JP6573890B2 - 薄型で高度に構成可能な電流共有並列化広バンドギャップ電力デバイス電力モジュール - Google Patents
薄型で高度に構成可能な電流共有並列化広バンドギャップ電力デバイス電力モジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP6573890B2 JP6573890B2 JP2016543201A JP2016543201A JP6573890B2 JP 6573890 B2 JP6573890 B2 JP 6573890B2 JP 2016543201 A JP2016543201 A JP 2016543201A JP 2016543201 A JP2016543201 A JP 2016543201A JP 6573890 B2 JP6573890 B2 JP 6573890B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power
- interconnect
- parallel
- substrate
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/14—Mounting supporting structure in casing or on frame or rack
- H05K7/1422—Printed circuit boards receptacles, e.g. stacked structures, electronic circuit modules or box like frames
- H05K7/1427—Housings
- H05K7/1432—Housings specially adapted for power drive units or power converters
- H05K7/14329—Housings specially adapted for power drive units or power converters specially adapted for the configuration of power bus bars
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Description
1.高温作動を可能にする真性キャリアの低減
2.キャリア移動度の増大
3.より高い絶縁破壊強度
4.オン抵抗の低減
5.より速いスイッチング速度
6.熱伝導性の増加。
工業規格62mm底板との整合フットプリント
裸ダイ電力デバイスの有効な並列化のための等化電力路
スイッチ位置あたり7.5mm×71mmのデバイスに利用可能な大きいアクティブ面積
10mmの低モジュール高さ
広い薄型電力接点で達成される低インダクタンス
500Aよりも大量の通電のための短い電流路及び大きい導体断面積
個々の安定抵抗器を有する内部ゲート及びソースケルビン相互接続基板
内部ゲート及びソースケルビン相互接続基板の高信頼性ボルト式接続
標準及び構成可能な1mm、2mm、0.1インチ、及び0.05インチピッチのゲート駆動コネクタ
モジュールの左又は右側のいずれかのゲート駆動コネクタ
内部温度感知RTD及び関連の入力/出力コネクタのためのオプション
システム費用を低減するための固有部品点数の低減
モジュール性を増加するための固有部品点数の低減
ハーフブリッジ、フルブリッジ、共通ソース、及び共通ドレイントポロジーとして構成可能
プラスチックハウジングの中に組み込まれた電圧沿面拡張器
低密度材料の使用による全体で140g以下の軽量
250℃まで作動させることができる材料、アタッチ、及び電圧遮断被膜
図4によって示すように、電力モジュール100の電力ループ110の駆動フォーカスは、多数のデバイス500と実質的に並列化されている。示されているのは、第1の電力デバイス501、第2の電力デバイス502、第3の電力デバイス503、第4の電力デバイス504、第5の電力デバイス505、第6の電力デバイス506、第7の電力デバイス507、第8の電力デバイス508、第9の電力デバイス509、第10の電力デバイス510、及び第11の電力デバイス511である。モジュール100は、後で詳述する構成に応じて2つ又は4つのいずれかのスイッチ位置を有することができる。図4は、上側位置480及び下側位置490を示している。各スイッチ位置の形成において、それらが高価なモジュール100修正なしに特定の用途に対して調節されるように、多くの柔軟性がある。例えば、位置は、ソーススイッチ500に対して同数のダイオードか、僅かに少しのダイオードを有するか、又は全くダイオードがない場合がある。図4は、「V+」端子410から「中間」端子420に移動する電流のために均等な共有電流路120を示す電力ループ110の表現であり、V−端子430はまた、下側位置490においてデバイス500のために使用するように示されている。このレイアウトの追加の利益は、各デバイス500の等間隔が、数か所にそれらを集中させる代わりに、モジュール100にわたって熱源の広がりに役に立つことである。
各スイッチ位置に対する独立した電気路は、ソーススイッチを制御するのに必要なゲート及びソースケルビン接続部を形成するのに必要である。これは、理想的には、ゲート及びソースケルビン経路指定が、広い等化電力路に干渉しないので、並列状態のデバイス500の数によって困難になる。図8は、電力モジュール100及びその変形が、電力基板300の上に置かれ、次に、底板200に至るまでボルトで締められた一体成形の2次基板600を含む方法を示している。
図13は、この場合も、基板600と一致するようにゲート方向を示す矢印で非常に高い電流及び電圧を処理するように設計された金属−セラミック−金属層状構造である電力基板300を示している。金属は、様々な厚みの銅又はアルミニウムとすることができるが、セラミック材料は、典型的には、アルミナAl2013、アルミナ窒化物AlN、又はシリコン窒化物Si3N4である。ハーフブリッジ基板330に対して図13、共通ソース基板340に対して図14、及び各構成に対して上側及び下側ダイ500の位置を示す共通ドレイン基板350に対して図15に示すように、金属層302をエッチングしてトポロジー特定のパターン330、340、350にする。これらのレイアウトの各々は、基板300の中心の下のラインをエッチングすることによって二重チャネル配置に分けることができる点にも注意しなければならない。それらはまた、必要に応じてチャネルあたり個々の基板に分けることができる。これは、より小さい基板があまり応力を受けないので、より厳しい環境に対して有用である場合がある。
ハウジング800は、強化高温プラスチックによって射出成形工程で形成される。ハウジング800は、敏感な半導体500に対する防護壁であるのに加えて、多くの機能を果たす。これは、電圧遮断、キャプティブファスナ900のための機械的支持体、電力接点曲げ工程のためのガイド、ゲル被膜のためのエントリゾーン、ゲル被膜工程のためのベント、及び自己強化内部リブ812を含む。これらの特徴の多くは、図16及び図17に示されている。高アスペクト比のトレンチは、電力接点400の周囲に置かれ、電圧遮断機能を増大させる露出金属接点の間の表面距離を増大させる。
本文献で前に考察したように、電力モジュール100は、様々な有用な電力電子トポロジーに構成可能である。それらは、ハーフブリッジ、共通ソース、及び共通ドレインを含む。電力基板300及びゲート及びソースケルビン基板600、並びに電力接点400及びハウジング800の変更によるチャネルの分割は、フルブリッジ、共通ソース二重チャネル、及び共通ドレイン二重チャネルを含む3つ以上の構成を可能にする。
電力モジュール100
電力ループ110
共有電流路120
第1の外部構成150
二重チャネル配置152
底板200
装着孔203
スタンドオフ210
ネジ付き孔212
ネジ付き孔290
電力基板300
金属層302
第1のトポロジーパターンのハーフブリッジ基板(half bridge substrate)330
第2のトポロジーパターンの共通ソース基板(common source substrate)340
第3のトポロジーパターンの共通ドレイン基板(common drain substrate)350
電力接点400
第1の電力接点410
第2の電力接点420
第3の電力接点430
基部450
接着面452
半田キャッチ454
垂直体460
第1の曲げ462
前縁464
反対面466
接点上部470
第2の曲げ472
上側位置480
下側位置490
電力デバイス500
第1の並列電力デバイス501
第2の並列電力デバイス502
第3の並列電力デバイス503
第4の並列電力デバイス504
第5の並列電力デバイス505
第6の並列電力デバイス506
第7の並列電力デバイス507
第8の並列電力デバイス508
第9の並列電力デバイス509
第10の並列電力デバイス510
第11の並列電力デバイス511
ゲート及びソースケルビン相互接続基板600
第1の相互接続チャネル602
外側ダイ開口603
第2の相互接続チャネル604
内側ダイ開口605
第1の相互接続位置611
第2の相互接続位置612
第3の相互接続位置613
第4の相互接続位置614
個々の安定抵抗器(individual ballast resistors)640
接着位置642
ゲートトラック650
ゲートパッド651
ソーストラック652
相互接続チャネル654
ゲート駆動接続700
第1のゲート駆動接続位置701
第2のゲート駆動接続位置702
第3のゲート駆動接続位置703
第4のゲート駆動接続位置704
ハウジング800
沿面拡張器802
被膜エントリ及びベント804
キャプティブファスナ開口(captive fasteners apertures)806
ラベル区域808
電力接点ピンチ及び半径810
強化リブ812
ボルト孔コア部分814
ボルトヘッド逃し凹部816
ファスナインサート818
電力接点通路スライス820
ワイヤ結合クリアランス開口822
ボルト830
ファスナ900
Claims (17)
- 電力モジュール装置であって、
底板と、
前記底板の上方に位置決めされ、トポロジーパターンを定める電力基板と、
各々が前記電力基板に電気的に接続された少なくとも3つの電力接点と、
前記少なくとも3つの電力接点のうちの少なくとも2つに電気的に接続された少なくとも2つの並列共有電流路電力デバイスと、
前記電力基板の上方に装着されたゲート及びソースケルビン基板であって、該ゲート及びソースケルビン基板が第1の相互接続チャネル及び第2の相互接続チャネルを含む基板を有し、この基板の上に前記第1の相互接続チャネル及び前記第2の相互接続チャネルが配置され、前記第1の相互接続チャネル及び前記第2の相互接続チャネルの上の複数のゲート結合パッドのそれぞれが前記並列共有電流路電力デバイスの1つに接続するよう構成され、各相互接続チャネルが位置群の相互接続位置に装着されるように該ゲート及びソースケルビン基板が構成され、該位置群が第1の相互接続位置、第2の相互接続位置、第3の相互接続位置及び第4の相互接続位置から構成される、前記ゲート及びソースケルビン基板と、
前記ゲート及びソースケルビン基板に電気的に接続されたゲート駆動コネクタと、
前記底板に固定されたハウジングであって、前記ゲート駆動コネクタ及び前記少なくとも3つの電力接点が該ハウジングを通って延び、該ハウジングがファスナ開口を定める、前記ハウジングと、
前記ファスナ開口に位置決めされたファスナと、
を含み、
前記少なくとも3つの電力接点は、前記電力基板に接続され、前記ハウジングを通って前記電力基板から延び、更に前記ファスナを前記ファスナ開口に保持するために該ファスナ開口上で曲げられ、
前記電力基板は、少なくとも3つの別々の金属層部分を有し、
前記少なくとも3つの電力接点のそれぞれは、前記電力基板に平行に延び、且つ前記電力基板の前記少なくとも3つの別々の金属層部分における異なる1つに接続する部分を含む、
ことを特徴とする装置。 - 前記トポロジーパターンがハーフブリッジ基板を形成するように、前記少なくとも2つの並列共有電流路電力デバイス及び前記電力基板が当該トポロジーパターンを実行するよう構成される、
ことを特徴とする請求項1に記載の装置。 - 前記電力モジュールは、前記第1の相互接続位置、前記第2の相互接続位置、前記第3の相互接続位置及び前記第4の相互接続位置から構成される前記位置群から選択された前記相互接続位置を実行する前記ゲート及びソースケルビン基板を受け入れるよう構成され、
前記第1の相互接続チャネルは、前記第1の相互接続位置に装着され、
前記第2の相互接続チャネルは、前記第3の相互接続位置に装着される、
ことを特徴とする請求項2に記載の装置。 - 前記トポロジーパターンが共通ソース基板を形成するように、前記少なくとも2つの並列共有電流路電力デバイス及び前記電力基板が当該トポロジーパターンを実行するよう構成される、
ことを特徴とする請求項1に記載の装置。 - 前記電力モジュールは、前記第1の相互接続位置、前記第2の相互接続位置、前記第3の相互接続位置及び前記第4の相互接続位置から構成される前記位置群から選択された前記相互接続位置を実行する前記ゲート及びソースケルビン基板を受け入れるよう構成され、
前記第1の相互接続チャネルは、前記第1の相互接続位置に装着され、
前記第2の相互接続チャネルは、前記第4の相互接続位置に装着される、
ことを特徴とする請求項4に記載の装置。 - 前記トポロジーパターンが共通ドレイン基板を形成するように、前記少なくとも2つの並列共有電流路電力デバイス及び前記電力基板が当該トポロジーパターンを実行するよう構成される、
ことを特徴とする請求項1に記載の装置。 - 前記電力モジュールは、前記第1の相互接続位置、前記第2の相互接続位置、前記第3の相互接続位置及び前記第4の相互接続位置から構成される前記位置群から選択された前記相互接続位置を実行する前記ゲート及びソースケルビン基板を受け入れるよう構成され、
前記第1の相互接続チャネルは、前記第2の相互接続位置に装着され、
前記第2の相互接続チャネルは、前記第3の相互接続位置に装着される、
ことを特徴とする請求項2に記載の装置。 - 前記少なくとも2つの並列共有電流路電力デバイスは、第1の並列電力デバイス、第2の並列電力デバイス、及び第3の並列電力デバイスを含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の装置。 - 前記部分は、半田キャッチを含み、
前記少なくとも2つの並列共有電流路電力デバイスは、第4の並列電力デバイスを含む、
ことを特徴とする請求項8に記載の装置。 - 前記電力基板に平行に延び、且つ前記電力基板に接続する前記部分は、曲げ部分を含み、
前記少なくとも2つの並列共有電流路電力デバイスは、第5の並列電力デバイス及び第6の並列電力デバイスを含む、
ことを特徴とする請求項9に記載の装置。 - 前記少なくとも2つの並列共有電流路電力デバイスは、第7の並列電力デバイス及び第8の並列電力デバイスを含む、
ことを特徴とする請求項10に記載の装置。 - 前記少なくとも2つの並列共有電流路電力デバイスは、第9の並列電力デバイス及び第10の並列電力デバイスを含む、
ことを特徴とする請求項11に記載の装置。 - 前記少なくとも2つの並列共有電流路電力デバイスは、第11の並列電力デバイスを含む、
ことを特徴とする請求項12に記載の装置。 - 前記ハウジングは、被膜エントリ及びベントを定める、
ことを特徴とする請求項1に記載の装置。 - 前記ハウジングは、前記少なくとも3つの電力接点のうちの1つを受け入れて曲げるための電力接点ピンチ及び半径構造を定める、
ことを特徴とする請求項1に記載の装置。 - 並列に位置決めされた多重電力ダイと共に使用するためのゲート及びソースケルビン基板装置であって、
基板と、
前記基板上に配置された第1の相互接続チャネルと、
前記基板上に配置された第2の相互接続チャネルと、
を含み、
前記第1の相互接続チャネル及び前記第2の相互接続チャネルは、離間するよう構成及び配置され、また、各々の端部のみにより接続され、
更に、前記装置は、
前記多重電力ダイの第1のセットを並列化し、前記第1の相互接続チャネル上に配置された第1のトラックと、
前記多重電力ダイの第2のセットを並列化し、前記第2の相互接続チャネル上に配置された第2のトラックと、
前記第1の相互接続チャネルの長さに平行に位置決めされ且つ前記第1の相互接続チャネルの長さに沿って配置されると共に、前記第1のトラックと並列に位置決めされた少なくとも2つの第1ゲート結合パッドであって、前記多重電力ダイの前記第1のセットの1つに接続されるように各々が構成されている前記少なくとも2つの第1ゲート結合パッドと、
前記第2の相互接続チャネルの長さに平行に位置決めされ且つ前記第2の相互接続チャネルの長さに沿って配置されると共に、前記第2のトラックと並列に位置決めされた少なくとも2つの第2ゲート結合パッドであって、前記多重電力ダイの前記第2のセットの1つに接続されるように各々が構成されている前記少なくとも2つの第2ゲート結合パッドと、
前記少なくとも2つの第1ゲート結合パッドの各々を前記第1のトラックに選択的に接続する個々の第1安定抵抗器と、
前記少なくとも2つの第2ゲート結合パッドの各々を前記第2のトラックに選択的に接続する個々の第2安定抵抗器と、
を含み、
前記ゲート及びソースケルビン基板装置は、電力モジュールの底板に固定されるように構成され、
前記第1の相互接続チャネル及び前記第2の相互接続チャネルは、前記多重電力ダイへのアクセスを提供するよう構成されたダイ開口を形成するように構成及び配置され、
前記第1のトラックは、ゲートトラックであり、
前記第2のトラックは、ゲートトラックである、
ことを特徴とする装置。 - 前記第1の相互接続チャネル及び前記第2の相互接続チャネルは、前記多重電力ダイへのアクセスを提供するよう構成されたダイ開口を形成するように構成及び配置され、
前記第1の相互接続チャネルは、ソーストラックを更に有し、
前記第2の相互接続チャネルは、ソーストラックを更に有する、
ことを特徴とする請求項16に記載の装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019102377A JP6891220B2 (ja) | 2014-01-30 | 2019-05-31 | 薄型で高度に構成可能な電流共有並列化広バンドギャップ電力デバイス電力モジュール |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201461933535P | 2014-01-30 | 2014-01-30 | |
US61/933,535 | 2014-01-30 | ||
PCT/US2015/013755 WO2015116924A1 (en) | 2014-01-30 | 2015-01-30 | Low profile, highly configurable, current sharing paralleled wide band gap power device power module |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019102377A Division JP6891220B2 (ja) | 2014-01-30 | 2019-05-31 | 薄型で高度に構成可能な電流共有並列化広バンドギャップ電力デバイス電力モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017504968A JP2017504968A (ja) | 2017-02-09 |
JP6573890B2 true JP6573890B2 (ja) | 2019-09-11 |
Family
ID=53757754
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016543201A Active JP6573890B2 (ja) | 2014-01-30 | 2015-01-30 | 薄型で高度に構成可能な電流共有並列化広バンドギャップ電力デバイス電力モジュール |
JP2019102377A Active JP6891220B2 (ja) | 2014-01-30 | 2019-05-31 | 薄型で高度に構成可能な電流共有並列化広バンドギャップ電力デバイス電力モジュール |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019102377A Active JP6891220B2 (ja) | 2014-01-30 | 2019-05-31 | 薄型で高度に構成可能な電流共有並列化広バンドギャップ電力デバイス電力モジュール |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (2) | EP3100301B1 (ja) |
JP (2) | JP6573890B2 (ja) |
WO (1) | WO2015116924A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11652473B2 (en) | 2016-12-16 | 2023-05-16 | Wolfspeed, Inc. | Power modules having an integrated clamp circuit and process thereof |
US11652478B2 (en) | 2016-12-16 | 2023-05-16 | Wolfspeed, Inc. | Power modules having an integrated clamp circuit and process thereof |
USD954667S1 (en) | 2017-01-13 | 2022-06-14 | Wolfspeed, Inc. | Power module |
US10212838B2 (en) * | 2017-01-13 | 2019-02-19 | Cree Fayetteville, Inc. | High power multilayer module having low inductance and fast switching for paralleling power devices |
USD903590S1 (en) | 2018-09-12 | 2020-12-01 | Cree Fayetteville, Inc. | Power module |
JP7428018B2 (ja) | 2020-03-06 | 2024-02-06 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュール |
US11735488B2 (en) * | 2020-04-07 | 2023-08-22 | Wolfspeed, Inc. | Power module |
US11721617B2 (en) | 2020-04-07 | 2023-08-08 | Wolfspeed, Inc. | Power module |
GB2619572A (en) * | 2022-06-08 | 2023-12-13 | Eaton Intelligent Power Ltd | Solid state circuit breaker |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62202548A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JPH088269B2 (ja) * | 1986-10-22 | 1996-01-29 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 半導体デバイス |
JPH01118454U (ja) * | 1988-02-04 | 1989-08-10 | ||
US5038197A (en) * | 1990-06-26 | 1991-08-06 | Harris Semiconductor Patents, Inc. | Hermetically sealed die package with floating source |
EP1808954A3 (en) * | 1991-09-20 | 2008-10-22 | Hitachi, Ltd. | IGBT-module |
JP3396566B2 (ja) * | 1995-10-25 | 2003-04-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JPH10256411A (ja) * | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | 電力用半導体モジュール |
JP3410969B2 (ja) * | 1997-06-30 | 2003-05-26 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US6060772A (en) * | 1997-06-30 | 2000-05-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Power semiconductor module with a plurality of semiconductor chips |
DE19826731C2 (de) * | 1998-06-16 | 2000-10-26 | Gruendl & Hoffmann | Halbbrückenbaugruppe |
US6212087B1 (en) * | 1999-02-05 | 2001-04-03 | International Rectifier Corp. | Electronic half bridge module |
US6307755B1 (en) | 1999-05-27 | 2001-10-23 | Richard K. Williams | Surface mount semiconductor package, die-leadframe combination and leadframe therefor and method of mounting leadframes to surfaces of semiconductor die |
JP2001185678A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-07-06 | Toshiba Corp | 電力用半導体装置 |
DE10019812B4 (de) * | 2000-04-20 | 2008-01-17 | Infineon Technologies Ag | Schaltungsanordnung |
JP4490041B2 (ja) * | 2001-04-02 | 2010-06-23 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
JP4557507B2 (ja) * | 2002-06-13 | 2010-10-06 | パナソニック株式会社 | 半導体デバイス及びその製造方法 |
JP2004349300A (ja) * | 2003-05-20 | 2004-12-09 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2007016649A2 (en) | 2005-08-02 | 2007-02-08 | Satcon Technology Corporation | Double-sided package for power module |
US8018056B2 (en) | 2005-12-21 | 2011-09-13 | International Rectifier Corporation | Package for high power density devices |
US7514780B2 (en) * | 2006-03-15 | 2009-04-07 | Hitachi, Ltd. | Power semiconductor device |
JP5029078B2 (ja) * | 2006-03-15 | 2012-09-19 | 株式会社日立製作所 | 電力用半導体装置 |
KR101448849B1 (ko) | 2007-11-16 | 2014-10-14 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 전력 모듈 및 그 제조 방법 |
JP2010080931A (ja) * | 2008-08-27 | 2010-04-08 | Kyocera Corp | 電子部品モジュールおよびその製造方法 |
JP5479703B2 (ja) * | 2008-10-07 | 2014-04-23 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
DE102009037257B4 (de) * | 2009-08-12 | 2014-07-31 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit Schaltungsträger und Lastanschlusselement sowie Herstellungsverfahren hierzu |
JP5213884B2 (ja) * | 2010-01-27 | 2013-06-19 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置モジュール |
CN104160504B (zh) * | 2012-03-28 | 2017-05-17 | 富士电机株式会社 | 半导体装置和半导体装置的制造方法 |
JP5954410B2 (ja) * | 2012-03-28 | 2016-07-20 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP5939055B2 (ja) * | 2012-06-28 | 2016-06-22 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
-
2015
- 2015-01-30 WO PCT/US2015/013755 patent/WO2015116924A1/en active Application Filing
- 2015-01-30 EP EP15743771.6A patent/EP3100301B1/en active Active
- 2015-01-30 EP EP19189512.7A patent/EP3582598A1/en active Pending
- 2015-01-30 JP JP2016543201A patent/JP6573890B2/ja active Active
-
2019
- 2019-05-31 JP JP2019102377A patent/JP6891220B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019140418A (ja) | 2019-08-22 |
WO2015116924A1 (en) | 2015-08-06 |
EP3100301B1 (en) | 2019-11-06 |
JP2017504968A (ja) | 2017-02-09 |
EP3100301A1 (en) | 2016-12-07 |
EP3100301A4 (en) | 2017-12-27 |
JP6891220B2 (ja) | 2021-06-18 |
EP3582598A1 (en) | 2019-12-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6573890B2 (ja) | 薄型で高度に構成可能な電流共有並列化広バンドギャップ電力デバイス電力モジュール | |
US10136529B2 (en) | Low profile, highly configurable, current sharing paralleled wide band gap power device power module | |
EP3556015B1 (en) | Power modules having an integrated clamp circuit and process thereof | |
US11923281B2 (en) | Semiconductor package with isolated heat spreader | |
US20230163062A1 (en) | Power Module Having an Elevated Power Plane with an Integrated Signal Board and Process of Implementing the Same | |
US11942383B2 (en) | Linear spacer for spacing a carrier of a package | |
US8933555B2 (en) | Semiconductor chip package | |
US20230326913A1 (en) | Package for power semiconductor devices | |
US11652473B2 (en) | Power modules having an integrated clamp circuit and process thereof | |
JP6906583B2 (ja) | 半導体パワーモジュール | |
US11676881B2 (en) | Semiconductor package, semiconductor assembly and method for fabricating a semiconductor package | |
EP2680305A2 (en) | Semiconductor package | |
US11315867B2 (en) | External connection part of semiconductor module, semiconductor module, external connection terminal, and manufacturing method of external connection terminal of semiconductor module | |
US20230052830A1 (en) | Power circuit module | |
JP7294403B2 (ja) | 半導体装置 | |
US11598904B2 (en) | Power semiconductor module and method for producing a power semiconductor module | |
EP4307359A1 (en) | Power semiconductor module arrangement and method for producing the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160824 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20170425 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170901 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171213 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171225 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180326 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180723 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181023 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20190131 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190531 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20190704 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190729 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190814 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6573890 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |