JP6545631B2 - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
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Description
本実施形態に係る半導体記憶装置は、データを電気的に書き換え可能な不揮発性半導体メモリであり、以下の実施形態では、半導体記憶装置としてNAND型フラッシュメモリを例に挙げて説明する。
[1−1] メモリシステムの構成
図1を用いて、実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置を含むメモリシステム1の構成について説明する。メモリシステム1は、1つ又は複数の不揮発性半導体記憶装置(NAND型フラッシュメモリ)100、及びメモリコントローラ200を備える。図1には、2つのNAND型フラッシュメモリ100−0、100−1を例示している。
図2を用いて、NAND型フラッシュメモリ100の構成について説明する。NAND型フラッシュメモリ100の内部ブロック構造は、大きく分けてコア部10とそれ以外の周辺回路20とに分けられる。
図3を用いて、セルアレイ11の構成について説明する。セルアレイ11は、複数のブロックBLKを備える。図3には、セルアレイ11に含まれる1つのブロックBLKの回路図を示している。
次に、センスユニット13の構成について説明する。図4は、センスユニット13のブロック図である。センスユニット13は、センスアンプ(S/A)40、3つのキャッシュ(データキャッシュ、データラッチ回路ともいう)ADL、BDL、XDL、及び記憶ノードTAGを備える。記憶ノードTAGは、例えばラッチ回路で構成される。
次に、センスアンプ40の構成について説明する。図5は、センスアンプ40の回路図である。
メモリセルにデータを書き込む場合、ステートマシン29は、以下のような制御信号を生成する。まず、ステートマシン29は、信号STBをハイレベル(以下、Hレベルと記す)、リセット信号RSTを一旦、Hレベルとして、キャッシュSDLをリセットする。これにより、キャッシュSDLの信号LATがHレベル、信号INVがローレベル(以下、Lレベルと記す)となる。
メモリセルからデータを読み出す場合、ステートマシン29は、以下のような制御信号を生成する。まず、ステートマシン29は、リセット信号RSTを一旦、Hレベルとして、キャッシュSDLをリセットする。これにより、キャッシュSDLの信号LATがHレベル、信号INVがLレベルとなる。
次に、メモリセルトランジスタの閾値について説明する。図6は、メモリセルトランジスタの閾値とデータとの割り付けを説明する図である。図6の横軸がメモリセルトランジスタの閾値(閾値電圧)、図6の縦軸がメモリセルトランジスタの数である。メモリセルトランジスタは、2ビットデータ(4値)を格納可能である。
図7は、複数の読み出しレベルの一例を説明する図である。ここでは、図6(c)の状態、すなわちデータの長期保存により閾値分布が変動し、初期の読み出しレベルAR、BR、CRではデータを正しく読めない例を示す。閾値分布の変動はその閾値電圧により異なるが、本実施形態ではすべての分布が閾値の低い方、つまり“E”レベル方向に向かったダウンシフトが起きているものと仮定する。メモリセル構造や膜組成によってシフト方向は異なることが予想されるが、以下に述べる形態の応用で実現できる。
(A1):AR3−A_DELTA×4=AR3−ΔA1
(A2):AR3−A_DELTA×3=AR3−ΔA2
(A3):AR3−A_DELTA×2=AR3−ΔA3
(A4):AR3−A_DELTA×1=AR3−ΔA4
(A5):AR3
(C1):CR3−C_DELTA×5=CR3−ΔC1
(C2):CR3−C_DELTA×4=CR3−ΔC2
(C3):CR3−C_DELTA×3=CR3−ΔC3
(C4):CR3−C_DELTA×2=CR3−ΔC4
(C5):CR3−C_DELTA×1=CR3−ΔC5
(C6):CR3
図8は、最適値探索リード及び最適値リードを含む読み出しシーケンスを説明する図である。図8の横軸は時刻を表す。図8に示すRBnは、NAND型フラッシュメモリ100の出力ピン(レディー/ビジーピン)RBnである。図8に示すSTBは、図5で説明したように、データを読み出す際に使用される信号である。
続いて、ステートマシン29は、(C1)リードを実行する(ステップS109)。ステップS109は、図8における時刻t8〜t9間の動作に対応する。
次に、キャッシュの操作について説明する。図11は、“A”レベル最適値探索リード及び“A”レベル最適値リードにおけるキャッシュの操作を説明する図である。図11には、図9及び図10のステップ毎に、ワード線電圧基準値、電圧差分、ステップ開始時点での各キャッシュの内容(XDL contents、ADL contents、BDL contents)、キャッシュに関わる主な動作(Required operation)、ステップ終了時点で格納される結果レジスタ(レジスタPF_1ST、PF_2ND、PF_3RD、PF_4TH)の内容を示している。図11に示した“w/”は、“with”を表している。
次に、フェイルビット基準値F_NFと、その結果の保持方法について説明する。図14は、ステートマシン29内に配置されるレジスタの回路図である。
図15は、(A1)リードから(A5)リードの各読み出し結果の一例を示している。具体的には、図15の下側の図は、(A1)リードから(A5)リードの各読み出し結果におけるデータ0のビット数(Vth − ♯ of 0 bits)を示し、図15の上側の図は、(A1)リードから(A5)リードの各区間に閾値があるメモリセル数(Vth − Distribution)を示している。また、図15の上側の図は、ある基準値(Fail bit criteria: F_NF)と比較した結果(PassまたはFail)も示している。読み出し結果は、図14のレジスタPF_1ST、PF_2ND、PF_3RD、PF_4THに格納される。
図17は、探索リードにおけるコマンドシーケンスを説明する図である。
図18は、最適値探索リードと最適値リードとの読み出し対象の差異を説明する図である。図18には、センスユニット13を6ビット線分だけ抽出して示している。図18に示した3つのDLは、キャッシュADL、BDL、XDLに対応する。
本実施形態では、読み出し動作において、最適値探索リード及び最適値リードを組み合わせた探索リードを実行する。最適値探索リードでは、複数の読み出しレベルを用いて読み出しを実行する。そして、最適値探索リードの結果を用いて、最適な読み出しレベル(ワード線電圧)を判定し、この最適な読み出しレベルを用いて最適値リードを行うようにしている。
図7においては、“A”レベル最適値探索リードを5回、“C”レベル最適値探索リードを6回行う形態を示している。この回数は、探索リードの目的や実施時間に応じて変更してよく、その組合せは適宜変更することができる。
図6においては、1セルに2ビットを記憶する形態を示している。もちろんこれに限定されず、1セルに3ビットを記憶する形態、1セルに4ビット以上を記憶する形態、もしくは複数セルを用いて、1以上の整数のビットを記憶する形態であってもよい。
図11乃至図13においては、最適値探索リード時、複数の読み出しレベルで読み出した場合に、各電圧区間に閾値があるメモリセルのビット数を計数するアルゴリズムについて説明した。特に図11においては、Required operationとして、フローチャートの各ステップに必要とされるキャッシュの演算の具体例を示した。
図17では、最適値探索リードと最適値リードとを、1つの命令にて連続的に実施し、NAND型フラッシュメモリ100のレディー/ビジーピンRBnがレディー状態、すなわち即時読み出しが可能な状態となることを示した。
第4変形例では、最適値探索リードのみが独立したコマンドで実行される。その後、別のコマンドで別途最適値リードが実行される。これに鑑みて、最適値探索リードは、図18に示すようにビット線BLを間引いて実施するのではなく、最適値リードと同様に、全ビット線に対して行うようにしてもよい。その結果は、キャッシュADL、BDLを駆使して情報圧縮するようにしてもよい。第5変形例を実施する場合は、必要なキャッシュを図4に示す構成ではなく、最適な数に変更することができる。
1つのメモリセルトランジスタが2ビットデータを保持する場合、その閾値電圧は、保持データに応じて4種類のレベルのいずれかを取る。4種類のレベルを低い方から順に、消去レベル、Aレベル、Bレベル、及びCレベルとした場合、Aレベルの読み出し動作時に選択ワード線に印加される電圧は、例えば0V〜0.55Vの間である。これに限定されることなく、0.1V〜0.24V,0.21V〜0.31V,0.31V〜0.4V,0.4V〜0.5V,0.5V〜0.55V等のいずれかの間であってもよい。Bレベルの読み出し時に選択ワード線に印加される電圧は、例えば1.5V〜2.3Vの間である。これに限定されることなく、1.65V〜1.8V,1.8V〜1.95V,1.95V〜2.1V,2.1V〜2.3V等のいずれかの間であってもよい。Cレベルの読み出し動作時に選択ワード線に印加される電圧は、例えば3.0V〜4.0Vの間である。これに限定されることなく、3.0V〜3.2V,3.2V〜3.4V,3.4V〜3.5V,3.5V〜3.6V,3.6V〜4.0V等のいずれかの間であってもよい。読み出し動作の時間(tR)としては、例えば25μs〜38μs,38μs〜70μs,70μs〜80μs等のいずれかの間であってよい。
Claims (4)
- 複数のメモリセルを備え、前記複数のメモリセルの各々は、第1閾値及び第2閾値のうち1つに設定可能である、メモリセルアレイと、
前記複数のメモリセルに接続されたワード線と、
前記ワード線に電圧を印加してメモリセルのデータを読み出し、第1命令に応答して、第1読み出しシーケンスと第2読み出しシーケンスとを連続して実行するコントローラと を具備し、
前記第1読み出しシーケンスは、互いに異なる第1乃至第3電圧をそれぞれ用いた第1乃至第3読み出しを含み、
前記第2読み出しシーケンスは、前記第1読み出しシーケンスに基づいて決定されかつ前記第1乃至第3電圧から計算される電圧を用いた第4読み出しを含み、
前記コントローラは、
前記第1読み出しの結果と前記第2読み出しの結果とを比較して第1差分を算出し、
前記第2読み出しの結果と前記第3読み出しの結果とを比較して第2差分を算出し、
前記第1差分と基準値とを比較した結果を第1レジスタに格納し、
前記第2差分と前記基準値とを比較した結果を第2レジスタに格納し、
前記第1及び第2レジスタの情報に基づいて、前記第4読み出しで使用される電圧を決定することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記第1読み出しシーケンスにおける読み出し対象のビット数は、前記第2読み出しシーケンスにおける読み出し対象のビット数より少ないことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記コントローラは、第2命令に応じて、前記第1及び第2レジスタの情報を出力ピンから外部に出力することを特徴とする請求項1又は2に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記第1読み出しシーケンスにおいて、前記ワード線に、連続して複数の電圧が印加され、
前記第2読み出しシーケンスにおいて、前記ワード線に、前記複数の電圧の1つが印加されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の不揮発性半導体記憶装置。
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Families Citing this family (9)
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KR102651129B1 (ko) * | 2018-12-21 | 2024-03-26 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치의 데이터 재기입 방법, 상기 메모리 장치를 제어하는 메모리 컨트롤러 및 상기 메모리 컨트롤러의 제어 방법 |
JP2020149745A (ja) | 2019-03-13 | 2020-09-17 | キオクシア株式会社 | 半導体記憶装置 |
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WO2021011582A1 (en) * | 2019-07-14 | 2021-01-21 | NEO Semiconductor, Inc. | Methods and apparatus for reading nand flash memory |
JP6886547B1 (ja) * | 2020-05-13 | 2021-06-16 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | 半導体記憶装置およびecc関連情報の読出し方法 |
KR20240015986A (ko) * | 2022-07-28 | 2024-02-06 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 컨트롤러, 메모리 컨트롤러를 포함하는 메모리 시스템 및 그것의 동작 방법 |
Family Cites Families (20)
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---|---|---|---|---|
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US7558109B2 (en) | 2006-11-03 | 2009-07-07 | Sandisk Corporation | Nonvolatile memory with variable read threshold |
KR100888842B1 (ko) * | 2007-06-28 | 2009-03-17 | 삼성전자주식회사 | 읽기 전압을 최적화할 수 있는 플래시 메모리 장치 및그것의 독출 전압 설정 방법 |
US7948802B2 (en) | 2007-12-04 | 2011-05-24 | Micron Technology, Inc. | Sensing memory cells |
JP5142692B2 (ja) | 2007-12-11 | 2013-02-13 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2009238874A (ja) | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Toshiba Corp | 半導体メモリ及びその製造方法 |
JP5283960B2 (ja) | 2008-04-23 | 2013-09-04 | 株式会社東芝 | 三次元積層不揮発性半導体メモリ |
JP2009266944A (ja) | 2008-04-23 | 2009-11-12 | Toshiba Corp | 三次元積層不揮発性半導体メモリ |
KR101391362B1 (ko) * | 2008-07-23 | 2014-05-07 | 삼성전자주식회사 | 읽기 전압 레벨이 설정가능한 플래시 메모리 시스템 및읽기 전압 레벨의 설정방법 |
US8446787B2 (en) | 2008-11-20 | 2013-05-21 | Micron Technology, Inc. | Replacing defective memory blocks in response to external addresses |
JP2010199235A (ja) | 2009-02-24 | 2010-09-09 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
US8451664B2 (en) | 2010-05-12 | 2013-05-28 | Micron Technology, Inc. | Determining and using soft data in memory devices and systems |
JP2012069205A (ja) | 2010-09-22 | 2012-04-05 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2012252740A (ja) | 2011-06-02 | 2012-12-20 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2013122804A (ja) | 2011-12-12 | 2013-06-20 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
US9645177B2 (en) | 2012-05-04 | 2017-05-09 | Seagate Technology Llc | Retention-drift-history-based non-volatile memory read threshold optimization |
KR101939234B1 (ko) * | 2012-07-23 | 2019-01-16 | 삼성전자 주식회사 | 메모리 장치, 메모리 시스템 및 상기 메모리 장치의 독출 전압의 제어 방법 |
KR20140072637A (ko) * | 2012-12-05 | 2014-06-13 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 메모리 컨트롤러의 동작 방법 |
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