JP6527664B2 - イオン発生装置 - Google Patents
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Description
以下に図面を参照して本発明の実施形態を説明する。図1は第1実施形態のイオン発生装置の斜視図を示している。イオン発生装置1は絶縁体のセラミックや樹脂等から成るハウジング2によって後述する高電圧発生回路30(図5参照)等を収納する。ハウジング2は下カバー3及び上カバー4を有し、下カバー3の上面開口部が上カバー4により塞がれる。
H+(H2O)m+H+(H2O)m’+O2 -(H2O)n+O2 -(H2O)n’
→ 2・OH+O2+(m+m'+n+n')H2O ・・・(2)
H+(H2O)m+H+(H2O)m’+O2 -(H2O)n+O2 -(H2O)n’
→ H2O2+O2+(m+m'+n+n')H2O ・・・(3)
次に、図7は第2実施形態のイオン発生装置1の正面断面図であり、前述の図4と同じ断面を示している。説明の便宜上、前述の図1〜図6に示す第1実施形態と同様の部分には同一の符号を付している。本実施形態は仕切壁19の構成が第1実施形態と異なっている。その他の部分は第1実施形態と同様である。
次に、図8は第3実施形態のイオン発生装置1の正面断面図であり、前述の図4と同じ断面を示している。説明の便宜上、前述の図1〜図6に示す第1実施形態と同様の部分には同一の符号を付している。本実施形態は放電基板11の構成が第1実施形態と異なっている。その他の部分は第1実施形態と同様である。
次に、図9は第4実施形態のイオン発生装置1の正面断面図であり、前述の図7と同じ断面を示している。説明の便宜上、前述の図7に示す第2実施形態と同様の部分には同一の符号を付している。本実施形態は放電基板11の構成が第2実施形態と異なっている。その他の部分は第2実施形態と同様である。
次に、図10は第5実施形態のイオン発生装置1の斜視図を示している。説明の便宜上、前述の図1〜図6に示す第1実施形態と同様の部分には同一の符号を付している。本実施形態はハウジング2の構成が第1実施形態と異なり、シールドケース20(図3参照)が省かれている。その他の部分は第1実施形態と同様である。
2 ハウジング
3 下カバー
4 上カバー
4a リブ
4b、18a 開口部
5 コネクタ部
5a、5b 端子
11 放電基板
11a 第1基板部
11b 第2基板部
11c スリット
12 放電電極
13 対向基板
13a 貫通孔
14 誘導電極
15 駆動基板
16 接続部材
16a リード線
17 モールド材
18 隔離室
19 仕切壁
20 シールドケース
20a 遮蔽部
20b 延設部
30 高電圧発生回路
31 昇圧トランス
31a 一次コイル
31b 二次コイル
32 コンデンサ
33 スイッチング素子
34 電流可変部
35 マイクロコンピュータ
36 イオン検出部
38 GND線
38a リード線
Claims (2)
- 一次コイル及び二次コイルから成る昇圧トランスと前記一次コイルに並列に接続して共振回路を形成するコンデンサとを有する高電圧発生回路と、前記二次コイルの一端に接続される放電電極と、前記二次コイルの他端に接続される誘導電極とを備え、前記放電電極と前記誘導電極との間に高電圧を印加して前記放電電極からコロナ放電によりイオンを発生するイオン発生装置において、前記コンデンサの放電によって振動電圧が印加される前記一次コイルの一方向の電流を可変する可変抵抗から成る電流可変部と、前記電流可変部に直列接続して該一方向に電流を流して逆方向に電流を流さないダイオードとを設け、前記ダイオード及び前記電流可変部を前記一次コイルに並列に接続し、
前記電流可変部の抵抗値が小さい場合に対して大きい場合に、前記二次コイルの電圧の第1波が同じで第2波が大きいことを特徴とするイオン発生装置。 - 前記放電電極で発生したイオンの発生量を検出するイオン検出部を備え、前記イオン検出部の検知結果に基づいて前記電流可変部の抵抗値を可変したことを特徴とする請求項1に記載のイオン発生装置。
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