JP6554234B2 - 最適化された熱膨張係数及び/又は熱伝達を用いたヒートスプレッダ - Google Patents
最適化された熱膨張係数及び/又は熱伝達を用いたヒートスプレッダ Download PDFInfo
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Description
熱伝導率:
x軸104=kX=1700.0W/m−K
y軸106=kY=1700.0W/m−K
z軸102=kZ=7.0W/m−K
線熱膨張係数(CTE):
x軸104=αx=0.5E−6m/m−C
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熱伝導率:
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線熱膨張係数(CTE):
X軸554=αX=5.0e−7/K
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Z軸552=αZ=5.0e−7/K
これらの例は、そのような原理から逸脱することなく構成及び細部を変更できることが明
らかとなるはずである。出願人らは、次の「特許請求の範囲」の趣旨及び範囲内に入る全
ての修正及び変形を特許請求する。
[形態1]
熱源の熱膨張係数(HS CTE)を有するヒートスプレッダであって、前記ヒートスプレッダが、高膨張軸を有する異方性材料を含む、ヒートスプレッダと、
熱源に結合される前記ヒートスプレッダの表面であって、前記異方性材料の前記高膨張軸が、前記ヒートスプレッダの前記表面に対して斜めであり、前記異方性材料の前記高膨張軸が、前記ヒートスプレッダの第1の軸の周りに第1の回転角度で配向され、前記第1の回転角度が前記ヒートスプレッダの第1のCTEと前記HS CTEとのマッチを最適化するように選択される、前記ヒートスプレッダの表面と、を備える機器。
[形態2]
前記異方性材料の前記高膨張軸が、前記ヒートスプレッダの第2の軸の周りに第2の回転角度で配向され、前記第2の回転角度が、前記ヒートスプレッダの前記第1のCTEと前記HS CTEとのマッチを最適化するように選択される、形態1に記載の機器。
[形態3]
高膨張軸が前記ヒートスプレッダの第3の軸の周りに第3の回転角度だけ回転するように前記ヒートスプレッダの内部に前記異方性材料が配向され、前記第3の回転角度が、前記ヒートスプレッダの前記第1のCTEと前記HS CTEとの前記マッチを最適化するように選択される、形態2に記載の機器。
[形態4]
前記第1の回転角度、前記第2の回転角度、若しくは前記第3の回転角度、又はそれらの組み合わせが、前記ヒートスプレッダの前記第1のCTEと前記HS CTEとの前記マッチの最適化に従い前記ヒートスプレッダの熱伝導率を最適化する、形態3に記載の機器。
[形態5]
前記第1の回転角度、前記第2の回転角度若しくは前記第3の回転角度、又はそれらの組み合わせが、前記ヒートスプレッダの前記第1のCTE又は第2のCTEと、前記熱源の第1のHS軸に沿った第1のCTE、若しくは前記熱源の第2のHS軸に沿った第2のCTE、又はそれらの組み合わせのうちの対応のものとのマッチを最適化する、形態4に記載の機器。
[形態6]
前記第1の回転角度、前記第2の回転角度若しくは前記第3の回転角度、又はそれらの組み合わせが、前記熱源の第1のHS軸に沿った前記第1のCTE、若しくは前記熱源の第2のHS軸に沿った第2のCTE、又はそれらの組み合わせとのマッチングに従い、前記ヒートスプレッダの熱伝導率を最適化する、形態5に記載の機器。
[形態7]
前記ヒートスプレッダが、前記異方性材料の配向に基づいて実質的に等方性である、形態1に記載の機器。
[形態8]
前記異方性材料が、炭化ケイ素(SiC)、銅(Cu)、立方晶窒化ホウ素(c−BN)、グラファイト、グラフェン、グラフェン複合体、カーボンナノチューブ、カーボンナノチューブ複合体、ダイヤモンド、及び熱分解グラファイトのうち少なくとも1つを含む、形態1に記載の機器。
[形態9]
前記ヒートスプレッダが、前記表面で前記熱源に、また前記熱源と反対側の表面でヒートシンクに結合される、形態1に記載の機器。
[形態10]
線熱膨張係数(CTE)を有する熱源と、
異方性材料を含む前記熱源に結合されるヒートスプレッダであって、前記異方性材料が、
1次軸であって、前記1次軸に沿って1次熱膨張係数(CTE)を有し、前記1次CTEが前記異方性材料中で最も高いCTEである1次軸と、
2次軸であって、前記2次軸に沿って2次CTEを有し、前記2次軸が前記1次軸に直交し、前記1次CTEが前記2次CTEと異なる2次軸と、
3次軸であって、前記3次軸に沿って3次CTEを有し、前記3次軸が前記2次軸及び前記1次軸に直交する3次軸と、を含む、ヒートスプレッダと、
前記熱源と接触する前記ヒートスプレッダの表面であって、前記表面が前記1次軸に対して斜めの平面内に配向され、前記ヒートスプレッダが、
4次軸であって、前記4次軸に沿って4次CTEを有する前記斜面に直交する4次軸と、
5次軸であって、前記5次軸に沿って5次CTEを有する前記斜面にある5次軸と、
6次軸であって、前記6次軸に沿って6次CTEを有する前記斜面にある6次軸と、
を含み、
前記1次軸が前記5次軸の周りで前記4次軸に対して第1の回転角度で回転するように前記ヒートスプレッダ内に前記異方性材料が配向され、前記第1の回転角度が、前記4次CTE、5次CTE、若しくは6次CTE又はそれらの任意の組み合わせと前記熱源のCTEとのマッチを最適化する、表面と、を備えるシステム。
[形態11]
前記第1の回転角度が、前記4次CTE、5次CTE、若しくは6次CTE又はそれらの任意の組み合わせと前記熱源の前記CTEの前記マッチの最適化に従い、前記4次軸、5次軸、若しくは6次軸、又はそれらの任意の組み合わせに沿って熱伝導率を最適化する、形態10に記載のシステム。
[形態12]
前記1次軸が前記6次軸の周りで前記5次軸に対して第2の回転角度だけ回転するように前記ヒートスプレッダ内に前記異方性材料が配向され、前記第2の回転角度が、前記4次CTE、5次CTE、若しくは6次CTE又はそれらの任意の組み合わせと前記熱源とのCTEの前記マッチを最適化する、形態10に記載のシステム。
[形態13]
前記第2の回転角度が、前記4次CTE、5次CTE、若しくは6次CTE又はそれらの任意の組み合わせと前記熱源の前記CTEとの前記マッチの最適化に従い、前記4次軸、5次軸、若しくは6次軸、又はそれらの任意の組み合わせに沿って熱伝導率を最適化する、形態12に記載のシステム。
[形態14]
前記1次軸が前記4次軸の周りで前記6次軸に対して第3の回転角度だけ回転するように前記ヒートスプレッダ内に前記異方性材料が配向され、前記第3の回転角度が、前記4次CTE、5次CTE、若しくは6次CTE又はそれらの任意の組み合わせと前記熱源のCTEとの前記マッチを最適化する、形態12に記載のシステム。
[形態15]
前記第3の回転角度が、前記4次CTE、5次CTE、若しくは6次CTE又はそれらの任意の組み合わせと前記熱源の前記CTEとの前記マッチの最適化に従い、前記4次軸、5次軸、若しくは6次軸、又はそれらの任意の組み合わせに沿って熱伝導率を最適化する、形態14に記載のシステム。
[形態16]
前記3次CTEが、前記1次CTE及び前記2次CTEとは異なる、形態10に記載のシステム。
[形態17]
前記異方性材料が、炭化ケイ素(SiC)、銅(Cu)、立方晶窒化ホウ素(c−BN)、グラファイト、グラフェン、グラフェン複合体、カーボンナノチューブ、カーボンナノチューブ複合体、ダイヤモンド、及びカプセル化された熱分解グラファイトのうち少なくとも1つを含む、形態10に記載のシステム。
[形態18]
前記熱源が、レーザーダイオード、集積回路、若しくは発光ダイオード、又はそれらの任意の組み合わせである、形態14に記載のシステム。
[形態19]
熱源の第1の熱膨張係数(CTE)を、異方性材料を含むヒートスプレッダに結合される前記熱源の第1の軸において特定することと、
1つ又は2つ以上の異方性材料の軸の1つ又は2つ以上のCTEと前記第1のCTEとのマッチを最適化するように前記異方性材料の高膨張軸の第1の回転角度を選択することであって、前記角度が前記ヒートスプレッダの第1の軸を基準とすることと、
前記第1の回転角度に対して前記異方性材料の前記高膨張軸を回転させることと、を含む方法。
[形態20]
1つ又は2つ以上の異方性材料の軸の1つ又は2つ以上のCTEと前記第1のCTEとの前記マッチを最適化するように前記異方性材料の高膨張軸の第2の回転角度を選択することであって、前記角度が前記ヒートスプレッダの第2の軸を基準とすることと、
前記第2の回転角度に対して前記異方性材料の前記高膨張軸を回転させることと、を更に含む、形態19に記載の方法。
[形態21]
前記熱源の第2の軸において前記熱源の第2のCTEを特定することと、
1つ又は2つ以上の異方性材料の軸の前記1つ又は2つ以上のCTEと前記第2のCTEとのマッチングを最適化するように第2の回転角度だけ前記異方性材料の前記高膨張軸を回転させることと、を更に含む、形態19に記載の方法。
[形態22]
1つ又は2つ以上の異方性材料の軸の前記1つ又は2つ以上のCTEと前記第1のCTEとの前記マッチの最適化に従い、前記ヒートスプレッダの1つ又は2つ以上の軸に沿って熱伝導率を最適化するように前記第1の回転角度を選択することを更に含む、形態19に記載の方法。
Claims (21)
- 熱源の熱膨張係数(HS CTE)を有するヒートスプレッダであって、前記ヒートスプレッダが、高膨張軸と前記高膨張軸に対して傾いた低膨張軸を有する異方性材料を含む、ヒートスプレッダと、
熱源に結合されるように構成された前記ヒートスプレッダの表面であって、前記異方性材料の前記高膨張軸が、前記ヒートスプレッダの前記表面に対して斜めであり、前記異方性材料の前記高膨張軸が、前記ヒートスプレッダの第1の軸の周りに第1の回転角度で配向され、前記第1の回転角度が前記ヒートスプレッダの第1のCTEと前記HS CTEとのマッチを最適化するように選択される、前記ヒートスプレッダの表面と、を備える機器。 - 前記異方性材料の前記高膨張軸が、前記ヒートスプレッダの第2の軸の周りに第2の回転角度で配向され、前記第2の回転角度が、前記ヒートスプレッダの前記第1のCTEと前記HS CTEとのマッチを最適化するように選択される、請求項1に記載の機器。
- 高膨張軸が前記ヒートスプレッダの第3の軸の周りに第3の回転角度だけ回転するように前記ヒートスプレッダの内部に前記異方性材料が配向され、前記第3の回転角度が、前記ヒートスプレッダの前記第1のCTEと前記HS CTEとの前記マッチを最適化するように選択される、請求項2に記載の機器。
- 前記第1の回転角度、前記第2の回転角度、若しくは前記第3の回転角度、又はそれらの組み合わせが、前記ヒートスプレッダの前記第1のCTEと前記HS CTEとの前記マッチの最適化に従い前記ヒートスプレッダの熱伝導率を最適化する、請求項3に記載の機器。
- 前記第1の回転角度、前記第2の回転角度若しくは前記第3の回転角度、又はそれらの組み合わせが、前記ヒートスプレッダの前記第1のCTE又は第2のCTEと、前記熱源の第1のHS軸に沿った第1のCTE、若しくは前記熱源の第2のHS軸に沿った第2のCTE、又はそれらの組み合わせのうちの対応のものとのマッチを最適化する、請求項4に記載の機器。
- 前記第1の回転角度、前記第2の回転角度若しくは前記第3の回転角度、又はそれらの組み合わせが、前記熱源の第1のHS軸に沿った前記第1のCTE、若しくは前記熱源の第2のHS軸に沿った第2のCTE、又はそれらの組み合わせとのマッチングに従い、前記ヒートスプレッダの熱伝導率を最適化する、請求項5に記載の機器。
- 前記異方性材料が、炭化ケイ素(SiC)、銅(Cu)、立方晶窒化ホウ素(c−BN)、グラファイト、グラフェン、グラフェン複合体、カーボンナノチューブ、カーボンナノチューブ複合体、ダイヤモンド、及び熱分解グラファイトのうち少なくとも1つを含む、請求項1に記載の機器。
- 前記ヒートスプレッダが、前記表面で前記熱源に、また前記熱源と反対側の表面でヒートシンクに結合される、請求項1に記載の機器。
- 熱膨張係数(CTE)を有する熱源と、
異方性材料を含む前記熱源に結合されるヒートスプレッダであって、前記異方性材料が、
1次軸であって、前記1次軸に沿って1次熱膨張係数(CTE)を有し、前記1次CTEが前記異方性材料中で最も高いCTEである1次軸と、
2次軸であって、前記2次軸に沿って2次CTEを有し、前記2次軸が前記1次軸に直交し、前記1次CTEが前記2次CTEと異なる2次軸と、
3次軸であって、前記3次軸に沿って3次CTEを有し、前記3次軸が前記2次軸及び前記1次軸に直交する3次軸と、を含む、ヒートスプレッダと、
前記熱源と接触する前記ヒートスプレッダの表面であって、前記表面が前記1次軸に対して斜めの平面内に配向され、前記ヒートスプレッダが、
4次軸であって、前記4次軸に沿って4次CTEを有する、前記平面に直交する4次軸と、
5次軸であって、前記5次軸に沿って5次CTEを有する、前記平面にある5次軸と、
6次軸であって、前記6次軸に沿って6次CTEを有する、前記平面にある6次軸と、
を含み、
前記1次軸が前記5次軸の周りで前記4次軸に対して第1の回転角度で回転するように前記ヒートスプレッダ内に前記異方性材料が配向され、前記第1の回転角度が、前記4次CTE、5次CTE、若しくは6次CTE又はそれらの任意の組み合わせと前記熱源のCTEとのマッチを最適化する、表面と、を備えるシステム。 - 前記第1の回転角度が、前記4次CTE、5次CTE、若しくは6次CTE又はそれらの任意の組み合わせと前記熱源の前記CTEの前記マッチの最適化に従い、前記4次軸、5次軸、若しくは6次軸、又はそれらの任意の組み合わせに沿って熱伝導率を最適化する、請求項9に記載のシステム。
- 前記1次軸が前記6次軸の周りで前記5次軸に対して第2の回転角度だけ回転するように前記ヒートスプレッダ内に前記異方性材料が配向され、前記第2の回転角度が、前記4次CTE、5次CTE、若しくは6次CTE又はそれらの任意の組み合わせと前記熱源とのCTEの前記マッチを最適化する、請求項9に記載のシステム。
- 前記第2の回転角度が、前記4次CTE、5次CTE、若しくは6次CTE又はそれらの任意の組み合わせと前記熱源の前記CTEとの前記マッチの最適化に従い、前記4次軸、5次軸、若しくは6次軸、又はそれらの任意の組み合わせに沿って熱伝導率を最適化する、請求項11に記載のシステム。
- 前記1次軸が前記4次軸の周りで前記6次軸に対して第3の回転角度だけ回転するように前記ヒートスプレッダ内に前記異方性材料が配向され、前記第3の回転角度が、前記4次CTE、5次CTE、若しくは6次CTE又はそれらの任意の組み合わせと前記熱源のCTEとの前記マッチを最適化する、請求項11に記載のシステム。
- 前記第3の回転角度が、前記4次CTE、5次CTE、若しくは6次CTE又はそれらの任意の組み合わせと前記熱源の前記CTEとの前記マッチの最適化に従い、前記4次軸、5次軸、若しくは6次軸、又はそれらの任意の組み合わせに沿って熱伝導率を最適化する、請求項13に記載のシステム。
- 前記3次CTEが、前記1次CTE及び前記2次CTEとは異なる、請求項9に記載のシステム。
- 前記異方性材料が、炭化ケイ素(SiC)、銅(Cu)、立方晶窒化ホウ素(c−BN)、グラファイト、グラフェン、グラフェン複合体、カーボンナノチューブ、カーボンナノチューブ複合体、ダイヤモンド、及びカプセル化された熱分解グラファイトのうち少なくとも1つを含む、請求項9に記載のシステム。
- 前記熱源が、レーザーダイオード、集積回路、若しくは発光ダイオード、又はそれらの任意の組み合わせである、請求項13に記載のシステム。
- 高膨張軸と前記高膨張軸に対して傾いた低膨張軸を有する異方性材料を含むヒートスプレッダに結合される熱源の第1の軸において前記熱源の第1の熱膨張係数(CTE)を特定することと、
1つ又は2つ以上の異方性材料の軸の1つ又は2つ以上のCTEと前記第1のCTEとのマッチを最適化するように前記異方性材料の高膨張軸の第1の回転角度を選択することであって、前記第1の回転角度が前記ヒートスプレッダの第1の軸を基準とすることと、
前記第1の回転角度に前記異方性材料の前記高膨張軸を回転させることと、を含む方法。 - 1つ又は2つ以上の異方性材料の軸の1つ又は2つ以上のCTEと前記第1のCTEとの前記マッチを最適化するように前記異方性材料の高膨張軸の第2の回転角度を選択することであって、前記第2の回転角度が前記ヒートスプレッダの第2の軸を基準とすることと、
前記第2の回転角度に前記異方性材料の前記高膨張軸を回転させることと、を更に含む、請求項18に記載の方法。 - 前記熱源の第2の軸において前記熱源の第2のCTEを特定することと、
1つ又は2つ以上の異方性材料の軸の前記1つ又は2つ以上のCTEと前記第2のCTEとのマッチングを最適化するように第2の回転角度だけ前記異方性材料の前記高膨張軸を回転させることと、を更に含む、請求項18に記載の方法。 - 1つ又は2つ以上の異方性材料の軸の前記1つ又は2つ以上のCTEと前記第1のCTEとの前記マッチの最適化に従い、前記ヒートスプレッダの1つ又は2つ以上の軸に沿って熱伝導率を最適化するように前記第1の回転角度を選択することを更に含む、請求項18に記載の方法。
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