JP6550398B2 - 素子を作動させるための方法および装置 - Google Patents

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Description

関連出願の相互参照
本願は、2014年4月7日付けで出願された独国特許出願第10 2014 206 686.7号の優先権を主張する。該独国特許出願の内容を参照により本願の本文に援用する。
本発明は、マイクロリソグラフィー用のシステム内の素子を作動させるための方法および装置に関する。
本発明による装置は、例えば光学系、特にマスク上あるいはマイクロリソグラフィー投影露光装置内の構造体の位置を決定するための装置において、(例えば、照明ユニット又は投影レンズにおけるミラーを作動させるために)有利に用いることができる。本発明は、他のシステム、例えば、瞬間的な熱負荷がシステムの動作特性の欠陥につながり、従って上記瞬間的な熱負荷を制限することが主に重要であるシステムにおいても有利に用いることができる。
例えば、例として特に光学系のように、特に高精度で素子を正確に位置決めすることや迅速な設定が望まれるシステムでは、正確かつ速い位置決めは、システムにおける最大許容熱負荷に関する適用可能な制限と調和しないことがよくある。
この場合、例えば変化する位置決め速度での動作に関連した瞬間的な(すなわち、一定でない方法で、又は非定常状態で生じる)熱負荷が特に問題となることがあり、例えば、関連する素子及び/又はシステム内の他のある構造体において、それらによって導入される時間的に変化する機械的変形は、システムの動作特性の欠陥となることがあり、この欠陥はアクチュエータの動作に依存する。
瞬間的な熱負荷によって引き起こされる問題を克服するための既知のアプローチは、関連する熱負荷をもたらす構成要素をシステムのうち残りの部分から分離したり、あるいは能動的または受動的な冷却方法を実装することを含む。しかしながら、そのようなアプローチは構築上の費用を増大させることにつながり、その上、生じた瞬間的な熱負荷を十分速く、あるいは正確に取り除くことを必ずしも保証しない。
本発明の目的は、正確かつ速い位置決めを可能とし、一方で瞬間的な熱負荷によってもたらされる問題を少なくとも実質的に回避することを可能とするマイクロリソグラフィー用のシステム内の素子を作動させるための方法および装置を提供することである。
上記目的は、独立請求項の特徴による方法および装置によって達成される。
マイクロリソグラフィー用のシステム内における素子を作動させるための本発明による方法では、
少なくとも2つのアクチュエータ構成要素によって、少なくとも1つの自由度で、アクチュエータ力が前記素子に働き、
前記アクチュエータ構成要素は、前記アクチュエータ力を発生させるために互いに独立して駆動し、
前記アクチュエータ構成要素によって前記アクチュエータ力が発生することに起因して前記システムに導入される熱パワーが、所定の定数値から20%以下だけずれるような方法で、前記駆動は為される。
本発明は、動作に起因してシステムに導入される熱パワーに対して定数値を予め画定することにより、増大した一定の熱負荷(「公称熱負荷」とも称される)を受け取るという事実と、アクチュエータ構成要素が駆動して熱パワーを恒久的に発生させるという事実とによって、特にシステムにおける素子が作動している間に、上記システムに導入される瞬間的な熱負荷を低減させる、あるいは完全に取り除くという概念に基づいている。このアプローチは、プロセス中に増加する可能性があるが、一定に発生する熱負荷にかかわらず、システムが熱平衡で作動することができ、この点に関して、特に、動作特性(例えば、変形に特に敏感に反応するマイクロリソグラフィー投影露光装置の光学特性)を悪化させる望ましくない変形がもはや生じないという動機にも起因する。
この場合、アクチュエータ構成要素によってシステムに導入される熱パワーが20%以下だけ所定の定数値からずれるような基準は、本発明がシステムに導入される熱パワーに対して予め画定した定数値は、必ずしも正確には従わないという概要を既に包含するように意図されたものであるという事実を表現することを意図したものであり、可能なら、熱パワーの所定の値に依存して、瞬間的な熱負荷が時々発生してもある程度許容され得る。
一実施形態によれば、前記アクチュエータ構成要素によって前記アクチュエータ力が発生することに起因して、前記システムに導入される熱パワーが所定の定数値から10%以下だけ、特に5%以下だけずれるような方法で、前記アクチュエータ構成要素の前記駆動は為される。
一実施形態によれば、前記熱パワーが、前記アクチュエータ構成要素によって最大許容アクチュエータ力(Fmax)が発生すると前記システムに導入される前記熱パワーに相当するように、前記アクチュエータ構成要素によって前記システムに導入される前記熱パワーに対する所定の定数値が選択される。
一実施形態によれば、前記アクチュエータ構成要素は、コイルであり、前記アクチュエータ力を発生させるために電流が前記コイルに印加される。
一実施形態によれば、前記アクチュエータ構成要素が、前記素子に働く前記アクチュエータ力への寄与に関して少なくとも部分的に互いに相殺するような方法で、前記アクチュエータ構成要素の前記駆動は、少なくとも時々為される。
本発明は、マイクロリソグラフィー用のシステム内の素子を作動させるための方法にも関し、
少なくとも2つのアクチュエータ構成要素によって、少なくとも1つの自由度で、アクチュエータ力が前記素子に働き、
前記アクチュエータ構成要素は、前記アクチュエータ力を発生させるために互いに独立して駆動し、
前記アクチュエータ構成要素が、前記素子に働く前記アクチュエータ力への寄与に関して少なくとも部分的に互いに相殺するような方法で、前記駆動は、少なくとも時々為される。
一実施形態によれば、前記アクチュエータ構成要素は、互いに逆に作用する分力を少なくとも時々発生させる。
本発明は、マイクロリソグラフィー用のシステム内の素子を作動させるための方法にも関し、
少なくとも2つのアクチュエータ構成要素によって、少なくとも1つの自由度で、アクチュエータ力が前記素子に働き、
前記アクチュエータ構成要素は、前記アクチュエータ力を発生させるために互いに独立して駆動し、
前記アクチュエータ構成要素は、互いに逆に作用する分力を少なくとも時々発生させる。
一実施形態によれば、前記アクチュエータ力は、前記分力を(量および/または方向において)変化させることによって、量および/または方向において調整される。
一実施形態によれば、前記アクチュエータ構成要素は、コイルであり、前記分力を変化させるために、前記コイルのそれぞれに印加される電流を(アンペア数および/または電流方向において)それぞれ少なくとも時々変化させる。
一実施形態によれば、前記アクチュエータ構成要素によって前記システムに導入される前記熱パワーが、特に前記システム内の他の場所に存在する熱源に起因して前記システムに存在する熱擾乱を少なくとも部分的に補償するような方法で、前記アクチュエータ構成要素の前記駆動は、少なくとも時々為される。
一実施形態によれば、前記システムは、光学系である。
本発明は、さらにマイクロリソグラフィー用のシステム内の素子を作動させるための装置にも関し、前記素子へのアクチュエータ力は、少なくとも1つの自由度において、少なくとも2つのアクチュエータ構成要素によって発生可能であり、前記アクチュエータ構成要素は、前記アクチュエータ力を発生させるために互いに独立して駆動可能であり、さらに、前記アクチュエータ構成要素による前記アクチュエータ力の発生に起因して前記システムに導入される熱パワーが20%以下だけ所定の値からずれるような方法で、前記駆動が為される。
本発明は、さらにマイクロリソグラフィー用のシステム内の素子を作動させるための装置にも関し、前記素子へのアクチュエータ力は、少なくとも1つの自由度において、少なくとも2つのアクチュエータ構成要素によって発生可能であり、前記アクチュエータ構成要素は、前記アクチュエータ力を発生させるために互いに独立して駆動可能であり、さらに、前記アクチュエータ構成要素が、前記素子に働く前記アクチュエータ力への寄与に関して少なくとも部分的に互いに相殺するような方法で、前記駆動は、少なくとも時々為される。
本発明は、さらにマイクロリソグラフィー用のシステム内の素子を作動させるための装置であって、前記素子へのアクチュエータ力は、少なくとも1つの自由度において、少なくとも2つのアクチュエータ構成要素によって発生可能であり、前記アクチュエータ構成要素は、前記アクチュエータ力を発生させるために互いに独立して駆動可能であり、さらに、前記アクチュエータ構成要素は、互いに逆に作用する分力を少なくとも時々発生させる。
本発明は、さらに上述の特徴を有する装置を備える光学系にも関し、特に、例えばマスク上またはマイクロリソグラフィー投影露光装置の光学系内の構造体の位置を決定するための装置といったマイクロリソグラフィー用のシステムに関する。
本発明のさらなる構成は、詳細な説明および従属項から寄せ集めることができる。
本発明は、添付図面に示される例示的な実施形態に基づいて、以下で詳細に説明される。
本発明による方法を実現するアクチュエータ装置の1つの可能な構成を説明するための基本的な概略図である。 本発明による方法の1つの可能な実施形態を説明するための制御図である。 本発明による実施形態において、本発明によるアクチュエータ装置におけるモーター定数の位置依存性の考慮を説明するためのグラフである。 本発明による実施形態において、本発明によるアクチュエータ装置におけるモーター定数の位置依存性の考慮を説明するためのグラフである。 本発明による実施形態において、本発明によるアクチュエータ装置におけるモーター定数の位置依存性の考慮を説明するためのグラフである。
まず、図1は、システム内の素子を作動させるための装置の1つの可能な構成を説明するための基本的な概略図を示し、この装置により本発明による方法が実現される。
図1を参照するに、単なる例として光学系における光学素子(例えば、ミラー又はレンズ素子)とすることができる素子140を作動させるためのアクチュエータ装置100は、第1コイル110と第2コイル120と永久磁石130とを備える。電流i及びiは、それぞれ互いに独立してコイル110,120に印加することができ、その結果、各コイル110,120は、永久磁石130または永久磁石130に機械的に結合した素子140に力F及びFをそれぞれ所与の自由度で働かせる。
前記電流の印加に起因してコイル110,120によってシステム全体に導入された、以下では「散逸パワー」Pdissとも称するパワーに対して、次の式が成立する:
(1)
コイル110,120によって素子140全体に働く力Fに対して、次の式が成立する:
(2)
上記式(1)及び(2)において、R及びRは、コイル110,120の電気抵抗を示し、k及びkは、永久磁石130に関連するコイル110,120によってそれぞれ形成されたアクチュエータ構成要素のモーター定数(またはアクチュエータ定数)を示す。概して、コイル110,120のモーター定数k及びk並びに電気抵抗は、温度依存性を有し、さらに、モーター定数k及びkは、(作動した素子140又は永久磁石120の現在の位置に依存するという意味で)位置依存性を有する。これらの依存性は、以下の検討ではまず無視するが、これらについてはより詳細に説明する。
本発明のある観点によれば、コイル110,120にそれぞれ印加される電流i及びiは、可能であれば、増大した一定の熱負荷(「公称熱負荷」)を受け取ることで、システムにこの電流印加によりもたらされる瞬間的な熱負荷が減少する又は完全に取り除かれるように選ばれる(すなわち、コイル110,120が駆動する)。
一実施形態によれば、電流iおよびiをそれぞれ確かめるために、式(1)における散逸パワーPdissは、それがアクチュエータ装置100の最大許容力Fmaxを発生させるのに必要とされるパワーPdissに相当するように予め画定される。この場合、アクチュエータ装置100の上記最大力Fmaxは、連続動作中または特定の動作期間を超えた際にアクチュエータ装置100の機能不全が、例えばコイル110,120の「焼失」が原因で起きるときの力に相当する。
式(1)及び(2)から構成される上述の方程式を解くことによって、次の式が導出される:
(3)
(4)
式(3)及び(4)から構成される方程式は、(単に虚数解ではなく)実数解を有するという必要条件、つまり、各根の項は0よりも大きいという条件により、働くアクチュエータ力には以下の制限が生じる:
(5)
これにより、アクチュエータ装置100によって発生する力に対する次の最大値および最小値が得られる:
(6)
(7)
アクチュエータ装置100によって上記限界値を超える力が供給されないとすれば、システムにおいて瞬間的な熱負荷を全く生じさせることなく、関連する力を働かせることができる。
上述したアプローチによれば、アクチュエータ装置100は、最大パワーPmax(最大熱負荷に相当する)をシステムにいつでも又は恒久的に導入し、前記最大パワーPmaxは、上述した最大許容アクチュエータ力Fmaxを生じさせるのに必要とされるパワーに相当する。この結果、最大許容アクチュエータ力Fmaxに比べて低い力を必要とする動作段階では、コイル110,120は、少なくとも部分的に「互いに反して作用する」、つまり、例えば、第1コイル110は、素子140に左方向の力を働かせ、一方で、第2コイル120は、素子140に右方向の力を働かせ、電流i及びiのうち必須の付加部分(すなわち、それぞれの分力に関する効果の観点から互いに相殺する)は、熱の発生に用いられる。次に、この付加的に発生した熱は、瞬間的な熱負荷を回避するために役立ち、その目的のために、本発明によればシステムに導入した一定の熱負荷の増大レベルが受け入れられる。
この点について、例えば、素子140に対するアクチュエータ力を最大アクチュエータ力Fmaxの半分に到達するように働かせることを要求する動作段階における簡単な例では、電流i及びiは、第1コイル110がF=0.75×Fmaxを満たす力を発生させて、第2コイル120がF=−0.25×Fmaxを満たす力を発生させるように選択され、コイル110,120における力作用に関して互いに相殺する電流部分は、単に熱を発生させるために役に立ち、その結果、システムに導入される熱負荷が上述したように一定となる。
この場合における本発明は、1自由度につきアクチュエータ装置100に存在し、かつ、互いに対して電流が独立して印加される少なくとも2つのコイル110,120に起因して、各素子100に特定の必須の力を発生させるための異なる可能性が存在し、これらの可能性はコイル110,120への電流の印加に関して互いに異なるという事実を利用する。システムに全体的に導入される熱負荷が増大する可能性がある(すなわち、必要とされるアクチュエータ力に対して本来必要とされるよりも多い熱負荷が導入される)が、そのかわりできる限り熱負荷が一定に保たれる(又は、システムに全体的に導入される熱負荷の瞬間的な部分を少なくとも減少できる)ような方法で、コイル110,120への電流のこの印加またはそれらの駆動が本発明による上述のアプローチにより為される。
本発明は、最大パワーPmax(アクチュエータ装置100の最大許容力Fmaxを発生させるために必要とされるパワーに相当する)を発生させるために必要とされる上述のパワーに限定されない。さらなる実施形態では、上記最大パワーPmax未満の力(つまり、アクチュエータ装置100の最大許容力Fmaxよりも小さい力に相当する)も予め画定され得る。この場合、瞬間的な熱負荷は、発生した力の閾値までしか完全には取り除くことができない(つまり、限られたアクチュエータ力の発生のみ可能である)。上記閾値を超えると、瞬間的な熱負荷が発生する。しかしながら、上記瞬間的な熱負荷は、一定の散逸パワーPdissを予め全く画定していない、あるいは、力作用に関して少なくとも部分的に互いに関して相殺される方法でコイル110,120に電流が印加されない従来型のコイル110,120の駆動の場合において発生するであろう瞬間的な熱負荷よりもなお低い。
概して、アクチュエータ装置100によってシステムに導入される散逸パワーPdissに対して、上記パワーPdissは、所望の力を発生させるために必要とされる最小パワーよりも大きくなければならないが、(アクチュエータ装置100の機能不全が、例えばコイル110,120の「焼失」が原因で生じる)最大許容パワーPmax未満である任意の値を予め画定することも可能である。システムに導入される散逸パワーPdissを対応して事前に確定すれば、式(3),(4)に対応する方程式は実数解を有する。上述したように、システムに導入された散逸パワーPdissの値を最大許容パワーPmaxに設定する場合、最大許容力Fmaxを発生させることができる。
本発明によるさらなる観点によれば、コイル110,120に電流を印加することにより散逸されるパワーを上述のように予め画定する結果、目標とする方法で熱をシステムに導入することもでき、上記熱を(例えば、システムにおける他の熱源を原因として)システムに存在する熱擾乱を考慮または補償するのに役立てることができる。換言すれば、本発明によるアクチュエータ装置100は、このようにシステムの特性に影響を与えるために、及び、例えば付加的な加熱装置を必要とせずにシステム内の熱擾乱源を制御工学により補償するために、加熱装置として目標とする方法で用いることもできる。
この場合、素子140上に必要とされるアクチュエータ力が、それぞれ変換されることなくアクチュエータ装置100によって提供される限りにおいて、本発明による概念は、上記「力学的に釣り合いのとれた(force-neutrally)」補償に必要とされる熱を発生させるために用いることができる。しかしながら、瞬間的な熱負荷を減少させる上記アプローチに対して、アクチュエータ装置100の作動中に付加的に生じる熱は、ここで単に受け取られる(及び、例えば適切な冷却ユニットによって散逸される)だけではなく、例えば、他の場所で発生する熱擾乱を補償するために用いられる意図的に設定される変数を正確に構成する。
図2は、本発明によって可能となる制御を説明するための制御図を示す。位置の観点から制御される素子100の所望位置211は、設定値変数として予め画定される。素子100の上記所望位置211とセンサーによる方法で確認される実際の位置212との差は、位置制御装置201に与えられ、位置制御装置201は、アクチュエータ装置100により適用されるべき必要な力Fを計算する。この必要な力は必要な電流に対応し、次に、これからコイル110,120に印加される電流i及びiの値が、モーター定数k,k,R,Rの情報を用いて、ユニット202で(システムに導入される特定の一定パワーPdissを予め画定するという本発明による概念を実現して)計算される。もし、コイル110,120のこの駆動、又はそれらへの電流の印加に応じてそれぞれ発生した力F及びFが同じ符号ならば、力F及びFは、ともに、例えば最大アクチュエータ力を設定することができる作動可能な方法で素子140を搬送する機構205に完全に作用する(つまり、素子140の位置決めに用いられる)。しかしながら、もし素子140への最大アクチュエータ力Fmaxが、例えば動作段階で必要とされない場合、例えば第1コイル110によって発生した力の寄与Fは負の値を有し、第2コイル120によって発生した力の寄与Fは正の値(すなわち逆)を有する。結果として、コイル110,120は、部分的に互いに反して働き、力の差ΔF=F−Fだけが機構205または素子140の位置決めに影響し、一方で、素子140への力作用に関して互いを補償する電流i及びiの部分は、(瞬間的な熱負荷を部分的に又は完全に取り除く目的で)熱の発生にのみ役立つ。それ故、全体的に見れば、図2を参照するに、コイル110,120における電流i及びiは、システムに予め画定したパワーPdissを導入することでアクチュエータ装置100によって所望の力が働くような方法で制御される。
既述のように、そして図3における例により示すように、一般にモーター定数k,kは、位置無依存型ではなく、むしろ作動した素子140又は永久磁石130の現在の位置に関して位置依存性を有する。図3は、(−0.01mmの位置と+0.01mmの位置との間で)局所的に直線の位置依存性を単に例によって示し、この例では2つのモーター定数k,kの合計は、さらに一定である。例えば、図3に従って既知の特性が与えられると、(一般に任意の方法でシステムの動作中に測定される)素子140の各位置に対する上記方程式を解くことによって、対応して電流i,iの設定を修正する、すなわちコイル110,120を駆動させることにより、上記位置依存性を考慮することが可能となる。
さらに、(例えば、上述した方法により瞬間的な熱負荷の発生が部分的に許容されるような場合において)モーター定数k,k並びに電気抵抗R及びRの両方への熱の影響を考慮することが可能であり、それぞれ温度を測定し、各位置と各温度に対して上記方程式を解くことによって為される。しかしながら、もし、瞬間的な熱負荷が最初に説明したアプローチによって完全に取り除かれるならば、システムは恒久的に熱平衡にあるので、電気抵抗R及びR並びにモーター定数k及びkの温度依存性を考慮することは必ずしも必須ではない。
図4を参照するに、コイル110,120の駆動中、異なる電流i,iが異なる位置に対して生じ、上記電流は、システムに導入される一定パワーPdissを発生させるためにそれぞれ必要とされる。図4の線図は、ここでは単に例として、図3につき上述した位置依存性に対して適用される(異なる位置依存性の場合には、当然他のプロファイルが生じる)。
モーター定数k及びkの位置依存性の上記例に対して図5の線図に示すように、位置依存限界が到達可能最大力および到達可能最小力に対して生じる。実施においては、それぞれ最も狭い制限(例では、−1.5Nと+1.5Nとの間の許容力の値の範囲に対応する)を基準として取ることができるか、あるいは、力に対して位置に依存する限界値を基準として取ることができ、この結果、どの時間においても、図2の位置制御装置201は、関連する位置に対して許容できる力を超える力を必要としない。
式(3)及び(4)を構成する方程式における根の項がもはや正でなくなった途端、図2の位置制御装置201によって要求されるよりも高い力を供給することができなくなるか、あるいは、瞬間的な熱負荷の発生の結果としてパワーPdissが生じる。実施においては、予め画定したパワーPdissに比べて、考え得る瞬間的なより高い所要パワーがさらに許容され得る(この場合、(例えば、1〜2分の)予め画定した時間が経過した後に、異常メッセージを発生させることができる)。
本発明を特定の実施形態に基づいて説明したが、例えば、個々の実施形態の特徴を組み合わせる及び/又は交換することにより、多数の変形や代替的な実施形態とすることができるのは当業者にとって明らかである。従って、当業者に言うまでもなく、このような変形や代替的な実施形態が付随して本発明に包含され、そして、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲およびその等価物が意味する範囲内でのみ制限される。

Claims (17)

  1. マイクロリソグラフィー用のシステム内の素子を作動させるための方法であって、
    少なくとも2つのアクチュエータ構成要素によって、少なくとも1つの自由度で、アクチュエータ力が前記素子に働き、
    前記アクチュエータ構成要素は、前記アクチュエータ力を発生させるために互いに独立して駆動し、
    前記アクチュエータ構成要素によって前記アクチュエータ力が発生することに起因して前記システムに導入される熱パワー(Pdiss)が、所定の定数値から20%以下だけずれるような方法で、前記駆動は為され
    前記要素の位置決めに用いられる前記アクチュエータ構成要素によって前記システムに導入される前記熱パワー(P diss )が、前記システム内の他の場所に存在する熱源に起因して前記システムに存在する熱擾乱を少なくとも部分的に補償するような方法で、前記駆動は、少なくとも時々為される、方法。
  2. 前記アクチュエータ構成要素によって前記アクチュエータ力が発生することに起因して前記システムに導入される熱パワー(Pdiss)が、所定の定数値から10%以下だけずれるような方法で、前記駆動は為されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
  3. 前記熱パワーが、前記アクチュエータ構成要素によって最大許容アクチュエータ力(Fmax)が発生すると前記システムに導入される前記熱パワー(Pmax)に相当するように、前記アクチュエータ構成要素によって前記システムに導入される前記熱パワー(Pdiss)に対する所定の定数値が選択されることを特徴とする、請求項2に記載の方法。
  4. 前記アクチュエータ構成要素は、コイル(110,120)であり、前記アクチュエータ力を発生させるために、電流が前記コイルに印加されることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
  5. 前記アクチュエータ構成要素が、前記素子に働く前記アクチュエータ力への寄与に関して少なくとも部分的に互いに相殺するような方法で、前記駆動は、少なくとも時々為されることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
  6. マイクロリソグラフィー用のシステム内の素子を作動させるための方法であって、
    少なくとも2つのアクチュエータ構成要素によって、少なくとも1つの自由度で、アクチュエータ力が前記素子に働き、
    前記アクチュエータ構成要素は、前記アクチュエータ力を発生させるために互いに独立して駆動し、
    前記アクチュエータ構成要素が、前記素子に働く前記アクチュエータ力への寄与に関して少なくとも部分的に互いに相殺するような方法で、前記駆動は、少なくとも時々為され
    前記要素の位置決めに用いられる前記アクチュエータ構成要素によって前記システムに導入される前記熱パワー(P diss )が、前記システム内の他の場所に存在する熱源に起因して前記システムに存在する熱擾乱を少なくとも部分的に補償するような方法で、前記駆動は、少なくとも時々為される、方法。
  7. 前記アクチュエータ構成要素は、互いに逆に作用する分力を少なくとも時々発生させることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか1項に記載の方法。
  8. マイクロリソグラフィー用のシステム内の素子を作動させるための方法であって、
    少なくとも2つのアクチュエータ構成要素によって、少なくとも1つの自由度で、アクチュエータ力が前記素子に働き、
    前記アクチュエータ構成要素は、前記アクチュエータ力を発生させるために互いに独立して駆動し、
    前記アクチュエータ構成要素は、互いに逆に作用する分力を少なくとも時々発生させ
    前記要素の位置決めに用いられる前記アクチュエータ構成要素によって前記システムに導入される前記熱パワー(P diss )が、前記システム内の他の場所に存在する熱源に起因して前記システムに存在する熱擾乱を少なくとも部分的に補償するような方法で、前記駆動は、少なくとも時々為される、方法。
  9. 前記アクチュエータ力は、前記分力を変化させることによって、量および/または方向において調整されることを特徴とする、請求項7または8に記載の方法。
  10. 前記アクチュエータ構成要素は、コイル(110,120)であり、前記分力を変化させるために、前記コイル(110,120)のそれぞれに印加される電流をそれぞれ少なくとも時々変化させることを特徴とする請求項7〜9のいずれか1項に記載の方法。
  11. 前記システムは、光学系であることを特徴とする、請求項1〜10のいずれか1項に記載の方法。
  12. マイクロリソグラフィー用のシステム内の素子を作動させるための装置であって、前記素子へのアクチュエータ力は、少なくとも1つの自由度において、少なくとも2つのアクチュエータ構成要素によって発生可能であり、前記アクチュエータ構成要素は、前記アクチュエータ力を発生させるために互いに独立して駆動可能であり、さらに、前記アクチュエータ構成要素によって前記アクチュエータ力が発生することに起因して前記システムに導入される熱パワー(Pdiss)が20%以下だけ所定の値からずれるような方法で、前記駆動が為され、前記要素の位置決めに用いられる前記アクチュエータ構成要素によって前記システムに導入される前記熱パワー(P diss )が、前記システム内の他の場所に存在する熱源に起因して前記システムに存在する熱擾乱を少なくとも部分的に補償するような方法で、前記駆動は、少なくとも時々為される、装置。
  13. マイクロリソグラフィー用のシステム内の素子を作動させるための装置であって、前記素子へのアクチュエータ力は、少なくとも1つの自由度において、少なくとも2つのアクチュエータ構成要素によって発生可能であり、前記アクチュエータ構成要素は、前記アクチュエータ力を発生させるために互いに独立して駆動可能であり、さらに、前記アクチュエータ構成要素が、前記素子に働く前記アクチュエータ力への寄与に関して少なくとも部分的に互いに相殺するような方法で、前記駆動は、少なくとも時々為され、前記要素の位置決めに用いられる前記アクチュエータ構成要素によって前記システムに導入される前記熱パワー(P diss )が、前記システム内の他の場所に存在する熱源に起因して前記システムに存在する熱擾乱を少なくとも部分的に補償するような方法で、前記駆動は、少なくとも時々為される、装置。
  14. マイクロリソグラフィー用のシステム内の素子を作動させるための装置であって、前記素子へのアクチュエータ力は、少なくとも1つの自由度において、少なくとも2つのアクチュエータ構成要素によって発生可能であり、前記アクチュエータ構成要素は、前記アクチュエータ力を発生させるために互いに独立して駆動可能であり、さらに、前記アクチュエータ構成要素は、互いに逆に作用する分力を少なくとも時々発生させ、前記要素の位置決めに用いられる前記アクチュエータ構成要素によって前記システムに導入される前記熱パワー(P diss )が、前記システム内の他の場所に存在する熱源に起因して前記システムに存在する熱擾乱を少なくとも部分的に補償するような方法で、前記駆動は、少なくとも時々為される、装置。
  15. 前記装置は、請求項1〜11のいずれか1項に記載の方法を実行するために設計されることを特徴とする、請求項1214のいずれか1項に記載の装置。
  16. 請求項1214のいずれか1項に記載の装置を備えることを特徴とする、光学系。
  17. 前記光学系は、マスク上またはマイクロリソグラフィー投影露光装置の光学系内の構造体の位置を決定するための装置であることを特徴とする、請求項16に記載の光学系。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019141450A1 (en) * 2018-01-19 2019-07-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, operating method and device manufacturing method
DE102018130290A1 (de) * 2018-11-29 2020-06-04 Asml Netherlands B.V. Aktuatoreinrichtung und Projektionsbelichtungsanlage
DE102020204415A1 (de) * 2020-04-06 2021-10-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren, ansteuereinrichtung, optisches system und lithographieanlage

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6472777B1 (en) * 1998-08-25 2002-10-29 Nikon Corporation Capacitive sensor calibration method and apparatus for opposing electro-magnetic actuators
WO2003015139A1 (fr) * 2001-08-08 2003-02-20 Nikon Corporation Systeme a etage, dispositif d'exposition, et procede de fabrication du dispositif
EP1457833B1 (en) * 2003-03-11 2012-05-30 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
JP2007316132A (ja) * 2006-05-23 2007-12-06 Canon Inc 反射装置
EP1882983A1 (en) * 2006-07-25 2008-01-30 Carl Zeiss SMT AG Gravity compensating support for an optical element
DE102006056035A1 (de) * 2006-11-28 2008-05-29 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektions-Mikrolithographie, Beleuchtungssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik, Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Beleuchtungssystem, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils sowie durch das Verfahren hergestelltes mikrostrukturiertes Bauteil
US8531648B2 (en) * 2008-09-22 2013-09-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, programmable patterning device and lithographic method
JP2010114212A (ja) * 2008-11-05 2010-05-20 Nikon Corp 光学素子駆動装置、鏡筒、露光装置及びデバイスの製造方法
CN102246099B (zh) * 2008-12-12 2014-07-09 Asml荷兰有限公司 致动器系统、光刻设备、控制部件位置的方法和器件制造方法
DE102009009221A1 (de) 2009-02-17 2010-08-26 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie mit einem Aktuatorsystem
NL2005236A (en) * 2009-09-16 2011-03-17 Asml Netherlands Bv Actuator, lithographic apparatus, and actuator constructing method.
NL2005240A (en) * 2009-09-22 2011-03-23 Asml Netherlands Bv Actuator, positioning system and lithographic apparatus.
JP5434498B2 (ja) * 2009-11-11 2014-03-05 株式会社ニコン 光学素子の保持装置、光学系、及び露光装置
WO2012163643A1 (de) * 2011-05-30 2012-12-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Bewegung eines optischen elements in einer mikrolithografischen projektionsbelichtungsanlage
CN104412164B (zh) * 2012-05-29 2017-09-12 Asml荷兰有限公司 支撑装置、光刻装置和器件制造方法
NL2011305A (en) * 2012-08-21 2014-02-24 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.

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