JP6583654B2 - 拡大した後部空洞を有するトップポートマイクロフォン - Google Patents

拡大した後部空洞を有するトップポートマイクロフォン Download PDF

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Description

本発明は、拡大した後部空洞を有するトップポートマイクロフォンに関する。
ボトムポートマイクロフォンは、電気接点を支持するパッケージの底面に音響ポートを有するパッケージを備える。この底面は、担体基板で形成され、その担体基板には、例えばMEMSチップ及びASICのようなマイクロフォンの上面部品が搭載される。基板は、通常、内部配線を備えるPCB、あるいは他の多層基板からなる。
トップポートマイクロフォンは、電気接点を支持する底面から反対向きの上面に音響ポートを有する。そして、音響ポート付近にMEMSチップを配置して、十分に大きな後部空洞を供給することが可能となる。但し、パッケージの底面で、接続パッドとチップ端子とを接続するための電気的再配線が必要となる。これは、技術的な取り組みを必要とし、マイクロフォン性能の観点から重要な解決課題となる。
もう一方の手法では、すべての内部部品は通常のとおり基板に搭載され、侵入音が部品と基板との隙間を通り抜ける適当な経路で導かれる。このような解は、例えば、特許文献1で知られている。そこでは、MEMSチップは、薄箔が後部空洞を覆って囲むと同時に、その薄箔により基板の上面に封入される。しかし、この解は、MEMSチップ内で囲まれる後部空洞を増すことに適さない。
特許文献2は、音響ポートからメンブレンの底部に向かう所望の経路の中に音を導くための複雑で高価な部品を必要とするマイクロフォンパッケージを開示する。更なる短所は、高コストと、更なるパッケージサイズの縮小の可能性を失うことである。
特許文献3から、MEMSチップを基板と蓋部の間で支持することが知られている。MEMSチップは、電気的信号と音響的信号とで経路を変更する必要はないが、パッケージ部品間、寸法ばらつき及び熱機械的な移動や膨張で生じる応力に対して非常に敏感となる。更なる短所として、MEMSの内部空洞は前部空洞に割り当てられ、それ故、マイクロフォン用のものは失われる。
独国特許出願公開第102011012295号明細書 欧州特許出願公開第2191500号明細書 独国特許出願公開第102004011148号明細書
本発明の目的は、拡大された後部空洞を有し、容易に製造できるマイクロフォンパッケージを提供するところにある。
この課題及び他の課題は本発明の請求項1により解決される。より効果的な実施形態は更なる請求項の主題である。
本発明は、上記の特許文献1から知られているものと類似の解が出発点となる。すべての部品は、基板に搭載されたMEMSチップとASICである。蓋部は、部品を収納するパッケージ空洞を閉じる基板上の部品の上方に配置され搭載される。シールは、MEMSチップ及びASICと接して、且つ基板の上面との間を密閉するために使用され、これによって、MEMSチップと蓋部の間の第1の部分空洞を、MEMSチップと基板の間に収納された第2の部分空洞から分離している。
本発明によれば、第2の部分空洞は、横方向の空洞拡張部をそこに付加することによって、増大される。この拡張部は、残余の空洞(第1及び第2部分空洞)から、ストッパによって分離され、このストッパは、ASICを、蓋部の互いに反対側にある2つの側面及び上部の内面から封止する。空洞拡張部及び残余の空洞は、横方向で互いに隣接して配置され、シールを通り抜ける音響経路を介して相互に連絡している。音響経路は、シール内に開口を備え、且つ、MEMSチップと基板の間の第2の部分空洞へ、ASICと基板の間の隙間の内部で導かれる。
マイクロフォンの機能のために要求される、第1及び第2の部分空洞から前部空洞及び後部空洞への割り当ては、蓋部に開口を備える音響経路により、空洞拡張部又は第1の部分空洞へのアクセスを供給して、任意に形成することができる。
本発明は、空洞の全体及び後部空洞の大きさを互いに独立に、且つ部品の大きさからも独立に、選択して設定することができる。第2の部分空洞は、好ましくは蓋部を横方向に延伸させて、空洞拡張部の空洞を増大することにより、増大させることができる。第1の部分空間は、所望のいかなる場合でも蓋部の大きさを的確に増大させて、残余の空洞を増大させることにより、増大させることができる。この残余の空洞と、それゆえの第1の部分空洞の横方向の拡張は、第2の部分空洞の大きさに影響を及ぼさない。なお、蓋部の高さ又は幅を拡大することは、両方の部分空洞を拡大することになる。
ストッパは、少ない更なる努力で形成することができ、同様に、ASICと、蓋部の上面及び側面との間で圧縮された樹脂で形成される。
樹脂は、好ましくは、接着材のような軟質の樹脂である。それが硬化した状態における小さなストッパの弾性率Eは、マイクロフォン部品に低い機械的な影響しか及ぼさない。樹脂は、堆積され、蓋部が搭載された後に硬化するので、最小の機械的ストレスしか発生しない。
ストッパ用の樹脂は、適切にASIC上に吐出することができる。また、蓋部を搭載する前に、樹脂を蓋部の内面に堆積することも可能である。
ストッパは、蓋部の内層を備えることもでき、その内層は蓋部と一緒に予備成形されてもよい。そのような内層は、液体や粘性体の樹脂をASICに吐出するよりも、高精度に作成することができる。モールドされた内層は、好ましくは、例えば、軟質ゴムである。
本発明は、フリップチップ配置で、例えばバンプにより接続して、又は、代わりに、その裏面に接着剤又は半田を施した基板にボンディングして、部品の搭載を可能とする。部品の電気的な接続は、前者はバンプを介して、後者はボンディングワイヤを介して行われる。後者では、部品と基板の間で構造化された接着剤により形成された音響経路を構造化したやり方で、接着剤を塗布することが可能である。このように、接着剤は、第1及び第2の部分空洞を分離するためにシールとして使用することができる。
そのシールにより、MEMSチップ及びASICは、中空がそれら2つの部品の裏面と基板の間で囲むように、基板に封止される。そして、この中空の横方向はシールで閉じられる。
一つの実施形態によれば、シールは、MEMSチップ及びASICの上部に被せられた薄箔により形成され、その薄箔は、部品上に延在し、それら部品の側面及び基板を、少なくとも部品の周囲を囲む余裕をもって覆っている。このシールしている薄箔は、全部の表面に被せることができる。但し、それには、メンブレン及び空洞拡張部と連絡する音響経路に、自由なアクセスを提供するための構造化が必要である。
蓋部は、好ましくは予備成形された金属キャップである。この蓋部の底端は、例えば接着剤によって基板に搭載される。この接着剤は、蓋部を、基板の上面の各金属グラウンドパッドにボンディングすることにより、グラウンドと接続することができるように導電性であってもよい。又、基板の金属化した表面に蓋部を搭載するために半田を使用することもできる。
一つの実施形態によれば、MEMSチップは、コンデンサMEMSマイクロフォンを備える。なお、MEMSマイクロフォンの他の型を使用することも可能である。
音響ポートは、蓋部に開口を備え、その開口は、前部空洞をマイクロフォンパッケージの外の空気に接続する。第1及び第2の部分空洞は前部空洞として交互に使用することができる。第2の代案のときは、音響ポートが、空洞拡張部の上方に提供される。第1の代案のときは、音響ポートが、第1の部分空洞への開口として提供され、MEMSチップの上方に位置することが好ましい。
但し、一般的には、基板に音響ポートの開口を提供することも可能である。そのマイクロフォンは、ボトムポートマイクロフォンとなる。
基板は、有機多層基板、又は多層セラミックを備えてもよい。双方とも、少なくとも、MEMSチップとASIC間の、ASICと基板の底面の外部端子間の、及びMEMSチップと外部端子間の、相互配線を形成する配線層がPCB内に存在する。仮に、2層の配線面があれがば、導電線同士が交差することが回避できる。
以下に、具体的な実施形態と関連する図面を参照して、本発明の更なる詳細が説明される。図面は概略であって、実寸で描かれてはいない。具体的な部品は、発明をより理解することが可能となるように、拡大して描写されている。そこで、寸法の絶対値及び寸法の相対値のいずれも図面から読み取ることができない。同一の部品、又は同一の機能を有する部分は、同一の参照記号を付されている。
及び 周知のマイクロフォンの種々の断面図。 第1の実施形態の断面図。 第2の実施形態の断面図。 第1及び第2の実施形態の種々の断面図。 及び 第3の実施形態によるマイクロフォンの種々の断面図。 及び 第4の実施形態によるマイクロフォンの種々の断面図。 乃至 第5の実施形態によるマイクロフォンの種々の断面図。
図1a及び図1bは、周知のトップポートマイクロフォンの種々の断面図を示す。MEMSチップMC及びASICである他方のチップICが、基板SUとして機能するPCBに搭載されている。マイクロフォンと電気的に接触するためのパッドが、基板の底面に配置されている。両方のチップ部品は、粘着性の物質により基板SUに接着及び封止された蓋部LDの下方に収納される。MEMSチップMC及びASIC、ICは多層の薄箔LFで基板に封止される。メンブレンMMの上方のMEMSチップMCの窪みが、多層の薄箔LFの下方に配置された第1の薄箔F1で覆われて、保護されている。この窪みは、マイクロフォンの後部空洞VBを形成する。前部空洞は、蓋部LDの下に収納された残りの空洞で形成される。蓋部LDの中の音響ポートSPTは、外部の空気と繋がる前部空洞VFを形成する。多層の薄箔LFの開口は、MEMSチップMCの下方にあるマイクロフォンのメンブレンMMへの音響経路SCへのアクセスを提供する。図1bは、図1aに示された線分AA´のもう一つの断面図を示す。後部空洞VB及び音響経路SCは容易に特徴づけられる。
この周知のマイクロフォンは、窪みの空洞又はMEMSチップMCの大きさで、後部空洞を制限する。相対的に小さい後部空洞に関連する大きな前部空洞により、マイクロフォンの高い音響周波数性能が低下する。
図2は、本発明の第1の実施形態を示す。蓋部LDの下方の空洞の全部の第1の部分空洞V1が、MEMSチップMCと蓋部LDの間に収納され、且つMEMSチップは窪みを備える。第2の部分空洞V2が、MEMSチップMCと基板SUの間に収納される。MEMSチップの下の収納部は、シールを適用することで非常に狭く形成される。このシールは、MEMSチップ及びASICの上方にあって、チップ(MEMS及びASIC)及び基板SUを封止している。
ASIC周囲の領域では、ASICはストッパSTにより蓋部LDに対して封止され、このストッパは、ASICの上面及び側面と蓋部LDとの間の隙間を充填している。ストッパは、蓋部を搭載する前に、ASICの上面及び側面に構造化した堆積を可能とするために十分な粘性の液相の樹脂を、ディスペンサ又は同様な装置で塗布することができる。蓋部を基板に取り付けて搭載するときに、シールSLの樹脂が、隙間が残存する空隙なく完全に充填されるように、蓋部とASICの間で圧縮される。従って、ストッパST及びASIC,ICは、空洞拡張部VEXを蓋部の下方に残存する空洞から分離する。ASIC、IC及び基板SUの間の隙間だけは残存し、空洞拡張部VEXからMEMSチップMCのメンブレンMMに達する音響経路を提供する。図4は、図2に示されたAA´に沿った断面図を示す。ASIC、IC及びストッパを除いて断面を完全に充填する。
図1aのマイクロフォンと同様に、MEMSチップMC及びASIC、ICは多層の薄箔LFに覆われて封止され、この多層の薄箔LFは、MEMSチップMC及びASICの上方を覆って、その端部まで延在し、MEMSチップ及びASICの周囲で余裕をもって基板SUを封止している。MEMSチップの上方では、窪んだ第1の部分空洞のシールSLが除去される。音響経路SCを備える第2の部分空洞V2は、シールSLにより第1の部分空洞V1に対して封止される。音響経路SCは、第2の部分空洞V2及び空洞拡張部VEXと接続される。
多層の薄箔は、好ましくは、エポキシ基のような未硬化基を備えることにより、多少の粘着特性を有するエラストマシートを備えるシールのように、使用することができる。
第1の実施形態によれば、第1の代案のときは、音響ポートSPTは、MEMSチップMCの上方の蓋部LDに開口を備え、第1の部分空洞V1が前部空洞VFに割り合てられる。後部空洞VBは、空洞拡張部VEX、音響経路SC及び第2の部分空洞V2により形成される。
第2の代案である図3に示される第2の実施形態によれば、音響ポートSPTは、空洞拡張部VEXの上方の蓋部LDに開口を備え、第1の部分空洞V1が後部空洞VBに割り合てられる。前部空洞VFは、空洞拡張部VEX、音響経路SC及び第2の部分空洞V2により形成される。第1の実施形態のストッパSTは、両方の実施形態が、図4に示された、AA´に沿った同様な断面を持つように、形成される。
図5a及び図5bは、シールSLの種々の適用により特徴づけられる第3の実施形態の、それぞれの断面を示す。ここで、内層は軟質ゴムから作成され、シールとして機能する蓋部の内部表面に形成されている。内層は、時間と場所を考慮して、蓋部を基板に搭載することと分離して実行されるモールドプロセスにより形成することができる。シール/リングは、少なくとも、第1の部分空洞V1と境界を接する蓋部の領域を覆う、コンフォーマルな層を備えることができる。そして、このような内層は、蓋部を、基板SU及び部品の上方に搭載するときに、リング/シールを圧縮して形成されたシールにより封止されてる、固化された樹脂を備えている。しかし、それらの圧縮が余剰の樹脂を除去するためだけに必要となるように、蓋部を搭載する前に、少な目の液体状態で蓋部LDの内面に、シールを塗布することが可能である。両方の場合において、十分に密着したシールが取得される。液体のシールは、より大きな許容度を可能とし、圧縮量を十分に低く維持できる長所を持つ。蓋部の内層は、蓋部の搭載の前にすでに固められているので、搭載に際して高度な制御を要するものを容易に製造することを可能とする。
図5aは、概ね一定の膜厚を有する蓋部の内層として形成されたシールSLを示す。図5bは、図4に示された第1及び第2の実施形態のように、同等な封止が取得されることを示す。
原則として、マイクロフォンの音響ポートSPTは、図5aに示されたように、前部空洞が第1の部分空洞V1に割り当てられた、MEMSチップの上方に配置することができる。なお、空洞拡張部VEXの上方への音響ポートSPTの配置もまた可能である。
図6a及び図6bは、第2及び第3の実施形態を結合するシールSLの実現により特徴づけられる第4の実施形態の、それぞれの断面を示す。この第4の実施形態では、蓋部の内層は、固められた封止塊を備える。加えて、粘性シールが、ASIC又はASIC、ICの領域の蓋部に形成される。そうすることにより、搭載許容値は増大し、封止の品質もまた、より小さいASICと共に保証される。なお、ASICとより小さいサイズのASICによる蓋部LDとの間の大きな隙間を、埋め込んで封止するための階段状の膜厚を有するモールドされた内層の形態の全体封止を製造することが可能となる。
第1乃至第4の実施形態によるマイクロフォンにおいて、MEMSチップ及びASICチップが、搭載及び電気的接続のためのバンプBUを用いたフリップチップ配置の基板に、搭載される。図7a乃至図7dに示された、第5の実施形態によれば、チップは、それらを基板の裏面に、粘着剤又は半田を介してボンディングすることにより搭載される。なお、チップの上面の活性部のコンタクトと、基板の上面の金属パッドとの間の電気的な接続を形成するために、ボンディングワイヤが使用される。
図7a乃至図7dは、この実施形態によるマイクロフォンを通した、種々の断面を示す。ボンディングワイヤは低い機械的衝撃にしか耐えられないので、ストッパを圧縮することが必要な蓋部を搭載する間に、ワイヤを損傷させないために、ストッパは、ASICの上部に形成するための液体の樹脂が望まれる。
フリップチップ配置のもう一つの違いは、第2の部分空洞に割り当てられたMEMSの窪みの体積である。メンブレンMMは、窪みの上部、シール及びカバーに面している。故に、多層の薄箔、又は他のシールを、MEMSチップの上部に配置する必要がない。更に、MEMSチップやASICを搭載するために用いられる接着剤は、MEMSチップの下端部で第1及び第2の部分空洞V1、V2を分離するためのシールとして機能することができる。
図7dは、構造化された接着剤GCを通り、基板の表面に平行な断面である。接着剤GCは、空洞拡張部VEXに開口が向いたU字形状で塗布される。MCチップ及びICチップの形状は、基板SU及びストッパSTと同様に破線で示される。
図7cは、ASIC及びMEMSチップの間の隙間を通るBB´に沿った断面を示す。隙間は、少なくともチップ端においてはストッパによって完全に閉ざされていることが示される。図7dは、MEMSチップMC及びASIC、ICの隙間を覆うストッパを示す。好ましくは、隙間は、図7cに示されたように、ストッパの樹脂で、完全に埋設される。U字形状の接着剤は、ストッパの樹脂が、U字の足の間に収納された音響経路SCへ侵入することを防止する。
図7bは、AA´に沿った断面であり、ストッパの機能を示す。ストッパとして、液体の樹脂がASIC及び/又は蓋部LDに同様に使用される。シールは、残存する空洞から空洞拡張部を分離することにより封止する。
本発明は、いくつかの実施形態だけにより記述されるが、それは、記載された実施例や図面に限定されるものではない。形状及び材料の観点から種々の変型が可能である。具体的な実施形態が説明されたにもかかわらず、単一の特徴だけが発明の更なる実施形態を提供するために、他の組み合わせにおいても使用することができる。
F1 MCの窪みを覆い保護する第1の薄箔
GL 下部を基板に搭載する接着剤
GM チップを基板に搭載する接着剤
IC ASIC
LD 蓋部
MC MEMSチップ
MM メンブレン
PD パッド
SC 音響経路、第2の部分空洞と空洞拡張部を接続
SL シール、MEMSチップを基板へ封止し、第1及び第2の部分空洞を分離(例えば、封止薄箔)
SPT 音響ポート
ST ストッパ、ASICと蓋部との間を封止、MEMSチップを収納する残余の空洞から空洞拡張部を分離
SU 基板
V1 第1の部分空洞(蓋部とMEMSチップの間)
V2 第2の部分空洞(MEMSチップと基板の間)
VB 後部空洞
VEX 空洞拡張部
VF 前部空洞

Claims (11)

  1. 基板と、
    蓋部であって、空洞が当該蓋部と前記基板とに囲まれるように、前記基板に接続され、封止される蓋部と、
    前記空洞に収納され、前記基板に搭載されるMEMSチップ及びASICと、
    前記ASIC及び前記蓋部を封止し、空洞拡張部を前記MEMSチップが収納される残余の空洞から分離するストッパと、
    前記MEMSチップと前記蓋部の間に囲まれた前記残余の空洞の第1の部分空洞と、
    前記MEMSチップと前記基板の間に囲まれた前記残余の空洞の第2の部分空洞と、
    前記MEMSチップを前記基板との間で封止し、前記第1及び前記第2の部分空洞を分離するシールと、
    前記第2の部分空洞と前記空洞拡張部とを接続し、前記シールを通り音響経路を経由する相互伝達を可能とする音響経路であって、前記第2の部分空洞に前記空洞拡張部を付加して前記空洞拡張部を前記第2の部分空洞に割り当てることで前記第2の部分空洞を拡張する音響経路と、を備え
    前記空洞拡張部及び前記残余の空洞は互いに側方に近接して位置し、
    前記第1および前記第2の部分空洞は、それぞれが、マイクロフォンの前部空洞及び後部空洞のいずれか一方に割り当てられる、
    マイクロフォンパッケージ。
  2. 前記ストッパは、前記ASICの上面と前記蓋部の間、及び前記ASICの側面と前記蓋部の間で圧縮された樹脂により形成される、請求項1に記載のマイクロフォンパッケージ。
  3. 前記MEMSチップ及び前記ASICは、フリップチップ配置にて、前記基板に搭載される、請求項1又は2に記載のマイクロフォンパッケージ。
  4. 前記シールは、前記MEMSチップ及び前記ASICを、前記基板に封止し、
    前記シールは、上部からメンブレンへの自由なアクセス、及び空洞拡張部から音響経路へのアクセスを提供するために構造化された多層の薄箔により形成される、請求項1乃至3のいずれか1項に記載のマイクロフォンパッケージ。
  5. 前記MEMSチップ及び前記ASICは、そのそれぞれの裏面で接着剤により前記基板に搭載され、ワイヤボンディングを介して電気的に接続され、
    前記接着剤は、第1及び第2の部分空洞分離し、前記空洞拡張部から前記音響経路へのアクセスを提供する、請求項1又は2に記載のマイクロフォンパッケージ。
  6. 前記蓋部は、接着剤により、前記基板に接続され、封止される、請求項1乃至5のいずれか1項に記載のマイクロフォンパッケージ。
  7. 前記蓋部は、予備成形された金属キャップから形成される、請求項1乃至6のいずれか1項に記載のマイクロフォンパッケージ。
  8. 前記MEMSチップは、コンデンサMEMSマイクロフォンを備える、請求項1乃至7のいずれか1項に記載のマイクロフォンパッケージ。
  9. 響ポートは、前記蓋部に開口を備え、前記前部空洞をマイクロフォンパッケージの周囲の外側へ接続する、請求項8に記載のマイクロフォンパッケージ。
  10. 前記基板は、有機多層基板、又は多層セラミックから形成された、プリント回路基板を備える、請求項9に記載のマイクロフォンパッケージ。
  11. 前記ストッパは、前記蓋部の内側の表面に形成された内層を備える、請求項10に記載のマイクロフォンパッケージ。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11081413B2 (en) * 2018-02-23 2021-08-03 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package with inner and outer cavities
US10849235B1 (en) * 2020-05-20 2020-11-24 Tactotek Oy Method of manufacture of a structure and structure
WO2023232628A1 (en) 2022-05-31 2023-12-07 Ams-Osram Ag Acoustic transducer device with expanded back volume

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7434305B2 (en) 2000-11-28 2008-10-14 Knowles Electronics, Llc. Method of manufacturing a microphone
DE102004011148B3 (de) 2004-03-08 2005-11-10 Infineon Technologies Ag Mikrophon und Verfahren zum Herstellen eines Mikrophons
US8541851B2 (en) 2007-09-19 2013-09-24 Toan K. Ly MEMS package
DE102009019446B4 (de) * 2009-04-29 2014-11-13 Epcos Ag MEMS Mikrofon
US8530981B2 (en) 2009-12-31 2013-09-10 Texas Instruments Incorporated Leadframe-based premolded package having acoustic air channel for micro-electro-mechanical system
DE102011012295B4 (de) 2011-02-24 2020-06-04 Tdk Corporation MEMS-Mikrofon und Verfahren zur Herstellung des MEMS-Mikrofons
US8713789B2 (en) * 2011-04-26 2014-05-06 Epcos Ag Method of manufacturing a microphone
DE112012007235T5 (de) 2012-12-18 2015-09-24 Epcos Ag Top-Port-Mems-Mikrofon und Verfahren zu dessen Herstellung
CN203225885U (zh) * 2013-04-09 2013-10-02 歌尔声学股份有限公司 Mems麦克风
JP6175873B2 (ja) * 2013-04-12 2017-08-09 オムロン株式会社 マイクロフォン
DE102013106353B4 (de) * 2013-06-18 2018-06-28 Tdk Corporation Verfahren zum Aufbringen einer strukturierten Beschichtung auf ein Bauelement
DE102014106818B3 (de) * 2014-05-14 2015-11-12 Epcos Ag Mikrofon
CN204131729U (zh) * 2014-09-29 2015-01-28 山东共达电声股份有限公司 一种mems麦克风
CN204131730U (zh) * 2014-09-29 2015-01-28 山东共达电声股份有限公司 一种mems麦克风

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