JP6560954B2 - 固体レーザ増幅装置 - Google Patents

固体レーザ増幅装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6560954B2
JP6560954B2 JP2015204803A JP2015204803A JP6560954B2 JP 6560954 B2 JP6560954 B2 JP 6560954B2 JP 2015204803 A JP2015204803 A JP 2015204803A JP 2015204803 A JP2015204803 A JP 2015204803A JP 6560954 B2 JP6560954 B2 JP 6560954B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cooling
amplification layer
unit
laser
solid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015204803A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017076751A5 (ja
JP2017076751A (ja
Inventor
近藤 喜之
喜之 近藤
大谷 雄一
雄一 大谷
吉輝 小室
吉輝 小室
敦司 児玉
敦司 児玉
浩一 濱本
浩一 濱本
浩之 醍醐
浩之 醍醐
井上 直樹
直樹 井上
朋也 森岡
朋也 森岡
加藤 昌浩
昌浩 加藤
伸吾 西方
伸吾 西方
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Heavy Industries Ltd filed Critical Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Priority to JP2015204803A priority Critical patent/JP6560954B2/ja
Priority to PCT/JP2016/067059 priority patent/WO2017064880A1/ja
Priority to EP16855134.9A priority patent/EP3300189B1/en
Priority to US15/578,301 priority patent/US10236655B2/en
Publication of JP2017076751A publication Critical patent/JP2017076751A/ja
Publication of JP2017076751A5 publication Critical patent/JP2017076751A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6560954B2 publication Critical patent/JP6560954B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02Constructional details
    • H01S3/04Arrangements for thermal management
    • H01S3/042Arrangements for thermal management for solid state lasers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02Constructional details
    • H01S3/04Arrangements for thermal management
    • H01S3/0407Liquid cooling, e.g. by water
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06Construction or shape of active medium
    • H01S3/0602Crystal lasers or glass lasers
    • H01S3/0612Non-homogeneous structure
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06Construction or shape of active medium
    • H01S3/063Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/005Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02Constructional details
    • H01S3/025Constructional details of solid state lasers, e.g. housings or mountings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02Constructional details
    • H01S3/04Arrangements for thermal management
    • H01S3/0405Conductive cooling, e.g. by heat sinks or thermo-electric elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06Construction or shape of active medium
    • H01S3/0602Crystal lasers or glass lasers
    • H01S3/0604Crystal lasers or glass lasers in the form of a plate or disc
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06Construction or shape of active medium
    • H01S3/0619Coatings, e.g. AR, HR, passivation layer
    • H01S3/0621Coatings on the end-faces, e.g. input/output surfaces of the laser light
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16Solid materials
    • H01S3/1601Solid materials characterised by an active (lasing) ion
    • H01S3/1603Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth
    • H01S3/1611Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth neodymium
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16Solid materials
    • H01S3/163Solid materials characterised by a crystal matrix
    • H01S3/164Solid materials characterised by a crystal matrix garnet
    • H01S3/1643YAG
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16Solid materials
    • H01S3/1685Ceramics
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/23Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
    • H01S3/2308Amplifier arrangements, e.g. MOPA
    • H01S3/2316Cascaded amplifiers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Lasers (AREA)

Description

本発明は、固体レーザ増幅装置に関する。
固体レーザは、レーザ媒質に固体を用いたレーザである。固体レーザ増幅装置は、レーザ媒質内にレーザ光を透過させることによりレーザ光の出力を向上(増幅)させる装置である。例えば、スラブ型固体レーザ増幅装置の場合、レーザ媒質内部に入射させたレーザ光を、レーザ媒質の対向する両表面で反射させつつ、レーザ媒質内をジグザグに進行させて増幅を行う。
ここで、レーザ媒質は、内部を透過するレーザ光によって加熱されてしまうため、冷却が必要となる。従来、このレーザ媒質の冷却には、直接冷却が用いられていた。直接冷却においては、例えば、レーザ媒質の表面を覆うように設けられた冷却室の内部を加圧し、冷却室内において液体窒素をレーザ媒質表面に向けて噴射することにより、冷却を行っていた。
特許第5135207号公報
レーザ媒質は、レーザ光が反射する箇所においてより高温となるため、レーザ媒質の温度分布が不均一になる。レーザ媒質の温度分布が不均一となった場合、レーザ光の性能が低下するため、レーザ媒質の温度分布が均一になるよう冷却する必要がある。しかし、液体窒素等による直接噴射では、レーザ媒質の温度分布が均一になるように冷却するなどの制御が困難であり、レーザ媒質の温度分布の不均一を適切に抑制することはできないという問題がある。
上記課題を解決するため、本発明はレーザ媒質の温度分布の不均一を適切に抑制する固体レーザ増幅装置を提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本開示の固体レーザ増幅装置は、入射部よりレーザ光が内部に入射され、出射部より前記レーザ光が外部に出射される固体状の媒質と、前記媒質の表面に設けられて、前記媒質内のレーザ光を受光して前記出射部に向けて増幅しつつ反射する増幅層と、を有するレーザ媒質部と、内部に冷却溶媒を導通し、前記増幅層の表面に平行な方向に配列する複数の冷却管路と、複数の前記冷却管路の外周に設けられ、前記増幅層の表面に取付けられる冷却面とを有して前記増幅層を冷却するマイクロチャネル型の冷却部と、を有し、前記冷却部は、前記増幅層の前記レーザ光を受光する箇所に対向する位置と近い位置に設けられた前記冷却管路ほど、冷却力を大きくする。
この固体レーザ増幅装置によると、増幅層のレーザ光を受光する箇所をより高い冷却力で冷却することができるため、増幅層の温度分布の不均一を適切に抑制することができる。
前記固体レーザ増幅装置において、前記冷却部は、前記増幅層の前記レーザ光を受光する箇所に対向する位置と近い位置に設けられた前記冷却管路ほど、流れる冷却溶媒の流速を高くし、又は、前記増幅層の前記レーザ光を受光する箇所に対向する位置と近い位置に設けられた冷却管路ほど、流入する冷却溶媒の温度を低くすることが好ましい。この固体レーザ増幅装置によると、増幅層のレーザ光を受光する箇所を冷却する冷却力を適切に大きくすることができるため、増幅層の温度分布の不均一を適切に抑制することができる。
前記固体レーザ増幅装置において、前記冷却部は、一部の前記冷却管路内において前記冷却溶媒の流れる方向を、他の前記冷却管路内において前記冷却溶媒の流れる方向と反対方向とすることが好ましい。この固体レーザ増幅装置によると、冷却管路毎に温度勾配が互い違いとなるため、増幅層の温度分布の不均一を適切に抑制することができる。
前記固体レーザ増幅装置において、複数の前記冷却管路は、前記冷却面に近づく方向に延在する第1管路と、前記第1管路に接続されて前記冷却面から遠ざかる方向に延在し、前記第1管路からの前記冷却溶媒が流れる第2管路と、を有することが好ましい。この固体レーザ増幅装置によると、冷却面垂直な方向に沿って流れる冷却溶媒によって増幅層の冷却を行う。従って、この固体レーザ増幅装置によると、冷却溶媒の温度勾配の影響が増幅層に伝わることを抑制することができ、増幅層の温度分布の不均一を適切に抑制することができる。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本開示の固体レーザ増幅装置は、入射部よりレーザ光が内部に入射され、出射部より前記レーザ光が外部に出射される固体状の媒質と、前記媒質の表面に設けられて、前記媒質内のレーザ光を受光して前記出射部に向けて増幅しつつ反射する増幅層と、を有するレーザ媒質部と、内部に冷却溶媒を導通し、前記増幅層の表面に平行な方向に配列する複数の冷却管路と、複数の前記冷却管路の外周に設けられ、前記増幅層の表面に取付けられる冷却面とを有して前記増幅層を冷却するマイクロチャネル型の冷却部と、を有し、前記冷却部は、一部の前記冷却管路内において前記冷却溶媒の流れる方向を、他の前記冷却管路内において前記冷却溶媒の流れる方向と反対方向とする。この固体レーザ増幅装置によると、冷却管路毎に温度勾配が互い違いとなるため、増幅層の温度分布の不均一を適切に抑制することができる。
前記固体レーザ増幅装置において、前記冷却部は、隣接する前記冷却管路同士の前記冷却溶媒の流れる方向を、互いに反対方向とすることが好ましい。この固体レーザ増幅装置によると、増幅層の温度分布の不均一をより適切に抑制することができる。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本開示の固体レーザ増幅装置は、入射部よりレーザ光が内部に入射され、出射部より前記レーザ光が外部に出射される固体状の媒質と、前記媒質の表面に設けられて、前記媒質内のレーザ光を受光して前記出射部に向けて増幅しつつ反射する増幅層と、を有するレーザ媒質部と、内部に冷却溶媒を導通し、前記増幅層の表面に平行な方向に配列する複数の冷却管路と、複数の前記冷却管路の外周に設けられ、前記増幅層の表面に取付けられる冷却面とを有して前記増幅層を冷却するマイクロチャネル型の冷却部と、を有し、複数の前記冷却管路は、前記冷却面に近づく方向に延在する第1管路と、前記第1管路に接続されて前記冷却面から遠ざかる方向に延在し、前記第1管路からの前記冷却溶媒が流れる第2管路と、を有する。この固体レーザ増幅装置によると、冷却面垂直な方向に沿って流れる冷却溶媒によって増幅層の冷却を行う。従って、この固体レーザ増幅装置によると、冷却溶媒の温度勾配の影響が増幅層に伝わることを抑制することができ、増幅層の温度分布の不均一を適切に抑制することができる。
前記固体レーザ増幅装置は、前記増幅層と前記冷却面との間に接触して設けられ、前記増幅層の熱を前記冷却部に伝熱する熱伝導部を有することが好ましい。この固体レーザ増幅装置によると、熱伝導部により増幅層の熱を効率よく冷却部に伝えることができるため、適切に増幅層を冷却することができる。
本発明によれば、レーザ媒質の温度分布の不均一を適切に抑制することができる。
図1は、第1実施形態における固体レーザ装置の構成を示す模式図である。 図2は、第1実施形態における冷却部の模式図である。 図3は、第1実施形態における固体レーザ増幅装置を上面から見た模式図である。 図4は、増幅層の温度分布の一例を示すグラフである。 図5Aは、第2実施形態に係る冷却部の模式図である。 図5Bは、第2実施形態に係る冷却部の模式図である。 図6は、比較例に係る冷却部の冷却を説明する説明図である。 図7は、第2実施形態に係る冷却部の冷却を説明する説明図である。 図8は、第3実施形態に係る冷却部の模式図である。 図9Aは、第3実施形態に係る冷却部の冷却を説明する説明図である。 図9Bは、第3実施形態に係る冷却部の冷却を説明する説明図である。 図9Cは、第3実施形態に係る冷却部の冷却を説明する説明図である。 図10は、第3実施形態の他の例に係る冷却部の構成を示す模式図である。 図11は、変形例における固体レーザ装置の構成を示す模式図である。 図12は、熱伝導部の形状を示す模式図である。
以下に添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではなく、また、実施形態が複数ある場合には、各実施例を組み合わせて構成するものも含むものである。
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態における固体レーザ装置の構成を示す模式図である。第1実施形態に係る固体レーザ装置1は、媒質に固体を用いた固体レーザを照射する装置である。具体的には、第1実施形態における固体レーザ装置1は、スラブ型固体レーザ照射装置である。図1に示すように、固体レーザ装置1は、固体レーザ増幅装置10と、収納室12と、発光部100と、照射部102とを有する。発光部100は、レーザ光Lの励起光源であり、例えばレーザダイオードである。照射部102は、例えばレーザ照射ヘッドである。固体レーザ装置1は、発光部100で励起させたレーザ光Lを、収納室12に設けられた固体レーザ増幅装置10内に透過させて増幅し、増幅させたレーザ光Lを照射部102から照射する。固体レーザ装置1は、照射部102からレーザ光Lを照射して、機械加工等を行う。なお、固体レーザ装置1が照射するレーザ光Lは、例えば熱流束が100W/cm以上の高出力のものである。
図1に示すように、収納室12は、内部に固体レーザ増幅装置10を収納する部屋である。収納室12は、外部から密閉された部屋であり、使用時にはポンプ等で内部の気体が排出されて、真空状態となる。収納室12には、入射窓13、出射窓14が設けられており、発光部100からのレーザ光Lを入射窓12aから内部に透過させ、内部のレーザ光Lを出射窓から照射部102に出射させる。
固体レーザ増幅装置10は、いわゆるスラブ型固体レーザの増幅装置である。固体レーザ増幅装置10は、レーザ媒質部20と、冷却部30A、30B、30Cと、を有する。
レーザ媒質部20は、レーザ光Lを増幅するためのスラブ型のレーザ媒質である。レーザ媒質部20は、本実施形態ではNd:YAGセラミックスである。Nd:YAGセラミックスは、YAG(Yttrium Aluminum Garnet;イットリウムアルミニウムガーネット)の結晶を製造する過程でイットリウムの一部をネオジムでドープしたものである。レーザ媒質部20は、媒質22と増幅層24A、24B、24Cとを有する。媒質22は、例えばYAGなどの透光性を有する結晶(固体)である。増幅層24A、24B、24Cは、媒質22の表面に設けられた層であり、媒質22と同じ材料の板にイットリウム等のイオンをドープして生成される。増幅層24A、24B、24Cは、レーザ光Lを増幅する利得媒質である。
媒質22は、六面体(本実施形態では錐台)である。媒質22は、方向Xに沿った長さが、方向Yに沿った長さよりも長くなっている。方向Yは、方向Xと交差する方向であり、本実施形態では方向Xに直交する方向である。また、後述する方向Zは、方向X及び方向Yと交差する方向であり、本実施形態では方向X及び方向Yに直交する方向である。媒質22は、方向Yに沿った一方の面が、面積の小さい側の上底面22aであり、他方の面が、面積の大きい側の下低面22bである。ただし、媒質22の形状は、これに限られない。
増幅層24A、24Cは、下低面22bに、方向Xに沿って所定の間隔をおいて取付けられている。増幅層24Bは、上底面22aに取付けられている。増幅層24Bは、方向Xに沿って、増幅層24Aと増幅層24Cとの間に位置している。なお、上底面22aは、増幅層22Bが1つだけ取付けられているが、下底面22bと同様に、所定の間隔をおいて複数の増幅層が取り付けられていてもよい。
以下、増幅層24A、24B、24Cを区別しない場合は、増幅層24と記載する。増幅層24は、この媒質22の方向Yに沿って対向する表面(上底面22a、下底面24b)のそれぞれに設けられているということができる。また、増幅層24は、媒質22の表面に、方向Xに沿って所定の間隔をおいて複数設けられているということができる。ただし、増幅層24は、方向Xに沿って所定の間隔をおいて設けられていなくてもよく、上底面22a及び下底面24bの全体にわたって設けられていてもよい。
レーザ光Lは、媒質22の側面の入射部26から、媒質22の内部に入射される。媒質22の内部に入射したレーザ光Lは、増幅層24内に入射する。増幅層24内に入射されたレーザ光Lは、増幅されて、増幅層24の媒質22と反対側の表面である表面25で反射される。表面25で反射されたレーザ光Lは、増幅層24から媒質22内に再度入射され、入射部26とは方向Xに沿って反対側の側面の出射部27から出射される。なお、表面25には、レーザ光Lを全反射する反射層が設けられていてもよい。
第1実施形態の例では、収納室12内の入射されたレーザ光Lは、入射部26から媒質22を経て増幅層24A内に入射する。増幅層24A内に入射したレーザ光Lは、増幅及び反射されて、媒質22を経て増幅層24B内に入射する。増幅層24B内に入射したレーザ光Lは、増幅及び反射されて、媒質22を経て増幅層24C内に入射する。増幅層24C内に入射したレーザ光Lは、増幅及び反射されて、媒質22内に入射し、出射部27から外部(収納室12)に向けて出射される。このように、本実施形態におけるレーザ光Lは、レーザ媒質部20において、方向Xに向かってジグザグに進行する。従って、方向Xは、レーザ光Lの進行方向ということもできる。
次に、冷却部30A、30B、30Cについて説明する。以下、冷却部30A、30B、30Cを互いに区別しない場合は、冷却部30と記載する。図2は、第1実施形態における冷却部の模式図である。冷却部30は、マイクロチャネル型の熱交換器である。図2に示すように、冷却部30は、マイクロチャネル部31と、入口ヘッダ部32と、出口ヘッダ部34とを有する。
マイクロチャネル部31は、内部に複数の冷却管路36A、36B、36C、36D、36Eが開口している板状の部材である。以下、冷却管路36A、36B、36C、36D、36Eを互いに区別しない場合は、冷却管路36と記載する。冷却管路36は、マイクロチャネル部31の表面である冷却面35に平行な方向Aに沿って延在している。冷却管路36は、方向Aに沿ったマイクロチャネル部31の一方の側面37と他方の側面38とに開口しており、一方の側面37から他方の側面38まで導通している。言い換えれば、冷却面35は、複数の冷却管路36の外周に設けられているということができる。本実施形態では、マイクロチャネル部31は、アルミニウムやSUS(ステンレス)などの熱伝導率の比較的高い金属部材であるが、材質はこれに限られない。
冷却管路36A、36B、36C、36D、36Eは、マイクロチャネル部31の冷却面35に平行な方向であって方向Aと交差する方向である方向Bに沿って配列している。本実施形態の例では、冷却管路36A、36B、36C、36D、36Eは、方向Bに沿って等間隔で配列しており、方向Bに沿った中央部に冷却管路36Cが位置している。ただし、冷却管路36A、36B、36C、36D、36Eは等間隔に配列していなくてもよく、数も複数であれば任意である。
入口ヘッダ部32は、内部が空洞の筒状部材である。入口ヘッダ部32は、マイクロチャネル部31の一方の側面37に取付けられている。入口ヘッダ部32は、内部の空間を複数の冷却管路36のそれぞれと導通するための図示しない開口部と、冷却溶媒Wを内部の空間に導入するための導入開口部32Hとを有している。
出口ヘッダ部34は、内部が空洞の筒状部材である。出口ヘッダ部34は、マイクロチャネル部31の他方の側面38に取付けられている。出口ヘッダ部34は、内部の空間を複数の冷却管路36のそれぞれと導通するための図示しない開口部と、冷却溶媒Wを内部の空間から外部に導出するための導出開口部34Hとを有している。
冷却部30は、導入開口部32Hから入口ヘッダ部32内に冷却溶媒Wを導入し、その冷却溶媒Wを各冷却管路36に分配して、各冷却管路36内に流通させる。マイクロチャネル部31は、被冷却体に接触しており、各冷却管路36を流れる冷却溶媒Wにより、被冷却体を冷却する。各冷却管路36内を流れる冷却溶媒Wは、出口ヘッダ部34に向けて流れる。出口ヘッダ部34内に流入した冷却溶媒Wは、導出開口部34Hから外部に導出され、外部で冷却されて、再度入口ヘッダ部32内に導入される。なお、本実施形態における冷却溶媒Wは、入口ヘッダ部32に導入される状態においては液体であり、例えば液体窒素、水等である。
図3は、第1実施形態における固体レーザ増幅装置を上面から見た模式図である。図1及び図3に示すように、冷却部30は、冷却面35が、増幅層24の表面25に接触して取付けられており、増幅層24を冷却する。冷却部30Aは、増幅層24Aに取付けられている。冷却部30Bは、増幅層24Bに取付けられている。冷却部30Cは、増幅層24Cに取付けられている。従って、冷却部30は、レーザ媒質部20の方向Yに沿って対向する表面(上底面22a側の表面、下底面24b側の表面)のそれぞれに設けられているということができる。また、冷却部30は、レーザ媒質部20の表面に、方向Xに沿って所定の間隔をおいて複数設けられているということができる。すなわち、冷却部30は、レーザ媒質部20において、増幅層24のみに設けられている。なお、冷却部30は、冷却管路36が延在する方向Aが方向Zに沿い、複数の冷却管路36が配列する方向Bが方向Xに沿い、かつ、方向A及び方向Bに直交する方向C(冷却面35に直交する方向)が方向Yに沿うように、各増幅層24に取付けられている。ただし、冷却部30の取付け方向は、冷却面35が増幅層24の表面25に取付けられていれば、これに限られず、例えば、冷却管路36が延在する方向Aが方向Xに沿っていてもよい。
また、図1に示すように、冷却部30は、冷却溶媒冷却部60に接続されている。具体的には、冷却溶媒冷却部60は、収納室12の外部に設けられており、導入管62を介して入口ヘッダ部32の導入開口部32Hに冷却溶媒Wを導入する。また、冷却溶媒冷却部60は、導出管64を介して出口ヘッダ部34の導出開口部34Hから冷却溶媒Wを導出する。冷却溶媒冷却部60は、出口ヘッダ部34からの冷却溶媒Wを冷却し、再度入口ヘッダ部32に供給するものである。冷却溶媒冷却部60は、冷却溶媒Wを冷却するものであればその構成は任意であり、例えば冷却溶媒Wを導通する複数の管の間にフィンを設けて自然冷却するものであってもよく、強制冷却するものであってもよい。
図1及び図3に示すように、レーザ光Lは、レーザ媒質部20内において、方向Zにおける中央の位置を、方向Xに向かってジグザグに進行する。そして、レーザ光Lは、増幅層24A、24B、24Cの方向Xにおける中央位置である受光箇所Pで反射されている。すなわち、受光箇所Pは、増幅層24の表面25において、レーザ光Lを受光(反射)している箇所であるということができる。増幅層24は、レーザ光Lによって加熱され、特に受光箇所Pにおいて最も高熱となる。そして、増幅層24は、受光箇所Pから遠ざかるに従って加熱される度合いが小さくなる。言い換えれば、増幅層24は、表面25に平行な方向(方向X及び方向Z)に沿って、受光箇所Pに近づくに従って温度が高くなるということができる。すなわち、増幅層24は、例えば方向Xに沿って、温度分布に偏りが生じる。温度分布に偏りが生じた場合、レーザ光Lの性能が低下するおそれがある。
ここで、冷却部30は、複数の冷却管路36が配列する方向Bが方向Xに沿うように取付けられている。すなわち、冷却部30は、増幅層24の方向Xにおける中央位置である受光箇所Pと対向する箇所に、冷却管路36Cが位置している。そして、冷却部30は、方向Xに沿って受光箇所Pと遠ざかる一方の方向に向けて、冷却管路36D、36Eがこの順で配列しており、方向Xに沿って受光箇所Pと遠ざかる他方の方向に向けて、冷却管路36B、36Aがこの順で配列している。
第1実施形態において、冷却部30は、受光箇所Pと近い位置に設けられた冷却管路36ほど、冷却力を大きくしている。すなわち、第1実施形態において、冷却部30は、受光箇所Pに対向する(最も近い位置)に設けられた冷却管路36Cの冷却力を、冷却管路36Cよりも受光箇所Pから遠い位置に設けられた冷却管路36A、36B、36D、36Eの冷却力よりも大きくしている。また、冷却部30は、冷却管路36Bの冷却力を、冷却管路36Bよりも受光箇所Pから遠い位置に設けられた冷却管路36Aよりも大きくしている。同様に、冷却部30は、冷却管路36Dの冷却力を、冷却管路36Dよりも受光箇所Pから遠い位置に設けられた冷却管路36Eよりも大きくしている。なお、ここで、冷却力とは、熱交換において被冷却体から奪うことができる熱量の大きさを示しており、冷却力が高い場合は、被冷却体から奪うことができる熱量が大きくなる。
冷却部30は、受光箇所Pと近い位置に設けられた冷却管路36ほど冷却力を大きくすることにより、増幅層24の温度が高い箇所をより高い冷却力で冷却することができるため、増幅層24の方向Xに沿った温度分布が偏ることを抑制することができる。
具体的には、第1実施形態における冷却部30は、受光箇所Pと近い位置に設けられた冷却管路36ほど、内部を流れる冷却溶媒Wの流速を高くすることにより、冷却力を高くしている。例えば、冷却部30は、冷却管路36Cの流路断面積を他よりも小さくすることにより、流速を大きくすることができる。この場合、冷却管路36Cの増幅層24への伝熱面積を他の冷却管路36と同じに保つことが好ましい。例えば、これは、冷却管路36Cの方向Cに沿った幅を他の冷却管路36よりも小さくして流路面積を小さくしつつ、方向Cから見た場合の冷却管路36Cの断面積を同じに保つことにより実現できる。
なお、冷却部30は、冷却力を高くすることができるものであれば、流速を高くすることに限られず任意の構成を採用することができる。例えば、冷却部30は、受光箇所Pと近い位置に設けられた冷却管路36ほど、流入する冷却溶媒Wの温度を低くすることによっても、冷却力を高くすることができる。この場合、冷却部30は、例えば次のような構造となる。すなわち、入口ヘッダ部32内に仕切りを設けて、冷却管路36Cに冷却溶媒Wを供給するための空間と、他の冷却管路36に冷却溶媒Wを供給するための空間とを区切り、冷却管路36Cに冷却溶媒Wを供給するための空間にのみ、より温度が低い冷却溶媒Wを供給する。また、冷却部30は、受光箇所Pと近い位置に設けられた冷却管路36ほど、増幅層24への伝熱面積を大きくすることによっても、冷却力を高くすることができる。
ここで、冷却部30の冷却力は、増幅層の温度分布の計測結果に基づき決定してもよい。図4は、増幅層の温度分布の一例を示すグラフである。図4の横軸は方向Xに沿った増幅層24の位置を示しており、増幅層24の温度を示している。図4の曲線S1は、方向Xに沿った位置毎の増幅層24の温度分布の計測結果の例を示している。曲線S1に示すように、図4の例では、増幅層24は、方向Xに沿って中央の位置(受光箇所P)において温度が最も高く、中央の位置から離れるに従って、曲線状に温度が低下している。冷却部30の冷却力(冷却管路36毎の冷却力)は、この曲線S1に基づき決定してもよい。この場合、冷却部30の冷却力(冷却管路36毎の冷却力)の分布が、図4の曲線S2となるように、冷却力を決定する。曲線S2は、図4の縦軸を冷却部30の冷却力とした場合の曲線であり、方向Xに沿った位置毎の冷却部30(冷却管路36)の温度分布の例を示している。曲線S2の冷却力の勾配は、曲線S1の温度の勾配と同じものとなっている。このように実際の増幅層の温度分布の計測結果に基づき冷却力を決定することにより、温度分布が偏ることをより適切に抑制することができる。
以上説明したように、第1実施形態に係る固体レーザ増幅装置10は、媒質22と増幅層24とを有するレーザ媒質部20と、複数の冷却管路36と冷却面35とを有する。媒質22は、入射部26よりレーザ光Lが内部に入射され、出射部27よりレーザ光Lが外部に出射される固体状の媒質である。増幅層24は、媒質22の表面に設けられて、媒質22内のレーザ光Lを受光して出射部27に向けて増幅しつつ反射する。また、複数の冷却管路36は、内部に冷却溶媒Wを導通し、増幅層24の表面25に平行な方向に配列する。また、冷却面35は、冷却管路36の外周に設けられ、増幅層24の表面25に取付けられる。そして、冷却部30は、増幅層24のレーザ光Lを受光する箇所(受光箇所P)に対向する位置と近い位置に設けられた冷却管路36ほど、冷却力を大きくする。
この固体レーザ増幅装置10は、増幅層24のレーザ光Lを受光する箇所(受光箇所P)に対向する位置と近い位置に設けられた冷却管路36ほど、冷却力を大きくする。この固体レーザ増幅装置10は、増幅層24の温度が高い箇所である受光箇所Pをより高い冷却力で冷却することができるため、増幅層24の温度分布が偏ることを抑制して、レーザ光Lの性能低下を抑制することができる。
この固体レーザ増幅装置10は、増幅層24にマイクロチャネル型の冷却部30が取付けられている。従って、増幅層24の熱は、冷却部30内を流れる冷却溶媒Wにより間接冷却される。ここで、増幅層24を直接冷却する場合、例えば、増幅層24の表面を覆うように設けられた冷却室の内部を加圧し、冷却室内において液体窒素を増幅層24の表面に向けて噴射することにより、冷却を行う必要がある。この直接冷却の場合、液体窒素が噴射される冷却室は、冷却のため密閉する必要があり、例えば増幅層24と冷却室との間にシール材を設けることにより外部から密閉している。しかし、増幅層24の温度変化による熱伸び等により、シール材によるシールが困難になる場合がある。シールが適切に行われない場合、増幅層24の冷却が適切に行われないおそれが生じる。しかし、上述のように、この固体レーザ増幅装置10は、間接冷却であるため、例えば液体窒素を噴射する直接冷却とは異なり、レーザ媒質部20を冷却するためにシールを行う必要がない。従って、この固体レーザ増幅装置10によると、レーザ媒質部20を適切に冷却することができる。
また、この固体レーザ増幅装置10において、冷却部30は、受光箇所Pに対向する位置と近い位置に設けられた冷却管路36ほど、流れる冷却溶媒Wの流速を高くし、又は、受光箇所Pに対向する位置と近い位置に設けられた冷却管路36ほど、流入する冷却溶媒Wの温度を低くする、これにより、固体レーザ増幅装置10は、受光箇所Pに対向する位置と近い位置に設けられた冷却管路36の冷却力を適切に大きくすることができるため、増幅層24の温度分布が偏ることを適切に抑制する。
(第2実施形態)
次に、第2実施形態について説明する。第2実施形態に係る固体レーザ増幅装置10aは、隣接する冷却管路同士の冷却溶媒Wの流れ方向が、互いに反対方向である点で、第1実施形態とは異なる。第2実施形態において第1実施形態と構成が共通する箇所は、説明を省略する。
図5A及び図5Bは、第2実施形態に係る冷却部の模式図である。図5Aは、第2実施形態に係る冷却部30aの模式的な斜面図である。図5Bは、第2実施形態に係る冷却部30aの模式的な断面図である。図5A及び図5Bに示すように、第2実施形態に係る冷却部30aは、マイクロチャネル部31aと、第1ヘッダ部32aと、第2ヘッダ部34aとを有する。マイクロチャネル部31aは、内部に複数の冷却管路36Aa、36Ba、36Ca、36Da、36Eaが開口している板状の部材である。マイクロチャネル部31a、及び冷却管路36Aa、36Ba、36Ca、36Da、36Eaの形状は、第1実施形態と同様である。ただし、冷却管路36Aa、36Ba、36Ca、36Da、36Eaは、第1実施形態のような冷却力が互いに異なるものでなくてもよく、互いに同じ冷却力であってもよい。以下、冷却管路36Aa、36Ba、36Ca、36Da、36Eaを互いに区別しない場合は、冷却管路36aと記載する。
第1ヘッダ部32aは、内部が空洞の筒状部材である。第1ヘッダ部32aは、マイクロチャネル部31aの一方の側面37に取付けられている。図5Bに示すように、第1ヘッダ部32aは、複数の仕切りによって、内部の空間が、空間32Aa、32Ba、32Ca、32Da、32Eaに仕切られている。空間32Aa、32Ba、32Ca、32Da、32Eaは、それぞれ冷却溶媒冷却部60と冷却溶媒Wを流通させる開口部が設けられている。
第2ヘッダ部34aは、内部が空洞の筒状部材である。第2ヘッダ部34aは、マイクロチャネル部31aの他方の側面38に取付けられている。図5Bに示すように、第2ヘッダ部34aは、複数の仕切りによって、内部の空間が、空間34Aa、34Ba、34Ca、34Da、34Eaに仕切られている。空間34Aa、34Ba、34Ca、34Da、34Eaは、それぞれ冷却溶媒冷却部60と冷却溶媒Wを流通させる開口部が設けられている。
冷却部30aは、隣接する冷却管路36a同士の冷却溶媒Wの流れ方向が、互いに反対方向である。具体的には、冷却管路36Aa、36Ca、36Eaは、空間32Aaから空間34Aaに向かって冷却溶媒Wが流れている。冷却管路36Ba、36Daは、空間34Baから空間32Baに向かって冷却溶媒Wが流れている。ただし、冷却管路36aは、一部の冷却管路36a内において冷却溶媒Wが流れる方向を、他の冷却管路36a内において冷却溶媒Wが流れる方向と反対方向とするものであればよく、隣接する冷却管路36a同士の冷却溶媒Wの流れ方向が反対となっていないものがあってもよい。この場合は、例えば冷却管路36Aa、36Ba、36Eaは、空間32Aaから空間34Aaに向かって冷却溶媒Wが流れており、冷却管路36Ca、36Daは、空間34Baから空間32Baに向かって冷却溶媒Wが流れているなどの構成が挙げられる。冷却部30aは、このように冷却管路36aを流れる冷却溶媒Wの方向を異ならせることで、増幅層24の温度分布が偏ることを抑制することができる。以下、比較例を用いて説明する。
図6は、比較例に係る冷却部の冷却を説明する説明図である。図7は、第2実施形態に係る冷却部の冷却を説明する説明図である。図6に示すように、比較例に係る冷却部30Xは、全ての冷却管路において、入口ヘッダ部32Xから出口ヘッダ部34Xに向かって冷却溶媒Wが流れており、流れ方向が同じとなっている。なお、冷却部30Xは、冷却管路の冷却力は、互いに等しいものである。
比較例において、全ての冷却管路を流れる冷却溶媒Wは、増幅層24と熱交換を行って冷却するので、入口ヘッダ部32Xから出口ヘッダ部34Xに向かうに従って、温度が上昇する。ここで、増幅層24も冷却溶媒Wに対応した温度分布を示すため、増幅層24は、出口ヘッダ部34X側の温度が、入口ヘッダ部32X側の温度より高くなる。すなわち、比較例においては、増幅層24の温度分布に偏りが出るおそれがある。
一方、図7に示すように、第2実施形態に係る冷却部30aは、冷却管路36aにおける冷却溶媒Wの流れ方向が互い違いとなっている。冷却管路36Aa、36Ca、36Eaを流れる冷却溶媒Wは、第1ヘッダ部32aから第2ヘッダ部34aに向かうに従って、温度が上昇する。一方、冷却管路36Ba、36Daを流れる冷却溶媒Wは、第2ヘッダ部34aから第1ヘッダ部32aに向かうに従って、温度が上昇する。このように、冷却部30aは、冷却管路36a毎に温度勾配が互い違いとなるため、増幅層24の温度分布が比較例よりも均一化される。
以上説明したように、第2実施形態における固体レーザ増幅装置10aは、冷却部30aが、一部の冷却管路36a内において冷却溶媒Wの流れる方向を、他の冷却管路36a内において冷却溶媒Wの流れる方向と反対方向とする。これにより、冷却管路36a毎に温度勾配が互い違いとなるため、増幅層24の温度分布が偏ることを抑制することができる。
さらに、冷却部30aは、隣接する冷却管路36a同士の冷却溶媒Wの流れる方向を、互いに反対方向とする。第2実施形態における固体レーザ増幅装置10aは、これにより、増幅層24の温度分布が偏ることを、更に適切に抑制することができる。
(第3実施形態)
次に、第3実施形態について説明する。第3実施形態に係る固体レーザ増幅装置10bは、冷却管路の形状が、第1実施形態とは異なる。第3実施形態において第1実施形態と構成が共通する箇所は、説明を省略する。
図8は、第3実施形態に係る冷却部の模式図である。図8に示すように、第3実施形態に係る冷却部30bは、マイクロチャネル部31bと、入口ヘッダ部32と、出口ヘッダ部34とを有する。マイクロチャネル部31bは、内部に複数の冷却管路36Ab、36Bb、36Cb、36Db、36Ebが開口している板状の部材である。冷却管路36Ab、36Bb、36Cb、36Db、36Ebは、第1実施形態のような冷却力が互いに異なるものであってもよいし、互いに同じ冷却力であってもよい。以下、冷却管路36Ab、36Bb、36Cb、36Db、36Ebを互いに区別しない場合は、冷却管路36bと記載する。
冷却管路36bは、入口管路41と、第1管路42と、第2管路43と、出口管路44とを有する。入口管路41は、マイクロチャネル部31bの一方の側面37から、方向Aに沿って延在する管路であり、冷却面35の反対側の表面近傍に設けられている。第1管路42は、入口管路41と接続されている管路であり、方向Cに向かって冷却面35に近づく方向に、冷却面35近傍まで延在している。第2管路43は、第1管路42と接続されており、第1管路42からの冷却溶媒Wが流れる管路である。第2管路43は、方向Cの反対方向に向かって冷却面35から離れる方向に、冷却面35の反対側の表面近傍まで延在している。出口管路44は、第2管路43と接続されている管路であり、方向Aに沿ってマイクロチャネル部31bの他方の側面38まで延在している。出口管路44も、冷却面35の反対側の表面近傍に設けられている。また、第1管路42及び第2管路43は、方向Aに沿ってマイクロチャネル部31bの中央部に設けられている。
冷却管路36bは、入口ヘッダ部32からの冷却溶媒Wが、入口管路41と、第1管路42と、第2管路43と、出口管路44との順で流れ、冷却溶媒Wを出口ヘッダ部34に導出する。ここで、入口管路41を流れる冷却溶媒Wを冷却溶媒W1とし、第1管路42を流れる冷却溶媒Wを冷却溶媒W2とし、第2管路43を流れる冷却溶媒Wを冷却溶媒W3とし、出口管路44を流れる冷却溶媒Wを冷却溶媒W4とする。冷却溶媒W1は、入口管路41内を、方向Aに沿って、かつ冷却面35と離れた位置(冷却面35の反対側の表面近傍)を流れる。冷却溶媒W2は、第1管路42を、方向Cに向かって冷却面35に近づく方向に、冷却面35の近傍まで流れる。冷却溶媒W3は、第2管路43を、方向Cと反対方向に向かって冷却面35から遠ざかる方向に、冷却面35と反対側の面の近傍まで流れる。冷却溶媒W4は、出口管路44内を、方向Aに沿って、かつ冷却面35と離れた位置(冷却面35の反対側の表面近傍)を流れる。冷却部30bは、冷却溶媒W1、W2、W3、W4が、以上説明したように冷却管路36bを流れるため、増幅層24の温度分布が偏ることを抑制することができる。以下、具体的に説明する。
図9Aから図9Cは、第3実施形態に係る冷却部の冷却を説明する説明図である。図9Aは、冷却部30bを上面から見た模式図であり、図9Bは、冷却部30bを正面から見た模式図であり、図9Cは、冷却部30bを側面から見た模式図である。図9Aから図9Cに示すように、入口管路41は、増幅層24の中央の位置(受光箇所P)よりも方向Zに沿った一方の端面側に位置している。出口管路44は、増幅層24の中央の位置(受光箇所P)よりも方向Zに沿った他方の端面側に位置している。そして、第1管路42と第2管路43とは、方向Zに沿って増幅層24の中央の位置(受光箇所P)と対向する位置に配置されている。この冷却部30bは、受光箇所P付近で冷却面35に垂直な方向(方向Y)に向かって流れる冷却溶媒W2、W3により、増幅層24の冷却を行う。従って、冷却溶媒W2、W3より下流の冷却溶媒W4の温度は、上流の冷却溶媒W1の温度より高くなる。しかし、冷却部30bは、入口管路41と出口管路44とが冷却面35と離れて位置している。従って、冷却部30bは、冷却面35に平行な方向(方向Z)に沿って流れる冷却溶媒W1、W4の温度勾配の影響が、対向する増幅層24に伝わることを抑制することができ、増幅層24の温度分布を上述の比較例よりも均一にすることが可能となる。
以上説明したように、第3実施形態に係る固体レーザ増幅装置10bは、複数の冷却管路36bが、冷却面35に近づく方向に延在する第1管路42と、第1管路42に接続されて冷却面35から遠ざかる方向に延在し、第1管路42からの冷却溶媒Wが流れる第2管路43と、を有する。この冷却部30bは、冷却面35に平行な方向(方向Z)に流れる冷却溶媒W(冷却溶媒W1、W4)ではなく、冷却面35と垂直な方向(方向Y)に向かって流れる第1管路42、第2管路43の冷却溶媒W2、W3によって、増幅層24の冷却を行う。従って、この固体レーザ増幅装置10bによると、冷却溶媒Wの温度勾配の影響が、増幅層24に伝わることを抑制することができ、増幅層24の温度分布が偏ることを抑制することができる。
図10は、第3実施形態の他の例に係る冷却部の構成を示す模式図である。冷却部の構成は、第1実施形態から第3実施形態に説明したものに限られず、例えば、次に示す冷却部30cのような構成であってもよい。冷却部30cは、冷却管路36cと冷却面35との間の距離を、方向Zに沿って変化させている。図10は、冷却部30cを側面から見た模式図である。図10に示すように、冷却部30cは、冷却管路36cが延在する方向である方向Aに沿って、方向Cに沿ったマイクロチャネル部31cの長さ(厚み)を変化させている。マイクロチャネル部31cの厚みは、入口ヘッダ部32側から出口ヘッダ側に向かって小さくなっている。冷却管路36cは、方向Aに沿って直線状に延在している。従って、冷却管路36cは、方向Zに沿って冷却溶媒Wの上流側から冷却溶媒Wの下流側に向かうに従って、冷却面35との距離が近くなっている。このように冷却管路36cと冷却面35との間の距離を、方向Zに沿って変化させることによっても、第2実施形態や第3実施形態と同様に、増幅層24の温度分布が偏ることを抑制することができる。なお、冷却管路36cと冷却面35との間の距離を変える場合は、図10の例に限られず、例えば、方向Zに沿って冷却溶媒Wの上流側から冷却溶媒Wの下流側に向かうに従って、冷却面35との距離が長くなってもよい。
(変形例)
次に、変形例について説明する。変形例に係る固体レーザ増幅装置10dは、増幅層24と冷却部30との間に、増幅層24の熱を冷却部30に伝熱する熱伝導部を有する点で、第1実施形態とは異なる。変形例において第1実施形態と構成が共通する箇所は、説明を省略する。
図11は、変形例における固体レーザ装置の構成を示す模式図である。図12は、熱伝導部の形状を示す模式図である。図11に示すように、変形例における固体レーザ装置1dは、固体レーザ増幅装置10dが、熱伝導部50A、50B、50Cを有する。以下、熱伝導部50A、50B、50Cを互いに区別しない場合は、熱伝導部50と記載する。
図11及び図12に示すように、熱伝導部50は、熱伝導率が高い板状の部材であり、増幅層24と冷却部30との間に接触して設けられ、増幅層24の熱を冷却部30に伝熱する。なお、熱伝導部50は、増幅層24と冷却部30との間に密着固定して設けられることが好ましい。具体的には、熱伝導部50Aは、一方の表面52が増幅層24Aの表面25に接触し、他方の表面54が冷却部30Aの冷却面35に接触している。同様に、熱伝導部50Bは、一方の表面52が増幅層24Bの表面25に接触し、他方の表面54が冷却部30Bの冷却面35に接触している。同様に、熱伝導部50Cは、一方の表面52が増幅層24Cの表面25に接触し、他方の表面54が冷却部30Cの冷却面35に接触している。従って、熱伝導部50は、レーザ媒質部20の方向Yに沿って対向する表面(上底面22a側の表面、下底面24b側の表面)のそれぞれに設けられているということができる。また、熱伝導部50は、レーザ媒質部20の表面に、方向Xに沿って所定の間隔をおいて複数設けられているということができる。言い換えれば、熱伝導部50は、レーザ媒質部20において、レーザ光Lを受光して高温になる増幅層24のみに設けられている。
熱伝導部50は、レーザ媒質部20及び冷却部30よりも熱伝導率が高い材質であり、本実施形態においてはピッチ型のCFRP(Carbon Fiber Reinforced Plastics 炭素繊維強化プラスチック)である。熱伝導部50は、表面(一方の表面52及び他方の表面54)に平行な方向である方向D、Eに沿って延在しており、表面に垂直な方向である方向Fに沿って所定の厚みを有している。本実施形態における熱伝導部50の方向Fに沿った厚みは、0.1mm以上1mm以下であるが、これに限られない。本変形例における熱伝導部50は、繊維方向が表面に平行な方向(例えば方向D、E)に沿って配向されており、熱伝導率の異方性を有する。具体的には、熱伝導部50は、方向D及び方向Eに沿った熱伝導率が、方向Fに沿った熱伝導率よりも高くなっている。すなわち、熱伝導部50は、方向Fよりも、方向D及び方向Eに沿った方向に熱が伝わりやすい。
熱伝導部50は、一方の表面52が増幅層24の表面25に接触し、他方の表面54が冷却部30の冷却面35に接触するよう取付けられる。また、熱伝導部50は、方向Dが方向Xと平行な方向となり、方向Eが方向Zと平行な方向となり、方向Fが方向Yと平行な方向となるように取付けられている。ただし、熱伝導部50は、方向Fが方向Yと平行な方向であれば、取付け方向はこれに限られない。
変形例に係る固体レーザ増幅装置10dは、増幅層24と冷却面35との間に接触して設けられ、増幅層24の熱を冷却部30に伝熱する熱伝導部50を有する。この固体レーザ増幅装置10dは、熱伝導部50を介して冷却部30に伝熱を行う。従って、この固体レーザ増幅装置10dは、増幅層24の熱を効率よく冷却部30に伝えることができ、より適切に増幅層24を冷却することができる。
また、本変形例における熱伝導部50は、ピッチ型のCFRPであるため、熱伝導率が高く、増幅層24の熱をより効率よく冷却部30に伝えることができる。さらに、熱伝導部50は、一方の表面52に平行な方向(方向D、E)に沿った熱伝導率が、一方の表面52に垂直な方向(方向F)に沿った熱伝導率よりも高い。従って、この固体レーザ増幅装置10dは、増幅層24の熱を熱伝導部50の表面方向に拡散して、その熱を冷却部30の冷却面35全体で冷却することができる。従って、この熱伝導部50は、より適切に増幅層24を冷却することができる。また、この固体レーザ増幅装置10dは、増幅層24の熱を熱伝導部50の表面方向に拡散するため、増幅層24の熱を表面に沿って均一化し、レーザ媒質部20内の温度分布が偏ることを抑制することもできる。
ただし、熱伝導部50は、一方の表面52に垂直な方向(方向F)に沿った熱伝導率が、一方の表面52に平行な方向(方向D、E)に沿った熱伝導率よりも高くてもよい。この場合、CFRPの繊維方向が、一方の表面52に垂直な方向(方向F)に沿って配向されている。この熱伝導部50は、方向E、すなわち増幅層24から冷却部30に向かう方向に熱を迅速に伝えることができるため、増幅層24をより迅速に冷却することが可能となる。
また、熱伝導部50の材質は、ピッチ型のCFRPであることに限られず、例えばグラファイトシートであってもよい。グラファイトシートは、グラファイト(黒鉛)を含むシートである。このグラファイトシートは、方向D、Eに沿って延在する黒鉛層を、方向Fに沿って積層して形成されることで、一方の表面52に平行な方向(方向D、E)に沿った熱伝導率を、一方の表面52に垂直な方向(方向F)に沿った熱伝導率よりも高くすることができる。また、このグラファイトシートは、方向Fに沿って延在する黒鉛層を、方向D又は方向Eに沿って積層して形成されることで、一方の表面52に垂直な方向(方向F)に沿った熱伝導率を、一方の表面52に平行な方向(方向D、E)に沿った熱伝導率よりも高くすることができる。
なお、この変形例に係る熱伝導部50は、第1実施形態から第3実施形態のいずれの固体レーザ増幅装置にも適用することが可能である。
以上、本発明の実施形態及び変形例を説明したが、これら実施形態等の内容により実施形態が限定されるものではない。また、前述した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均等の範囲のものが含まれる。さらに、前述した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。さらに、前述した実施形態等の要旨を逸脱しない範囲で構成要素の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
1、1d 固体レーザ装置
10、10a、10b、10c 固体レーザ増幅装置
12 収納室
13 入射窓
14 出射窓
20 レーザ媒質部
22 媒質
24、24A、24B、24C 増幅層
25 表面
26 入射部
27 出射部
30、30A、30B、30C、30a、30b、30c、30X 冷却部
31、31a、31b、31c マイクロチャネル部
32、32X 入口ヘッダ部
32a 第1ヘッダ部
32Aa、32Ba、32Ca、32Da、32Da 空間
32H 導入開口部
34、34X 出口ヘッダ部
34a 第2ヘッダ部
34Aa、34Ba、34Ca、34Da、34Ea 空間
34H 導出開口部
35 冷却面
36、36A、36B、36C、36D、36E 冷却管路
37、38 側面
41 入口管路
42 第1管路
43 第2管路
44 出口管路
50、50A、50B、50C 熱伝導部
52 表面
54 表面
60 冷却溶媒冷却部
62 導入管
64 導出管
100 発光部
102 照射部
A、B、C、D、E、F、X、Y、Z 方向
L レーザ光
P 受光箇所
S1、S2 曲線
W、W1、W2、W3、W4 冷却溶媒

Claims (5)

  1. 入射部よりレーザ光が内部に入射され、出射部より前記レーザ光が外部に出射される固体状の媒質と、前記媒質の表面に設けられて、前記媒質内のレーザ光を受光して前記出射部に向けて増幅しつつ反射する増幅層と、を有するレーザ媒質部と、
    内部に冷却溶媒を導通し、前記増幅層の表面に平行な方向に配列する複数の冷却管路と、複数の前記冷却管路の外周に設けられ、前記増幅層の表面に取付けられる冷却面とを有して前記増幅層を冷却するマイクロチャネル型の冷却部と、を有し、
    前記冷却部は、前記増幅層の前記レーザ光を受光する箇所に対向する位置と近い位置に設けられた前記冷却管路ほど、冷却力を大きくし、
    複数の前記冷却管路は、前記冷却面に近づく方向に延在する第1管路と、前記第1管路に接続されて前記冷却面から遠ざかる方向に延在し、前記第1管路からの前記冷却溶媒が流れる第2管路と、を有する、固体レーザ増幅装置。
  2. 前記冷却部は、前記増幅層の前記レーザ光を受光する箇所に対向する位置と近い位置に設けられた前記冷却管路ほど、流れる冷却溶媒の流速を高くし、又は、前記増幅層の前記レーザ光を受光する箇所に対向する位置と近い位置に設けられた冷却管路ほど、流入する冷却溶媒の温度を低くする、請求項1に記載の固体レーザ増幅装置。
  3. 前記冷却部は、一部の前記冷却管路内において前記冷却溶媒の流れる方向を、他の前記冷却管路内において前記冷却溶媒の流れる方向と反対方向とする、請求項1又は請求項2に記載の固体レーザ増幅装置。
  4. 入射部よりレーザ光が内部に入射され、出射部より前記レーザ光が外部に出射される固体状の媒質と、前記媒質の表面に設けられて、前記媒質内のレーザ光を受光して前記出射部に向けて増幅しつつ反射する増幅層と、を有するレーザ媒質部と、
    内部に冷却溶媒を導通し、前記増幅層の表面に平行な方向に配列する複数の冷却管路と、複数の前記冷却管路の外周に設けられ、前記増幅層の表面に取付けられる冷却面とを有して前記増幅層を冷却するマイクロチャネル型の冷却部と、を有し、
    複数の前記冷却管路は、前記冷却面に近づく方向に延在する第1管路と、前記第1管路に接続されて前記冷却面から遠ざかる方向に延在し、前記第1管路からの前記冷却溶媒が流れる第2管路と、を有する、固体レーザ増幅装置。
  5. 前記増幅層と前記冷却面との間に接触して設けられ、前記増幅層の熱を前記冷却部に伝熱する熱伝導部を有する請求項1から請求項のいずれか1項に記載の固体レーザ増幅装置。
JP2015204803A 2015-10-16 2015-10-16 固体レーザ増幅装置 Active JP6560954B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015204803A JP6560954B2 (ja) 2015-10-16 2015-10-16 固体レーザ増幅装置
PCT/JP2016/067059 WO2017064880A1 (ja) 2015-10-16 2016-06-08 固体レーザ増幅装置
EP16855134.9A EP3300189B1 (en) 2015-10-16 2016-06-08 Solid laser amplification device
US15/578,301 US10236655B2 (en) 2015-10-16 2016-06-08 Solid laser amplification device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015204803A JP6560954B2 (ja) 2015-10-16 2015-10-16 固体レーザ増幅装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2017076751A JP2017076751A (ja) 2017-04-20
JP2017076751A5 JP2017076751A5 (ja) 2018-11-22
JP6560954B2 true JP6560954B2 (ja) 2019-08-14

Family

ID=58518212

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015204803A Active JP6560954B2 (ja) 2015-10-16 2015-10-16 固体レーザ増幅装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10236655B2 (ja)
EP (1) EP3300189B1 (ja)
JP (1) JP6560954B2 (ja)
WO (1) WO2017064880A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7086720B2 (ja) * 2018-05-30 2022-06-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ装置
JP7341673B2 (ja) * 2019-02-27 2023-09-11 三菱重工業株式会社 レーザ装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3633126A (en) * 1969-04-17 1972-01-04 Gen Electric Multiple internal reflection face-pumped laser
JP3338974B2 (ja) * 1995-01-11 2002-10-28 ミヤチテクノス株式会社 レーザ装置
JPH09181376A (ja) 1995-12-26 1997-07-11 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 固体レーザ励起用半導体レーザ及びその製造方法
US6002695A (en) * 1996-05-31 1999-12-14 Dpss Lasers, Inc. High efficiency high repetition rate, intra-cavity tripled diode pumped solid state laser
JP2001015844A (ja) * 1999-06-30 2001-01-19 Saifasha:Yugen 固体レーザ装置
US6339605B1 (en) 2000-02-16 2002-01-15 The Boeing Company Active mirror amplifier system and method for a high-average power laser system
US6625193B2 (en) * 2001-01-22 2003-09-23 The Boeing Company Side-pumped active mirror solid-state laser for high-average power
US20050189647A1 (en) 2002-10-11 2005-09-01 Chien-Min Sung Carbonaceous composite heat spreader and associated methods
US20060083276A1 (en) 2004-09-28 2006-04-20 Snake Creek Lasers, Llc. Cryogenically cooled solid state lasers
US7430230B2 (en) 2005-04-07 2008-09-30 The Boeing Company Tube solid-state laser
JP2010034413A (ja) * 2008-07-30 2010-02-12 Hamamatsu Photonics Kk 固体レーザ装置
FR2969402B1 (fr) 2010-12-17 2013-02-15 Fibercryst Module a gain laser et methode de fabrication d'un tel module
JP6003323B2 (ja) * 2012-07-18 2016-10-05 国立大学法人大阪大学 レーザ媒質ユニット、レーザ増幅器及びレーザ発振器並びに冷却方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10236655B2 (en) 2019-03-19
WO2017064880A1 (ja) 2017-04-20
EP3300189B1 (en) 2021-09-22
EP3300189A4 (en) 2018-10-10
JP2017076751A (ja) 2017-04-20
EP3300189A1 (en) 2018-03-28
US20180145474A1 (en) 2018-05-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6560954B2 (ja) 固体レーザ増幅装置
JP6003323B2 (ja) レーザ媒質ユニット、レーザ増幅器及びレーザ発振器並びに冷却方法
JP2006295178A (ja) 電子素子用ヒートシンク装置
JP2010114162A (ja) レーザ利得媒質、レーザ発振器及びレーザ増幅器
JP2004349701A (ja) ダイオードポンプ固体ディスクレーザおよび均一なレーザ利得を生成する方法
US20190020175A1 (en) Ld module cooling device and laser apparatus
CN115579715B (zh) 光学元件、冷却装置和方法、冷却流道结构及其制造方法
JP6493832B2 (ja) レーザ発振冷却装置
JP6632315B2 (ja) 固体レーザ増幅装置
JP2018526829A (ja) レーザー・システム又は他のシステム及び関連するデバイスで使用するウェーブガイドを形成するための技術
EP3492978B1 (en) Colour wheel device and projector
JP2015519727A (ja) 冷却装置
CN113937615A (zh) 用于激光器的冷却组件及冷却方法
JP4333342B2 (ja) レーザ加工装置
FI4085225T3 (fi) Lämmönvaihdin kryogeenistä jäähdytyslaitetta varten
JP5270949B2 (ja) レーザ光出射装置およびレーザ装置
KR20150142433A (ko) 연료전지 차량용 유체 유동 분배 장치
JP2005243892A (ja) ガスレーザ発振装置およびガスレーザ加工機
JP6444053B2 (ja) レーザ受光装置及びレーザ加工ユニット
WO2023119749A1 (ja) レーザ媒質ユニット、レーザ増幅装置及びレーザ発振装置
JP2002359418A (ja) 固体レーザーのスラブ冷却装置及び方法
US20240344772A1 (en) Heat sink apparatus
WO2020006824A1 (zh) 一种激光放大器
JP7329396B2 (ja) 燃料電池スタック
JP2003506904A (ja) ガスレーザ

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181012

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20181012

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190625

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190722

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6560954

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150