JP6554047B2 - 流体デバイス用シリコーン部材およびその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明のシリコーン部材は、シリコーン製の一体物であり、流体と接触する一面は、該流体の一部を捕捉するための凹部と、それ以外の流路部とからなる。流体の種類は、特に限定されない。流体は、親水性でも疎水性でもよい。例えば、一面上に親水性の流体が流れると、当該流体の一部は凹部に捕捉される。流体の一部は、流体そのものの一部でもよく、流体に含まれている特定の物質のみでもよい。
本発明の流体デバイス用シリコーン部材の製造方法は、親水化工程と、疎水化工程と、を有する。以下、各工程を説明する。
本工程は、一面に凹部を有するシリコーン製の基材に対して、該一面をプラズマCVD法およびプラズマ照射の少なくとも一方により処理することにより、該一面全体に親水層を形成する工程である。
本工程は、親水化処理した一面のうち該凹部以外の該親水層の表面に疎水層を形成する工程である。本工程により、凹部以外の一面、すなわち流路部に、疎水性が付与される。疎水層の形成方法は特に限定されない。例えば、親水層の表面を改質したり、表面に疎水性樹脂膜を形成すればよい。疎水性樹脂膜としては、例えば、フッ素樹脂膜、シリコーン膜などが挙げられる。疎水性樹脂膜の形成方法としては、親水層が形成された基材の表面を、疎水性樹脂液を有する部材に押し当てて、疎水性樹脂液を親水層の表面に転写させる転写法が好適である。
[実施例1]
前出図1〜図3に示した下側部材と同じ形状のシリコーン部材を製造した。凹部の前後方向長さ(幅)は6μm、左右方向長さは5mm、深さは10μm、凹部と凹部との間隔は10μmである(図1参照)。
実施例1で使用したのと同じ基材の上面に、マイクロ波プラズマ処理によりアミノ基を付与した。アミノ基が付与された上面は親水層になる。マイクロ波プラズマ処理は、アルゴンガス10Paおよびエチレンジアミンガス1.0Paの雰囲気で、マイクロ波の周波数を2.45GHz、出力電力を1kWとして行った。処理時間は60秒とした。続いて、基材の上面を、実施例1で使用したスタンプ部材に押しつけて、凹部以外の部分にフッ素樹脂液を転写した。その後、室温下にて30分間乾燥させて、凹部以外の部分にフッ素樹脂膜(疎水層)を形成した。得られたシリコーン部材を実施例2のシリコーン部材と称す。
凹部以外の部分にフッ素樹脂膜を形成しない点以外は、実施例1と同様にしてシリコーン部材を製造した。得られたシリコーン部材を比較例1のシリコーン部材と称す。比較例1のシリコーン部材においては、上面全体(凹部を含む)に有機成分を含むケイ素酸化物膜(親水層)が形成されている。
実施例1で使用した基材そのものを、比較例2のシリコーン部材とした。
製造したシリコーン部材の上面の水接触角を測定した。水接触角は、凹部とそれ以外の平坦部との二箇所について測定した。平坦部には、後述する流体デバイスにおける流路部が含まれる。水接触角の測定は、JIS R3257:1999に準じて行った。本実施例においては、測定対象の表面に水を2μl滴下して、水が接触してから1分以内の水接触角を測定した。表1に、水接触角の測定結果を示す。
製造したシリコーン部材を用いて、前出図1〜図3に示した形態の流体デバイスを製造した。製造した流体デバイスの前後方向長さは50mm、左右方向長さは10mmである(図1参照)。上側部材については、別途PDMSを射出成形して製造した。流路を区画する上側凹部の深さは150μmである。製造したシリコーン部材(下側部材)の上面に上側部材を積層して両者を接合した。このようにして製造された流体デバイスを、シリコーン部材の番号に対応させて、実施例1の流体デバイスなどと称す。
[評価方法]
流体デバイスの流路に試液を流し、凹部における捕捉性を評価した。まず、水性染料(シャチハタ(株)製「スタンプインキS−1」)10mLと、純水5mLと、エタノール5mLと、を混合して試液を調製した。次に、流体デバイスの導入孔より、試液4μLをマイクロピペットを用いて注入した。それから、流体デバイスの前端を持ち上げ、水平から30°傾けて、流路の試液を排出口から排出した。その後、下側部材(シリコーン部材)の凹部と流路部とにおける残留物を確認した。残留物の確認は、(株)キーエンス製のデジタルマイクロスコープ「VHX−100」を用いて行い、染料成分残渣が観察されれば残留物あり、観察されなければ残留物なしとした。そして、凹部に残留物があり、かつ流路部に残留物がない場合のみを捕捉性良好と評価し、それ以外は捕捉性不良と評価した。なお、湿度50%環境下における水蒸発速度は0.07μL/分である。このため、試液中の水は蒸発するため残留しない。
先の表1に、凹部の捕捉性の評価結果をまとめて示す。表1に示すように、実施例1、2の流体デバイスにおいては、凹部に残留物があり、かつ、流路部に残留物がなかった。すなわち、実施例1、2の流体デバイスにおいては、いずれも捕捉性が良好(表1中、〇印で示す)であることが確認された。これに対して、比較例1の流体デバイスにおいては、凹部だけでなく流路部にも残留物があった。これは、試料が流路部に付着しやすいことを意味するため、捕捉性は不良(表1中、×印で示す)と判断した。また、比較例2の流体デバイスにおいては、凹部に残留物がなかった。この場合、試料の一部を捕捉することができないため、捕捉性は不良と判断した。
Claims (9)
- シリコーン製の一体物であり、流体と接触する一面は、該流体の一部を捕捉するための凹部と、それ以外の流路部とからなり、
該凹部の少なくとも一部は親水性であり、該一部以外の該凹部および該流路部は疎水性であることを特徴とする流体デバイス用シリコーン部材。 - 前記凹部のうち親水性の前記一部の表面には、親水層が配置されている請求項1に記載の流体デバイス用シリコーン部材。
- 前記親水層は、有機成分を含むケイ素酸化物膜である請求項2に記載の流体デバイス用シリコーン部材。
- 前記流路部の表面には、疎水層が配置されている請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の流体デバイス用シリコーン部材。
- 前記疎水層は、フッ素樹脂膜である請求項4に記載の流体デバイス用シリコーン部材。
- 請求項1に記載の流体デバイス用シリコーン部材の製造方法であって、
一面に凹部を有するシリコーン製の基材に対して、該一面をプラズマCVD法およびプラズマ照射の少なくとも一方により処理することにより、該一面全体に親水層を形成する親水化工程と、
該一面のうち該凹部以外の該親水層の表面に疎水層を形成する疎水化工程と、
を有することを特徴とする流体デバイス用シリコーン部材の製造方法。 - 前記親水化工程は、前記プラズマCVD法により、前記一面全体の表面に有機成分を含むケイ素酸化物膜を形成する工程である請求項6に記載の流体デバイス用シリコーン部材の製造方法。
- 前記疎水化工程は、転写法により疎水性樹脂膜を形成する工程である請求項6または請求項7に記載の流体デバイス用シリコーン部材の製造方法。
- 前記疎水性樹脂膜は、フッ素樹脂膜である請求項8に記載の流体デバイス用シリコーン部材の製造方法。
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