JP6561411B2 - 光触媒 - Google Patents
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Description
[2] 石英結晶相およびクリストバライト結晶相を含むシリカと、該シリカに担持された酸化チタンとを含む酸化チタン担持シリカに、白金原子および有機配位子を含む金属錯体を担持させ、次いで焼成することによって得られる光触媒。
[3] 金属錯体が、式(C1):
[(PtII)2(MI)4(L)8] (C1)
[式(C1)中、
MIは、H+、AgI、AuI、またはCuIを示し、
Lは、式(1):
で表される前記[2]に記載の光触媒。
[4] 金属錯体が、式(C2):
[(PtII)2(AuI)2(MI)2(L)8] (C2)
[式(C2)中、
MIは、H+、AgI、またはCuIを示し、
Lは、式(1):
で表される前記[2]に記載の光触媒。
[5] 金属錯体が、式(C3):
[PtII 2(MI)2(L1)2(L2)4] (C3)
または、式(C4):
[PtII(MI)2(L1)(L2)3] (C4)
[式(C3)および(C4)中、
MIは、AgI、AuIまたはCuIを示し;
L1は、式(L−1):
L2は、式(L−2):
で表される前記[2]に記載の光触媒。
[6] 金属錯体が、式(C5):
[(PtII)2(MI)2(LC)2(LB)4]2+ (C5)
[式(C5)中、
MIは、H+、AuI、AgI、またはCuIを示し、
LCは、式(LC−1)〜式(LC−5):
LBは、式(LB−1):
で表される前記[2]に記載の光触媒。
[7] 金属錯体が、式(C6):
[(PtII)(LC)(LA)]n (C6)
[式(C6)中、
LCは、式(LC−1)〜式(LC−5):
LAは、o−フェニレンジアミンであるか、またはo−フェニレンジアミンのアミノ基からプロトンが解離することにより生成する1価または2価のアニオン性配位子を示し、
nは、金属錯体の電荷を示し、0、+または2+である。]
で表される前記[2]に記載の光触媒。
[8] 金属錯体が、式(C7):
[(PtII)(L1)(LA)]m (C7)
[式(C7)中、
L1は、式(L−1):
LAは、o−フェニレンジアミンであるか、またはo−フェニレンジアミンのアミノ基からプロトンが解離することにより生成する1価または2価のアニオン性配位子を示し、
mは、金属錯体の電荷を示し、−、0または+である。]
で表される前記[2]に記載の光触媒。
[9] 前記[1]〜[8]のいずれか一つに記載の光触媒を含有する転写紙。
[10] 前記[1]〜[8]のいずれか一つに記載の光触媒を含有する基材。
[11] 石英結晶相およびクリストバライト結晶相を含むシリカと、該シリカに担持された酸化チタンとを含む酸化チタン担持シリカに、白金原子および有機配位子を含む金属錯体を担持させ、次いで焼成することを含む光触媒の製造方法。
[(PtII)2(MI)4(L)8] (C1)
[式(C1)中、
MIは、H+、AgI、AuI、またはCuIを示し、
Lは、式(1):
で表されるものが挙げられる。
なお、Lは、詳しくは、式(2)または式(3):
で表される化合物からプロトンが解離して得られる1価のアニオン性配位子を示す。
[(PtII)2(AuI)2(MI)2(L)8] (C2)
[式(C2)中、
MIは、H+、AgI、またはCuIを示し、
Lは、式(1):
で表されるものが挙げられる。
[PtII 2(MI)2(L1)2(L2)4] (C3)
または、式(C4):
[PtII(MI)2(L1)(L2)3] (C4)
[式(C3)および(C4)中、
MIは、AgI、AuIまたはCuIを示し;
L1は、式(L−1):
L2は、式(L−2):
で表されるものが挙げられる。
[(PtII)2(MI)2(LC)2(LB)4]2+ (C5)
[式(C5)中、
MIは、H+、AuI、AgI、またはCuIを示し、
LCは、式(LC−1)〜式(LC−5):
LBは、式(LB−1):
で表されるものが挙げられる。
[(PtII)(LC)(LA)]n (C6)
[式(C6)中、
LCは、式(LC−1)〜式(LC−5):
LAは、o−フェニレンジアミンであるか、またはo−フェニレンジアミンのアミノ基からプロトンが解離することにより生成する1価または2価のアニオン性配位子を示し、
nは、金属錯体の電荷を示し、0、+または2+である。]
で表されるものが挙げられる。
[(PtII)(L1)(LA)]m (C7)
[式(C7)中、
L1は、式(L−1):
LAは、o−フェニレンジアミンであるか、またはo−フェニレンジアミンのアミノ基からプロトンが解離することにより生成する1価または2価のアニオン性配位子を示し、
mは、金属錯体の電荷を示し、−、0または+である。]
で表されるものが挙げられる。
Me2pz:3,5−ジメチルピラゾラト(3,5−ジメチルピラゾールからプロトンが解離した1価のアニオン)
(1)使用したシリカ粉末
酸化チタン担持シリカの製造に、以下のシリカ粉末を使用した。
トリジマイト:長崎県窯業技術センター製、平均粒径(d50)15.8μm
α−石英:(株)ニッチツ ハイシリカ事業本部製「FK−3F」、平均粒径(d50)4.5μm
石英結晶相およびクリストバライト結晶相を含むシリカ(以下「石英−クリストバライト」と記載する):瀬戸窯業原料(株)製「クリストバライト(CR−6)」、平均粒径(d50)10.5μm、石英結晶相の含有量31重量%、クリストバライト結晶相の含有量69重量%
酸化チタン担持シリカを以下のようにして製造した。まず、500mLビーカー中に100mLのメタノールと上述のシリカ粉末を3gずつ添加した。その中に、チタン源のオルトチタン酸テトラブチルを12mL(10.6g)添加し、マグネチックスターラーを用いて、室温で5分間撹拌した。ビーカー内に100mLの蒸留水を添加して、さらに室温で30分間撹拌した。その後、遠心分離機を用いて固液分離を行い、得られた固体を乾燥機中75℃で10分間乾燥することによって、酸化チタンの前駆体が担持されたシリカ粉末を得た。この粉末を、電気炉を使用することによって、大気中、昇温速度1℃/分で775℃まで昇温し、この温度で10分間焼成することによって、アナタース相とルチル相の混相からなる酸化チタンが担持された光触媒(酸化チタン担持シリカ)を得た。得られた光触媒の酸化チタン含有量およびBET比表面積を下記表1に示す。
メチレンブルー水溶液を用いて、比較例1(シリカ粉末:トリジマイト)、比較例2(シリカ粉末:α−石英)、および実施例1(シリカ粉末:石英−クリストバライト)の光触媒のメチレンブルー分解率を評価した。詳しくは、濃度0.05mMのメチレンブルー水溶液100mLに、得られた光触媒を20mg添加し、スターラーで撹拌しながら、紫外線9W×2(368nm、0.38mW/cm2)を4時間照射した後、遠心分離後、664nm付近の最大ピーク位置でメチレンブルー水溶液の吸光度を測定した。吸着によるメチレンブルー水溶液の吸光度の低下を確認するため、濃度0.05mMのメチレンブルー水溶液100mLに光触媒を20mg添加して、スターラーで撹拌しながら、4時間暗所の状態に保持した後、遠心分離後、このメチレンブルー水溶液の吸光度も同様に求めた。測定した吸光度の値および下記式:
メチレンブルー分解率(%)=100×({紫外線照射下0時間の吸光度−紫外線照射下4時間後の吸光度}/紫外線照射下0時間の吸光度)−({暗所下0時間の吸光度−暗所下4時間後の吸光度}/暗所下0時間の吸光度)×100
からメチレンブルー分解率を算出した。結果を下記表1に示す。
(1)酸化チタン担持石英−クリストバライトの製造(実施例2の光触媒の製造)
粉末シリカとして石英−クリストバライト(瀬戸窯業原料(株)製「クリストバライト(CR−1)」、平均粒径(d50)4.7μm、石英結晶相の含有量23重量%、クリストバライト結晶相の含有量77重量%)を使用し、以下のようにして酸化チタン担持石英−クリストバライトを多量に製造した(最終製造量として約1.2kg)。
100L大型ステンレススチール製ビーカーに、メタノール(17.6L)と石英−クリストバライト(600g)を添加した。大型撹拌羽(大型撹拌羽の縦の長さ16.5cm、横の長さ3cm、枚数3枚)を用いて、室温で5分間撹拌した(撹拌数179rpm)。その中に、チタン源のオルトチタン酸テトラブチル(2,400g)を添加し、100L大型ステンレススチール製ビーカー内に蒸留水(14L)を添加して、さらに室温で10分間撹拌した(撹拌数179rpm)。その後、得られたスラリーを乾燥機中75℃で72時間乾燥することによって、酸化チタンの前駆体が担持された石英−クリストバライトを得た。この粉末を、電気炉を使用することによって、大気中、昇温速度1℃/分で775℃まで昇温し、この温度で10分間焼成することによって、実施例2の光触媒(酸化チタン担持石英−クリストバライト)を得た。
フラスコ内で、[Pt2Ag4(μ−Me2pz)8](0.0002g)を塩化メチレン(10mL)に溶解させた。その中に、得られた酸化チタン担持石英−クリストバライト(0.1g)を添加し、スターラーを用いて、室温で10分間撹拌した。次いで、乾燥機内にて、懸濁液を75℃で1時間保持することによって塩化メチレン全量を除去して、[Pt2Ag4(μ−Me2pz)8]を担持した酸化チタン担持石英−クリストバライト(以下「焼成前の光触媒」と略称する)を製造した(焼成前の光触媒中の金属錯体担持量0.2重量%)。
焼成前の光触媒を、電気炉を使用することによって、大気中、昇温速度1℃/分で775℃まで昇温し、この温度で10分間焼成することによって、実施例3の光触媒を得た。
実施例2および3の光触媒中の酸化チタン含有量、BET比表面積、およびメチレンブルー分解率を、上述の比較例1および2並びに実施例1と同様にして測定した。また、市販の酸化チタン粉末(石原産業(株)製「ST−01」)を用いて、同様にメチレンブルー水溶液の分解率を評価した(比較例3)。結果を下記表2に示す。
(1)光触媒を含有する転写紙の製造
金属錯体を担持させることによって製造した実施例3の光触媒、および市販の酸化チタン(日本エアロジル製「P−25」、酸化チタン含有量99.5重量%、比表面積50.3m2/g)を使用して、以下のようにして光触媒を含有する転写紙を製造した。
上述のようにして得られた光触媒を含有する転写紙を水に浸すと、ガラス粉末層、光触媒粉末層およびオーバープリントラッカー層からなる積層部分が剥離した。剥離した積層部分を、板ガラスの表面に貼り合わせた。この板ガラスを乾燥機中50℃で24時間乾燥した。乾燥後の板ガラスを、電気炉を使用することによって、大気中、昇温速度1℃/分で750℃まで昇温し、この温度で10分間焼成することによって、光触媒を含有する板ガラス(単位面積あたりの光触媒の量100g/m2)を製造した。
上述のようにして得られた光触媒を含有する板ガラスの活性酸素生成能力を、JIS R 1704に準拠し、以下のようにして評価した。まず、10mg/Lのジメチルスルホキシド水溶液500mLを一定の流量で循環させた。そこへ、光触媒を含有する板ガラス(100mm角)を浸し、紫外線20W×2(352nm、1.43mW/cm2)を照射した。紫外線照射を5時間続けた後に、循環している水溶液を採取し、活性酸素生成能力の指標として、水溶液中のメタンスルホン酸の生成量(重量ppm)をイオンクロマトグラフィー装置で測定した。結果を下記表3に示す。
Claims (10)
- 石英結晶相およびクリストバライト結晶相を含むシリカと、該シリカに担持された酸化チタンとを含む酸化チタン担持シリカからなる光触媒。
- 請求項1に記載の光触媒を含有する転写紙。
- 請求項1に記載の光触媒を含有する基材。
- 石英結晶相およびクリストバライト結晶相を含むシリカと、該シリカに担持された酸化チタンとを含む酸化チタン担持シリカに、白金原子および有機配位子を含む金属錯体を担持させ、次いで焼成することを含む光触媒の製造方法。
- 金属錯体が、式(C1):
[(Pt II ) 2 (M I ) 4 (L) 8 ] (C1)
[式(C1)中、
M I は、H + 、Ag I 、Au I 、またはCu I を示し、
Lは、式(1):
で表される請求項4に記載の製造方法。 - 金属錯体が、式(C2):
[(Pt II ) 2 (Au I ) 2 (M I ) 2 (L) 8 ] (C2)
[式(C2)中、
M I は、H + 、Ag I 、またはCu I を示し、
Lは、式(1):
で表される請求項4に記載の製造方法。 - 金属錯体が、式(C3):
[Pt II 2 (M I ) 2 (L 1 ) 2 (L 2 ) 4 ] (C3)
または、式(C4):
[Pt II (M I ) 2 (L 1 )(L 2 ) 3 ] (C4)
[式(C3)および(C4)中、
M I は、Ag I 、Au I またはCu I を示し;
L 1 は、式(L−1):
L 2 は、式(L−2):
で表される請求項4に記載の製造方法。 - 金属錯体が、式(C5):
[(Pt II ) 2 (M I ) 2 (L C ) 2 (L B ) 4 ] 2+ (C5)
[式(C5)中、
M I は、H + 、Au I 、Ag I 、またはCu I を示し、
L C は、式(L C −1)〜式(L C −5):
L B は、式(L B −1):
で表される請求項4に記載の製造方法。 - 金属錯体が、式(C6):
[(Pt II )(L C )(L A )] n (C6)
[式(C6)中、
L C は、式(L C −1)〜式(L C −5):
L A は、o−フェニレンジアミンであるか、またはo−フェニレンジアミンのアミノ基からプロトンが解離することにより生成する1価または2価のアニオン性配位子を示し、
nは、金属錯体の電荷を示し、0、+または2+である。]
で表される請求項4に記載の製造方法。 - 金属錯体が、式(C7):
[(Pt II )(L 1 )(L A )] m (C7)
[式(C7)中、
L 1 は、式(L−1):
L A は、o−フェニレンジアミンであるか、またはo−フェニレンジアミンのアミノ基からプロトンが解離することにより生成する1価または2価のアニオン性配位子を示し、
mは、金属錯体の電荷を示し、−、0または+である。]
で表される請求項4に記載の製造方法。
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