JP2015118798A - イオン発生装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】一次コイル31a及び二次コイル31bから成る昇圧トランス31と一次コイル31aに並列に接続して共振回路を形成するコンデンサ32とを有する高電圧発生回路30と、二次コイル31bの一端に接続される放電電極12と、二次コイル31bの他端に接続される誘導電極14とを備え、放電電極12と誘導電極14との間に高電圧を印加して放電電極12からコロナ放電によりイオンを発生するイオン発生装置1において、コンデンサ32の放電によって振動電圧が印加される一次コイル31aの一方向の電流を可変する電流可変部34を設けた。
【選択図】図5
Description
以下に図面を参照して本発明の実施形態を説明する。図1は第1実施形態のイオン発生装置の斜視図を示している。イオン発生装置1は絶縁体のセラミックや樹脂等から成るハウジング2によって後述する高電圧発生回路30(図5参照)等を収納する。ハウジング2は下カバー3及び上カバー4を有し、下カバー3の上面開口部が上カバー4により塞がれる。
H+(H2O)m+H+(H2O)m’+O2 -(H2O)n+O2 -(H2O)n’
→ 2・OH+O2+(m+m'+n+n')H2O ・・・(2)
H+(H2O)m+H+(H2O)m’+O2 -(H2O)n+O2 -(H2O)n’
→ H2O2+O2+(m+m'+n+n')H2O ・・・(3)
次に、図7は第2実施形態のイオン発生装置1の正面断面図であり、前述の図4と同じ断面を示している。説明の便宜上、前述の図1〜図6に示す第1実施形態と同様の部分には同一の符号を付している。本実施形態は仕切壁19の構成が第1実施形態と異なっている。その他の部分は第1実施形態と同様である。
次に、図8は第3実施形態のイオン発生装置1の正面断面図であり、前述の図4と同じ断面を示している。説明の便宜上、前述の図1〜図6に示す第1実施形態と同様の部分には同一の符号を付している。本実施形態は放電基板11の構成が第1実施形態と異なっている。その他の部分は第1実施形態と同様である。
次に、図9は第4実施形態のイオン発生装置1の正面断面図であり、前述の図7と同じ断面を示している。説明の便宜上、前述の図7に示す第2実施形態と同様の部分には同一の符号を付している。本実施形態は放電基板11の構成が第2実施形態と異なっている。その他の部分は第2実施形態と同様である。
次に、図10は第5実施形態のイオン発生装置1の斜視図を示している。説明の便宜上、前述の図1〜図6に示す第1実施形態と同様の部分には同一の符号を付している。本実施形態はハウジング2の構成が第1実施形態と異なり、シールドケース20(図3参照)が省かれている。その他の部分は第1実施形態と同様である。
2 ハウジング
3 下カバー
4 上カバー
4a リブ
4b、18a 開口部
5 コネクタ部
5a、5b 端子
11 放電基板
11a 第1基板部
11b 第2基板部
11c スリット
12 放電電極
13 対向基板
13a 貫通孔
14 誘導電極
15 駆動基板
16 接続部材
16a リード線
17 モールド材
18 隔離室
19 仕切壁
20 シールドケース
20a 遮蔽部
20b 延設部
30 高電圧発生回路
31 昇圧トランス
31a 一次コイル
31b 二次コイル
32 コンデンサ
33 スイッチング素子
34 電流可変部
35 マイクロコンピュータ
36 イオン検出部
38 GND線
38a リード線
Claims (13)
- 一次コイル及び二次コイルから成る昇圧トランスと前記一次コイルに並列に接続して共振回路を形成するコンデンサとを有する高電圧発生回路と、前記二次コイルの一端に接続される放電電極と、前記二次コイルの他端に接続される誘導電極とを備え、前記放電電極と前記誘導電極との間に高電圧を印加して前記放電電極からコロナ放電によりイオンを発生するイオン発生装置において、前記コンデンサの放電によって振動電圧が印加される前記一次コイルの一方向の電流を可変する電流可変部を設けたことを特徴とするイオン発生装置。
- 前記電流可変部が可変抵抗から成り、直列接続されるダイオード及び前記電流可変部を前記一次コイルに並列に接続したことを特徴とする請求項1に記載のイオン発生装置。
- 前記放電電極で発生したイオンの発生量を検出するイオン検出部を備え、前記イオン検出部の検知結果に基づいて前記電流可変部により電流を可変したことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のイオン発生装置。
- 一対の針状の放電電極が立設される放電基板と、前記放電電極に対向する誘導電極と、前記放電電極と前記誘導電極との間に高電圧を印加する高電圧発生回路と、少なくとも前記放電基板及び前記高電圧発生回路を収納するハウジングとを備えたイオン発生装置において、前記ハウジングが一対の前記放電電極の間を仕切る仕切壁により囲まれた隔離室を有し、前記誘導電極と前記高電圧発生回路とを接続する接続部材を前記隔離室内に配したことを特徴とするイオン発生装置。
- 前記放電基板の実装面をモールド材によりモールドし、前記モールド材を前記放電基板と前記仕切壁との隙間に充填したことを特徴とする請求項4に記載のイオン発生装置。
- 前記誘導電極が前記放電基板に対向する対向基板上にパターン形成され、前記隔離室の周壁の上端または上壁が前記対向基板に接することを特徴とする請求項5に記載のイオン発生装置。
- 前記ハウジングの外壁上に前記対向基板を配置するとともに、前記外壁に前記接続部材が挿通される開口部を設けたことを特徴とする請求項6に記載のイオン発生装置。
- 前記放電基板が一方の前記放電電極を実装した第1基板部と、他方の前記放電電極を実装した第2基板部とに分割されることを特徴とする請求項4〜請求項7のいずれかに記載のイオン発生装置。
- 前記高電圧発生回路が一次コイル及び二次コイルから成る昇圧トランスを有して前記放電基板に少なくとも前記二次コイルを実装するとともに、一端面を開口した有底筒状に形成して前記昇圧トランスを覆う導電性のシールドケースを備え、前記シールドケースの周壁が挿入されるスリットを前記放電基板の前記放電電極と前記二次コイルとの間に設けたことを特徴とする請求項4〜請求項8のいずれかに記載のイオン発生装置。
- 前記高電圧発生回路が前記一次コイルと共振回路を形成するコンデンサを有するとともに、前記シールドケースが周壁の開放端を屈曲して前記一次コイルと前記コンデンサとの間を仕切る遮蔽部を有することを特徴とする請求項9に記載のイオン発生装置。
- 前記シールドケースが開口側から一周壁を前記スリットよりも延設して前記コンデンサの一部を覆う延設部を有することを特徴とする請求項9または請求項10に記載のイオン発生装置。
- 一次コイル及び二次コイルから成る昇圧トランスを有する高電圧発生回路と、導電性樹脂により形成して前記高電圧発生回路を収納するハウジングと、前記ハウジングに設けられるとともに前記高電圧発生回路に電力供給する外部電源が接続されるコネクタ部と、前記二次コイルの一端に接続される放電電極と、前記二次コイルの他端を前記コネクタ部のGND端子に接続するGND線と、前記高電圧発生回路よりも前記GND端子側で前記GND線と前記ハウジングとを接続する接続線とを備え、前記ハウジングが前記放電電極に臨む開口部を開口して前記放電電極に対向する誘導電極を形成することを特徴とするイオン発生装置。
- 前記ハウジングがカーボンを含有した樹脂またはPBTから成ることを特徴とする請求項12に記載のイオン発生装置。
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