate 17, as will be described in detail later from above in FIG. 2, a plurality of first heating elements 23 and second heating parts 15 constituting the adsorption electrode 11, the first heating part 13 are configured. A plurality of second heating elements 25 and the like are arranged.

このうち、吸着用電極11は、電圧を印加する周知の電極用端子(図示せず)に電気的に接続されている。また、各発熱体23、25は、後述する内部配線等を介して、それぞれ給電用端子29及びコネクタ31に電気的に接続されている。   Among these, the adsorption electrode 11 is electrically connected to a known electrode terminal (not shown) for applying a voltage. The heating elements 23 and 25 are electrically connected to the power supply terminal 29 and the connector 31 via internal wiring and the like, which will be described later.

詳しくは、第1発熱体23は、独自に温度制御が可能なように、第1発熱体23の一端がビア33や共通の内部配線層35に接続されるとともに、他端がビア33や個別の内部配線層37に接続されている。そして、共通の内部配線層35と個別の内部配線層37は、セラミック基板17の第2の主面B側の表面に設けられた第1端子部39を介して、コネクタ31の各端子41に接続されている。   Specifically, the first heating element 23 has one end of the first heating element 23 connected to the via 33 or the common internal wiring layer 35 and the other end connected to the via 33 or individual so that the temperature can be controlled independently. The internal wiring layer 37 is connected. The common internal wiring layer 35 and the individual internal wiring layer 37 are connected to each terminal 41 of the connector 31 via the first terminal portion 39 provided on the surface of the ceramic substrate 17 on the second main surface B side. It is connected.

なお、第1端子部39は、例えば電極パッド43に接合された給電用のピン45から構成されている。
一方、第2発熱体25は、独自に温度制御が可能なように、第2発熱体25の一端がビア33や共通の内部配線層47に接続されるとともに、他端がビア33や個別の内部配線層49に接続されている。そして、共通の内部配線層47と個別の内部配線層49は、セラミック基板17の第2の主面B側の表面に設けられた第2端子部51を介して、給電用端子29に接続されている。
The first terminal portion 39 is composed of a power supply pin 45 joined to the electrode pad 43, for example.
On the other hand, the second heating element 25 has one end of the second heating element 25 connected to the via 33 or the common internal wiring layer 47 and the other end connected to the via 33 or an individual so that the temperature can be controlled independently. It is connected to the internal wiring layer 49. The common internal wiring layer 47 and the individual internal wiring layer 49 are connected to the power feeding terminal 29 via the second terminal portion 51 provided on the surface of the ceramic substrate 17 on the second main surface B side. ing.

なお、第2端子部51は、例えば電極パッド53に接合された給電用端子29等から構成されている。
ここで、後述するように、第2発熱部15(従って第2発熱体25)の発熱量は第1発熱部13(従って第1発熱体23)の発熱量より大であるので、即ち第2発熱体25は第1発熱体23より大きな電流が流れるので、第2端子部51は第1端子部39より大きな電力の供給が可能な構造(即ち電流が流れる方向に直交する断面積が大きな構造)となっている。
Note that the second terminal portion 51 includes, for example, a power feeding terminal 29 joined to the electrode pad 53.
Here, as will be described later, the amount of heat generated by the second heat generating portion 15 (and hence the second heat generating body 25) is larger than the amount of heat generated by the first heat generating portion 13 (and hence the first heat generating body 23). Since a larger current flows in the heating element 25 than in the first heating element 23, the second terminal portion 51 has a structure capable of supplying larger power than the first terminal portion 39 (that is, a structure having a large cross-sectional area perpendicular to the direction in which the current flows) ).

<金属ベース>
金属ベース7は、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる金属製である。金属ベース7には、前記冷却路19やリフトピン孔21以外に、前記電極用端子、給電用端子29、コネクタ31等が配置される貫通孔である貫通部55がそれぞれ形成されている。
<Metal base>
The metal base 7 is made of metal made of aluminum or an aluminum alloy. In addition to the cooling path 19 and the lift pin hole 21, the metal base 7 is formed with a through portion 55 that is a through hole in which the electrode terminal, the power supply terminal 29, the connector 31 and the like are disposed.

なお、静電チャック1の第4の主面D側には、給電用端子29やコネクタ31等を収容するために、第4の主面Dからセラミックヒータ5の内部に到るような内部孔57が複数設けられており、金属ベース7の貫通部55は、この内部孔57の一部を構成している。   Note that an internal hole extending from the fourth main surface D to the inside of the ceramic heater 5 is provided on the fourth main surface D side of the electrostatic chuck 1 so as to accommodate the power supply terminal 29, the connector 31, and the like. A plurality of 57 are provided, and the penetrating portion 55 of the metal base 7 constitutes a part of the internal hole 57.

また、電極用端子や給電用端子29を収容する内部孔57には、各端子29の外周を囲むように、電気絶縁性を有する絶縁筒59が配置されている。
なお、コネクタ31は、そのまま(コネクタ31用の)内部孔57に収容されている。
In addition, in the inner hole 57 that accommodates the electrode terminal and the power feeding terminal 29, an insulating cylinder 59 having electrical insulation is disposed so as to surround the outer periphery of each terminal 29.
The connector 31 is accommodated in the internal hole 57 (for the connector 31) as it is.

<吸着用電極>
吸着用電極11は、例えば平面形状が円形の電極から構成されている。この吸着用電極11とは、静電チャック1を使用する場合には、直流高電圧が印加され、これにより、半導体ウェハ3を吸着する静電引力(吸着力)を発生させ、この吸着力を用いて半導体ウェハ3を吸着して固定するものである。なお、吸着用電極11については、これ以外に、周知の各種の構成(単極性や双極性の電極など)を採用できる。なお、吸着用電極11は、例えばタングステン等の導電材料からなる。
[1−2.第1発熱部及び第2発熱部]
次に、第1発熱部13及び第2発熱部15の構成について説明する。
<Adsorption electrode>
The adsorption electrode 11 is composed of, for example, an electrode having a circular planar shape. When the electrostatic chuck 1 is used, a DC high voltage is applied to the adsorption electrode 11, thereby generating an electrostatic attractive force (adsorption force) for adsorbing the semiconductor wafer 3. It is used to adsorb and fix the semiconductor wafer 3. In addition to the above, various known configurations (monopolar or bipolar electrodes, etc.) can be employed for the adsorption electrode 11. The adsorption electrode 11 is made of a conductive material such as tungsten.
[1-2. First heating part and second heating part]
Next, the structure of the 1st heat generating part 13 and the 2nd heat generating part 15 is demonstrated.

第2発熱部15は、第1発熱部13より発熱量の大きなメインヒータであり、第1発熱部13はサブヒータである。ここで発熱量が大きいとは、第1発熱部13と第2発熱部15との発熱量を全体で比較したものであり、(平面視での)単位面積当たりの発熱量についても、第2発熱部15の第2発熱体25の発熱量は、第1発熱部13の第1発熱体23の発熱量よりも大きい。   The second heat generating unit 15 is a main heater that generates a larger amount of heat than the first heat generating unit 13, and the first heat generating unit 13 is a sub-heater. Here, the large amount of heat generation is a comparison of the heat generation amounts of the first heat generation unit 13 and the second heat generation unit 15 as a whole, and the heat generation amount per unit area (in plan view) is also the second. The amount of heat generated by the second heating element 25 of the heating unit 15 is greater than the amount of heat generated by the first heating element 23 of the first heating unit 13.

なお、第1、第2発熱体23、25は、電圧が印加されて電流が流れると発熱する金属材料(タングステン等)からなる抵抗発熱体である。
図2に示すように、第1発熱部13の各第1発熱体23は、吸着用電極11より第2の主面B側(図2の下方)にて、同一平面(第1平面H1:図3参照)上に配置されている。
The first and second heating elements 23 and 25 are resistance heating elements made of a metal material (such as tungsten) that generates heat when voltage is applied and current flows.
As shown in FIG. 2, each first heating element 23 of the first heating unit 13 is on the same plane (first plane H <b> 1) on the second main surface B side (downward in FIG. 2) from the adsorption electrode 11. (See FIG. 3).

一方、第2発熱部15の各第2発熱体25は、第1発熱部13と第2の主面Bとの間にて、同一平面(第2平面H2:図4参照)上に配置されている。
従って、第1発熱部13と第2発熱部15とは、セラミック基板17(従って静電チャック1)の厚み方向から見た平面視で、重ね合されるように配置されている。以下、詳細に説明する。
On the other hand, each 2nd heat generating body 25 of the 2nd heat generating part 15 is arrange | positioned on the same plane (2nd plane H2: refer FIG. 4) between the 1st heat generating part 13 and the 2nd main surface B. FIG. ing.
Accordingly, the first heat generating portion 13 and the second heat generating portion 15 are arranged so as to be overlapped in a plan view as viewed from the thickness direction of the ceramic substrate 17 (and hence the electrostatic chuck 1). Details will be described below.

<第1発熱部>
まず、第1平面H1上における第1発熱部13の複数の第1発熱体23の配置を説明する。
<First heating part>
First, the arrangement of the plurality of first heating elements 23 of the first heating unit 13 on the first plane H1 will be described.

図3に示すように、セラミック基板17には、第1平面H1における各領域をそれぞれ加熱(従って温度調節)できるように、平面視で、同心状に複数の加熱ゾーン(第1環状領域)61が設けられている。そして、各加熱ゾーン61には、それぞれ1又は複数の加熱領域63が設定されている。   As shown in FIG. 3, the ceramic substrate 17 has a plurality of heating zones (first annular regions) 61 concentrically in plan view so that each region in the first plane H1 can be heated (accordingly, temperature adjustment). Is provided. In each heating zone 61, one or a plurality of heating regions 63 are set.

具体的には、セラミック基板17に設けられた加熱ゾーン61は、軸中心を含む1つの円形の第1加熱ゾーン61aと、第1加熱ゾーン61aの外周側を帯状に囲む円環状の第2加熱ゾーン61bと、第2加熱ゾーン61bの外周側を帯状に囲む円環状の第3加熱ゾーン61cと、第3加熱ゾーン61cの外周側を帯状に囲む円環状の第4加熱ゾーン61dと、第4加熱ゾーン61dの外周側を帯状に囲む円環状の第5加熱ゾーン61eと、第5加熱ゾーン61eの外周側を帯状に囲む円環状の第6加熱ゾーン61fと、第6加熱ゾーン61fの外周側を帯状に囲む円環状の第7加熱ゾーン61gとから構成されている。   Specifically, the heating zone 61 provided in the ceramic substrate 17 includes one circular first heating zone 61a including the axial center and an annular second heating that surrounds the outer periphery of the first heating zone 61a in a band shape. A zone 61b, an annular third heating zone 61c surrounding the outer peripheral side of the second heating zone 61b in a strip shape, an annular fourth heating zone 61d surrounding the outer peripheral side of the third heating zone 61c in a strip shape, and a fourth An annular fifth heating zone 61e surrounding the outer peripheral side of the heating zone 61d in a strip shape, an annular sixth heating zone 61f surrounding the outer peripheral side of the fifth heating zone 61e in a strip shape, and an outer peripheral side of the sixth heating zone 61f Is formed in an annular seventh heating zone 61g surrounding the belt.

つまり、加熱ゾーン61は、同心状に配置された7つの第1〜第7加熱ゾーン61a〜61gから構成されている。
また、第2加熱ゾーン61bは、同じ中心角(等ピッチ)となるように、8つの加熱領域63に区分され、第3加熱ゾーン61cは、等ピッチで、18つの加熱領域63に区分され、第4加熱ゾーン61dは、等ピッチで、18つの加熱領域63に区分され、第5加熱ゾーン61eは、等ピッチで、30の加熱領域63に区分され、第6加熱ゾーン61fは、等ピッチで、30の加熱領域63に区分され、第7加熱ゾーン61gは、等ピッチで、36の加熱領域63に区分されている。従って、各加熱領域63の形状は、円形又は湾曲した所定幅の円弧状の領域となっている。
That is, the heating zone 61 is composed of seven first to seventh heating zones 61a to 61g arranged concentrically.
The second heating zone 61b is divided into eight heating regions 63 so as to have the same central angle (equal pitch), and the third heating zone 61c is divided into eighteen heating regions 63 at an equal pitch, The fourth heating zone 61d is divided into 18 heating regions 63 at an equal pitch, the fifth heating zone 61e is divided into 30 heating regions 63 at an equal pitch, and the sixth heating zone 61f is arranged at an equal pitch. The seventh heating zone 61g is divided into 36 heating regions 63 at an equal pitch. Therefore, the shape of each heating region 63 is a circular or curved arc-shaped region having a predetermined width.

そして、(単一の加熱領域63からなる)第1加熱ゾーン61aと、第2〜第7加熱ゾーン61b〜61gの各加熱領域63とには、それぞれ1つの第1発熱体23が配置されている。なお、第2〜第7加熱ゾーン61b〜61g毎の複数の第1発熱体23により、第1環状部24が構成されている。   One first heating element 23 is disposed in each of the first heating zone 61a (consisting of a single heating region 63) and each heating region 63 of the second to seventh heating zones 61b to 61g. Yes. In addition, the 1st annular part 24 is comprised by the some 1st heat generating body 23 for every 2nd-7th heating zones 61b-61g.

各第1発熱体23は、長尺の発熱ラインからなり、各加熱領域63の形状に合わせて、例えばU字状に形成されている。詳しくは、各第1発熱体23は、各加熱領域63の内周や外周の湾曲に沿うように湾曲した形状を有するとともに、周方向の一端にてU字状に曲がっている。なお、第1加熱ゾーン61aの第1発熱体23は、円形の形状に合わせて、長尺の発熱パターンが(一部が切り欠かかれた)円形となっている。   Each first heating element 23 is composed of a long heating line, and is formed in, for example, a U shape in accordance with the shape of each heating region 63. Specifically, each first heating element 23 has a curved shape so as to follow the inner circumference and the outer circumference of each heating region 63, and is bent in a U shape at one end in the circumferential direction. In addition, the 1st heat generating body 23 of the 1st heating zone 61a is a circular (a part was notched) long elongate heating pattern according to the circular shape.

なお、図3では枠状の各加熱領域63の境界を実線で示しており、各加熱領域63の枠内に配置された各第1発熱体23も実線で示している。また、全ての加熱領域63には、それぞれ一つの第1発熱体23が配置されているが、各加熱ゾーン61b〜61gにおいて、周方向に配置される第1発熱体23の形状(平面形状)は同じであるので、図3では一部のみを示している。   In FIG. 3, the boundaries of the frame-shaped heating regions 63 are indicated by solid lines, and the first heating elements 23 arranged in the frames of the heating regions 63 are also indicated by solid lines. In addition, one heating element 23 is arranged in each heating region 63, but the shape (planar shape) of the first heating element 23 arranged in the circumferential direction in each of the heating zones 61b to 61g. Are the same, only a part is shown in FIG.

<第2発熱部>
次に、第2平面H2上における第2発熱部15の複数の第2発熱体25の配置を説明する。
<Second heating part>
Next, the arrangement of the plurality of second heating elements 25 of the second heating unit 15 on the second plane H2 will be described.

図4に示すように、セラミック基板17には、第2平面H2における各領域をそれぞれ加熱(従って温度調節)できるように、平面視で、同心状に複数の加熱ゾーン(即ち第2環状領域)71が設けられている。そして、各加熱ゾーン71には、それぞれ1又は複数の加熱領域73が設定されている。   As shown in FIG. 4, the ceramic substrate 17 has a plurality of concentric heating zones (that is, second annular regions) in a plan view so that each region in the second plane H2 can be heated (accordingly, temperature adjustment). 71 is provided. In each heating zone 71, one or a plurality of heating regions 73 are set.

具体的には、セラミック基板17に設けられた加熱ゾーン71は、軸中心を含む1つの円形の第1加熱ゾーン71aと、第1加熱ゾーン71aの外周側を帯状に囲む円環状の第2加熱ゾーン71bと、第2加熱ゾーン71bの外周側を帯状に囲む円環状の第3加熱ゾーン71cと、第3加熱ゾーン71cの外周側を帯状に囲む円環状の第4加熱ゾーン71dとから構成されている。   Specifically, the heating zone 71 provided in the ceramic substrate 17 includes one circular first heating zone 71a including the axial center and an annular second heating that surrounds the outer periphery of the first heating zone 71a in a band shape. The zone 71b, an annular third heating zone 71c surrounding the outer periphery of the second heating zone 71b in a strip shape, and an annular fourth heating zone 71d surrounding the outer periphery of the third heating zone 71c in a strip shape. ing.

つまり、加熱ゾーン71は、同心状に配置された4つの第1〜第4加熱ゾーン71a〜71dから構成されている。
また、第2加熱ゾーン71bは、同じ中心角(等ピッチ)となるように、3つの加熱領域73に区分され、第3加熱ゾーン71cは、等ピッチで、6つの加熱領域73に区分され、第4加熱ゾーン71dは、等ピッチで、9の加熱領域73に区分されている。従って、各加熱領域73の形状は、円形又は湾曲した所定幅の円弧状の領域となっている。
That is, the heating zone 71 is composed of four first to fourth heating zones 71a to 71d arranged concentrically.
The second heating zone 71b is divided into three heating regions 73 so as to have the same central angle (equal pitch), and the third heating zone 71c is divided into six heating regions 73 at equal pitches, The fourth heating zone 71d is divided into nine heating regions 73 at an equal pitch. Therefore, the shape of each heating region 73 is a circular or curved arc-shaped region having a predetermined width.

そして、単一の加熱領域73である第1加熱ゾーン71aと、第2〜第4加熱ゾーン71b〜71dの加熱領域73には、それぞれ1つの第2発熱体25が配置されている。なお、第2〜第4加熱ゾーン71b〜71d毎の複数の第2発熱体25により、第2環状部26が構成されている。   One second heating element 25 is arranged in each of the first heating zone 71a, which is a single heating region 73, and the heating regions 73 of the second to fourth heating zones 71b to 71d. In addition, the 2nd annular part 26 is comprised by the several 2nd heat generating body 25 for every 2nd-4th heating zones 71b-71d.

各第2発熱体25は、長尺の発熱ラインからなり、各加熱領域73の形状に合わせて、例えばU字状に形成されている。詳しくは、各第2発熱体25は、各加熱領域73の内周や外周の湾曲に沿うように湾曲した形状を有するとともに、周方向の一端にてU字状に曲がっている。なお、第1加熱ゾーン71aの第2発熱体25は、円形の形状に合わせて、長尺の発熱パターンが(一部が切り欠かかれた)円形となっている。   Each 2nd heat generating body 25 consists of an elongate heat generating line, and is formed in the U shape according to the shape of each heating area | region 73, for example. Specifically, each second heating element 25 has a curved shape so as to follow the inner circumference and the outer circumference of each heating region 73, and is bent in a U shape at one end in the circumferential direction. In addition, the 2nd heat generating body 25 of the 1st heating zone 71a is a circular (a part was notched) long elongate heat generating pattern according to circular shape.

なお、図4では枠状の各加熱領域73の境界を実線で示しており、各加熱領域73の枠内に配置された各第2発熱体25も実線で示している。また、全ての加熱領域73には、それぞれ一つの第2発熱体25が配置されている。
[1−3.第1発熱部及び第2発熱部の積層構造]
次に、第1発熱部13及び第2発熱部15を重ね合わせた構成について説明する。
In FIG. 4, the boundaries of the frame-shaped heating regions 73 are indicated by solid lines, and the second heating elements 25 disposed in the frames of the heating regions 73 are also indicated by solid lines. Further, one second heating element 25 is disposed in each heating region 73.
[1-3. Laminated structure of first heat generating part and second heat generating part]
Next, a configuration in which the first heat generating unit 13 and the second heat generating unit 15 are overlapped will be described.

図5に示すように、平面視で、第1発熱部13に対応した加熱ゾーン61と第2発熱部15に対応した加熱ゾーン71とは、重なるように配置されている。なお、図5では、細線にて、第1発熱部13の加熱領域63の境界を示し、太線にて、第2発熱部15の加熱領域73の境界を示している(なお、加熱領域73の境界は、加熱領域63の境界も兼ねている)。   As shown in FIG. 5, the heating zone 61 corresponding to the first heat generating unit 13 and the heating zone 71 corresponding to the second heat generating unit 15 are arranged so as to overlap in plan view. In FIG. 5, a thin line indicates the boundary of the heating region 63 of the first heat generating unit 13, and a thick line indicates the boundary of the heating region 73 of the second heat generating unit 15 (note that the heating region 73 The boundary also serves as the boundary of the heating region 63).

つまり、第1発熱部13の第1加熱ゾーン61a及び第2加熱ゾーン61bと、第2発熱部15の第1加熱ゾーン71aとが、完全に重なっている。
第1発熱部13の第3加熱ゾーン61c及び第4加熱ゾーン61dと、第2発熱部15の第2加熱ゾーン71bとが、完全に重なっている。
That is, the first heating zone 61a and the second heating zone 61b of the first heat generating unit 13 and the first heating zone 71a of the second heat generating unit 15 completely overlap.
The 3rd heating zone 61c and the 4th heating zone 61d of the 1st exothermic part 13 and the 2nd heating zone 71b of the 2nd exothermic part 15 have overlapped completely.

第1発熱部13の第5加熱ゾーン61e及び第6加熱ゾーン61f(第1内側環状領域)と、第2発熱部15の第3加熱ゾーン71c(第2内側環状領域)とが、完全に重なっている。   The fifth heating zone 61e and the sixth heating zone 61f (first inner annular region) of the first heating unit 13 and the third heating zone 71c (second inner annular region) of the second heating unit 15 completely overlap. ing.

第1発熱部13の第7加熱ゾーン61gと、第2発熱部15の第4加熱ゾーン71dとが、完全に重なっている。
なお、図5から明らかなように、第1発熱部13における加熱ゾーンの数(従って第1発熱体23の数)は、第2発熱部15における加熱ゾーンの数(従って第2発熱体25の数)より多い。
[1−4.第1発熱部及び第2発熱部の温度制御]
本第1実施形態では、第1発熱部13及び第2発熱部15の内周側の加熱ゾーンZ1と外周側(即ち最外周)の加熱ゾーンZ2とでは、異なる温度制御を行うことができるので、この温度制御について説明する。
The 7th heating zone 61g of the 1st exothermic part 13 and the 4th heating zone 71d of the 2nd exothermic part 15 have overlapped completely.
As can be seen from FIG. 5, the number of heating zones in the first heat generating section 13 (and hence the number of first heating elements 23) is equal to the number of heating zones in the second heat generating section 15 (and hence the number of second heating elements 25). Number) more.
[1-4. Temperature control of first heat generating part and second heat generating part]
In the first embodiment, different temperature control can be performed in the heating zone Z1 on the inner peripheral side and the heating zone Z2 on the outer peripheral side (that is, the outermost periphery) of the first heat generating unit 13 and the second heat generating unit 15. This temperature control will be described.

<内周側の温度制御>
ここで内周側の加熱ゾーンZ1とは、図6の灰色部分に示すように、最外周の加熱ゾーンZ2より内側の加熱ゾーンのことである。
<Temperature control on the inner circumference>
Here, the inner heating zone Z1 is a heating zone inside the outermost heating zone Z2, as shown in the gray portion of FIG.

詳しくは、内周側の加熱ゾーンZ1とは、第1発熱部13では、第1〜第6加熱ゾーン61a〜61fのことであり、第2発熱部15では、第1〜第3加熱ゾーン71a〜71cのことである。   Specifically, the heating zone Z1 on the inner peripheral side is the first to sixth heating zones 61a to 61f in the first heating unit 13, and the first to third heating zones 71a in the second heating unit 15. It is -71c.

なお、内周側の加熱ゾーンZ1としては、そのうちの一部を用いることができる。例えば、第2発熱部15で示す場合には、その第1〜第3加熱ゾーン71a〜71cのうちの少なくとも1つのゾーンを採用できる。   A part of the inner heating zone Z1 can be used. For example, in the case of the second heat generating part 15, at least one of the first to third heating zones 71a to 71c can be adopted.

以下、内周側の加熱ゾーンZ1の温度制御について詳細に説明する。
ここでは、例えば図7に示すように、重なり合う任意の加熱ゾーンを例に挙げて説明する。なお、図7では、重なり合う加熱ゾーンの一部を直線状に配置して示している。
Hereinafter, the temperature control of the heating zone Z1 on the inner peripheral side will be described in detail.
Here, for example, as shown in FIG. 7, an arbitrary heating zone that overlaps will be described as an example. In FIG. 7, a part of the overlapping heating zones is shown linearly.

例えば図7(a)に示すように、第1発熱部13の(第1内側環状領域である)第5加熱ゾーン61e及び第6加熱ゾーン61fと、第2発熱部15の(第2内側環状領域である)第3加熱ゾーン71cとが重なり合う場合を考える。   For example, as shown in FIG. 7A, the fifth heating zone 61e and the sixth heating zone 61f (which are the first inner annular region) of the first heat generating portion 13 and the (second inner annular shape) of the second heat generating portion 15 are provided. Consider a case where the third heating zone 71c (which is a region) overlaps.

そして、例えば、図7(b)に示すように、第2発熱部15の第3加熱ゾーン71cの温度が同じ状態の場合に、第1発熱部13の第6加熱ゾーン61fの温度が第5加熱ゾーン61eの温度より高くなるように、第1発熱体23に印加する電力を制御する。即ち、温度H>温度Lとする。   For example, as shown in FIG. 7B, when the temperature of the third heating zone 71 c of the second heat generating unit 15 is the same, the temperature of the sixth heating zone 61 f of the first heat generating unit 13 is the fifth. The power applied to the first heating element 23 is controlled so as to be higher than the temperature of the heating zone 61e. That is, temperature H> temperature L.

その結果、図7(c)に示すように、重ね合わさった領域(従ってセラミックヒータ5の平面方向)においても、第1発熱部13の第6加熱ゾーン61fに対応する部分の温度が、第5加熱ゾーン61eに対応する部分の温度より高くなる。   As a result, as shown in FIG. 7C, the temperature of the portion corresponding to the sixth heating zone 61f of the first heat generating portion 13 is also the fifth in the overlapped region (and hence the planar direction of the ceramic heater 5). It becomes higher than the temperature of the part corresponding to the heating zone 61e.

これによって、セラミックヒータ5の内周側の加熱ゾーンZ1においては、第1発熱部13の各加熱ゾーン61a〜61g毎に細かく温度制御ができることが分かる。
て、
<外周側の温度制御>
次に、図6に示す外周側(即ち最外周)の加熱ゾーンZ2の温度制御について説明する。
Accordingly, it can be seen that in the heating zone Z1 on the inner peripheral side of the ceramic heater 5, the temperature can be finely controlled for each of the heating zones 61a to 61g of the first heat generating portion 13.
And
<Temperature control on the outer circumference>
Next, the temperature control of the heating zone Z2 on the outer peripheral side (that is, the outermost peripheral) shown in FIG.

ここで、最外周の加熱ゾーンZ2とは、図8(a)に示すように、第1発熱部13では、第7加熱ゾーン61gのことであり、第2発熱部15では、第4加熱ゾーン71dのことである。   Here, as shown in FIG. 8A, the outermost heating zone Z2 is the seventh heating zone 61g in the first heating unit 13, and the fourth heating zone in the second heating unit 15. It is 71d.

例えば、図8(b)に示すように、第2発熱部15の第4加熱ゾーン71dの温度が同じ状態の場合に、第1発熱部13の第7加熱ゾーン61gのいくつかの加熱領域73(図8(b)のハッチング部分)の温度が、他の加熱領域73の温度より高くなるように、第1発熱体23に印加する電力を制御する。即ち、温度H>温度Lとする。   For example, as shown in FIG. 8B, when the temperature of the fourth heating zone 71d of the second heat generating unit 15 is the same, several heating regions 73 of the seventh heating zone 61g of the first heat generating unit 13 are provided. The power applied to the first heating element 23 is controlled so that the temperature of the hatched portion (FIG. 8B) is higher than the temperature of the other heating region 73. That is, temperature H> temperature L.

その結果、図8(c)に示すように、重ね合わさった領域においても、第1発熱部13の第7加熱ゾーン71gのいくつかの加熱領域73に対応する部分の温度が、他の加熱領域73に対応する部分の温度より高くなる。   As a result, as shown in FIG. 8C, even in the overlapped region, the temperatures of the portions corresponding to some heating regions 73 of the seventh heating zone 71g of the first heat generating unit 13 are in other heating regions. It becomes higher than the temperature of the part corresponding to 73.

これによって、セラミックヒータ5の最外周の加熱ゾーンZ2においては、第1発熱部13の各加熱領域73毎に細かく温度制御ができることが分かる。
[1−5.製造方法]
次に、本第1実施形態の静電チャック1の製造方法について、簡単に説明する。
Thereby, it can be seen that in the outermost heating zone Z <b> 2 of the ceramic heater 5, the temperature can be finely controlled for each heating region 73 of the first heat generating portion 13.
[1-5. Production method]
Next, a method for manufacturing the electrostatic chuck 1 of the first embodiment will be briefly described.

(1)セラミック基板17の原料として、主成分であるAl:92重量%、MgO:1重量%、CaO:1重量%、SiO:6重量%の各粉末を混合して、ボールミルで、50〜80時間湿式粉砕した後、脱水乾燥する。 (1) As a raw material of the ceramic substrate 17, the main components of Al 2 O 3 : 92 wt%, MgO: 1 wt%, CaO: 1 wt%, and SiO 2 : 6 wt% are mixed to form a ball mill. Then, after wet grinding for 50 to 80 hours, dehydrated and dried.

(2)次に、この粉末に溶剤等を加え、ボールミルで混合して、スラリーとする。
(3)次に、このスラリーを、減圧脱泡後平板状に流し出して徐冷し、溶剤を発散させて、(各セラミック層に対応する)各アルミナグリーンシートを形成する。
(2) Next, a solvent or the like is added to the powder and mixed with a ball mill to form a slurry.
(3) Next, this slurry is degassed under reduced pressure, and then poured into a flat plate shape and gradually cooled, and the solvent is diffused to form each alumina green sheet (corresponding to each ceramic layer).

そして、各アルミナグリーンシートに対して、リフトピン孔21や内部孔57などとなる空間、更にはビア33となるスルーホールを、必要箇所に開ける。
(4)また、前記アルミナグリーンシート用の原料粉末中にタングステン粉末を混ぜて、スラリー状にして、メタライズインクとする。
Then, for each alumina green sheet, a space that becomes the lift pin hole 21 and the internal hole 57 and a through hole that becomes the via 33 are opened at a necessary place.
(4) Further, a tungsten powder is mixed in the raw material powder for the alumina green sheet to form a slurry to obtain a metallized ink.

(5)そして、吸着用電極11、各発熱体23、25、各内部配線層35、37、47、49等を形成するために、前記メタライズインクを用いて、吸着用電極11、各発熱体23、25、各内部配線層35、37、47、49の形成箇所に対応したアルミナグリーンシート上に、通常のスクリーン印刷法により、各パターンを印刷する。なお、ビア33を形成するために、スルーホールに対して、メタライズインクを充填する。   (5) Then, in order to form the adsorption electrode 11, each heating element 23, 25, each internal wiring layer 35, 37, 47, 49, etc., the adsorption electrode 11, each heating element is formed using the metallized ink. Each pattern is printed by an ordinary screen printing method on the alumina green sheet corresponding to the locations where the inner wiring layers 35, 37, 47, and 49 are formed. In order to form the via 33, the through hole is filled with metallized ink.

(6)次に、各アルミナグリーンシートを、リフトピン孔21等の必要な空間が形成されるように位置合わせして、熱圧着し、積層シートを形成する。
(7)次に、熱圧着した各積層シートを、それぞれ所定の形状(即ち円板形状)にカットする。
(6) Next, the alumina green sheets are aligned so that necessary spaces such as lift pin holes 21 are formed, and thermocompression-bonded to form a laminated sheet.
(7) Next, each thermocompression-bonded laminated sheet is cut into a predetermined shape (that is, a disc shape).

(8)次に、カットした各積層シートを、還元雰囲気にて、1400〜1600℃の範囲(例えば、1550℃)にて5時間焼成(本焼成)し、各アルミナ質焼結体を作製する。
(9)そして、焼成後に、各アルミナ焼結体に対して、例えば第1の主面A側の加工など必要な加工を行って、セラミック基板17を作製する。
(8) Next, each cut laminated sheet is fired in a reducing atmosphere in the range of 1400 to 1600 ° C. (for example, 1550 ° C.) for 5 hours (main firing) to produce each alumina sintered body. .
(9) After firing, necessary processing such as processing on the first main surface A side is performed on each alumina sintered body to produce the ceramic substrate 17.

(10)次に、セラミック基板17の必要箇所に、電極パッド43、53を形成する。
(11)次に、例えば電極パッド43にピン45をろう付けする。また、電極パッド53に
給電用端子29の上部をろう付けする。
(10) Next, electrode pads 43 and 53 are formed on the necessary portions of the ceramic substrate 17.
(11) Next, for example, the pins 45 are brazed to the electrode pads 43. Further, the upper portion of the power supply terminal 29 is brazed to the electrode pad 53.

(12)これとは別に、金属ベース7を製造する。具体的には、金属板に対して切削加工等を行うことにより、内部孔57等を備えた金属ベース7を形成する。なお、内部孔57には絶縁筒59を配置する。   (12) Separately, the metal base 7 is manufactured. Specifically, the metal base 7 provided with the internal holes 57 and the like is formed by cutting the metal plate. An insulating cylinder 59 is disposed in the internal hole 57.

(13)次に、金属ベース7とセラミック基板17とを接合して一体化する。
(14)次に、各内部孔57に対応して、コネクタ31や給電用端子29を配置して、静電チャック1を完成する。
[1−6.効果]
次に、本第1実施形態の効果について説明する。
(13) Next, the metal base 7 and the ceramic substrate 17 are joined and integrated.
(14) Next, the connector 31 and the power feeding terminal 29 are arranged corresponding to each internal hole 57 to complete the electrostatic chuck 1.
[1-6. effect]
Next, the effect of the first embodiment will be described.

・第1実施形態では、第1発熱部13の第1発熱体23及び第2発熱部15の第2発熱体25は、それぞれセラミック基板17の周方向に複数配置されている部分を有しており、しかも、第1発熱体23の数は第2発熱体25の数より大である。そのため、セラミックヒータ5(従って静電チャック1)の平面方向における温度の均一化が容易であり、しかも、特定の箇所の温度を調節することも容易である。   In the first embodiment, the first heating element 23 of the first heating unit 13 and the second heating element 25 of the second heating unit 15 each have a plurality of portions arranged in the circumferential direction of the ceramic substrate 17. In addition, the number of first heating elements 23 is larger than the number of second heating elements 25. Therefore, it is easy to make the temperature uniform in the plane direction of the ceramic heater 5 (and hence the electrostatic chuck 1), and it is also easy to adjust the temperature at a specific location.

従って、例えば発熱量の大きなメインヒータである第2発熱部15を用いて、セラミックヒータ5の全体の温度を速やかに均一化できる。
また、例えば、周囲の環境等の何らかの原因で、第2発熱部15の一部(例えば外周部分の周方向における一部)の領域の温度が低下するような状況でも、当該領域に配置された第2発熱部15の周方向の一部の第2発熱体25の発熱状態を制御することにより、当該領域の温度を上昇させて、セラミックヒータ5の全体の温度の均一化を図ることができる。
Therefore, for example, the entire temperature of the ceramic heater 5 can be quickly made uniform by using the second heat generating portion 15 which is a main heater having a large heat generation amount.
In addition, for example, even in a situation where the temperature of a part of the second heat generating unit 15 (for example, part of the outer peripheral part in the circumferential direction) decreases due to some cause such as the surrounding environment, it is arranged in that area. By controlling the heat generation state of a part of the second heat generating element 25 in the circumferential direction of the second heat generating portion 15, the temperature of the region can be raised and the temperature of the entire ceramic heater 5 can be made uniform. .

さらに、第1発熱部13では第2発熱部15よりも多くの発熱体を用いることにより、第2発熱部15の第2発熱体25で温度調節できる領域よりも狭い領域の温度調節を精度良く行うこともできる。   Furthermore, the first heat generating unit 13 uses more heat generating elements than the second heat generating unit 15, thereby accurately adjusting the temperature in a region narrower than the region where the temperature can be adjusted by the second heat generating unit 25 of the second heat generating unit 15. It can also be done.

・第1実施形態では、第1発熱部13は、平面視で、同心状に区分された複数の加熱ゾーン61にそれぞれ配置された第1環状部24を有するとともに、第1環状部24はセラミック基板17の周方向に複数の第1発熱体23を有している。さらに、第2発熱部15は、平面視で、同心状に区分された複数の加熱ゾーン71にそれぞれ配置された第2環状部26を有するとともに、第2環状部26はセラミック基板17の周方向に複数の第2発熱体25を有している。   In the first embodiment, the first heat generating portion 13 includes the first annular portions 24 disposed in the plurality of heating zones 61 concentrically divided in a plan view, and the first annular portion 24 is a ceramic. A plurality of first heating elements 23 are provided in the circumferential direction of the substrate 17. Furthermore, the second heat generating portion 15 has a second annular portion 26 disposed in each of a plurality of heating zones 71 concentrically divided in a plan view, and the second annular portion 26 is in the circumferential direction of the ceramic substrate 17. A plurality of second heating elements 25 are provided.

この構成によって、第1発熱部13及び第2発熱部15は、径方向(即ち半径方向)及び周方向(即ち円周方向)において、区分された所定の領域の温度調節を容易に行うことができる。   With this configuration, the first heat generating unit 13 and the second heat generating unit 15 can easily adjust the temperature of a predetermined predetermined region in the radial direction (that is, the radial direction) and the circumferential direction (that is, the circumferential direction). it can.

・第1実施形態では、第1内側環状領域(即ち第1平面H1の第5、第6加熱ゾーン)61e、61f内の第1発熱体23の配列数は、径方向及び周方向の両方向とも、第2内側環状領域(即ち第2平面H2の第3加熱ゾーン)71c内の第2発熱体25の配列数より多いので、第1内側環状領域61e、61f内の多くの第1発熱体23により、小さな領域毎に精度良く温度調節ができる。   In the first embodiment, the number of arrangement of the first heating elements 23 in the first inner annular regions (that is, the fifth and sixth heating zones of the first plane H1) 61e and 61f is the same in both the radial direction and the circumferential direction. Since the number of the second heating elements 25 in the second inner annular region (ie, the third heating zone of the second plane H2) 71c is larger than the number of the first heating elements 23 in the first inner annular regions 61e and 61f. Thus, the temperature can be accurately adjusted for each small area.

また、第2内側環状領域71c内の第2発熱体25の配列数は、径方向及び周方向の両方向とも、第1内側環状領域61e、61f内の第1発熱体23の配列数より少ないので、第2発熱部15の第2発熱体25の数を抑制でき、よって、その第2発熱体25に接続
される配線数や端子数を低減できるという利点がある。
Further, the number of the second heating elements 25 in the second inner annular region 71c is smaller than the number of the first heating elements 23 in the first inner annular regions 61e and 61f in both the radial direction and the circumferential direction. There is an advantage that the number of the second heat generating elements 25 of the second heat generating part 15 can be suppressed, and therefore the number of wirings and terminals connected to the second heat generating elements 25 can be reduced.

・第1実施形態では、第2発熱部15(詳しくは第2発熱体25)の単位面積当たりの発熱量は、第1発熱部13(詳しくは第1発熱体23)の単位面積当たりの発熱量より大であるので、第2発熱部(15)により、セラミック基板17(従ってセラミックヒータ5)の温度を容易に所望の温度に制御できる。例えばセラミックヒータ5の平面方向における温度を容易に均一化できる。   In the first embodiment, the heat generation amount per unit area of the second heat generating unit 15 (specifically, the second heat generating element 25) is the heat generation per unit area of the first heat generating unit 13 (specifically, the first heat generating element 23). Since it is larger than the amount, the temperature of the ceramic substrate 17 (and hence the ceramic heater 5) can be easily controlled to a desired temperature by the second heat generating part (15). For example, the temperature in the planar direction of the ceramic heater 5 can be easily made uniform.

なお、発熱量の小さな第1発熱部13の(第2発熱部15より数の多い)第1発熱体23を用いて、セラミックヒータ5の平面方向における所定の領域(第2発熱部15より狭い領域)の温度を精度良く調節することができる。   A predetermined region in the plane direction of the ceramic heater 5 (narrower than the second heat generating portion 15) is used by using the first heat generating body 23 of the first heat generating portion 13 having a smaller heat generation amount (more than the second heat generating portion 15). The temperature of the region can be adjusted with high accuracy.

・第1実施形態では、第2端子部51に第1端子部39より大きな電力を供給することにより、第2発熱部15の単位面積当たりの発熱量を、第1発熱部13の単位面積当たりの発熱量より大きくすることができる。
[2.第2実施形態]
次に、第2実施形態について説明するが、第1実施形態と同様な内容の説明は省略又は簡易化して説明する。なお、第1実施形態と同様な構成には同様な番号を付す。
In the first embodiment, by supplying larger electric power to the second terminal portion 51 than the first terminal portion 39, the amount of heat generated per unit area of the second heat generating portion 15 is reduced per unit area of the first heat generating portion 13. The calorific value can be made larger.
[2. Second Embodiment]
Next, the second embodiment will be described, but the description of the same contents as the first embodiment will be omitted or simplified. In addition, the same number is attached | subjected to the structure similar to 1st Embodiment.

本第2実施形態の静電チャックは、第1実施形態の静電チャックと基本的な同様な構成を備えているが、第1発熱部と重ね合される第2発熱部の構成が異なっている。
図9に示すように、本第2実施形態では、第1実施形態と同様に、第1発熱部13は、第1〜第7加熱ゾーン61a〜61gに区分されるとともに、各加熱ゾーン61a〜61gは、それぞれ所定のピッチで複数の加熱領域63に区分されている。
The electrostatic chuck of the second embodiment has the same basic configuration as that of the electrostatic chuck of the first embodiment, but the configuration of the second heat generating portion overlapped with the first heat generating portion is different. Yes.
As shown in FIG. 9, in the second embodiment, as in the first embodiment, the first heat generating unit 13 is divided into first to seventh heating zones 61a to 61g and each heating zone 61a to 61g. Each 61g is divided into a plurality of heating regions 63 at a predetermined pitch.

一方、第2発熱部15は、内周側の加熱ゾーンZ1(灰色部分)として、第1〜第3加熱ゾーン71a〜71cを備えるとともに、最外周の加熱ゾーンZ2として、2つの加熱ゾーンからなる第4加熱ゾーン71dを備えている。   On the other hand, the second heat generating unit 15 includes first to third heating zones 71a to 71c as the inner heating zone Z1 (gray portion), and includes two heating zones as the outermost heating zone Z2. A fourth heating zone 71d is provided.

つまり、第4加熱ゾーン71dは、(第2外側環状領域である)内周側の円環状の第4内周加熱ゾーン71d1と外周側の円環状の第4外周加熱ゾーン71d2とから構成されている。なお、第4加熱ゾーン71dは、第1発熱部13の(第1外側環状領域である)第7加熱ゾーン61gと重なり合う領域である。   That is, the fourth heating zone 71d is composed of an annular inner circumferential fourth inner heating zone 71d1 (which is a second outer annular region) and an outer annular annular fourth outer circumferential heating zone 71d2. Yes. The fourth heating zone 71d is an area overlapping with the seventh heating zone 61g (which is the first outer annular area) of the first heat generating unit 13.

次に、本第2実施形態における温度制御について、図10に基づいて説明する。
なお、図10では、重なり合う加熱ゾーンの一部を直線状に配置して示している。
図10(a)に示すように、第1発熱部13の第7加熱ゾーン61gと、第2発熱部15の第4内周加熱ゾーン71d1及び第4外周加熱ゾーン71d2とが重なり合っている。
Next, temperature control in the second embodiment will be described with reference to FIG.
In FIG. 10, a part of the overlapping heating zones is shown linearly.
As shown in FIG. 10A, the seventh heating zone 61g of the first heat generating part 13 overlaps the fourth inner peripheral heating zone 71d1 and the fourth outer peripheral heating zone 71d2 of the second heat generating part 15.

ここで、例えば、図10(b)に示すように、第1発熱部13の第7加熱ゾーン61gのいくつかの加熱領域63(図10(b)のハッチング部分)の温度が、他の加熱領域63の温度より高くなるように、第1発熱体23に印加する電力を制御する。即ち、温度H>温度Lとする。   Here, for example, as shown in FIG. 10 (b), the temperature of several heating regions 63 (hatched portions in FIG. 10 (b)) of the seventh heating zone 61g of the first heat generating part 13 is different from that of other heating. The power applied to the first heating element 23 is controlled so as to be higher than the temperature of the region 63. That is, temperature H> temperature L.

また、第2発熱部15の第4外周加熱ゾーン71d2(図10(b)のハッチング部分)の温度が、第4内周加熱ゾーン71d1の温度より高くなるように、第2発熱体25に印加する電力を制御する。即ち、温度H>温度Lとする。   In addition, the temperature is applied to the second heating element 25 so that the temperature of the fourth outer peripheral heating zone 71d2 (the hatched portion in FIG. 10B) of the second heat generating portion 15 is higher than the temperature of the fourth inner peripheral heating zone 71d1. To control the power. That is, temperature H> temperature L.

その結果、図10(c)に示すように、共に温度が高い第1発熱部13の第7加熱ゾー
ン61gのいくつかの加熱領域63と第4外周加熱ゾーン71d2とが重なる領域(図10(c)でハッチングが交差する部分)の温度が最も高くなる。
As a result, as shown in FIG. 10C, a region in which several heating regions 63 in the seventh heating zone 61 g of the first heat generating portion 13 having a high temperature overlap with the fourth outer peripheral heating zone 71 d 2 (FIG. 10C). The temperature at the portion where the hatching intersects in c) is the highest.

また、温度が高い第1発熱部13の第7加熱ゾーン61gのいくつかの加熱領域63と温度が低い第4内周加熱ゾーン71d1とが重なる領域(図10(c)のハッチング部分)の温度が次に高くなる。   Further, the temperature of a region where the several heating regions 63 of the seventh heating zone 61g of the first heat generating unit 13 having a high temperature overlap with the fourth inner peripheral heating zone 71d1 having a low temperature (hatched portion in FIG. 10C). Is next higher.

そして、温度が低い第1発熱部13の第7加熱ゾーン61gの他の加熱領域63と温度が低い第4内周加熱ゾーン71d1とが重なる領域(図10(c)のハッチングが無い部分)の温度が最も低くなる。   And the area | region (the part which does not have hatching of FIG.10 (c)) where the other heating area | region 63 of the 7th heating zone 61g of the 1st heat generating part 13 with low temperature and the 4th inner peripheral heating zone 71d1 with low temperature overlap. Temperature is lowest.

これによって、セラミックヒータ5の最外周の加熱ゾーンZ2において、その内周側と外周側の温度とを、狭い幅の領域を細かく制御できることが分かる。
このように、本第2実施形態では、第1実施形態と同様な効果を奏する。
Thus, it can be seen that in the outermost heating zone Z2 of the ceramic heater 5, the temperature on the inner peripheral side and the outer peripheral side can be finely controlled in a narrow width region.
As described above, the second embodiment has the same effects as those of the first embodiment.

また、本第2実施形態では、第1発熱部13の最外周の第7加熱ゾーン61gに対応した第2発熱部15の加熱ゾーン71は、内周側の第4内周加熱ゾーン71d1と外周側の第4外周加熱ゾーン71d2とに区分されているので、上述したように、セラミックヒータ5の最外周の加熱ゾーンZ2において、その内周側と外周側の温度とを、狭い幅の領域を細かく制御ができる。   In the second embodiment, the heating zone 71 of the second heat generating unit 15 corresponding to the outermost seventh heating zone 61g of the first heat generating unit 13 includes the fourth inner peripheral heating zone 71d1 on the inner peripheral side and the outer peripheral side. As described above, in the outermost heating zone Z2 of the ceramic heater 5, the temperature on the inner peripheral side and the outer peripheral side of the ceramic heater 5 are divided into regions having a narrow width. Fine control is possible.

例えば第4内周加熱ゾーン71d1の第2発熱体25よりも第4外周加熱ゾーン71d2の第2発熱体25の(単位面積当たりの)発熱量を多くすることにより、セラミックヒータ5の外周部分の温度を容易に調節できる。   For example, by increasing the amount of heat generation (per unit area) of the second heating element 25 of the fourth outer periphery heating zone 71d2 than the second heating element 25 of the fourth inner periphery heating zone 71d1, the outer peripheral portion of the ceramic heater 5 is increased. The temperature can be adjusted easily.

このセラミックヒータ5の外周部分(例えば最外周)は、外界の影響を受けやすいので、温度が変化し易いが、本第2実施形態では、外周部分にそのような大きな温度変化があっても、発熱量の多い第2発熱体25を含む加熱ゾーン71が径方向に細分化されていることにより、最外周の部分の温度を、容易に所望の温度に調節することができる。   Since the outer peripheral portion (for example, the outermost periphery) of the ceramic heater 5 is easily affected by the outside world, the temperature is likely to change. In the second embodiment, even if such a large temperature change occurs in the outer peripheral portion, Since the heating zone 71 including the second heating element 25 that generates a large amount of heat is subdivided in the radial direction, the temperature of the outermost peripheral portion can be easily adjusted to a desired temperature.

尚、本発明は前記実施形態や実験例になんら限定されるものではなく、本発明を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。
(1)例えば、前記実施形態では、第1発熱部13及び第2発熱部15を、セラミック基板17内に配置したが、図11(a)に変形例1を示すように、セラミック基板17内に第1発熱部13を配置し、セラミック基板17の外側(即ち第2の主面B側)に第2発熱部15を配置してもよい。
In addition, this invention is not limited to the said embodiment and experiment example at all, and it cannot be overemphasized that it can implement with a various aspect in the range which does not deviate from this invention.
(1) For example, in the said embodiment, although the 1st heat generating part 13 and the 2nd heat generating part 15 were arrange | positioned in the ceramic substrate 17, as FIG. The first heat generating part 13 may be arranged on the outside, and the second heat generating part 15 may be arranged outside the ceramic substrate 17 (that is, on the second main surface B side).

(2)また、前記実施形態では、一層の第1発熱部13と一層の第2発熱部15とを、厚み方向に配置して重ね合わせるようにしたが、図11(b)に変形例2を示すように、例えば第2発熱部15を、厚み方向に配置した複数層(例えば第1の主面A側の上層15aと第2の主面B側の下層15bの2層)によって構成してもよい。   (2) In the above embodiment, the first heat generating portion 13 and the second heat generating portion 15 are arranged in the thickness direction so as to overlap each other, but FIG. For example, the second heat generating portion 15 is configured by a plurality of layers arranged in the thickness direction (for example, two layers of an upper layer 15a on the first main surface A side and a lower layer 15b on the second main surface B side). May be.

(3)さらに、前記各実施形態では、セラミックヒータ5及び金属ベース7を備えた静電チャック1を例に挙げたが、本発明は、図11(c)に変形例3を示すように、金属ベース7を備えない静電チャック1にも適用できる。つまり、セラミックヒータ5に、吸着用電極11、第1発熱部13、第2発熱部15を備えた静電チャック1にも適用できる。   (3) Further, in each of the above embodiments, the electrostatic chuck 1 provided with the ceramic heater 5 and the metal base 7 is taken as an example. However, as shown in FIG. The present invention can also be applied to the electrostatic chuck 1 that does not include the metal base 7. That is, the present invention can also be applied to the electrostatic chuck 1 provided with the adsorption electrode 11, the first heat generating portion 13, and the second heat generating portion 15 in the ceramic heater 5.

(4)また、前記各実施形態では、セラミックヒータ5及び金属ベース7を備えた静電チャック1を例に挙げたが、本発明は、静電チャックではないセラミックヒータにも適用できる。   (4) In the above embodiments, the electrostatic chuck 1 including the ceramic heater 5 and the metal base 7 is taken as an example. However, the present invention can also be applied to a ceramic heater that is not an electrostatic chuck.

例えば、図11(d)に変形例4を示すように、絶縁基板(例えばセラミック基板17)内に、前記各実施形態と同様な第1発熱部13及び第2発熱部15を備えた加熱部材(例えばセラミックヒータ5)に適用できる。   For example, as shown in Modification 4 in FIG. 11 (d), a heating member including a first heat generating portion 13 and a second heat generating portion 15 similar to those of the above embodiments in an insulating substrate (for example, a ceramic substrate 17). (For example, it can be applied to a ceramic heater 5).

(5)さらに、加熱ゾーンや加熱領域を区分する方法については、前記実施形態に限られるものではない。
(6)前記第1実施形態では、第2内側環状領域を構成する1つの加熱ゾーン71(第3加熱ゾーン71c)に対して、第1内側環状領域を構成する2つの加熱ゾーン61(第5加熱ゾーン61e及び第6加熱ゾーン61f)が完全に重なっている静電チャック1を例に挙げたが、本発明は、第2内側環状領域を構成する1つの加熱ゾーン71に対して、第1内側環状領域を構成する2つ以上の加熱ゾーン61のそれぞれが部分的に重なっていてもよい。
(5) Furthermore, the method of dividing the heating zone and the heating region is not limited to the above embodiment.
(6) In the first embodiment, two heating zones 61 (fifth) constituting the first inner annular region are compared with one heating zone 71 (third heating zone 71c) constituting the second inner annular region. Although the electrostatic chuck 1 in which the heating zone 61e and the sixth heating zone 61f) are completely overlapped is taken as an example, the present invention is different from the first heating zone 71 that constitutes the second inner annular region. Each of the two or more heating zones 61 constituting the inner annular region may partially overlap.

(7)前記第2実施形態では、第1外側環状領域を構成する1つの加熱ゾーン61(第7加熱ゾーン61g)に対して、第2外側環状領域を構成する2つの加熱ゾーン71(第4内周加熱ゾーン71d1及び第4外周加熱ゾーン71d2)が完全に重なっている静電チャック1を例に挙げたが、本発明は、第1外側環状領域を構成する1つの加熱ゾーン61に対して、第2外側環状領域を構成する2つ以上の加熱ゾーン71のそれぞれが部分的に重なっていてもよい。   (7) In the second embodiment, with respect to one heating zone 61 (seventh heating zone 61g) constituting the first outer annular region, two heating zones 71 (fourth fourth) constituting the second outer annular region. Although the electrostatic chuck 1 in which the inner peripheral heating zone 71d1 and the fourth outer peripheral heating zone 71d2) are completely overlapped is taken as an example, the present invention is directed to one heating zone 61 constituting the first outer annular region. Each of the two or more heating zones 71 constituting the second outer annular region may partially overlap.

(8)絶縁基板としては、セラミック基板や樹脂基板など各種の絶縁基板を採用できる。
(9)各実施形態の構成を適宜組み合わせることができる。
(8) Various insulating substrates such as a ceramic substrate and a resin substrate can be adopted as the insulating substrate.
(9) The configurations of the embodiments can be combined as appropriate.

1…静電チャック
3…半導体ウェハ
5…セラミックヒータ
11…静電電極
13…第1発熱部
15…第2発熱部
17…セラミック基板
23…第1発熱体
25…第2発熱体
61、71…加熱ゾーン
63、73…加熱領域
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Electrostatic chuck 3 ... Semiconductor wafer 5 ... Ceramic heater 11 ... Electrostatic electrode 13 ... 1st heat generating part 15 ... 2nd heat generating part 17 ... Ceramic substrate 23 ... 1st heat generating body 25 ... 2nd heat generating body 61, 71 ... Heating zone 63, 73 ... heating area

Claims (7)

被加工物が搭載される第1の主面と該第1の主面の反対側の第2の主面とを有するとともに、電気絶縁性を有する絶縁基板と、該絶縁基板に配置されて通電により発熱する発熱部と、を備えるとともに、
前記発熱部として、前記絶縁基板の内部に配置された第1発熱部と、該第1発熱部よりも前記第2の主面側に配置された第2発熱部と、を備えた加熱部材において、
前記絶縁基板を厚み方向から見た平面視で、
前記第1発熱部及び前記第2発熱部は、それぞれ独立して温度調節が可能な複数の発熱体からなり、
前記第1発熱部及び前記第2発熱部の複数の発熱体は、それぞれ前記絶縁基板の周方向に複数配置されており、
且つ、前記第1発熱部の発熱体数は、前記第2発熱部の発熱体数より大であることを特徴とする加熱部材。
An insulating substrate having a first main surface on which a workpiece is mounted and a second main surface opposite to the first main surface, and having an electrical insulation, and an electric current disposed on the insulating substrate And a heat generating part that generates heat,
In the heating member provided with the 1st exothermic part arranged inside the insulating substrate as the exothermic part, and the 2nd exothermic part arranged on the 2nd principal surface side rather than the 1st exothermic part. ,
In a plan view of the insulating substrate viewed from the thickness direction,
The first heat generating part and the second heat generating part are each composed of a plurality of heat generating elements capable of adjusting the temperature independently,
The plurality of heating elements of the first heating part and the second heating part are respectively arranged in the circumferential direction of the insulating substrate,
The heating member is characterized in that the number of heating elements of the first heating part is larger than the number of heating elements of the second heating part.
前記平面視で、
前記第1発熱部は、同心状に区分された複数の第1環状領域にそれぞれ配置された第1環状部を有するとともに、該第1環状部は前記絶縁基板の周方向に複数の発熱体を有し、
且つ、前記第2発熱部は、同心状に区分された複数の第2環状領域にそれぞれ配置された第2環状部を有するとともに、該第2環状部は前記絶縁基板の周方向に複数の発熱体を有することを特徴とする請求項1に記載の加熱部材。
In the plan view,
The first heat generating portion includes first annular portions disposed in a plurality of first annular regions concentrically divided, and the first annular portion has a plurality of heating elements in a circumferential direction of the insulating substrate. Have
The second heat generating portion includes second annular portions disposed in a plurality of second annular regions concentrically divided, and the second annular portion generates a plurality of heat generation in the circumferential direction of the insulating substrate. The heating member according to claim 1, further comprising a body.
前記平面視で、
前記複数の第2環状領域のうち最外周より内周側の1つの前記第2環状領域からなる第2内側環状領域と、前記複数の第1環状領域のうち前記第2内側環状領域と重なる2つ以上の前記第1環状領域からなる第1内側環状領域とについて、
前記絶縁基板の径方向において、前記第1内側環状領域内の前記発熱体の配列数は、前記第2内側環状領域内の前記発熱体の配列数より多く、
且つ、前記絶縁基板の周方向において、前記第1内側環状領域内の前記発熱体の配列数は前記第2内側環状領域内の前記発熱体の配列数より多いことを特徴とする請求項2に記載の加熱部材。
In the plan view,
Of the plurality of second annular regions, a second inner annular region consisting of one second annular region on the inner peripheral side from the outermost periphery, and two of the plurality of first annular regions overlapping the second inner annular region. About a first inner annular region composed of two or more first annular regions,
In the radial direction of the insulating substrate, the number of the heating elements in the first inner annular region is greater than the number of the heating elements in the second inner annular region,
The number of the heating elements in the first inner annular region is greater than the number of the heating elements in the second inner annular region in the circumferential direction of the insulating substrate. The heating member as described.
前記平面視で、
前記複数の第1環状領域のうち最外周の1つの前記第1環状領域からなる第1外側環状領域と、前記複数の第2環状領域のうち前記第1外側環状領域と重なる2つ以上の前記第2環状領域からなる第2外側環状領域とについて、
前記絶縁基板の径方向において、前記第2外側環状領域内の前記発熱体の配列数は前記第1外側環状領域内の前記発熱体の配列数以上であり、
且つ、前記絶縁基板の周方向において、前記第1外側環状領域内の前記発熱体の配列数は前記第2外側環状領域内の前記発熱体の配列数より多いことを特徴とする請求項2又は3に記載の加熱部材。
In the plan view,
Of the plurality of first annular regions, two or more of the first outer annular regions composed of the first annular region on the outermost periphery and the first outer annular region of the plurality of second annular regions overlap. For the second outer annular region comprising the second annular region,
In the radial direction of the insulating substrate, the number of the heating elements in the second outer annular region is greater than or equal to the number of the heating elements in the first outer annular region,
The number of the heating elements in the first outer annular region is greater than the number of the heating elements in the second outer annular region in the circumferential direction of the insulating substrate. 3. A heating member according to 3.
前記平面視で、前記第2発熱部の単位面積当たりの発熱量は、前記第1発熱部の単位面積当たりの発熱量より大であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の加熱部材。   5. The heat generation amount per unit area of the second heat generating portion in the plan view is larger than the heat generation amount per unit area of the first heat generating portion. The heating member according to 1. 前記加熱部材の表面に、前記第1発熱部に電気的に接続されて外部から電力が供給される第1端子部と、前記第2発熱部に電気的に接続されて外部から電力が供給される第2端子部と、を備えており、
前記第2端子部は前記第1端子部より大きな電力の供給が可能な端子部であることを特
徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の加熱部材。
On the surface of the heating member, a first terminal portion that is electrically connected to the first heat generating portion and supplied with power from the outside, and an electric power supply connected to the second heat generating portion and supplied from outside. A second terminal portion, and
The heating member according to any one of claims 1 to 5, wherein the second terminal portion is a terminal portion capable of supplying larger electric power than the first terminal portion.
請求項1〜6のいずれか1項に記載の加熱部材を備えるとともに、前記絶縁基板に静電電極を備えたことを特徴とする静電チャック。   An electrostatic chuck comprising the heating member according to claim 1, and an electrostatic electrode provided on the insulating substrate.
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