JP6551851B2 - 微粒子製造装置及び微粒子製造方法 - Google Patents
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Description
真空チャンバーと、
前記真空チャンバーに接続されて材料粒子を前記真空チャンバー内に複数の材料供給口から供給する材料供給装置と、
前記真空チャンバーに接続されて、前記真空チャンバー内の横方向に先端が突出した状態で、前記真空チャンバーの円周壁に所定間隔で放射線状に配置してプラズマを発生させる複数本の電極と、
前記真空チャンバーに接続されて微粒子を回収する回収装置とを有して、前記真空チャンバー内で放電を発生させ、前記材料粒子から前記微粒子を製造する装置であって、
前記真空チャンバーにおいて、前記材料供給装置の前記材料供給口は、前記複数本の電極より鉛直方向の下側に設置され、
前記材料供給装置は、前記複数の材料供給口から、鉛直方向の上向きに前記材料粒子を送り、かつ、前記プラズマの中央部より前記電極周辺への前記材料粒子の供給量を多く供給し、
前記回収装置は、前記真空チャンバー内の前記プラズマが発生する領域よりも上方の位置で前記真空チャンバーと接続され、前記真空チャンバー内で鉛直方向の上向きに送られる前記微粒子を回収するものであり、
前記真空チャンバー内の前記材料供給口の鉛直方向の下側に設置し、前記プラズマにはじかれた未処理の前記材料粒子を回収して溜める未処理材料貯蔵部と、をさらに有する。
前記真空チャンバー内で前記複数本の電極によってアーク放電を前記プラズマとして生成し、
前記材料供給装置により鉛直方向の上向きに前記材料粒子を送り、前記生成したアーク放電の鉛直方向の下側から、前記プラズマの中央部より前記電極周辺への前記材料粒子の供給量を多くするように、前記材料粒子を前記材料供給装置の前記複数の材料供給口から前記アーク放電の領域内に投入し、
前記材料粒子が、前記アーク放電の領域中を通過するときに、蒸発又は気化して材料ガスとなり、
さらに、前記材料ガスが前記真空チャンバー内を上昇して、前記アーク放電の前記領域から抜けた瞬間、前記材料ガスが急激に冷やされて前記微粒子を生成して、生成されて前記真空チャンバー内で鉛直方向の上向きに送られる前記微粒子は前記回収装置に回収され、
前記アーク放電にはじかれた前記材料粒子を、重力によって前記未処理材料貯蔵部に溜める。
図1は、第1実施形態に係わる微粒子製造装置の概略縦断面図を示す。図2は、第1実施形態に係わる微粒子製造装置において電極部分で横方向に切断した状態での概略断面平面図を示す。図3は、第1実施形態に係わる微粒子製造装置の概略拡大断面図を示す。図1〜図3を用いて、一例として、シリコンのナノメートルオーダーの微粒子を製造する例を説明する。
2 断熱材
3 微粒子回収部
4 電極
5 交流電源
10 材料供給装置
11 材料供給管
12 材料供給口
12m 回転装置
13 カバー
14 ガス供給管
15 ガス供給管
16 未処理材料貯蔵部
20 計測窓
21 光学式計測装置
22 分析部
23 交流電源制御部
24 材料供給制御部
25 アーク放電
26 排出口
27 取鍋
30 材料粒子
30B アーク放電の中に入らず処理されない材料粒子
31 微粒子
90 ガス供給装置
100 制御部
CP 複数の電極の中心位置
Claims (11)
- 真空チャンバーと、
前記真空チャンバーに接続されて材料粒子を前記真空チャンバー内に複数の材料供給口から供給する材料供給装置と、
前記真空チャンバーに接続されて、前記真空チャンバー内の横方向に先端が突出した状態で、前記真空チャンバーの円周壁に所定間隔で放射線状に配置してプラズマを発生させる複数本の電極と、
前記真空チャンバーに接続されて微粒子を回収する回収装置とを有して、前記真空チャンバー内で放電を発生させ、前記材料粒子から前記微粒子を製造する装置であって、
前記真空チャンバーにおいて、前記材料供給装置の前記材料供給口は、前記複数本の電極より鉛直方向の下側に設置され、
前記材料供給装置は、前記複数の材料供給口から、鉛直方向の上向きに前記材料粒子を送り、かつ、前記プラズマの中央部より前記電極周辺への前記材料粒子の供給量を多く供給し、
前記回収装置は、前記真空チャンバー内の前記プラズマが発生する領域よりも上方の位置で前記真空チャンバーと接続され、前記真空チャンバー内で鉛直方向の上向きに送られる前記微粒子を回収するものであり、
前記真空チャンバー内の前記材料供給口の鉛直方向の下側に設置し、前記プラズマにはじかれた未処理の前記材料粒子を回収して溜める未処理材料貯蔵部と、をさらに有する、
微粒子製造装置。 - 前記材料供給装置より供給する粉末の前記材料粒子の粒子径は1マイクロメートルより大きく100マイクロメートル以下である、請求項1に記載の微粒子製造装置。
- 前記複数本の電極には、其々交流電源が接続されて、アーク放電を前記プラズマとして生成する、請求項1又は2に記載の微粒子製造装置。
- 前記複数本の電極の上方に配置された放電観測用の窓と、
前記窓を通して光学式計測装置によって放電の様子を分析した結果に基づき、前記電極に接続された交流電源、もしくは、前記材料供給装置の材料供給量のどちらか一方、もしくは両方を調整する制御部をさらに備える、請求項1〜3のいずれか1つに記載の微粒子製造装置。 - 前記材料供給装置は、前記複数の材料供給口を上下方向沿いの回転軸回りに回転させる回転装置をさらに備える、請求項1〜4のいずれか1つに記載の微粒子製造装置。
- 前記材料供給装置の前記材料供給口は、前記複数本の電極の先端が重なり合う中心位置の鉛直方向の下側に配置され、前記材料供給口の向く方向が鉛直方向に対して傾斜する傾斜角度が5°以上30°以下である、請求項5に記載の微粒子製造装置。
- 請求項1〜6のいずれか1つに記載の微粒子製造装置を利用する微粒子製造方法であって、
前記真空チャンバー内で前記複数本の電極によってアーク放電を前記プラズマとして生成し、
前記材料供給装置により鉛直方向の上向きに前記材料粒子を送り、前記生成したアーク放電の鉛直方向の下側から、前記プラズマの中央部より前記電極周辺への前記材料粒子の供給量を多くするように、前記材料粒子を前記材料供給装置の前記複数の材料供給口から前記アーク放電の領域内に投入し、
前記材料粒子が、前記アーク放電の領域中を通過するときに、蒸発又は気化して材料ガスとなり、
さらに、前記材料ガスが前記真空チャンバー内を上昇して、前記アーク放電の前記領域から抜けた瞬間、前記材料ガスが急激に冷やされて前記微粒子を生成して、生成されて前記真空チャンバー内で鉛直方向の上向きに送られる前記微粒子は前記回収装置に回収され、
前記アーク放電にはじかれた前記材料粒子を、重力によって前記未処理材料貯蔵部に溜める、
微粒子製造方法。 - 前記生成したアーク放電の鉛直方向の下側から、前記材料粒子を前記材料供給装置の前記材料供給口から前記アーク放電の領域内に投入するとき、
前記材料供給装置の複数の材料供給口を、回転装置により上下方向沿いの回転軸回りに回転させることによって前記複数の材料供給口から前記材料粒子を前記アーク放電の前記領域内に供給する、請求項7に記載の微粒子製造方法。 - 前記真空チャンバー内で前記複数本の電極によって前記アーク放電を前記プラズマとして生成するとき、
位相が互いに異なる電力を交流電源から前記複数本の電極に其々供給して、パルス的に放電させる、請求項7又は8に記載の微粒子製造方法。 - 前記真空チャンバー内で前記複数本の電極によって前記アーク放電を前記プラズマとして生成するとき、
前記複数本の電極によって生成される前記アーク放電を光学式の計測装置によって前記真空チャンバーの上方から放電の面内分布を計測し、
前記計測した結果に基づき、前記材料供給装置の材料供給量、前記材料供給口の回転数、又は、前記真空チャンバー内への供給ガス流量を制御部で制御する、請求項7〜9のいずれか1つに記載の微粒子製造方法。 - 前記真空チャンバー内で前記複数本の電極によって前記アーク放電を前記プラズマとして生成するとき、
前記複数本の電極によって生成される前記アーク放電を光学式の計測装置によって上方から放電の面内分布を計測した結果から、前記電極に接続した交流電源の電圧又は電流を制御部で制御する、請求項7〜9のいずれか1つに記載の微粒子製造方法。
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