JP6581802B2 - 相分離構造を含む構造体の製造方法、ブロックコポリマー組成物 - Google Patents
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Description
ブロックコポリマーの相分離構造を利用するためには、ミクロ相分離により形成される自己組織化ナノ構造を、特定の領域のみに形成し、かつ、所望の方向へ配向させることが必須となる。これらの位置制御及び配向制御を実現するために、ガイドパターンによって、相分離パターンを制御するグラフォエピタキシーや、基板の化学状態の違いによって相分離パターンを制御するケミカルエピタキシー等のプロセスが提案されている(例えば、非特許文献1参照)。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、良好に相分離構造を形成することができる、相分離構造を含む構造体の製造方法、ブロックコポリマー組成物及びブロックコポリマー組成物に用いる有機溶剤を提供することを課題とする。
「アルキル基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の1価の飽和炭化水素基を包含するものとする。
「アルキレン基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の2価の飽和炭化水素基を包含するものとする。アルコキシ基中のアルキル基も同様である。
「ハロゲン化アルキル基」は、アルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
「フッ素化アルキル基」又は「フッ素化アルキレン基」は、アルキル基又はアルキレン基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基をいう。
「構成単位」とは、高分子化合物(樹脂、重合体、共重合体)を構成するモノマー単位(単量体単位)を意味する。
「アクリル酸エステルから誘導される構成単位」とは、アクリル酸エステルのエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
「アクリル酸エステル」は、アクリル酸(CH2=CH−COOH)のカルボキシ基末端の水素原子が有機基で置換された化合物である。
アクリル酸エステルは、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該α位の炭素原子に結合した水素原子を置換する置換基(Rα)は、水素原子以外の原子又は基であり、たとえば炭素数1〜5のアルキル基、炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基、ヒドロキシアルキル基等が挙げられる。なお、アクリル酸エステルのα位の炭素原子とは、特に断りがない限り、カルボニル基が結合している炭素原子のことである。
以下、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されたアクリル酸エステルをα置換アクリル酸エステルということがある。また、アクリル酸エステルとα置換アクリル酸エステルとを包括して「(α置換)アクリル酸エステル」ということがある。
「ヒドロキシスチレン若しくはヒドロキシスチレン誘導体から誘導される構成単位」とは、ヒドロキシスチレン若しくはヒドロキシスチレン誘導体のエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
「ヒドロキシスチレン誘導体」とは、ヒドロキシスチレンのα位の水素原子がアルキル基、ハロゲン化アルキル基等の他の置換基に置換されたもの、並びにそれらの誘導体を含む概念とする。それらの誘導体としては、α位の水素原子が置換基に置換されていてもよいヒドロキシスチレンの水酸基の水素原子を有機基で置換したもの、α位の水素原子が置換基に置換されていてもよいヒドロキシスチレンのベンゼン環に、水酸基以外の置換基が結合したもの、等が挙げられる。なお、α位(α位の炭素原子)とは、特に断りがない限り、ベンゼン環が結合している炭素原子のことをいう。
ヒドロキシスチレンのα位の水素原子を置換する置換基としては、前記α置換アクリル酸エステルにおいて、α位の置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
「ビニル安息香酸若しくはビニル安息香酸誘導体から誘導される構成単位」とは、ビニル安息香酸若しくはビニル安息香酸誘導体のエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
「ビニル安息香酸誘導体」とは、ビニル安息香酸のα位の水素原子がアルキル基、ハロゲン化アルキル基等の他の置換基に置換されたもの、並びにそれらの誘導体を含む概念とする。それらの誘導体としては、α位の水素原子が置換基に置換されていてもよいビニル安息香酸のカルボキシ基の水素原子を有機基で置換したもの、α位の水素原子が置換基に置換されていてもよいビニル安息香酸のベンゼン環に、水酸基およびカルボキシ基以外の置換基が結合したもの、等が挙げられる。なお、α位(α位の炭素原子)とは、特に断りがない限り、ベンゼン環が結合している炭素原子のことをいう。
「スチレン誘導体」とは、スチレンのα位の水素原子がアルキル基、ハロゲン化アルキル基等の他の置換基に置換されたものを意味する。
「スチレンから誘導される構成単位」、「スチレン誘導体から誘導される構成単位」とは、スチレン又はスチレン誘導体のエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
上記α位の置換基としてのアルキル基は、直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、炭素数1〜5のアルキル基(メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基)等が挙げられる。
また、α位の置換基としてのハロゲン化アルキル基は、具体的には、上記「α位の置換基としてのアルキル基」の水素原子の一部又は全部を、ハロゲン原子で置換した基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。
また、α位の置換基としてのヒドロキシアルキル基は、具体的には、上記「α位の置換基としてのアルキル基」の水素原子の一部又は全部を、水酸基で置換した基が挙げられる。該ヒドロキシアルキル基における水酸基の数は、1〜5が好ましく、1が最も好ましい。
「置換基を有していてもよい」と記載する場合、水素原子(−H)を1価の基で置換する場合と、メチレン基(−CH2−)を2価の基で置換する場合の両方を含む。
「露光」は、放射線の照射全般を含む概念とする。
本発明の第一の態様は、支持体上に、ポリスチレン又はポリスチレン誘導体からなるブロックと、他の1種類以上のブロックとが結合したブロックコポリマーと、有機溶剤成分(S)とを含有するブロックコポリマー組成物を塗布し、ブロックコポリマーを含む層を形成する工程Aと、前記ブロックコポリマーを含む層を相分離させる工程Bと、を含み、前記有機溶剤成分(S)のハンセン溶解度パラメータと、前記ポリスチレン又はポリスチレン誘導体のハンセン溶解度パラメータとの相互作用間距離RaPS(MPa1/2)の値が、以下の式(1)を満たすことを特徴とする、相分離構造を含む構造体の製造方法である。
この実施形態では、ポリスチレン又はポリスチレン誘導体のハンセン溶解度パラメーターとの相互作用間距離(Ra)の値が所定の範囲である有機溶剤成分を含有するブロックコポリマー組成物が用いられている。
まず、図1(A)に示す支持体1上に、ポリスチレン又はポリスチレン誘導体からなるブロックと、他の1種類以上のブロックとが結合したブロックコポリマーを含有するブロックコポリマー組成物を塗布し、図1(C)に示すように、支持体1上にブロックコポリマーを含む層3を形成する。
本実施形態においては、図1(B)に示すように、支持体1上に、中性化膜2を形成し、該中性化膜2の上にブロックコポリマーを含む層3を形成することが好ましい。
次に、図1(D)に示すように、ブロックコポリマーを含む層を相分離させ、PAブロックからなる相(図1(D)における3a)とPBブロックからなる相(図1(D)における3b)とに相分離させた相分離構造を含む構造体を得ることができる。
工程Aは、支持体上に、ポリスチレン又はポリスチレン誘導体からなるブロックと、他の1種類以上のブロックとが結合したブロックコポリマーと、有機溶剤成分(S)とを含有するブロックコポリマー組成物を塗布し、ブロックコポリマーを含む層を形成する工程である。工程Aで用いるブロックコポリマー組成物については後述する。
ブロックコポリマーを含む層の形成は、従来公知の方法によって行うことができる。具体的には、たとえばブロックコポリマー組成物を支持体上にスピンナー等で塗布し、好ましくは80〜150℃の温度で40〜120秒間、より好ましくは60〜90秒間のベーク処理を施すことによりブロックコポリマーを含む層を形成できる。
ブロックコポリマーを含む層の厚さは、特に制限はなく、30〜250nmの範囲内であることが好ましく、50〜150nmがより好ましい。
中性化膜の形成は、中性化膜を形成するために用いられる樹脂組成物を、支持体上にスピンナー等で塗布し、100〜300℃の温度で40〜120秒間、好ましくは60〜90秒間のベーク処理を施すことにより中性化膜を形成できる。該ベーク処理の後、シンナー等の溶剤で支持体と未密着な部位を溶剤剥離し、中性化膜を形成することができる。
中性化膜の厚さは特に制限は無く、1〜20nmが好ましく、5〜15nmがより好ましい。
中性化膜を形成することにより、相分離によって特定のポリマーからなる相のみが支持体表面に接することを抑制することができる。このため、相分離によって支持体表面に対して垂直方向に配向されたラメラ構造を形成させるためには、ブロックコポリマーを含む層を形成する前に、支持体表面に、用いるブロックコポリマーの種類に応じた中性化膜を形成しておくことが好ましい。
このような中性化膜としては、樹脂組成物からなる膜を用いることができる。中性化膜を形成するために用いられる樹脂組成物は、ブロックコポリマーを構成するポリマーの種類に応じて、薄膜形成に用いられる従来公知の樹脂組成物の中から適宜選択することができる。中性化膜を形成するために用いられる樹脂組成物は、熱重合性樹脂組成物であってもよく、ポジ型レジスト組成物やネガ型レジスト組成物等の感光性樹脂組成物であってもよい。
その他、化合物を表面処理剤とし、当該化合物を塗布して形成された非重合性膜を中性化膜としてもよい。例えば、フェネチルトリクロロシラン、オクタデシルトリクロロシラン、ヘキサメチルジシラザン等を表面処理剤として形成されたシロキサン系有機単分子膜も、中性化膜として好適に用いることができる。
これらの表面処理剤からなる中性化膜は、常法により形成することができる。
例えば、ポリスチレン(以下、「PS」と記載することがある。)とポリメタクリル酸メチル(以下、「PMMA」と記載することがある。)のブロックコポリマーを用いる場合には、表面処理剤として、PSとPMMAの両方を構成単位として含む物樹脂組成物や、芳香環等のPSと親和性が高い部位と、極性の高い官能基等のPMMAと親和性の高い部位の両方を含む化合物又は組成物を用いることが好ましい。
PSとPMMAの両方を構成単位として含む樹脂組成物としては、例えば、PSとPMMAのランダムコポリマー、PSとPMMAの交互ポリマー(各モノマーが交互に共重合しているもの)等が挙げられる。
その他、PSと親和性が高い部位とPMMAと親和性の高い部位の両方を含む化合物としては、フェネチルトリクロロシラン等のアリール基と極性の高い置換基の両方を含む化合物や、アルキルシラン化合物等のアルキル基と極性の高い置換基の両方を含む化合物等が挙げられる。
また、本実施形態において用いられる支持体の大きさや形状は、特に限定されるものではない。支持体は必ずしも平滑な表面を有する必要はなく、様々な材質や形状の支持体を適宜選択することができる。例えば、曲面を有する基板、表面が凹凸形状の平板、薄片状などの様々な形状のものまで多様に用いることができる。
洗浄処理としては、従来公知の方法を利用でき、例えば酸素プラズマ処理、水素プラズマ処理、オゾン酸化処理、酸アルカリ処理、化学修飾処理等が挙げられる。例えば、基板を硫酸/過酸化水素水溶液等の酸溶液に浸漬させた後、水洗し、乾燥させる。その後、当該基板の表面に、相分離構造形成用樹脂組成物層を形成することができる。
工程Bは、前記工程Aで得たブロックコポリマーを含む層を相分離させる。
ブロックコポリマーを含む層(図1における3)の相分離は、ブロックコポリマーを含む層が形成された後に熱処理し、相分離構造を形成させる。熱処理の温度は、用いるブロックコポリマーの混合物を含む層のガラス転移温度以上であり、かつ熱分解温度未満で行うことが好ましい。例えば、ブロックコポリマーが、PS−PMMA(Mn:150000−50000)の場合には、150〜270℃が好ましく、200〜250℃がより好ましく、210〜230℃が特に好ましい。熱処理時間としては、30〜3600秒間が好ましく、120〜600秒がより好ましい。
また、熱処理は、窒素等の反応性の低いガス中で行われることが好ましい。
これにより、感光性樹脂パターンの向きに沿った相分離構造を含む構造体を得ることができる。
本実施形態において、前記工程Bの後、前記ブロックコポリマーを含む層のうち、前記ブロックコポリマーを構成する複数種類のブロックのうちの少なくとも一種類のブロックからなる相を選択的に除去することにより、パターンを形成してもよい。
具体的には、相分離構造を形成させた後の支持体上のブロックコポリマーを含む層のうち、PAブロックからなる相中のブロック(図1(D)における相3a)を選択的に除去(低分子量化)することにより、PBブロックからなるパターン(図1(E)における相3b)を形成することができる。
この時、PAブロックからなる相中のブロック(図1(D)における相3a)の少なくとも一部を選択的に除去(低分子量化)することにより、パターンを形成してもよい。予めPAブロックの一部を選択的に除去することにより、現像液に対する溶解性を高められる結果、PAブロックからなる相がPBブロックからなる相よりも選択的に除去しやすくなる。
工程Aにおいて、ブロックコポリマーを含む層を形成するために用いられるブロックコポリマー組成物は、ポリスチレン又はポリスチレン誘導体からなるブロックと、他の1種類以上のブロックとが結合したブロックコポリマーを含有するブロックコポリマー組成物を採用できる。
該ブロックコポリマー組成物は、有機溶剤成分(S)を含有し、該有機溶剤成分(S)のハンセン溶解度パラメーターと、前記ポリスチレン又はポリスチレン誘導体のハンセン溶解度パラメーターとの相互作用間距離RaPS(MPa1/2)の値は、以下の式(1)を満たす。
有機溶剤成分(S)が満たす所定のハンセン溶解度パラメーターは、例えば、Charles M.Hansenによる「Hansen Solubility Parameters:A User’s Handbook」,CRC Press(2007)及びAllan F.M.Barton(1999)編集の「The CRC Handbook and Solubility Parameters and Cohesion Parameters,」(1999)において、Charles Hansenにより説明されている溶解度パラメーター及び凝集特性に基づいた、所定のパラメーターから算出できる。
ハンセン溶解度パラメーターは、実験的に及び理論的に誘導された下記3つのハンセン溶解度パラメーター(即ち、δD、δP及びδH)を組み合わせることにより、材料の全体的な強度及び選択性の尺度とすることができる。下記3つのハンセン溶解度パラメーターのそれぞれは、有機溶剤成分(S)の溶媒能の特徴を表す。溶解度パラメーターの単位は、MPa1/2又は(J/cc)0.5で付与される。
・δD:分子間の分散力に由来するエネルギー。
・δP:分子間の極性力に由来するエネルギー。
・δH:分子間の水素結合力に由来するエネルギー。
この3次元空間内で、有機溶剤成分(S)と、ポリスチレン又はポリスチレン誘導体の2種の分子がより接近する程、互いに溶解する可能性がより高くなることを示す。つまり、有機溶剤成分(S)と、ポリスチレン又はポリスチレン誘導体の2種の分子のパラメーターが近接しているか否かを決定するために、ハンセン空間内のハンセンパラメーター間の距離(Ra)を計算するには、以下の式を使用する。
δd2は非極性の分散エネルギーによって発生する有機溶剤成分(S)の溶解度定数、
δp2は永久双極子による極性エネルギーによって発生する有機溶剤成分(S)の溶解度定数、
δh2は水素結合によるエネルギーのよって発生する有機溶剤成分(S)の溶解度定数を示す。
δd1は非極性の分散エネルギーによって発生するポリスチレン又はポリスチレン誘導体の溶解度定数、
δp1は永久双極子による極性エネルギーによって発生するポリスチレン又はポリスチレン誘導体の溶解度定数、
δh1は水素結合によるエネルギーのよって発生するポリスチレン又はポリスチレン誘導体の溶解度定数を示す。]
例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルアミルケトン(RaPS:4.9)、シクロヘキサノン、メチル−n−ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、2−ヘプタノンなどのケトン類;3−メトキシブチルアセテート(RaPS:8.3)等のエステル結合を有する化合物、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル(RaPS:6.4)、などのエステル類;が挙げられる。
これらの有機溶剤は単独で用いてもよく、2種以上の混合溶剤として用いてもよい。
上記式(2)を満たす有機溶剤成分(S)は、ポリエチレンに対する溶解性が低いものであるため、精製工程において、フィルターにダメージを与えにくく、フィルターから溶出する不純物の混入を防止できる。このため、ブロックコポリマー組成物中の不純物の混入を低減できるため、良好に相分離構造を形成することができる。
本実施形態においては、ポリスチレン又はポリスチレン誘導体からなるブロックと、他の1種類以上のブロックとが結合したブロックコポリマーを用いる。
ブロックコポリマーは、複数種類のブロック(同種の構成単位が繰り返し結合した部分構成成分)が結合した高分子である。ブロックコポリマーを構成するブロックは、2種類であってもよく、3種類以上であってもよい。
本実施形態においては、ブロックコポリマーを構成する複数種類のブロックは、ポリスチレン又はポリスチレン誘導体からなるブロックと、相分離が起こる組み合わせであれば特に限定されるものではないが、互いに非相溶であるブロック同士の組み合わせであることが好ましい。また、ブロックコポリマーを構成する複数種類のブロック中の少なくとも1種類のブロックからなる相が、他の種類のブロックからなる相よりも、容易に選択的に除去可能な組み合わせであることが好ましい。
また、ブロックコポリマーを構成する複数種類のブロック中の少なくとも1種類のブロックからなる相が、他の種類のブロックからなる相よりも、容易に選択的に除去可能な組み合わせであることが好ましい。容易に選択的に除去可能な組み合わせとしては、エッチング選択比が1よりも大きい、1種又は2種以上のブロックとが結合したブロックコポリマーが挙げられる。
ブロックコポリマーの周期は、重合度N、及び、フローリー−ハギンズ(Flory−Huggins)の相互作用パラメーターχ、などの固有重合特性によって決まる。すなわち、「χN」が大きくなるほど、ブロックコポリマーにおける異なるブロック間の相互反発は大きくなる。このため、χN>10(以下「強度分離限界点」という)のときには、ブロックコポリマーにおける異種類のブロック間の反発が大きく、相分離が起こる傾向が強くなる。そして、強度分離限界点においては、ブロックコポリマーの周期は、およそN2/3χ1/6となる。つまり、ブロックコポリマーの周期は、分子量Mnと、異なるブロック間の分子量比と、に相関する重合度Nに比例する。従って、用いるブロックコポリマーの組成及び総分子量を調整することにより、ブロックコポリマーの周期を調節することができる。
(α置換)アクリル酸としては、たとえば、アクリル酸、メタクリル酸などが挙げられる。
(α置換)アクリル酸エステルとしては、たとえば、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸n−ブチル、アクリル酸t−ブチル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸ノニル、アクリル酸ヒドロキシエチル、アクリル酸ヒドロキシプロピル、アクリル酸ベンジル、アクリル酸アントラセン、アクリル酸グリシジル、アクリル酸3,4−エポキシシクロヘキシルメタン、アクリル酸プロピルトリメトキシシラン等のアクリル酸エステル;メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸プロピル、メタクリル酸n−ブチル、メタクリル酸t−ブチル、メタクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸オクチル、メタクリル酸ノニル、メタクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸ヒドロキシプロピル、メタクリル酸ベンジル、メタクリル酸アントラセン、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸3,4−エポキシシクロヘキシルメタン、メタクリル酸プロピルトリメトキシシラン等のメタクリル酸エステルなどが挙げられる。
これらのなかでも、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸t−ブチル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸t−ブチルが好ましい。
またブロックコポリマーの分散度(Mw/Mn)は1.0〜3.0が好ましく、1.0〜1.5がより好ましく、1.0〜1.3がさらに好ましい。なお、Mwは質量平均分子量を示す。
本発明の第2の態様は、ポリスチレン又はポリスチレン誘導体からなるブロックと、他の1種類以上のブロックとが結合したブロックコポリマーと、有機溶剤成分(S)とを含有するブロックコポリマー組成物であって、前記有機溶剤成分(S)のハンセン溶解度パラメータと前記ポリスチレン又はポリスチレン誘導体のハンセン溶解度パラメータとの相互作用間距離RaPS(MPa1/2)の値が、以下の式(1)を満たすことを特徴とする、ブロックコポリマー組成物である。
本発明の第3の態様は、支持体上に、ポリスチレン又はポリスチレン誘導体からなるブロックと、他の1種類以上のブロックとが結合したブロックコポリマーと、有機溶剤成分(S)とを含有するブロックコポリマー組成物を塗布し、ブロックコポリマーを含む層を形成する工程Aと、前記ブロックコポリマーを含む層を相分離させる工程Bとを含む、相分離構造を含む構造体の製造方法に用いられるブロックコポリマー組成物用の有機溶剤であって、前記有機溶剤のハンセン溶解度パラメータと前記ポリスチレン又はポリスチレン誘導体のハンセン溶解度パラメータとの相互作用間距離RaPS(MPa1/2)の値が、以下の式(1)を満たすことを特徴とする、ブロックコポリマー組成物に用いる有機溶剤である。
(実施例1〜3、参考例1)
ポリスチレン(PS)とポリメタクリル酸メチル(PMMA)とのブロックコポリマー(Mw146000、PS/PMMA組成比(モル比)74.1/25.9、分散度1.01、周期47.2nm)を表3に示す各溶剤に溶解し、実施例1〜3、参考例1のブロックコポリマー組成物を調製した。
下記表3中に、各溶剤と、ポリスチレンとのハンセン溶解度パラメーターの相互作用間距離RaPS(MPa1/2)の値を「RaPS」として記載する。
≪工程A0≫
8インチのシリコンウェーハ上に、中性化膜として、下記樹脂1(l/m/n=80/14/6からなるMw:44000、Mw/Mn:1.73の共重合体)を、PGMEAに0.4質量%の濃度で溶解し、調製した樹脂組成物をスピンナーを用いて塗布し、250℃、1分間ベークして乾燥させることにより、膜厚10nmの中性化膜を支持体上に形成した。その後、PMシンナーを用いて、ウェーハと未密着な部位を溶剤剥離し、中性化膜をウェーハ上に得た。
次いで、中性化膜上に、上記で得た実施例1〜3、参考例1のブロックコポリマー組成物(2.8質量%)をそれぞれスピンコート(回転数1500rpm、60秒)し、ブロックコポリマーを含む層を形成した。ブロックコポリマー組成物の塗布量は3ccとした。
上記工程Aで形成した層をベーク(100℃、60秒間)後、前記層が形成された支持体を、窒素気流下、210℃又は230℃で300秒間加熱させてアニールすることにより、相分離構造を形成させた。
形成されたホールパターンを画像解析し、開口率を求めた。その結果を「開口率(%)」として、表3に記載する。
形成したホールパターンについて、パターン寸法の面内均一性(CDU/CD)を評価した。
ホールパターン中の100個のホールを、測長SEM(走査型電子顕微鏡、加速電圧300V、商品名:S−9380、日立ハイテクノロジーズ社製)により、CHパターン上空から観察し、各ホールのホール直径(CD;nm)を測定した。そして、その測定結果から算出した標準偏差(σ)の3倍値(3σ)を求め、「CDU(nm)」とした。
このようにして求められる3σは、その値が小さいほど、該レジスト膜に形成された複数のホールの寸法(CD)均一性が高いことを意味する。
このようにして得られた「CDU(nm)」を、各ホールのホール直径(CD;nm)で除した結果を「CDU/CD」として、表3に記載する。
上記の方法で算出した開口率と、CDU/CDの値を考慮し、「相分離性能」として、「○」又は「△」で評価した。その結果を表3に記載する。「○」又は「△」は以下の評価内容を意味する。
○:開口率及びCDU/CDの結果が共に良好であった。
△:開口率又はCDU/CDのいずれか一方の結果が良好であった。
表4に示す各溶剤を、ポアサイズ35nmの超高分子量ポリエチレン(UPE)製の濾過フィルターを用いて減圧濾過し(窒素加圧下、0.04MPa)、表4に示す積算流量(単位:LR)を通液後にサンプリングし、各溶剤のフィルターに対するダメージを評価した。
下記表4中に、各溶剤と、ポリエチレンとのハンセン溶解度パラメーターの相互作用間距離RaPE(MPa1/2)の値を「RaPE」として記載する。
通液後の表4に示す各溶剤について、パーティクル評価を行った。直径300mmのシリコンウェーハ上(ウエハー1及びウエハー2)に、通液後の表2に示す各溶剤をそれぞれスピンナーを用いて塗布し(1500rpm、1分間)、ホットプレート上で80℃、60秒間ベークした。その後、シリコンウェーハ上のパーティクルを、KLAテンコール社製の表面観察装置SURFSCANSP2で観察し、パーティクル数とした。その結果を「パーティクル数(個)」として表4に示す。
表4中、「over load」は、フィルターからの溶出に起因するパーティクル数が多く、数えきれなかったことを意味する。
フィルターダメージの評価として、フィルターからの溶出に起因するパーティクル数が少なかったものを「○」、フィルターからの溶出に起因するパーティクル数が多かったものを「×」として、表4に記載する。
2 ・・・ 中性化膜
3 ・・・ 相分離構造形成用樹脂組成物層
3a ・・・ PBブロックからなる相
3b ・・・ PAブロックからなる相
Claims (2)
- ポリスチレン又はポリスチレン誘導体からなるブロックと、他の1種類以上のブロックとが結合したブロックコポリマーと、有機溶剤成分(S)とを含有するブロックコポリマー組成物であって、
前記ブロックコポリマーは、ポリスチレンもしくはポリスチレン誘導体からなるブロックと、(α置換)アクリル酸エステルから誘導される構成単位のブロックとが結合したブロックコポリマー;又はポリスチレンもしくはポリスチレン誘導体からなるブロックと、(α置換)アクリル酸から誘導される構成単位のブロックとが結合したブロックコポリマーであり、
前記有機溶剤成分(S)は、3−メトキシブチルアセテートであり、
相分離構造を含む構造体の製造方法に用いられる、ブロックコポリマー組成物。 - 支持体上に、請求項1に記載のブロックコポリマー組成物を塗布し、ブロックコポリマーを含む層を形成する工程Aと、
前記のブロックコポリマーを含む層を、温度150〜270℃で30〜3600秒間の熱処理を施して相分離させる工程Bと、
を含む、相分離構造を含む構造体の製造方法。
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