JP6563194B2 - 光学装置の製造方法 - Google Patents
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Description
(A)配線基板上に1または複数の光学素子が実装された実装基板と、実装基板との関係で光学素子側に配置される対向基板とを用意する工程
(B)熱硬化型の第1樹脂を、配線基板上の全ての光学素子を配線基板の面内方向から取り囲むように配置したのち、第1樹脂が硬化未完了の状態で、弾性率が第1樹脂の弾性率よりも小さく、光透過率が第1樹脂の光透過率よりも高い熱硬化型の第2樹脂を第1樹脂の内部に充填する工程
(C)第1樹脂および第2樹脂を熱処理により一括して硬化させる工程
この製造方法において、第1樹脂の硬化開始温度は、第2樹脂の硬化開始温度よりも低くなっており、第2樹脂の弾性率は、第1樹脂の弾性率と比べると、1/500〜1/100000の範囲内にある。
1.第1の実施の形態(表示装置)
2.第1の実施の形態の変形例(表示装置)
3.第2の実施の形態(受光装置)
4.第2の実施の形態の変形例(受光装置、撮像装置、発電装置)
[構成]
図1は、本技術の一実施の形態に係る表示装置1の概略構成の一例を斜視的に表したものである。本実施の形態の表示装置1は、いわゆるLEDディスプレイと呼ばれるものであり、表示画素としてLEDが用いられたものである。この表示装置1は、例えば、図1に示したように、表示パネル10と、表示パネル10(具体的には後述する発光素子40)を駆動する駆動回路20とを備えている。
表示パネル10は、実装基板10Aと、対向基板10Bとを互いに重ね合わせたものである。対向基板10Bの表面が映像表示面となっており、中央部分に表示領域を有し、その周囲に、非表示領域であるフレーム領域を有している。
図2は、実装基板10Aの対向基板10B側の表面のうち表示領域に対応する領域のレイアウトの一例を表したものである。実装基板10Aは、当該実装基板10Aの表面のうち表示領域に対応する領域に、例えば、図2に示したように、複数のY配線14と、スキャン配線に相当する複数のX配線15とを有している。Y配線14およびX配線15は、例えば、実装基板10Aの内部に形成されており、表示画素に相当する発光素子40(後述)を実装する実装面には形成されていない。
対向基板10Bは、実装基板10Aとの関係で発光素子40側に配置されており、かつ実装基板10Aと対向配置されている。対向基板10Bは、例えば、図3に示したように、保護基板21と、保護基板21の実装基板10A側に形成されたブラックマトリクス22とを有している。保護基板21は、各発光素子40から発せられた光を透過する光透過性の基板であり、例えば、ガラス基板または透明樹脂基板などからなる。ブラックマトリクス22は、例えば、保護基板21の、実装基板10A側の表面に設けられている。ブラックマトリクス22は、配線基板30(または実装基板10A)の法線方向から見たときに、互いに隣接する表示画素間の間隙と対向する対向領域に設けられている。ブラックマトリクス22は、各発光装置40から発せられた光を吸収するようになっており、例えば、カーボンをシリコーン内に分散させた塗料を固化させたものである。
図5Aは、表示パネル10の上面構成の一例を表したものである。図5Bは、図5AのA−A矢視方向の断面構成の一例を表したものである。表示パネル10は、例えば、図3、図5A、図5Bに示したように、実装基板10Aと対向基板10Bとの間に封止部50を有している。封止部50は、配線基板30上の各発光素子40を封止するものである。封止部50は、配線基板30上の全ての発光素子40を当該配線基板30の面内方向から取り囲む環状のシール部51と、シール部51の内部に充填されるとともに、配線基板30上の全ての発光素子40を封止する内部充填部52とを有している。シール部51は、例えば、表示パネル10のフレーム領域に配置されている。一方、内部充填部52は、例えば、少なくとも表示パネル10の表示領域全体に配置されている。
駆動回路20は、例えば、Y配線14を駆動するデータドライバと、X配線15を駆動するスキャンドライバとにより構成されている。駆動回路20は、例えば、ICチップで構成されており、実装基板10A上に実装されていたり、表示パネル10とは別体のプリント配線基板上に実装されていてもよい。
次に、図8〜図12を参照して、表示パネル10の製造方法の一例について説明する。
本実施の形態では、発光素子40が駆動回路20によって、単純マトリクス配置されたY配線14およびX配線15を介して駆動(単純マトリクス駆動)される。これにより、Y配線14およびX配線15との交差部分近傍に設けられた発光素子40に順次、電流が供給され、表示領域に画像が表示される。
上記実施の形態では、配線基板30上には、複数の発光素子40として、LEDが実装されていたが、例えば、有機EL素子などの自発光素子が実装されていてもよい。また、上記実施の形態では、ブラックマトリクス22が対向基板10Bに設けられていたが、ブラックマトリクス22が省略されていてもよい。
[構成]
図13は、本技術の第2の実施の形態に係る受光装置2の概略構成の一例を斜視的に表したものである。本実施の形態の受光装置2は、複数の受光素子61が2次元配置されたものである。受光素子61は、光を電気に変換する素子であり、例えば、PD(Photo Diode:フォトダイオード)、または、光電変換素子である。PDは、光を検知することを目的とした素子である。一方、光電変換素子は、光からエネルギーを得ることを目的とした素子である。受光装置2は、例えば、図13に示したように、受光パネル60と、受光パネル60(具体的には後述する受光素子61)を駆動する駆動回路70とを備えている。
なお、実装基板60Aは、例えば、図15A、図15Bに示したように、1つの受光素子61だけを有していてもよい。このとき、1つの受光素子61が、多数の受光素子が集積されたイメージセンサであってもよいし、多数のX線受光素子が集積されたX線センサであってもよい。また、1つの受光素子61が、多数の光電変換素子が集積された発電素子であってもよい。
(1)
配線基板上に1または複数の光学素子が実装された実装基板と、
前記実装基板との関係で前記光学素子側に配置され、かつ前記実装基板と対向配置された対向基板と、
前記実装基板と前記対向基板との間に配置され、かつ前記光学素子を封止する封止部と
を備え、
前記封止部は、
前記配線基板上の1または複数の光学素子を当該配線基板の面内方向から取り囲む環状のシール部と、
前記シール部の内部に充填されるとともに、前記配線基板上の1または複数の光学素子を封止する内部充填部と
を有し、
前記シール部および前記内部充填部は、熱硬化型の樹脂を硬化させたものであり、
前記内部充填部の光透過率は、前記シール部の光透過率よりも高くなっており、
前記内部充填部の弾性率は、前記シール部の弾性率よりも小さくなっている
光学装置。
(2)
前記内部充填部の弾性率は、前記シール部の弾性率と比べると、1/500〜1/100000の範囲内にある
(1)に記載の光学装置。
(3)
前記シール部の、硬化前の材料の硬化開始温度は、前記内部充填部の、硬化前の材料の硬化開始温度よりも低くなっている
(1)または(2)に記載の光学装置。
(4)
前記シール部は、エポキシ系の樹脂にフィラーが添加された樹脂を硬化させることにより形成され、
前記内部充填部は、シリコーン樹脂を硬化させることにより形成されている
(1)ないし(3)のいずれか1つに記載の光学装置。
(5)
前記光学素子は、発光素子または受光素子である
(1)ないし(4)のいずれか1つに記載の光学装置。
(6)
前記対向基板は、前記実装基板の法線方向から見たときに、互いに隣接する表示画素間の間隙と対向する対向領域にブラックマトリクスを有する
(1)ないし(5)のいずれか1つに記載の光学装置。
(7)
光学装置と、
前記光学装置を駆動する駆動装置と
を備え、
前記光学装置は、
配線基板上に1または複数の光学素子が実装された実装基板と、
前記実装基板との関係で前記光学素子側に配置され、かつ前記実装基板と対向配置された対向基板と、
前記実装基板と前記対向基板との間に配置され、かつ前記光学素子を封止する封止部と
を有し、
前記封止部は、
前記配線基板上の1または複数の光学素子を当該配線基板の面内方向から取り囲む環状のシール部と、
前記シール部の内部に充填されるとともに、前記配線基板上の1または複数の光学素子を封止する内部充填部と
を有し、
前記シール部および前記内部充填部は、熱硬化型の樹脂を硬化させたものであり、
前記内部充填部の光透過率は、前記シール部の光透過率よりも高くなっており、
前記内部充填部の弾性率は、前記シール部の弾性率よりも小さくなっている
電子機器。
(8)
配線基板上に1または複数の光学素子が実装された実装基板と、前記実装基板との関係で前記光学素子側に配置される対向基板とを用意することと、
熱硬化型の第1樹脂を、前記配線基板上の全ての前記光学素子を前記配線基板の面内方向から取り囲むように配置したのち、前記第1樹脂が硬化未完了の状態で、弾性率が前記第1樹脂の弾性率よりも小さく、光透過率が前記第1樹脂の光透過率よりも高い熱硬化型の第2樹脂を前記第1樹脂の内部に充填することと、
前記第1樹脂および前記第2樹脂を熱処理により一括して硬化させることと
を含む
光学装置の製造方法。
Claims (1)
- 配線基板上に1または複数の光学素子が実装された実装基板と、前記実装基板との関係で前記光学素子側に配置される対向基板とを用意することと、
熱硬化型の第1樹脂を、前記配線基板上の全ての前記光学素子を前記配線基板の面内方向から取り囲むように配置したのち、前記第1樹脂が硬化未完了の状態で、弾性率が前記第1樹脂の弾性率よりも小さく、光透過率が前記第1樹脂の光透過率よりも高い熱硬化型の第2樹脂を前記第1樹脂の内部に充填することと、
前記第1樹脂および前記第2樹脂を熱処理により一括して硬化させることと
を含み、
前記第1樹脂の硬化開始温度は、前記第2樹脂の硬化開始温度よりも低くなっており、
前記第2樹脂の弾性率は、前記第1樹脂の弾性率と比べると、1/500〜1/100000の範囲内にある
光学装置の製造方法。
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