JP6561017B2 - 半導体装置、半導体装置の製造方法および流量センサ - Google Patents
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Description
本実施例1による熱式流体流量センサの構造について、図1を用いて説明する。図1は、本実施例1による流量検出部および圧力検出部を有する熱式流体流量センサが形成されたセンサチップを示す平面図である。
本実施例1によるセンサモジュールの構造について、図2および図3を用いて説明する。図2は、本実施例1による熱式流体流量センサが形成されたセンサチップを搭載するセンサモジュールを示す模式図である。図3は、図2のB−B線に沿ったセンサモジュールの断面図である。図2では、自動車などの内燃機関の吸気通路に取り付けられたセンサモジュールを図示しており、センサモジュールの構造をわかりやすくするため、ボディの一部を透過させて図示している。
次に、本実施例1による熱式流体流量センサの製造方法について、図4〜図10を用いて工程順に説明する。図4〜図7および図9は、熱式流体流量センサの製造方法を示す断面図(図1のA−A線に略沿った断面図)である。図8および図10は、熱式流体流量センサの製造方法を示す平面図(温測抵抗体の一部を拡大して示す平面図)である。なお、図4〜図10に記載されていない温測抵抗体5c、マーカ6a,6b,6c,6d,6e,6f,6g,6h、拡散抵抗7a,7dおよび電極パッド8a,8b,8c,8d,8e,8f,8g,8i,8j,8k,8r,8sなどは、適宜図1を参照する。
本実施例1では、熱式流体流量センサに備わる流量検出部24の第1ダイヤフラム9の両端部にそれぞれマーカ6a,6b,6e,6fとマーカ6c,6d,6g,6hとを設けることにより、圧力検出部25の第2ダイヤフラム10の最終仕上げエッチング量を把握することができる。これにより、精度よく、第2厚さ45を有する第2ダイヤフラム10を形成することができるので、圧力計測の精度向上を図ることができる。さらに、精度よく検出した圧力を用いて空気流用を補正することにより、空気流量計測の精度向上を図ることができる。
2 半導体基板
3 発熱抵抗体
4 発熱抵抗体用測温抵抗体
5a,5b,5c,5d 測温抵抗体
6a,6b,6c,6d,6e,6f,6g,6h マーカ
7a,7b,7c,7d 拡散抵抗
8a,8b,8c,8d,8e,8f,8g,8h,8i 電極パッド
8j,8k,8m,8n,8p,8q,8r,8s 電極パッド
9 第1ダイヤフラム
10 第2ダイヤフラム
11 空気の流れ
12 吸気通路
13 センサモジュール
14 ボディ
15 支持基板
16 調整部品
17 コネクタ
18 空気流量計用貫通穴
19 圧力計用貫通穴
20 裏面絶縁膜
21 第1絶縁膜
22 第2絶縁膜
23 第3絶縁膜
24 流量検出部
25 圧力検出部
26a,26b 副通路
27 半導体基板
28a 表面絶縁膜
28b 裏面絶縁膜
29 第3ダイヤフラム
30 裏面絶縁膜
31 第1絶縁膜
32 第2絶縁膜
33 発熱抵抗体
34 発熱抵抗体用測温抵抗体
35a,35b,35d 測温抵抗体
36a,36b,36e,36f マーカ
37b,37c 拡散抵抗
38h,38m,38n,38p 電極パッド
39 第3絶縁膜
40 第1ダイヤフラム
41 第2ダイヤフラム
42 流量検出部
43 圧力検出部
44 第1厚さ
45 第2厚さ
CN1,CN2,CN3 接続孔
PAD 電極パッド
SB センサ仕切り部
Claims (15)
- 上面および前記上面と反対側の下面を有する、第1厚さの基板と、
前記基板の第1領域に形成された第1センサ部と、
前記基板の前記第1領域とは異なる第2領域に形成された第2センサ部と、
を有し、
前記第1センサ部は、
前記基板の前記上面から前記下面まで貫通する第1開口と、
平面視において前記第1開口と重なる位置に設けられた第1検出素子と、
を有し、
前記第2センサ部は、
前記上面側に前記第1厚さよりも薄い第2厚さの前記基板を残して、前記下面側に設けられた第2開口と、
平面視において前記第2開口と重なる位置に設けられた第2検出素子と、
を有し、
前記第1領域に、前記第1開口の前記上面側の端部の位置を認識することのできる複数のマーカが設けられている、半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記複数のマーカは、前記第1検出素子を挟んで対称となるように配置された、第1のマーカ群と第2のマーカ群とから構成される、半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記複数のマーカは、第1導電体膜から構成され、前記第1検出素子は、第2導電体膜から構成され、前記第1導電体膜と前記第2導電体膜とは同一層である、半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記複数のマーカは、前記第1開口の前記上面側の前記端部からの距離が互いに異なる位置にそれぞれ設けられている、半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第1検出素子は、空気流量を検出する発熱抵抗体であり、前記第2検出素子は、圧力検出素子である、半導体装置。 - 上面および前記上面と反対側の下面を有する、第1厚さの基板と、
前記基板の第1領域に形成された第1センサ部と、
前記基板の前記第1領域とは異なる第2領域に形成された第2センサ部と、
を有し、
前記第1センサ部は、
前記基板の前記上面側に設けられ、第1底面を有する第1開口と、
前記基板の前記下面側の前記第1開口に対向する位置に設けられ、前記第1底面に接する第2底面を有する第2開口と、
平面視において前記第1開口と重なる位置に設けられた第1検出素子と、
を有し、
前記第2センサ部は、
前記上面側に前記第1厚さよりも薄い第2厚さの前記基板を残して、前記下面側に設けられた第3開口と、
平面視において前記第3開口と重なる位置に設けられた第2検出素子と、
を有し、
前記第1領域に、前記第2開口の前記上面側の端部の位置を認識することのできる複数のマーカが設けられている、半導体装置。 - 請求項6記載の半導体装置において、
前記複数のマーカは、前記第1検出素子を挟んで対称となるように配置された、第1のマーカ群と第2のマーカ群とから構成される、半導体装置。 - 請求項6記載の半導体装置において、
前記複数のマーカは、第1導電体膜から構成され、前記第1検出素子は、第2導電体膜から構成され、前記第1導電体膜と前記第2導電体膜とは同一層である、半導体装置。 - 請求項6記載の半導体装置において、
前記複数のマーカは、前記第2開口の前記上面側の前記端部からの距離が互いに異なる位置にそれぞれ設けられている、半導体装置。 - 請求項6記載の半導体装置において、
前記第1検出素子は、空気流量を検出する発熱抵抗体であり、前記第2検出素子は、圧力検出素子である、半導体装置。 - 請求項6記載の半導体装置において、
前記第2開口の前記第2底面は前記第1開口の前記第1底面の内側に位置する、半導体装置。 - (a)基板の上面に第1絶縁膜を形成する工程、
(b)前記基板の第1領域の前記第1絶縁膜上に、第1検出素子および複数のマーカを形成する工程、
(c)前記基板の前記第1領域とは異なる第2領域に、第2検出素子を形成する工程、
(d)前記基板の下面に第2絶縁膜を形成する工程、
(e)前記第1領域の前記第2絶縁膜をエッチングして、前記第1領域の前記基板の前記下面を露出する工程、
(f)前記下面から前記基板の第1厚さをエッチングする工程、
(g)前記第2領域の前記第2絶縁膜をエッチングして、前記第2領域の前記基板の前記下面を露出する工程、
(h)前記下面から前記基板をエッチングして、前記第1領域では前記第1絶縁膜に達する第1開口を形成し、前記第2領域では第2厚さの前記基板を残して第2開口を形成する工程、
を有し、
前記(h)工程では、前記複数のマーカの位置と、前記第1開口の前記上面側の端部の位置とを把握することにより、前記第2厚さを検出する、半導体装置の製造方法。 - 請求項12記載の半導体装置の製造方法において、
前記(f)工程および前記(h)工程における前記基板の前記エッチングでは、アルカリ系溶液を用いる、半導体装置の製造方法。 - 請求項12記載の半導体装置の製造方法において、
前記基板は、<100>結晶方位を有する単結晶シリコンからなる、半導体装置の製造方法。 - 請求項1または6記載の半導体装置から構成される、流量センサ。
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