JP6561666B2 - 熱電変換素子及びその製造方法 - Google Patents
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Description
ここで、Sはゼーベック係数(V/K)、σは電気伝導率(/Ωm)、κは熱伝導率(W/mK)である。
=((S2×σ)/(κele+κpho))×T …(2)
但し、κeleは電子による熱伝導、κphoは格子振動(フォノン)による熱振動である。
図2は、実施形態に係る熱電変換素子の一例を示す平面図である。
このようにしてn型熱電変換部材12及びp型熱電変換部材13を形成した後、エアロゾルデポジション装置20から基板11を取り出す。その後、基板11の表面に、接続電極14及び引出電極15a,15bの形成領域に対応する部分が開口されたマスクを取り付け、基板11をスパッタリング装置内に配置する。そして、スパッタリング装置により基板11上に例えばチタン及び金を順次スパッタして、接続電極14及び引出電極15a,15bを形成する。このようにして、本実施形態に係る熱電変換素子10が完成する。
前記基板上に配置され、熱電変換材料からなる第1の層と第2の層とを交互に積層してなる熱変換部材とを有し、
前記第1の層の前記熱電変換材料の平均粒子径が前記第2の層の前記熱電変換材料の平均粒子径よりも大きいことを特徴とする熱電変換素子。
前記第1の層の前記熱電変換材料の平均粒子径が前記第2の層の前記熱電変換材料の平均粒子径よりも大きいことを特徴とする熱電変換素子の製造方法。
Claims (8)
- 基板と、
前記基板上に配置され、熱電変換材料からなる第1の層と第2の層とを交互に積層してなる熱電変換部材と、
前記基板上に配置され、前記第1の層及び前記第2の層の積層方向に直交する方向で前記熱電変換部材を間に挟む第1の電極及び第2の電極と、
を有し、
前記第1の層の前記熱電変換材料の平均粒子径が前記第2の層の前記熱電変換材料の平均粒子径よりも大きいことを特徴とする熱電変換素子。 - 前記熱電変換材料が、金属酸化物からなることを特徴とする請求項1に記載の熱電変換素子。
- 前記第1の層の前記熱電変換材料の平均粒子径が0.2μm乃至0.4μmであり、前記第2の層の前記熱電変換材料の平均粒子径が20nm乃至50nmであることを特徴とする請求項1又は2に記載の熱電変換素子。
- 小径粒子の割合Rを、R=(各第2の層の厚さの合計)/(熱電変換部材の厚さ)としたときに、0.2≦R≦0.8を満足することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の熱電変換素子。
- 前記熱電変換材料が、ランタン(La)又はニオブ(Nb)をドープしたチタン酸ストロンチウムであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の熱電変換素子。
- 基板上に、熱電変換材料からなる第1の層と第2の層とを交互に積層して熱電変換部材を形成する工程と、
前記基板上に、前記第1の層及び前記第2の層の積層方向に直交する方向で前記熱電変換部材を間に挟む第1の電極及び第2の電極を形成する工程と、
を有し、
前記第1の層の前記熱電変換材料の平均粒子径が前記第2の層の前記熱電変換材料の平均粒子径よりも大きいことを特徴とする熱電変換素子の製造方法。 - 前記第1の層及び前記第2の層を、いずれもエアロゾルデポジション法により形成することを特徴とする請求項6に記載の熱電変換素子の製造方法。
- 前記熱電変換材料が、ランタン(La)又はニオブ(Nb)をドープしたチタン酸ストロンチウムであることを特徴とする請求項6又は7に記載の熱電変換素子の製造方法。
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