JP6518868B2 - サンプルの準備及びコーティングのためのイオンビーム装置 - Google Patents

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Description

関連出願
本出願は、2015年7月24日に出願された、「サンプルの準備及びコーティングのためのイオンビーム装置及び方法」と題された「米国特許出願番号第14/809,088号の出願日の利益を主張する。米国特許出願番号第14/809,088号は参照によってここに取り込まれる。本出願は、2014年7月28日に出願された、「サンプルの準備及びコーティングのためのイオンビーム装置」と題された米国特許出願番号第62/029,563号の出願日の利益を主張する。米国特許出願番号第62/029,563号は参照によってここに取り込まれる。
本開示は、顕微鏡観察又はスペクトル分析のための材料を準備するために、1つ以上のイオンビームの使用に関するものである。顕微鏡観察の技術は、光学的顕微鏡検査法(LM)、走査電子顕微鏡検査(SEM)、伝達電子顕微鏡検査(TEM)、スキャン伝達電子顕微鏡検査(STEM)、及び、反射電子顕微鏡検査(REM)を含むが、これに限定されるものではない。スペクトル分析技術は、X線マイクロアナリシス、反射電子エネルギー-損失分光学(REELS)、後方散乱電子回折(EBSD)、X線光電子分光法(XPS)とオージェ電子分光法(AES)を含むが、これに限定されるものではない。すべての顕微鏡技術の下で観察される材料は、顕微鏡検査にふさわしいサンプルを作成する処理を必要とする。
サンプルのプローブ及びイメージに電子を利用している顕微鏡検査は、多くの材料の詳細な微細構造を研究する重要な技術である。観察のためのこれらのサンプルの準備は、非常に要求が多い。サンプル準備のゴールは:できるだけ多くの顕著なサンプル特徴を保つこと;さらなる情報の可変、喪失、追加となるアーティファクトを避けること;実験のため、ある範囲の温度、真空状況、及び、荷電及び中性粒子フラックスの観察環境下で、サンプルを安定にすること;及び、できるだけ自然な状態でサンプルの観察を可能にすること、である。
材料のイオンビームミリングは、顕微鏡検査によく適しているサンプルを作成することができる。後々の顕微鏡研究のため、サンプルの注目領域を薄くし、なめらかにし、露出させ、エッチングするために、イオンビームミリングは、サンプル準備に、使用される。イオンビーム照射装置は、イオンビームを生成し、加速し、サンプルに向ける。サンプル上のイオンの衝撃は、イオンの衝撃の領域から材料を跳ね飛ばさせる。イオンビームによって、サンプル面は、実質的なスムーズな状態に、つや出しされ、サンプルの特性の観察をさらに促進する。イオンビームを用いることによって、サンプルの注目領域は、露出され、又は、つや出しされる。このように、調査中の材料から適当な観察のサンプルを作成する。さらに、サンプルは1つ以上のイオンビームの動作によってエッチングされ、それによって、その表面がコーティングを受け入れる準備ができる。
サンプルを慎重に選ばれたコーティング材料でコーティングすることは、サンプル材料のみの固有の特性から達成される特徴よりも優れた、観察可能な特徴を有するサンプルを作成することができる。カーボン、金;クロミウム;プラチナ;パラジウム;イリジウム;タングステン;タンタルのような金属及び他の化合物の薄いコーティングは、用意されたサンプルをおおって、それによって以下の変化をもたらすのに、用いることができ、これにより、伝導率;観察における電荷蓄積;観察におけるエッジ解像度;熱ダメージ;第2の電子放出;後方散乱された電子放出;及び、機械の安定性における変化をもたらす。
一般に、顕微鏡分析されるサンプルを破砕するのに用いられるイオンビーム・システムは、界面又は関心のある下層を照射し、又は、電子的に透明な領域を有するサンプルを作成する。これらのシステムの多くは、回動サンプルと固定された光線(ビーム)を有し、そのため、光線は、サンプルを複数の方向から照射する。これは、サンプル面の不均一なトポロジーによって生じる特定の領域のシャドウイングを補償することによって、サンプルのより均一なミリングを提供する。イオンビームミリングのために使われる典型的なシステムにおいて、サンプルの回動軸とイオンビームの中心との交点となるサンプルの領域におけるイオンビームによって、材料はサンプルから最も速く除去される。
イオンビームミリング技術のユーザーへの重要な考慮点は、以下を含む:ユーザーがサンプルを処理する時間及び努力を低減する又は最小にすること;繊細なサンプルが直接取り扱われる、及び、例えば、処理又は分析のためにサンプルホルダーに搭載する際等の損害の危険があるステップの数を低減する又は最小にすること;サンプルを元素分析装置(イメージング又は分光分析)に移動させるユーザーの時間及び努力を低減する又は最小にすること、分析の前に元素分析装置に用意されたサンプル領域のコーディネートを一列に並べること;サンプルの処理及びイメージングにおける成功の高い可能性及び高品質を確実にすること;それぞれのサンプルのために、イオンミリング装置及びサンプル搭載装置が必要とする時間を低減する又は最小にすること;及び、サンプルと対物レンズ又はプローブ形成レンズとの作動距離を減らすことによって、サンプルの搭載及び元素分析におけるサンプルの高品質の顕微鏡観察を確実にすること。
以降の顕微鏡観察において、その特性を促進するコーティング材料でサンプルをコーティングすることに関する重要な考慮点は、以下を含む:コーティングの空間均一性を改善すること;サンプルをコーティングするのに必要な時間を低減すること;コーティングステップの再現性を改善すること;コーティングの厚さをコントロールすること;及び、コーティングステップの効率を改善すること。
前述の点を考慮し、本開示の実施形態が多数の利点を与え、よって、非常に望ましいことは、明白である。
米国特許第7198699号明細書は、当該専門分野に関連した先行技術の知見を提供する。米国特許第7198699号明細書は、装置を通過している基板(例えば、ガラス基板)の第1の側の上に第1のコーティング(1層又は多層)、及び、基板の他の第2の側の上に第2のコーティング(1層又は多層)を付着するコーティング装置を開示している。米国特許第7198699号明細書のある実施例では、第2のコーティングがイオンビーム付着によって付着する間、第1のコーティングはスパッタリングによって付着する。このような方法で、効率的な方法で基板の両側を1つの装置でコーティングすることができる。米国特許第7198699号明細書の他の実施例では、コーティング装置は、基板がコーティング装置を通過する際、基板の第1の側の上にスパッタリングし、基板の少なくとも1つの面をイオンミリングする。
米国特許第7198699号明細書
本発明のコンセプトの概要は以下で示され、以下の部分は、本開示を合理化する目的で、様々な特徴が1つの実施形態に集められている。本開示の方法は、本開示の教えを説明することを目的とするものであり、要求された実施形態は、それぞれの請求項に明示されている特徴よりも多くの特徴を有するように、解釈されないものである。発明の主題は、1つのコンセプトにおいて開示された特徴の全てより少なくてもよい。さらに、本出願の請求項と等価である全ての範囲とともに、現在記述されるコンセプトの範囲は、添付の請求項に関して決定されなければならない。
コンセプト1:本開示のコンセプトに係る、サンプルの準備及びコーティングのためのイオンビーム装置は:
・第1のイオンビームの中心軸に沿って第1のイオンビームを向ける真空チャンバ内に配置された第1のイオンビーム照射手段;
・前記コーティング材料を保持するように構成されたコーティングドナーホルダーと連結され、スパッタリング位置と静止位置との間で移動するように動作可能なコーティングドナー置換ステージ;
・前記スパッタリング位置は、前記コーティングドナーホルダーが前記第1のイオンビームの中心軸の光路内に前記コーティング材料の一部を配置し、前記第1のイオンビームと前記コーティング材料の反応は前記真空チャンバ内でスパッタリングされたコーティング材料を生成することを特徴とし;
・前記静止位置は、前記コーティングドナーホルダーが前記第1のイオンビームの中心軸の光路内に前記コーティング材料を配置しないことを特徴とし;
・リフティング軸及びリフティングドライブを有し、前記第1のイオンビームの中心軸に対する所定の位置及び方向で前記サンプルを保持するサンプルホルダーを着脱可能に保持するように構成されたサンプル保持ステージ;
・前記リフティングドライブは、前記リフティング軸に沿ってミリング位置とコーティング位置との間で前記サンプル保持ステージを移動するように動作可能であり;
・・前記ミリング位置は、前記第1のイオンビームの中心軸の光路内に前記サンプルの少なくとも一部を保持するように、サンプル保持ステージが配置されることを特徴とし;
・・前記コーティング位置は、前記サンプルが前記第1のイオンビームの中心軸と交差しないように、サンプル保持ステージが配置されることを特徴とし、さらに、前記真空チャンバに存在する前記スパッタリングされたコーティング材料のコーティング部分を受け取るように、前記サンプルの少なくとも一部が配置されることを特徴とする、
を備える。
コンセプト2(第2のイオンビームの追加):コンセプト1は:
・第2のイオンビームの中心軸に沿って第2のイオンビームを向ける前記真空チャンバ内に配置された第2のイオンビーム照射手段;
・前記スパッタリング位置は、前記コーティングドナーホルダーが前記第2のイオンビームの中心軸の光路内に前記コーティング材料の一部を配置し、前記第2のイオンビームと前記コーティング材料の反応は前記真空チャンバ内でスパッタリングされたコーティング材料を生成することを更に特徴とし;
・前記静止位置は、前記コーティングドナーホルダーが前記第2のイオンビームの中心軸の光路内に前記コーティング材料を配置しないことを更に特徴とし;
・前記ミリング位置は、前記第2のイオンビームの中心軸の光路内に前記サンプルの少なくとも一部を保持するように、サンプル保持ステージが配置されることを更に特徴とし;
・前記コーティング位置は、前記サンプルが前記第2のイオンビームの中心軸と交差しないように、前記サンプル保持ステージが配置されることを更に特徴とする、
を更に備える。
コンセプト3(イオンビームチルト):コンセプト1は、
第1のイオンビームの中心軸が前記サンプル保持ステージの前記リフティング軸に対するチルト角を有し、
前記装置は、前記第1のイオンビーム照射手段と動作可能に連結され、前記第1のイオンビームの中心軸の方向に少なくとも2つの異なるチルト角の間で移動するように構成されたチルトドライブを更に備える、
ことを更に特徴とする。
コンセプト4(コーティングドナーをクリーニングしている間サンプルを保護するための、スパッタリングシールドの追加):コンセプト1は:
・シールド位置と非シールド位置を有するスパッタリングシールド;
・前記シールド位置は、前記サンプル保持ステージが前記コーティング位置にあるとき、前記サンプルが前記真空チャンバに存在する前記スパッタリングされたコーティング材料を受け取ることを前記スパッタリングシールドが実質的に防ぐことを特徴とし;
・前記非シールド位置は、前記サンプル保持ステージが前記コーティング位置にあるとき、前記スパッタリングされたコーティング材料の前記コーティング部分が前記サンプルによって受け取られることを特徴とし;
・前記スパッタリングシールドは、前記サンプル保持ステージが前記コーティング位置にあるとき、前記シールド位置と前記非シールド位置の間で動くように動作可能である、
を更に備える。
コンセプト5(サンプル保持ステージの回動の追加):本開示のコンセプトに係る、サンプルの準備及びコーティングのためのイオンビーム装置は:
・第1のイオンビームの中心軸に沿って第1のイオンビームを向ける真空チャンバ内に配置された第1のイオンビーム照射手段;
・前記コーティング材料を保持するように構成されたコーティングドナーホルダーと連結され、スパッタリング位置と静止位置との間で移動するように動作可能なコーティングドナー置換ステージ;
・前記スパッタリング位置は、前記コーティングドナーホルダーが前記第1のイオンビームの中心軸の光路内に前記コーティング材料の一部を配置し、前記第1のイオンビームと前記コーティング材料の反応は前記真空チャンバ内でスパッタリングされたコーティング材料を生成することを特徴とし;
・前記静止位置は、前記コーティングドナーホルダーが前記第1のイオンビームの中心軸の光路内に前記コーティング材料を配置しないことを特徴とし;
・リフティング軸;及びリフティングドライブ;及び回動軸を有し、前記第1のイオンビームの中心軸に対して所定の位置及び方向で前記サンプルを保持するサンプルホルダーを着脱可能に保持するように構成された回動サンプル保持ステージ;
・前記リフティングドライブは、前記リフティング軸に沿ってミリング位置とコーティング位置との間で前記回動サンプル保持ステージを動かすように動作可能であり、
・前記ミリング位置は、前記第1のイオンビームの中心軸の光路内に前記サンプルの少なくとも一部を保持するように、回動サンプル保持ステージが配置されることを特徴とし;
・前記コーティング位置は、前記サンプルが第1のイオンビームの中心軸と交差しないことを特徴とし、さらに、前記サンプルの少なくとも一部が、前記真空チャンバ内に存在する前記スパッタリングされたコーティング材料のコーティング部分を受け取るように配置されることを特徴とし;
・前記回動サンプル保持ステージは、1回転の少なくとも1部だけ前記回動軸に対して前記サンプルを回動させるように動作可能である、
を備える。
コンセプト6(サンプルホルダーが真空チャンバに入る所のロードロックの追加):本開示のコンセプトに係る、サンプルの準備及びコーティングのためのイオンビーム装置は:
・第1のイオンビームの中心軸に沿って第1のイオンビームを向ける真空チャンバ内に配置された第1のイオンビーム照射手段;
・前記コーティング材料を保持するように構成されたコーティングドナーホルダーと連結され、スパッタリング位置と静止位置との間で移動するように動作可能なコーティングドナー置換ステージ;
・前記スパッタリング位置は、前記コーティングドナーホルダーが前記第1のイオンビームの中心軸の光路内に前記コーティング材料の一部を配置し、前記第1のイオンビームと前記コーティング材料の反応は前記真空チャンバ内でスパッタリングされたコーティング材料を生成することを特徴とし;
・前記静止位置は、前記コーティングドナーホルダーが前記第1のイオンビームの中心軸の光路内に前記コーティング材料を配置しないことを特徴とし;
・リフティング軸及びリフティングドライブを有し、前記第1のイオンビームの中心軸に対する所定の位置及び方向で前記サンプルを保持するサンプルホルダーを着脱可能に保持するように構成されたサンプル保持ステージ;
・前記サンプルホルダーは、所定の位置及び方向に前記サンプルを保持するように構成され;
・ミリング位置とコーティング位置の間に前記リフティング軸に沿って前記サンプル保持ステージを動かすように動作可能なリフティングドライブ
・前記ミリング位置は、前記第1のイオンビームの中心軸の光路内に前記サンプルの少なくとも一部を保持するように、サンプル保持ステージが配置されることを特徴とし;
・前記コーティング位置は、前記サンプルが前記第1のイオンビームの中心軸と交差しないように、前記サンプル保持ステージが配置されることを特徴とし、さらに、前記真空チャンバに存在する前記スパッタリングされたコーティング材料のコーティング部分を受け取るように、前記サンプルの少なくとも一部が配置されることを特徴とし;
・ゲート開位置とゲート閉位置の間で動くように動作可能な第1のゲートバルブ;
・前記ゲート閉位置は、実質的に真空気密なロードチャンバが、閉じている第1のゲートバルブと前記真空チャンバの部分との間で形成されるということを特徴とし、;
・前記ゲート閉位置は、実質的に真空気密なシールが、前記ロードチャンバと前記真空チャンバの前記イオンビーム照射手段が配置される前記部分との間で形成されることを特徴とし;
・前記ゲート開位置は、前記サンプルホルダーが前記第1のゲートバルブを通過することができることを特徴とし;
・第1の真空マニフォールドに連結し、前記ロードチャンバの真空圧を排気して維持するように構成されるとともに、前記第2の真空マニフォールドに連結し、前記真空チャンバの真空圧を排気して維持するように構成される真空ポンプ手段、
を備える。
コンセプト7A(イオンビームサンプル準備装置と真空移動装置とを備えるシステム):イオンビームサンプル準備装置へ及びイオンビームサンプル準備装置から、サンプルを移動するシステムは、コンセプト6の装置を備え、さらに、以下を備える:
・真空移動装置は:外側の真空ベル、内側の真空ベル、及び、移動手段を備え;
・前記外側の真空ベルは、着脱可能に前記ロードチャンバに搭載されるように構成され、それによって真空気密シールを形成し;
・前記内側の真空ベルは、前記外側の真空ベルの中にフィットするようにサイズが設定され、前記サンプルホルダーに対して真空気密シールを形成するように構成され、それによって環境から前記サンプル及び一部の前記サンプルホルダーの双方を分離するサイズの移動チャンバを形成し;
・前記移動手段は、前記外側の真空ベルが前記ロードチャンバに搭載される間に、ロードシーケンス及びアンロードシーケンスの双方を完了するように動作可能であり;
・前記ロードシーケンスは、以下のステップを備え:前記サンプル保持ステージに向かって前記ロードチャンバから前記内側の真空ベルを移動させること;前記サンプル保持ステージとの前記サンプルホルダーの係合(engagement)を促進すること;前記サンプルホルダーからの内側の真空ベルの脱係合(disengagement)を促進すること;及び、前記ロードチャンバへ前記内側の真空ベルを移動させること;
・前記アンロードシーケンスは、以下のステップを備える:前記サンプル保持ステージに向かって前記ロードチャンバから前記内側の真空ベルを移動させること;前記内側の真空ベルとの前記サンプルホルダーの係合を促進すること;前記サンプル保持ステージから前記サンプルホルダーの脱係合を促進すること;及び、前記ロードチャンバへ前記内側の真空ベルを移動させること。
コンセプト7B(他のコンセプトに係る、イオンビームサンプル準備装置と真空移動装置とを備えるシステム):イオンビームサンプル準備装置へ及びイオンビームサンプル準備装置から、サンプルを移動するシステムは、コンセプト6の装置を備え、さらに、以下を備える:
・真空移動装置は:第2のゲートバルブに連結した外側の真空ベル、及び、移動手段に連結した内側グリッパーを備え;
・前記内側グリッパーは、前記外側の真空ベルの中にフィットするサイズに設定され、前記外側の真空ベルの内部に前記サンプルホルダーを着脱可能に保持するように構成され;
・前記第2のゲートバルブは、前記外側の真空ベルに連結し、第2のゲート閉位置と第2のゲート開位置を有し;
・前記第2のゲート閉位置は、実質的に真空気密な移動チャンバが、閉じている前記第2のゲートバルブと前記外側の真空ベルの内部との間で形成されることを特徴とし;
・前記第2のゲート開位置は、前記内側グリッパーが前記第2のゲートバルブを通過することができることを特徴とし;
・前記外側の真空ベルは、前記ロードチャンバに着脱可能に搭載されるように構成され、それによって真空気密シールを形成し;
・前記移動手段は、前記外側の真空ベルが前記ロードチャンバに搭載される間に、ロードシーケンス及びアンロードシーケンスの双方を完了するように動作可能であり;
・前記ロードシーケンスは、以下のステップを備える:前記サンプル保持ステージに向かって前記ロードチャンバから前記内側グリッパーを移動させること;前記サンプル保持ステージとの前記サンプルホルダーの係合を促進すること;前記サンプルホルダーから内側グリッパーの脱係合を促進すること;及び、前記ロードチャンバへ前記内側グリッパーを移動させること;
・前記アンロードシーケンスは、以下のステップを備える:前記サンプル保持ステージに向かって前記ロードチャンバから前記内側グリッパーを移動させること;前記内側グリッパーとの前記サンプルホルダーの係合を促進すること;前記サンプル保持ステージから前記サンプルホルダーの脱係合を促進すること;及び、前記ロードチャンバへ前記内側グリッパーを移動させること。
コンセプト8(第3の位置、すなわちロード位置、のサンプル保持ステージへの追加):本開示のコンセプトに係る、サンプルの準備及びコーティングのためのイオンビーム装置は:
・第1のイオンビームの中心軸に沿って第1のイオンビームを向ける真空チャンバ内に配置された第1のイオンビーム照射手段;
・前記コーティング材料を保持するように構成されたコーティングドナーホルダーと連結され、スパッタリング位置と静止位置との間で移動するように動作可能なコーティングドナー置換ステージ;
・前記スパッタリング位置は、前記コーティングドナーホルダーが前記第1のイオンビームの中心軸の光路内に前記コーティング材料の一部を配置し、前記第1のイオンビームと前記コーティング材料の反応は前記真空チャンバ内でスパッタリングされたコーティング材料を生成することを特徴とし;
・前記静止位置は、前記コーティングドナーホルダーが前記第1のイオンビームの中心軸の光路内に前記コーティング材料を配置しないことを特徴とし;
・前記サンプルを保持するように構成され、リフティング軸;リフティングドライブを備えるサンプル保持ステージ;
・前記リフティングドライブは、前記リフティング軸に沿って、ロード位置;ミリング位置;及び、コーティング位置の間で、前記サンプル保持ステージを移動させるように動作可能であり;
・前記ロード位置は、実質的な真空気密なロードチャンバが前記サンプル保持ステージと一部の前記真空チャンバとの間で形成されることを特徴とし、さらに、実質的な真空気密シールが前記ロードチャンバと前記真空チャンバの前記イオンビーム照射手段が配置される部分との間で形成されることを特徴とし;
・前記ミリング位置は、前記第1のイオンビームの中心軸の光路内に前記サンプルの少なくとも一部を保持するように、サンプル保持ステージが配置されることを特徴とし;
・前記コーティング位置は、前記サンプルが第1のイオンビームの中心軸と交差しないことを特徴とし、さらに、前記サンプルの少なくとも一部が、前記真空チャンバ内に存在する前記スパッタリングされたコーティング材料のコーティング部分を受け取るように配置されることを特徴とし;
・第1の真空マニフォールドに連結し、前記ロードチャンバの真空圧を排気して維持するように構成されるとともに、第2の真空マニフォールドに連結し、前記真空チャンバの真空圧を排気して維持するように構成される真空ポンプ手段、
を備える。
コンセプト9A(コーティング位置にいる際における、コーティングドナーの位置又は角度を調整する能力の追加):コンセプト1は以下をさらに特徴とする:
・コーティングドナー置換ステージが前記スパッタリング位置にあるとき、コーティングドナーホルダーが、前記コーティングドナー材料の位置又は方向を調整するように動作可能な調整コーティングドナーホルダーである。
コンセプト9B(コーティング位置で持たれているサンプルの位置又は角度を調整する能力を加えること):コンセプト1は以下をさらに特徴とする:
・調整サンプル保持ステージがコーティング位置にあるとき、サンプル保持ステージが、サンプルホルダーの位置、方向、又は、位置及び方向の双方を調整するように動作可能な調整サンプル保持ステージである。
コンセプト10(コーティング厚モニターの追加):コンセプト1は:
・シールド位置とモニタリング位置の双方を備える、前記真空チャンバ内に配置されたコーティング厚モニター;
・前記モニタリング位置は、前記コーティング厚モニターが、前記真空チャンバ内に存在する前記スパッタリングされたコーティング材料のモニタリング部分を受け取るように配置され、前記モニタリング部分が、前記サンプルによって受け取られるコーティング部分と比例していることを特徴とし;
・前記シールド位置は、前記コーティング厚モニターは、前記真空チャンバ内に存在する前記スパッタリングされたコーティング材料を実質的に受け取らないことを更に特徴とする、
をさらに備える。
コンセプト11(サンプル準備チャンバから他の機器に直接移動されるのに適した第2のサンプルホルダーの追加):本開示のコンセプトに係る、サンプルの準備及びコーティングのためのイオンビーム装置は:
・第1のイオンビームの中心軸に沿って第1のイオンビームを向ける真空チャンバ内に配置された第1のイオンビーム照射手段;
・前記コーティング材料を保持するように構成されたコーティングドナーホルダーと連結され、スパッタリング位置と静止位置との間で移動するように動作可能なコーティングドナー置換ステージ;
・前記スパッタリング位置は、前記コーティングドナーホルダーが前記第1のイオンビームの中心軸の光路内に前記コーティング材料の一部を配置し、前記第1のイオンビームと前記コーティング材料の反応は前記真空チャンバ内でスパッタリングされたコーティング材料を生成することを特徴とし;
・前記静止位置は、前記コーティングドナーホルダーが前記第1のイオンビームの中心軸の光路内に前記コーティング材料を配置しないことを特徴とし;
・着脱可能に第2のサンプルホルダーを保持するように構成され、リフティング軸とリフティングドライブを備えるサンプル保持ステージ;
・前記第2のサンプルホルダーは、所定の位置及び方向において着脱可能に第1のサンプルホルダーを保持するように構成され;
・前記第1のサンプルホルダーは、所定の位置及び方向において前記サンプルを保持するように構成され;さらに、前記第1のサンプルホルダーは、前記第2のサンプルホルダーが前記サンプル保持ステージから離れることなく、前記第2のサンプルホルダーから離れることができることを特徴とし;
・前記リフティングドライブは、前記リフティング軸に沿ってミリング位置とコーティング位置との間で前記サンプル保持ステージを移動するように動作可能であり;
・前記ミリング位置は、前記第1のイオンビームの中心軸の光路内に前記サンプルの少なくとも一部を保持するように、サンプル保持ステージが配置されることを特徴とし;
・前記コーティング位置は、前記サンプルが前記第1のイオンビームの中心軸と交差しないように、サンプル保持ステージが配置されることを特徴とし、さらに、前記真空チャンバに存在する前記スパッタリングされたコーティング材料のコーティング部分を受け取るように、前記サンプルの少なくとも一部が配置されることを特徴とする、
を備える。
本発明のこれら及び他の特徴、側面、及び、利益は、以下の説明、添付の請求項、及び、添付の図面に関して、よりよく理解される。
図1Aは、本開示に係るサンプルの準備及びコーティングのためのイオンビーム装置の概略断面図を示す。当該図は、ミリング位置にあるサンプル保持ステージと静止位置にあるコーティングドナー置換ステージを示す。 図1Bは、図1Aと同じ装置の概略断面図を示す。当該図は、コーティング位置にあるサンプル保持ステージとスパッタリング位置にあるコーティングドナー置換ステージを示す。 図2Aは、本開示のもう1つの実施形態に係る、イオンビーム照射手段が可変的なチルト角を有する、サンプルの準備及びコーティングのためのイオンビーム装置の概略断面図を示す。 図2Bは、複数のイオンビームチルト角を示す図2Aの部分拡大図を示す。 図3Aは、本開示に係る、複数のイオンビーム照射手段を備える、サンプルの準備及びコーティングのためのイオンビーム装置の概略断面図を示す。当該図は、ミリング位置にあるサンプル保持ステージと静止位置にあるコーティングドナー置換ステージを示す。 図3Bは、図3Aと同じ装置の概略断面図を示す。当該図は、コーティング位置にあるサンプル保持ステージとスパッタリング位置にあるコーティングドナー置換ステージを示す。 図4Aは本開示に係る、シールド位置でスパッタリングシールドを備える、サンプルの準備及びコーティングのためのイオンビーム装置の概略断面図を示す。 図4Bは、本開示に係る、非シールド位置でスパッタリングシールドを備える、サンプルの準備及びコーティングのためのイオンビーム装置の概略断面図を示す。 図5Aは、本開示に係る、回動しているサンプル保持ステージを有する、サンプルの準備及びコーティングのためのイオンビーム装置の概略断面図を示す。当該図は、ミリング位置にある回動サンプル保持ステージと静止位置にあるコーティングドナー置換ステージを示す。 図5Bは、図5Aと同じ装置の概略断面図を示す。当該図は、コーティング位置にある回動サンプル保持ステージ、スパッタリング位置にあるコーティングドナー置換ステージを示す。 図6Aは、本開示の実施形態に用いられる真空移動装置の概略断面図を示す。 図6Bは、本開示の実施形態に用いられる真空移動装置の概略断面図を示す。 図6Cは、本開示の実施形態に用いられる真空移動装置の概略断面図を示す。 図6Dは、本開示の実施形態に用いられる真空移動装置の概略断面図を示す。 図7Aは、本開示に係る、ゲートバルブを有し、サンプルを装置に入れるため、及び、サンプルを装置から出すために図6A−6Dの真空移動装置を用いる、装置の概略断面図を示す。 図7Bは、本開示に係る、ゲートバルブを有し、サンプルを装置に入れるため、及び、サンプルを装置から出すために図6A−6Dの真空移動装置を用いる、装置の概略断面図を示す。 図7Cは、本開示に係る、ゲートバルブを有し、サンプルを装置に入れるため、及び、サンプルを装置から出すために図6A−6Dの真空移動装置を用いる、装置の概略断面図を示す。 図7Dは、本開示に係る、ゲートバルブを有し、サンプルを装置に入れるため、及び、サンプルを装置から出すために図6A−6Dの真空移動装置を用いる、装置の概略断面図を示す。 図8Aは、図6A−6D及び図7A−7Dのシステムを用いたロードシーケンスに関する処理ステップのフローチャートを示す。 図8Bは、図6A−6D及び図7A−7Dのシステムを用いたアンロードシーケンスに関する処理ステップのフローチャートを示す。 図9Aは、もう1つのサンプル準備及びコーティングのためのイオンビーム装置の概略断面図を示す。 図9Bは、もう1つのサンプル準備及びコーティングのためのイオンビーム装置の概略断面図を示す。 図9Cは、もう1つのサンプル準備及びコーティングのためのイオンビーム装置の概略断面図を示す。 図9Dは、もう1つのサンプル準備及びコーティングのためのイオンビーム装置の概略断面図を示す。 図10Aは、本開示に係る、調整コーティングドナーホルダーを備える、装置の概略断面図を示す。 図10Bは、本開示に係る、調整サンプル保持ステージを備える、装置の概略断面図を示す。 図11Aは、コーティング処理の間に、サンプル上に蓄積されるコーティングの厚みをモニターするのに用いられる実施形態の概略断面図を示す。 図11Bは、コーティング処理の間に、サンプル上に蓄積されるコーティングの厚みをモニターするのに用いられる実施形態の概略断面図を示す。 図12Aは、本開示に係る、第2のサンプルホルダーがサンプル保持ステージによって着脱可能に保持され、第1のサンプルホルダーが第2のサンプルホルダーに連結している、サンプルの準備及びコーティングのためのイオンビーム装置の概略断面図を示す。図12Aは、ミリング位置にあるサンプル保持ステージを示す。 図12Bは、本開示に係る、第2のサンプルホルダーがサンプル保持ステージによって着脱可能に保持され、第1のサンプルホルダーが第2のサンプルホルダーに連結している、サンプルの準備及びコーティングのためのイオンビーム装置の概略断面図を示す。図12Bは、コーティング位置にあるサンプル保持ステージを示す。 図12Cは、第2のサンプルホルダーによって着脱可能に保持されている第1のサンプルホルダーを示している図12Bの部分拡大図を示す。 図12Dは、ポート閉位置において真空チャンバ内に配置された移動ポートを示す図12A、図12B、及び、図12Cの装置の上下方向の概略断面図を示す。 図12Eは、第1のサンプルホルダーが第2のサンプルホルダーから離れ、ポート開位置にある移動ポートを通って移動し始めている、図12A、図12B、及び、図12Cの装置の上下方向の概略断面図を示す。 図13Aは、本開示の実施形態に用いられる真空移動装置の断面略図を示す。 図13Bは、本開示の実施形態に用いられる真空移動装置の断面略図を示す。 図13Cは、本開示の実施形態に用いられる真空移動装置の断面略図を示す。 図13Dは、本開示の実施形態に用いられる真空移動装置の断面略図を示す。 図13Eは、本開示の実施形態に用いられる真空移動装置の断面略図を示す。 図13Fは、図13Eの部分拡大図を示す。 図14Aは、本開示に係る、ゲートバルブを備え、サンプルを装置に入れるため、及び、サンプルを装置から出すために図13A−図13Fの真空移動装置を用いる、装置の概略断面図を示す。 図14Bは、本開示に係る、ゲートバルブを備え、サンプルを装置に入れるため、及び、サンプルを装置から出すために図13A−図13Fの真空移動装置を用いる、装置の概略断面図を示す。 図14Cは、本開示に係る、ゲートバルブを備え、サンプルを装置に入れるため、及び、サンプルを装置から出すために図13A−図13Fの真空移動装置を用いる、装置の概略断面図を示す。 図14Dは、本開示に係る、ゲートバルブを備え、サンプルを装置に入れるため、及び、サンプルを装置から出すために図13A−図13Fの真空移動装置を用いる、装置の概略断面図を示す。 図14Eは、本開示に係る、ゲートバルブを備え、サンプルを装置に入れるため、及び、サンプルを装置から出すために図13A−図13Fの真空移動装置を用いる、装置の概略断面図を示す。 図15Aは、図13A−13F及び図14A−14Eのシステムを用いたロードシーケンスに関する処理ステップのフローチャートを示す。 図15Bは、図13A−13F及び図14A−14Eのシステムを用いたアンロードシーケンスに関する処理ステップのフローチャートを示す。
本開示の実施形態は、顕微鏡観察のために高品質のサンプルを生成する、サンプルの準備及びコーティングのためのイオンビーム装置及び関連する方法を提供する。ブロードイオンビーム源を用いる横断面カット、イオンビームミリング、イオンビーム・エッチング又はブロードイオンビーム源を用いる横断面研磨としても知られる、ブロードイオンビームスロープカッティング(BIBSC)は、様々な顕微鏡及び分光学による元素分析のための滑らかでアーティファクトのない断面表面を露出させるためにサンプル材料を除去する迅速な方法である。BIBSC技術の顕著な長所は、しばしば、数十分又は数百分のサンプルミリング時間に、1時間に数十、数百、又は、数千平方ミクロンを超える、表面準備の速さである。イオンビームによって準備されたばかりのサンプルの上をスパッタリングによってコーティングするために、ブロードイオンビームを用いることは、サンプルの多くの観察上の特徴及び耐久性特性を強化することができる。本開示の実施形態は、上記及び他の処理を実行するために、多数の有益な装置及び方法を提示する。
開示された改善は、以下の利益を有する:ユーザーがサンプルを処理する時間及び努力を低減する又は最小にすること;繊細なサンプルが直接取り扱われる、及び、例えば、処理又は分析のためにサンプルホルダーに搭載する際等の損害の危険があるステップの数を低減する又は最小にすること;サンプルを元素分析装置(イメージング又は分光分析)に移動させるユーザーの時間及び努力を低減する又は最小にすること、分析の前に元素分析装置に用意されたサンプル領域のコーディネートを一列に並べること;サンプルの処理及びイメージングにおける成功の高い可能性及び高品質を確実にすること;それぞれのサンプルのために、イオンミリング装置及びサンプル搭載装置が必要とする時間を低減する又は最小にすること;及び、サンプルと対物レンズ又はプローブ形成レンズとの作動距離を減らすことによって、サンプルの搭載及び元素分析におけるサンプルの高品質の顕微鏡観察を確実にすること;コーティングの空間均一性を改善すること;サンプルをコーティングするのに必要な時間を低減すること;コーティングステップの再現性を改善すること;コーティングの厚さをコントロールすること;及び、コーティングステップの効率を改善すること。
図1A及び図1Bをここで参照すると、本開示の実施形態に係る、サンプル4の準備及びコーティングのためのイオンビーム装置2の実施形態、及び、コーティング材料60によるサンプルのコーティングが示され:第1のイオンビームの中心軸22aに沿ってイオンビームを向ける真空チャンバ14内に配置された第1のイオンビーム照射手段22a;スパッタリング位置51と静止位置53との間で移動するように動作可能なコーティングドナー置換ステージ50;コーティングドナー置換ステージ50は、コーティング材料60を保持するように構成されたコーティングドナーホルダー54と連結され;スパッタリング位置51は、コーティングドナーホルダー54が第1のイオンビームの中心軸22aの光路内にコーティング材料60の一部を配置し、イオンビームとコーティング材料60との反応が真空チャンバ14内でスパッタリングされたコーティング材料62を生成することを特徴とし;静止位置53は、コーティングドナーホルダー54が第1のイオンビームの中心軸22aの光路内にコーティング材料60を配置しないことを特徴とし;また、真空チャンバに配置されるのは、第1のイオンビームの中心軸22aに関して所定の位置及び方向にサンプル4を保持するサンプルホルダー6を着脱可能に保持するように構成された、サンプル保持ステージ70である、を備える。当該装置は:リフティングドライブ90及びリフティング軸92;ミリング位置73とコーティング位置75との間でリフティング軸92に沿ってサンプル保持ステージ70を動かすように動作可能なリフティングドライブ90;第1のイオンビームの中心軸22aの光路内にサンプル4の少なくとも一部を保持するように、サンプル保持ステージ70が配置されることを特徴とするミリング位置73、及び、サンプル4が第1のイオンビームの中心軸22aと交差しないように、サンプル保持ステージ70が配置されることを特徴とし、さらに、真空チャンバに存在するスパッタリングされたコーティング材料62のコーティング部分64を受け取るように、サンプル4の少なくとも一部が配置されることを特徴とするコーティング位置75、をさらに備える。チャンバカバー16は、真空チャンバ上にあるとき真空気密であり、装置にサンプルホルダーをロードし又はアンロードする目的のためのアクセスをサンプル保持ステージ70に提供するため着脱可能である。図1Aは、ミリング位置73にあるサンプル保持ステージ70と静止位置53にあるコーティングドナー置換ステージ50を示す。図1Bは、コーティング位置75にあるサンプル保持ステージ70とスパッタリング位置51にあるコーティングドナー置換ステージ50を示す。
本開示の実施形態において、ブロードイオンビームは、希ガスイオンから成ることが好ましい。非希ガスイオンが、他の実施形態において用いられてもよい。イオンビームのために使われる希ガス要素は、アルゴン、キセノン及びクリプトンを含んでもよいが、これに限定されるものではない。イオンビームは、イオンと中性イオンとの混合から成ってもよい。本開示の他の実施形態において、イオンビームの以下の特性の1つ以上を制御するように、イオンビーム強度制御手段は、イオンビーム照射手段を制御するように動作可能であってもよい:生成されるイオンのエネルギー、単位時間に生成されるイオンの数、出射されたイオンビームの広がり、及び、出射されたイオンビームの形。特定の好ましい実施形態において、イオンビーム照射手段は、約100eVから10KeVの範囲のビームエネルギー、及び、約10マイクロアンプから100マイクロアンプの範囲のビーム電流を発生してもよい。
図2A及び図2Bで示すように、サンプルへのイオンビームの中心軸の入射角が変わるように、第1のイオンビーム照射手段20aの位置及び方向が変えられてもよい。好ましい実施形態において、入射角は水平位置に関しておよそ約0度から約20度の範囲を有していてもよい。より小さい入射角では、アーティファクトのより少ない、より滑らかな表面を形成する一方、より高い入射角では、サンプルから材料をより速く除去する。図2A及び図2Bと併せて図1A及び図1Bを参照することにより、当該装置は、さらに、サンプル保持ステージのリフティング軸92に対して第1のイオンビームの中心軸22aがチルト角24を有していることを、特徴とすることがわかる。当該装置は、第1のイオンビーム照射手段と動作可能に連結され、第1のイオンビームの中心軸の方向に少なくとも2つの異なるチルト角、第1のチルト角24aと第2のチルト角24bの間で移動するように構成されたチルトドライブ28をさらに備えていてもよい。チルト角を変化させることは、ミリング処理及びコーティング処理に有益な影響を及ぼすことができる。好ましい実施形態において、イオンビームのチルト角に関わらずイオンビームの中心軸がサンプルに実質的に同じ場所に当たるように、チルトドライブのチルト作用(tilting action)及び真空チャンバの中のサンプルホルダーの配置が構成されてもよい。
図3A及び図3Bをここで参照すると、図1A及び図1Bの装置及びさらに以下を備える本開示の実施形態に係る、サンプル4を準備し、当該サンプルをコーティング材料60でコーティングするための、イオンビーム装置2の実施形態が示されている:第2のイオンビームの中心軸22bに沿って第2のイオンビームを向ける真空チャンバ14内に配置された第2のイオンビーム照射手段20b;スパッタリング位置51は、コーティングドナーホルダー54が第2のイオンビームの中心軸22bの光路内にコーティング材料60の一部を配置し、第2のイオンビームとコーティング材料60との反応は真空チャンバ14内でスパッタリングされたコーティング材料を生成することを更に特徴とし;静止位置53は、コーティングドナーホルダー54が第2のイオンビームの中心軸22bの光路内にコーティング材料60を配置しないことを更に特徴とし;ミリング位置73は、第2のイオンビームの中心軸22bの光路内にサンプル4の少なくとも一部を保持するように、サンプル保持ステージ70が配置されることを更に特徴とし;及び、コーティング位置75は、サンプル4が第2のイオンビームの中心軸22bと交差しないように、サンプル保持ステージ70が配置されることを更に特徴とする。図3Aは、ミリング位置73にあるサンプル保持ステージ70と静止位置53にあるコーティングドナー置換ステージ50を示す。図3Bは、コーティング位置75にあるサンプル保持ステージ70とスパッタリング位置51にあるコーティングドナー置換ステージ50を示す。
図4A及び図4Bは、上記で説明された実施形態に、更なる改善を示す。スパッタリングシールド100は、サンプルが不必要にコーティングされることから保護するために、用いられてもよい。時により、サンプルをコーティングするためにそのコーティング材料を使用する前に、コーティング材料60の表面をクリーニングすることが望ましい。コーティングドナー置換ステージ50がスパッタリング位置51にあってイオンビームがコーティング材料60に作用している間、シールド位置101にあるスパッタリングシールド100によって、サンプル4はカバーされてもよい。コーティング材料が十分にクリーニングされた場合、スパッタリングシールド100は非シールド位置103の方へ動かされてもよい。その後、サンプル4はスパッタリングされたコーティング材料62のコーティング部分64を受け取ってもよい。上述の通り、図4Aは、シールド位置101にあるスパッタリングシールド100を示し、図4Bは、非シールド位置103にあるスパッタリングシールド100を示す。
図5A及び図5Bを参照すると、以下を備える本開示の実施形態に係る、サンプル4を準備し、当該サンプルをコーティング材料60でコーティングするための、イオンビーム装置2の実施形態が示されている:第1のイオンビームの中心軸22aに沿ってイオンビームを向ける真空チャンバ14内に配置された第1のイオンビーム照射手段22a;スパッタリング位置51と静止位置53との間で移動するように動作可能なコーティングドナー置換ステージ50。コーティングドナー置換ステージ50は、コーティング材料60を保持するように構成されたコーティングドナーホルダー54と連結されている。スパッタリング位置51は、コーティングドナーホルダー54が第1のイオンビームの中心軸22aの光路内にコーティング材料60の一部を配置し、イオンビームとコーティング材料60との反応が真空チャンバ14内でスパッタリングされたコーティング材料を生成することを特徴とする。静止位置53は、コーティングドナーホルダー54が第1のイオンビームの中心軸22aの光路内にコーティング材料60を配置しないことを特徴とする。また、真空チャンバ内に配置され、リフティングドライブ90;リフティング軸92;及び回動軸82を有し、第1のイオンビームの中心軸22aに対して所定の位置及び方向でサンプル4を保持するサンプルホルダー6を着脱可能に保持するように構成された回動サンプル保持ステージ80;リフティング軸92に沿ってミリング位置73とコーティング位置75との間で回動サンプル保持ステージ80を動かすように動作可能なリフティングドライブ90;ミリング位置73は、第1のイオンビームの中心軸22aの光路内にサンプル4の少なくとも一部を保持するように、回動サンプル保持ステージ80が配置されることを特徴とし;コーティング位置75は、サンプル4が第1のイオンビームの中心軸22aと交差しないことを特徴とし、さらに、真空チャンバに存在するスパッタリングされたコーティング材料62のコーティング部分64を受け取るように、サンプル4の少なくとも一部が配置されることを特徴とし;回動サンプル保持ステージ80は、1回転の少なくとも1部だけ回動軸82に対してサンプル4を回動させるように動作可能である。図5Aは、ミリング位置73にある回動サンプル保持ステージ80と静止位置53にあるコーティングドナー置換ステージ50を示す。図5Bは、コーティング位置75にある回動サンプル保持ステージ80とスパッタリング位置51にあるコーティングドナー置換ステージ50を示す。
サンプルの準備及びコーティングの間、回動サンプル保持ステージ80は、回動軸82周りの回動を制御することができる。回動サンプル保持ステージ80は、360°のフル回転で回動するように構成されてもよく、2つの異なる角度位置の間で前後に回動するように構成されてもよい。さらに、回動サンプル保持ステージ80は、連続的に又は断続的に回動するように構成されてもよい。回動サンプル保持ステージ80は、さらに、ステージの回動位置を測定するように構成されてもよく、回動サンプル保持ステージ80の位置、速度又は加速を制御するのに、測定値又は一連の測定値が用いられてもよい。なお、回動は、サンプル準備、コーティング、準備及びコーティングの双方、において用いられてもよく、又は、全てにおいて用いられなくてもよい。
また、サンプルの準備の間、イオンビーム強度制御装置は、少なくとも2つの異なるビーム強度がサンプル準備、サンプルコーティング、又は、準備及びコーティングのいかなる組み合わせの間において用いられるように、イオンビームの強度を変えてもよい。さらに、サンプルの準備の間、少なくとも2つの異なるチルト角がサンプル準備の間において用いられるように、イオンビームチルトドライブはイオンビームのチルト角を変えてもよい。イオンビームによって、サンプルが準備され、コーティングされた後、チャンバカバーは取り外されてもよく;次いで、サンプルホルダーは取り外され、準備されコーティングされたサンプルは顕微鏡で観察されてもよい。
真空又は不活性雰囲気等の環境的に制御された状況の下でサンプルを準備及びコーティングする装置へ又は当該装置からサンプルを移すことができることは、有利である。図6A、図6B、図6C及び図6Dを参照すると、サンプルの周囲の環境を維持しつつサンプルを準備及びコーティングする装置へ又は当該装置からサンプルを移動させるための真空移動装置120が示されている。図6A−6Dの真空移動装置120は、以下を備える:外側の真空ベル122、内側の真空ベル124、サンプルホルダー6、及び、移動手段130。外側の真空ベル122は、着脱可能にロードチャンバ18に搭載されるように構成され、それによって真空気密シールを形成し;内側の真空ベル124は、外側の真空ベル122の中にフィットするようにサイズが設定され、サンプルホルダー6に対して真空気密シールを形成するように構成され、それによって環境からサンプル及び一部のサンプルホルダーの双方を分離するサイズの実質的に真空気密な移動チャンバ126を形成する。移動手段130は、外側の真空ベル122がロードチャンバ18に対してシールされて真空チャンバとともに真空気密シールを維持している間に、サンプルの準備及びコーティングのためのイオンビーム装置とともに、ロードシーケンス200及びアンロードシーケンス250の双方を完了するように動作可能である。サンプル4がサンプルホルダー6によって保持され、着脱可能な実質的に真空気密なシールを形成するためにサンプルホルダー6が内側の真空ベル124と係合しているとき、サンプルは真空移動装置120内で移動されてもよい。
図7A、図7B、図7C及び図7Dは、イオンビームサンプルのために、図6A−6Dの前述の説明と一致する真空移動装置と、サンプルを準備及びコーティングするイオンビーム装置と、を備える、イオンビームによってサンプルを準備及びコーティングするシステムを開示している。図7A−7Dの実施形態は、図1A−1B、3A−3B、及び、5A−5Bの実施形態と類似しており、さらに以下を備える:真空チャンバ14に配置され、ゲート開位置111とゲート閉位置113との間で動くように動作可能なゲートバルブ110;ゲート閉位置113は、実質的に真空気密なロードチャンバ18が、閉じている第1のゲートバルブと真空チャンバ14の部分との間で形成されるということを特徴とし;ゲート閉位置113は、ロードチャンバ18と真空チャンバの第1のイオンビーム照射手段22aが配置される部分との間で実質的な真空気密シールが形成されることを特徴とし;ゲート開位置111は、サンプルホルダー6が第1のゲートバルブ110を通過することができることを特徴とし;さらに、第1の真空マニフォールド42aに連結し、ロードチャンバ18内の真空圧を排気して維持するように構成されるとともに、第2の真空マニフォールド42bに連結し、真空チャンバ14の真空圧を排気して維持するように構成される真空ポンプ手段40。
当該装置内にロードチャンバを有することによって特定の望ましい効率が得られることは好ましい。装置にサンプルを出し入れする際に全ての真空チャンバを給気する(vent)代わりに、リフティングドライブは、ロード位置にサンプル保持ステージを上げるために移動されて、ロードチャンバを形成してもよい。好ましい実施形態において、ロードチャンバの体積は、真空チャンバの体積よりも非常により少ない。サンプル保持ステージがロード位置にあるとき、真空状況は真空チャンバの残り(remainder of the vacuum chamber)で維持される。ロードチャンバの少量の体積を給気及び排気することは、全ての真空チャンバを給気及び排気するより、非常に少ない時間ですむ。ロードチャンバがイオンビームミリングに適切な圧力に排気されたとき、ミリング又はコーティング位置にサンプルを動かすために、リフティングドライブは移動されてもよく、サンプルは再びイオンビームで準備され、又は、コーティング材料の上でイオンビームの作用によってコーティングされてもよい。
図7Aにおいて、あらかじめサンプルがロードされた真空移動装置120は、真空チャンバ14と係合している。ゲートバルブ110は、真空移動装置120が真空チャンバ14の中にある、ゲート閉位置113にあり、それによって、実質的に真空気密なロードチャンバ18を形成する。真空ポンプ手段40は、適切な真空レベルにロードチャンバ18を排気するために、第1の真空マニフォールド42a介して動作してもよい。
図7Bは、ゲート開位置111にあるゲートバルブ110を有する図7Aのシステムを示す。ゲート開位置111であるとき、ゲートバルブ110は、図6Bの移動チャンバ126が当該ゲートバルブを通って真空チャンバ14のイオンビーム照射手段20aが配置された部分に入るのを許すように、構成される。
図7Cは、移動手段130が以下のために用いられる図7Bのシステムを示す:内側の真空ベル124、サンプルホルダー6、及び、サンプル4をサンプル保持ステージ70の方へ移動させる;サンプル保持ステージ70とのサンプルホルダー6の係合の促進;サンプルホルダー6からの内側の真空ベルの脱係合の促進;及び、外側の真空ベル122の方への内側の真空ベル124の移動。
図7Dは、ゲートバルブ110がゲート閉位置113に移動されて、ゲートバルブ110と真空チャンバ14のイオンビーム照射手段20aが配置される部分との間で実質的な真空気密シールを形成する図7Cのシステムを示す。ここで、図7Dのシステムは、上述の図1A及び図1Bの装置に関して記述された方法で、サンプルを準備し、また、サンプルをコーティングするために、操作されてもよい。
図8Aは、図7A、図7B、図7C及び図7Dのシステムに関して、以下のステップを備えるロードシーケンス200を示す:真空移動装置と真空チャンバとの間で実質的に真空気密なロードチャンバを形成すること(ステップ202);ロードチャンバを少なくとも部分的に排気すること(ステップ204);ロードチャンバと真空チャンバのサンプル保持ステージがある部分との間のゲートバルブを開けること(ステップ206);サンプル保持ステージの方へロードチャンバから内側の真空ベルを移動させること(ステップ208);サンプル保持ステージとサンプルホルダーとを係合させること(ステップ210);サンプルホルダーから内側の真空ベルを脱係合させること(ステップ212);ロードチャンバに向かって内側の真空ベルを移動させること(ステップ214);ロードチャンバと真空チャンバのサンプル保持ステージが配置されている部分との間のゲートバルブを閉じること(ステップ216)。
図8Bは、図7A、図7B、図7C及び図7Dのシステムに関して、以下のステップを備えるアンロードシーケンス250を示す:ロードチャンバと真空チャンバのサンプル保持ステージが配置されている部分との間のゲートバルブを開けること(ステップ252);ロードチャンバからサンプル保持ステージに向かって内側の真空ベルを移動させること(ステップ254);内側の真空ベルとサンプルホルダーを係合させること(ステップ256);サンプルホルダーと内側の真空ベルとの間で実質的な真空気密シールを形成すること(ステップ258);サンプル保持ステージからサンプルホルダーを脱係合させること(ステップ260);外側の真空ベルに向かって、内側の真空ベル、サンプルホルダー、及び、サンプルを戻すこと(ステップ262);ゲートバルブを閉じて実質的に真空気密なロードチャンバを形成すること(ステップ264)、実質的に周囲の圧力にロードチャンバを戻すこと(ステップ266)。
図9A、図9B、図9C及び図9Dは、本開示のもう1つの実施形態に係る、サンプル4を準備し、サンプルをコーティング材料60でコーティングするイオンビーム装置2を示す。図9A、9B、9C及び9Dの実施形態は、以下を備える:第1のイオンビームの中心軸22aに沿って第1のイオンビームを向ける真空チャンバ14内に配置された第1のイオンビーム照射手段20a;コーティング材料60を保持するように構成されたコーティングドナーホルダー54に連結され、スパッタリング位置51と静止位置53の間で動くように動作可能なコーティングドナー置換ステージ50;スパッタリング位置51は、コーティングドナーホルダー54が第1のイオンビームの中心軸22aの光路内にコーティング材料60一部を配置し、第1のイオンビームとコーティング材料60との反応が真空チャンバ14でスパッタリングされたコーティング材料62を生成することを特徴とし;静止位置53は、コーティングドナーホルダー54が第1のイオンビームの中心軸22aの光路内にコーティング材料60を配置しないことを特徴とし;第1のイオンビームの中心軸22aに対して所定の位置及び方向でサンプル4を保持するサンプルホルダー6を着脱可能に保持するように構成されたサンプル保持ステージ70;当該サンプル保持ステージは:リフティング軸92;及びリフティングドライブ90を備え;前記リフティングドライブ90は、リフティング軸92に沿って、ロード位置71;ミリング位置73;及び、コーティング位置75の間で、サンプル保持ステージ70を移動させるように動作可能であり;ロード位置71は、実質的な真空気密なロードチャンバがサンプル保持ステージ70と一部の真空チャンバとの間で形成されることを特徴とし、さらに、実質的な真空気密シールがロードチャンバと真空チャンバのイオンビーム照射手段が配置される部分との間で形成されることを特徴とし;ミリング位置73は、第1のイオンビームの中心軸22aの光路内にサンプル4の少なくとも一部を保持するように、サンプル保持ステージ70が配置されることを特徴とし;コーティング位置75は、サンプル4が第1のイオンビームの中心軸22aと交差しないことを特徴とし、さらに、サンプルの少なくとも一部が、真空チャンバ内に存在するスパッタリングされたコーティング材料62のコーティング部分64を受け取るように配置されることを特徴とする。さらに、真空ポンプ手段40は、第1の真空マニフォールド42aに連結し、ロードチャンバ18の真空圧を排気して維持するように構成されるとともに、第2の真空マニフォールド42bに連結し、真空チャンバ14の真空圧を排気して維持するように構成される。
図9A、図9B、図9C及び図9Dは、サンプルをロードし、準備し、コーティングし、アンロードする装置2を用いる様々なステップを例示する。図9Aは、ロード位置71に上げられ、サンプルホルダーを受けて係合する準備ができているサンプル保持ステージ70を示す。図9Bは以下を示す:サンプル4を保持するサンプルホルダー6を保持しているサンプル保持ステージ70;実質的に真空気密ロードチャンバを形成する場所にあるチャンバカバー16;第1の真空マニフォールド42aを介して、適当な圧力までロードチャンバ18をポンプするように動作可能な真空ポンプ手段40。図9Cは、イオンビームによってサンプル4を準備する装置を示す。図9Dは、スパッタリングされたコーティング材料62のコーティング部分64で、サンプル4をコーティングする装置を示す。
また、コーティング処理によって生産されるコーティングサンプルの改善された均一性を可能にする他の実施形態は、本開示の範囲内である。
そのような改善の1つは、図1B、図3B及び図5Bに類似する、図10Aの実施形態であり、コーティングドナー置換ステージ50がコーティング位置51に配置されているとき、コーティングドナーホルダーは、コーティング材料の位置、方向、又は、位置及び方向の双方を調整するように動作可能な調整コーティングドナーホルダー56であることを特徴とする。もう1つの改善された実施形態は、図1B、図3B及び図5Bと類似する、図10Bで示され、調整サンプル保持ステージ72がコーティング位置75にあるとき、サンプル保持ステージは、サンプルホルダー6の位置、方向、又は、位置及び方向の双方を調整するように動作可能な調整サンプル保持ステージ72であることを特徴とする。図10Bに係る好ましい実施形態において、調整サンプル保持ステージ72は、リフティング軸92と実質的に直交するX−Y平面においてサンプルホルダー6の位置を調整するように動作可能であってもよい。
図11A及び図11Bは、コーティング処理の間にサンプルの上に蓄積されるコーティングの厚みをモニターするのに、使用可能な実施形態を示す。コーティング厚モニター150は真空チャンバ14内に配置され、シールド位置151及びモニタリング位置153を有し;モニタリング位置153は、当該コーティング厚モニター150が、真空チャンバ内に存在するスパッタリングされたコーティング材料62のモニタリング部分66を受け取るように配置され、モニタリング部分66が、サンプル4によって受け取られるコーティング部分64と比例することを特徴とし;シールド位置151は、当該コーティング厚モニター150が、真空チャンバに存在するスパッタリングされたコーティング材料を実質的に受け取らないことを特徴とする、を備える実施形態が、示される。
図11Aのコーティング厚モニター150は、薄膜が成膜された後だけでなく薄膜が成膜されている間も、薄膜の厚さを計測してもよい。いくつかの実施形態において、コーティング厚モニターは、コーティングの最終的な厚み、又は、コーティングが成膜される速さ、又は双方を制御するために、用いられてもよい。サンプルがコーティング部分を受け取る速さと、コーティング厚モニターがモニタリング部分を受け取る速さは、等しくない場合がある。
2つの速さの比率は、計算され、蓄積されるコーティング厚、又は、コーティング厚モニターによって受け取られるモニタリング部分に基づくサンプル上に蓄積される速さを推定、推論、予測、又は、定量化するための計測ファクターとして用いられてもよい。コーティング厚モニターが厚の計測値を提供し、当該計測値は、以下の効果の変更のために当該装置の他の操作可能な構成要素を増加させ、減少させ、調整し、停止し、開始するために用いられてもよいことは、本発明の思想及び範囲内である:1以上のイオンビームのイオンビーム電流;1以上のイオンビームのイオンビームエネルギー;サンプル保持ステージの回動;コーティングドナーホルダーの調整;及び、1以上のイオンビームのチルト角。
図12A及び図12Bをここで参照すると、本開示の実施形態に係る、以下を備える、サンプル4を準備し、当該サンプルをコーティング材料60でコーティングするイオンビーム装置2が示される:第1のイオンビームの中心軸22aに沿ってイオンビームを向ける真空チャンバ14内に配置された第1のイオンビーム照射手段22a;コーティング材料60を保持するように構成されたコーティングドナーホルダー54と連結され、スパッタリング位置51と静止位置53との間で移動するように動作可能なコーティングドナー置換ステージ50;スパッタリング位置51は、当該コーティングドナーホルダー54が第1のイオンビームの中心軸22aの光路内にコーティング材料の一部を配置し、イオンビームとコーティング材料との反応は真空チャンバ14内でスパッタリングされたコーティング材料62を生成することを特徴とし;静止位置53は、当該コーティングドナーホルダー54が第1のイオンビームの中心軸22aの光路内にコーティング材料60を配置しないことを特徴とし;着脱可能に第2のサンプルホルダー9を保持するように構成され、リフティング軸92とリフティングドライブ90を備えるサンプル保持ステージ70;第2のサンプルホルダー9は、所定の位置及び方向において着脱可能に第1のサンプルホルダー8を保持するように構成され;第1のサンプルホルダー8は、所定の位置及び方向においてサンプル4を保持するように構成され;第1のサンプルホルダー8は、第2のサンプルホルダー9がサンプル保持ステージ70から離れることなく、第2のサンプルホルダー9から離れることができることを特徴とし;リフティングドライブ90は、ミリング位置73とコーティング位置75との間でリフティング軸92に沿ってサンプル保持ステージ70を動かすように動作可能であり;ミリング位置73は、第1のイオンビームの中心軸22aの光路内にサンプル4の少なくとも一部を保持するように、サンプル保持ステージが配置されることを特徴とし;コーティング位置75は、サンプルが第1のイオンビームの中心軸22aと交差しないように、サンプル保持ステージが配置されることを特徴とし、さらに、真空チャンバに存在するスパッタリングされたコーティング材料62のコーティング部分64を受け取るように、サンプル4の少なくとも一部が配置されることを特徴とする。図12Bは、コーティング位置75にあるサンプル保持ステージを示し、図12Aは、ミリング位置73にあるサンプル保持ステージを示す。
図12A及び図12Bの装置の処理は、以下のステップで進められてもよい:真空チャンバの外において、サンプルは所定の位置及び方向で第1のサンプルホルダーに入れられ;次いで、第1のサンプルホルダーは、第2のサンプルホルダーに着脱可能に連結し;チャンバカバーを取り外して、サンプル及び第1のサンプルホルダー及び第2のサンプルホルダーの組合せは、サンプル保持ステージに保持され;次いで、チャンバカバーが交換され;次いで、真空ポンプ手段は、ポンプマニフォールドを介して真空チャンバ排気するように操作され、イオンビームミリングに適切な真空レベルを取得し;次いで、イオンビーム照射手段は、サンプルを準備するように操作され;次いで、サンプルはコーティング位置まで降ろされ;コーティングドナー置換ステージは、コーティング位置に当該ステージを移動するために操作され;次いで、サンプルは、スパッタリングされたコーティング材料のコーティング部分でコーティングされ;次いで、サンプル及び第1のサンプルホルダーの組合せが真空チャンバから移動されるように、第1のサンプルホルダーは第2のサンプルホルダーから離される。
図12Cは、第1のサンプルホルダー8が第2のサンプルホルダー9によって着脱可能に保持され、第2のサンプルホルダー9がサンプル保持ステージ70によって着脱可能に保持される図12Bの装置の部分的拡大図を示す。図12Cの実施形態は、第1のサンプルホルダー8が第2のサンプルホルダー9から離れて、サンプル保持ステージが移動するリフティング軸とは異なる軸に沿って移動する好ましい実施形態を示す。図12A−図12Bにおいて、リフティング軸は、Z軸に沿う移動として示される。図12Cの拡大図とともに図12Bは、第1のサンプルホルダーが第2のサンプルホルダーから離れてY軸に沿って移動してもよいことを示す。このように、サンプルが真空又は制御された雰囲気に維持された中にあるままで、第1のサンプルホルダー及びサンプルの組合せは、他の器材へ移動されてもよい。
図12D及び図12Eで示すように、観察又は更なるサンプル処理のために図12A−図12Cの装置へのサンプル6及び第1のサンプルホルダー8の組合せの出し入れを容易にするため、移動ポート140は当該装置に組み入れられてもよい。移動ポート140はポート開位置143及びポート閉位置141の双方を有し、ポート開位置143は、装置2へのサンプル6及び第1のサンプルホルダー8の組合せの出し入れを可能にし、ポート閉位置141は実質的に真空気密である。移動アームを用いて、ポート開位置にあるとき、サンプル及び第1のサンプルホルダーの組合せは、第2のサンプルホルダー9から離れて、移動ポートを通って移動されてもよい。
本開示の更なる実施形態を考慮すると、真空又は不活性雰囲気等の環境的に制御された状況の下でサンプルを準備及びコーティングする装置へ又は当該装置からサンプルを移すことができることは、有利である。ここで、図13A−13Fを参照すると、サンプルの周囲の環境を維持しつつサンプルを準備及びコーティングする装置へ又は当該装置からサンプルを移動させるための真空移動装置120が示されている。図13A−13Fの真空移動装置120は、以下を備える:ゲートバルブ110に連結した外側の真空ベル122、及び、移動手段130に連結した内側グリッパー128。図では、サンプル4及びサンプルホルダー6は、どのようにして真空移動装置が動作するのかについてのより良い理解のために示される。ゲートバルブ110は、ゲート閉位置113及びゲート開位置111の双方を有する。ゲート閉位置は、実質的に真空気密な移動チャンバ126が、閉じているゲートバルブ110と外側の真空ベル122の内部との間で形成されることを特徴とする。ゲート開位置111は、サンプルホルダー6が内側グリッパー128によって保持されたまま、内側グリッパー128がゲートバルブ110を通過することができることを特徴とする。内側グリッパー128は、外側の真空ベル122の中にフィットするサイズに設定され、外側の真空ベル122の内部にサンプルホルダー6を着脱可能に保持するように構成される。ゲートバルブ110がゲート閉位置113にあるとき、移動チャンバ126は、サンプルホルダー6及び搭載されたサンプル4を環境から分離するように構成される。移動手段130は、外側の真空ベル122がロードチャンバ18に対してシールされて真空チャンバで真空気密シールを維持する間、サンプルの準備及びコーティングのためのイオンビーム装置とともに、ロードシーケンス300及びアンロードシーケンス350の双方を完了するように動作可能である。
サンプル4がサンプルホルダー6によって保持され、サンプルホルダー6が内側グリッパー128によって保持されているとき、移動手段130は、ゲートバルブ110によるゲート閉位置113の取得を可能にする外側の真空ベル122内の位置に向かって内側グリッパー128及び保持されたサンプルホルダー6を移動させるように、操作されてもよい。このようにして実質的に真空気密な移動チャンバ126が形成され、サンプルが制御された環境の中で輸送されるのを可能にする。
図14A、図14B、図14C、図14D及び図14Eは、図13A−13Fの上述の説明と一致する真空移動装置と、イオンビームによってサンプルを準備及びコーティングする装置とを備える、イオンビームによってサンプルを準備し及びコーティングするシステムを示す。図14A−14Eの実施形態は図1A−1B、3A−3B、及び、5A−5Bの実施形態と類似しており、さらに以下を備える:真空チャンバ14に配置され、第1のゲート開位置111aと第1のゲート閉位置113aとの間で移動するように動作可能な第1のゲートバルブ110a;ゲート閉位置113aは、実質的に真空気密なロードチャンバ18が、閉じている第1のゲートバルブ110aと真空チャンバ14の部分との間で形成されるということを特徴とし;ゲート閉位置113aは、実質的に真空気密なシールが、ロードチャンバ18と真空チャンバのイオンビーム照射手段22aが配置される部分との間で形成されることを更に特徴とし;ゲート開位置111aは、サンプルホルダー6が第1のゲートバルブ110aを通過することができることを特徴とし;さらに、第1の真空マニフォールド42aに連結し、ロードチャンバ18内の真空圧を選択的に排気して維持するように構成されるとともに、第2の真空マニフォールド42bに連結し、真空チャンバ14の真空圧を選択的に排気して維持するように構成される真空ポンプ手段40。
図14Aにおいて、あらかじめサンプルがロードされた真空移動装置120は、真空チャンバ14と係合している。第1のゲートバルブ110aは、真空移動装置120が真空チャンバ14の中にある、第1のゲート閉位置113aにあり、それによって、実質的に真空気密なロードチャンバ18を形成する。真空ポンプ手段40は、適切な真空レベルにロードチャンバ18を排気するために、第1の真空マニフォールド42a介して動作してもよい。ロードチャンバ18が適切な真空レベルとなるまでポンプによって排気されている間、第2のゲートバルブ110bは第2のゲート閉位置113bにあり、それによって、制御された環境でサンプルを維持する。
図14Bは、第2のゲート開位置111bにある第2のゲートバルブ110bを有する図14Aのシステムを示す。第2のゲート開位置111bにあるとき、第2のゲートバルブ110bは、真空ポンプ手段40が真空移動装置120を排気して圧力を維持するのを可能にするように、構成される。図14Cは、第1のゲート開位置にある第1のゲートバルブ110aを有する図14Bのシステムを示す。
ゲートバルブ110a及び110bの双方がゲート開位置にあるとき、内側グリッパー128は両方のゲートバルブを通り、真空チャンバ14のイオンビーム照射手段20aが配置される部分に入ることができる。
図14Dは、移動手段130が以下のために用いられる図14Cのシステムを示す:サンプル保持ステージ70への内側グリッパー128、サンプルホルダー6、及び、サンプル4の移動;サンプルホルダー6によるサンプル保持ステージ70との係合の促進;及び、内側グリッパー128によるサンプルホルダー6からの脱係合の促進。サンプルホルダーから内側グリッパーをはずした後、移動手段は、外側の真空ベル122の方へ空の内側グリッパーを移動させるのに用いられてもよい。
図14Eは、第1のゲート閉位置113aで第1のゲートバルブ110aが操作され、それによって、第1のゲートバルブ110aと真空チャンバ14のイオンビーム照射手段20aが配置される部分との間で実質的な真空気密シールを形成する、図14Dのシステムを示す。ここで、図14Eのシステムは、上述の図1A及び図1Bの装置によって記述される方法によって、サンプルを準備し、サンプルをコーティングするために、操作されてもよい。
図15Aは、図14A−14Eのシステムに関して、以下のステップを備えるロードシーケンス300を示す:真空移動装置と真空チャンバとの間で実質的に真空気密なロードチャンバを形成すること(ステップ302);ロードチャンバを少なくとも部分的に排気すること(ステップ304);ロードチャンバと移動チャンバとの間のゲートバルブを開けること(ステップ306);ロードチャンバと真空チャンバのサンプル保持ステージがある部分との間のゲートバルブを開けること(ステップ308);サンプル保持ステージの方へ真空移動装置から内側グリッパーを移動させること(ステップ310);サンプル保持ステージとサンプルホルダーとを係合させること(ステップ312);サンプルホルダーから内側グリッパーを脱係合させること(ステップ314);ロードチャンバに向かって内側グリッパーを移動させること(ステップ316);ロードチャンバと真空チャンバのサンプル保持ステージが配置されている部分との間のゲートバルブを閉じること(ステップ318)。
図15Bは、図14A−14Eのシステムに関して、以下のステップを備えるアンロードシーケンス350を示す:ロードチャンバと真空チャンバのサンプル保持ステージが配置されている部分との間のゲートバルブを開けること(ステップ352);ロードチャンバからサンプル保持ステージに向かって内側グリッパーを移動させること(ステップ354);内側グリッパーとサンプルホルダーを係合させること(ステップ356);サンプル保持ステージからサンプルホルダーを脱係合させること(ステップ358);外側の真空ベルに向かって、内側グリッパー、サンプルホルダー、及び、サンプルを移動させること(ステップ360);ゲートバルブを閉じて実質的に真空気密なロードチャンバを形成すること(ステップ362)、ゲートバルブを閉じて実質的に真空気密な移動チャンバを形成すること(ステップ364);実質的に周囲の圧力にロードチャンバを戻すこと(ステップ366)。
図1から図11、及び図13から図15に示す装置の使用は、以下のステップで進められてもよい:真空チャンバの外において、サンプルは所定の位置及び方向でサンプルホルダーに入れられ;チャンバカバーを取り外して、サンプル及びサンプルホルダーの組合せは、サンプル保持ステージにセットされ;次いで、チャンバカバーは交換され;次いで、真空ポンプ手段は、ポンプマニフォールドを介して真空チャンバ排気するように操作され、イオンビームミリングに適切な真空レベルを取得し;次いで、イオンビーム照射手段は、サンプルを準備するように操作され;次いで、サンプルはコーティング位置まで降ろされ;コーティングドナー置換ステージは、コーティング位置に当該ステージを移動するために操作され;次いで、サンプルは、スパッタリングされたコーティング材料のコーティング部分でコーティングされる。
本発明は、その特定の好ましいバージョンに関してかなり詳細で記述されたが、他のバージョンも可能である。1つの実施形態に様々な実施形態において示される特徴を組み合わせることは、望ましい場合がある。特徴の異なる数と構成は、本開示の思想及び範囲に完全に含まれる、サンプルの準備及びコーティングのためのイオンビーム装置の実施形態を形成するのに、用いられてもよい。したがって、添付の請求項の思想及び範囲は、ここに記載された好ましいバージョンの説明に限定されるものではない。
本発明の様々な実施形態が開示され、ここに詳細に記載されたが、その思想及び範囲を逸脱しない範囲で、本発明の構成、処理と形状に対する様々な変更がなされてもよいことは当業者にとって明らかである。特に、それぞれの本発明の特徴は、単なる本発明の他の特徴の組み合わせにおいて単に開示されたものでさえ、無意味なものとして、当業者にとって容易に明らかなものを除く如何なる構成にも組み込まれ得る。同様に、単数と複数の用法は単に説明のためにだけあって、制限するものとして解釈されるものではない。反対が明白に述べられている場合を除き、複数は単数と取り替え可能であり、また、逆も同じである。
本開示において、動詞「してもよい(may)」は、選択的な/必須ではないもの(compulsoriness)を示すために用いられる。換言すれば、何か「してもよい(may)」とは、何かをすることができ、しかし、しなければいけないわけではない。本開示において、動詞「備える(comprise)」は、含むという意味で理解され得る。したがって、動詞「備える(comprise)」は、他の要素/動作の存在を除外しない。本開示において、例えば、「第1の(first)」、「第2の(second)」、「上側の(top)」、「下側の(bottom)」等の関係性を示す文言は、1つの実体又は行動と他の1つの実体又は行動とを、必然的に要求することなく、又は、そのような実体又は行動の関係又は順序を暗示することなく、単に区別するため用いられる。
本開示において、「如何なる(any)」との文言は、それぞれの要素の如何なる個数を意味するように解され、例えば、それぞれの要素の1つ、少なくとも1つ、少なくとも2つ、それぞれ、又は、全てを意味する。同様に、「如何なる(any)」との文言は、それぞれの要素の如何なる集まりを意味するように解され、例えば、それぞれの要素の1つ以上、それぞれの要素の1つ、少なくとも1つ、少なくとも2つ、それぞれ、又は、全ての集まりを意味する。それぞれの集まりは、同じ数の要素を備える必要はない。
本開示において、「少なくとも1」との表現は、如何なる数字(整数)、如何なる数字(整数)の範囲(つまり所定の前後関係において技術的に合理的な)を示すのに用いられる。このように、「少なくとも1」との表現は、とりわけ、1、2、3、4、5、10、15、20又は100として理解されてもよい。同様に、「少なくとも1」との表現は、とりわけ、「1以上」、「2以上」、又は、「5以上」として理解されてもよい。
本開示において、括弧の表現は、選択的なものとして理解されてもよい。本開示にて用いられているように、クオテーションマークは、クオテーションマーク内の表現が比喩的な意味にも理解され得ることを強調し得る。本開示において用いられているように、クオテーションマークは、議論における特定の表現を規定し得る。
本開示において、例えば、動詞「してもよい(may)」又は括弧の使用によって、多くの特徴が選択的なものとして記載される。
簡潔さと読みやすさのために、本開示は、選択的な特徴のセットから選択することによって得られるそれぞれの及びすべての順列(permutation)を明白に列挙しない。しかし、本開示は、すべてのそのような順列を明白に開示しているものとして解釈されるものである。例えば、3つの選択的な特徴を有すると記載されたシステムは、7つの異なる方法で、すなわち、3つの可能性のある特徴のちょうど1つで、3つの可能性のある特徴の如何なる2つで、3つの可能性の特徴の全てで、具体化され得る。
2 サンプルの準備及びコーティングのためのイオンビーム装置
4 サンプル
6 サンプルホルダー
8 第1のサンプルホルダー
9 第2のサンプルホルダー
14 真空チャンバ
16 チャンバカバー
18 ロードチャンバ
20 イオンビーム照射手段
20a,20b 第1の、第2のイオンビーム照射手段等
22 イオンビームの中心軸
22a,22b 第1の、第2のイオンビームの中心軸等
24 チルト角
24a,24b 第1の、第2のチルト角等
28 チルトドライブ
40 真空ポンプ手段
42 真空マニフォールド
42a, 42b 第1の真空マニフォールド、第2の真空マニフォールド等
44 真空バルブ
開いているときバルブを介して真空を送るために真空システムの一部として機能し、閉じられているとき真空気密である。
44a,44b 第1の真空バルブ、第2の真空バルブ等
50 コーティングドナー置換ステージ
51 スパッタリング位置
53 静止位置
54 コーティングドナーホルダー
56 調整コーティングドナーホルダー
60 コーティング材料
62 スパッタリングされたコーティング材料
64 コーティング部分
66 モニタリング部分
70 サンプル保持ステージ
71 ロード位置
72 調整サンプル保持ステージ
73 ミリング位置
75 コーティング位置
80 回動サンプル保持ステージ
81 ロード位置
82 回動軸
83 ミリング位置
85 コーティング位置
90 リフティングドライブ
92 リフティング軸
100 スパッタリングシールド
101 シールド位置
103 非シールド位置
110 ゲートバルブ
開いているとき開口部を通る物理的な通路を実現し、閉じられているとき真空気密である。
110a,110b 第1のゲートバルブ、第2のゲートバルブ等
111 ゲート開位置
111a 第1のゲートバルブのゲート開位置
111b 第2のゲートバルブのゲート開位置
113 ゲート閉位置
113a 第1のゲートバルブのゲート閉位置
113b 第2のゲートバルブのゲート閉位置
120 真空移動装置
122 外側の真空ベル
124 内側の真空ベル
内側の真空ベル及びサンプルホルダーの相補的な特徴がかみ合う際に、真空気密シールは内側の真空ベルとサンプルホルダーとの間に形成される。
126 移動チャンバ
128 内側グリッパー
130 移動手段
140 移動ポート
141 移動ポートのポート閉位置
143 移動ポートのポート開位置
150 コーティング厚モニター
151 シールド位置
153 モニター位置
200 ロードシーケンス
202,204,206,208,210,212,214,216等 ロードシーケンス200の処理ステップ
250 アンロードシーケンス
252,254,256,258,260,262,264,266等 アンロードシーケンス250の処理ステップ
300 ロードシーケンス
302,304,306,308,310,312,314,316,318等 ロードシーケンス300の処理ステップ
350 アンロードシーケンス
352,354,356,358,360,362,364,366等 アンロードシーケンス350の処理ステップ

Claims (12)

  1. サンプルの準備及びコーティングのためのイオンビーム装置は:
    a)第1のイオンビームの中心軸に沿って第1のイオンビームを向ける真空チャンバ内に配置された第1のイオンビーム照射手段;
    b)前記コーティング材料を保持するように構成されたコーティングドナーホルダーと連結され、スパッタリング位置と静止位置との間で移動するように動作可能なコーティングドナー置換ステージ;
    i)前記スパッタリング位置は、前記コーティングドナーホルダーが前記第1のイオンビームの中心軸の光路内に前記コーティング材料の一部を配置し、前記第1のイオンビームと前記コーティング材料の反応は前記真空チャンバ内でスパッタリングされたコーティング材料を生成することを特徴とし;
    ii)前記静止位置は、前記コーティングドナーホルダーが前記第1のイオンビームの中心軸の光路内に前記コーティング材料を配置しないことを特徴とし;
    c)リフティング軸及びリフティングドライブを有し、前記第1のイオンビームの中心軸に対する所定の位置及び方向で前記サンプルを保持するサンプルホルダーを着脱可能に保持するように構成されたサンプル保持ステージ;
    i)前記リフティングドライブは、前記リフティング軸に沿ってミリング位置とコーティング位置との間で前記サンプル保持ステージを移動するように動作可能であり;
    A)前記ミリング位置は、前記第1のイオンビームの中心軸の光路内に前記サンプルの少なくとも一部を保持するように、サンプル保持ステージが配置されることを特徴とし;
    B)前記コーティング位置は、前記サンプルが前記第1のイオンビームの中心軸と交差しないように、前記サンプル保持ステージが配置されることを特徴とし、さらに、前記真空チャンバに存在する前記スパッタリングされたコーティング材料のコーティング部分を受け取るように、前記サンプルの少なくとも一部が配置されることを特徴とし、
    d)第2のイオンビームの中心軸に沿って第2のイオンビームを向ける前記真空チャンバ内に配置された第2のイオンビーム照射手段、
    i)前記スパッタリング位置は、前記コーティングドナーホルダーが前記第2のイオンビームの中心軸の光路内に前記コーティング材料の一部を配置し、前記第2のイオンビームと前記コーティング材料の反応は前記真空チャンバ内でスパッタリングされたコーティング材料を生成することを更に特徴とし;
    ii)前記静止位置は、前記コーティングドナーホルダーが前記第2のイオンビームの中心軸の光路内に前記コーティング材料を配置しないことを更に特徴とし;
    iii)前記ミリング位置は、前記第2のイオンビームの中心軸の光路内に前記サンプルの少なくとも一部を保持するように、サンプル保持ステージが配置されることを更に特徴とし;
    iv)前記コーティング位置は、前記サンプルが前記第2のイオンビームの中心軸と交差しないように、前記サンプル保持ステージが配置されることを更に特徴とする、
    を備える。
  2. 前記第1のイオンビームの中心軸が前記サンプル保持ステージの前記リフティング軸に対するチルト角を有し、
    前記装置は、前記第1のイオンビーム照射手段と動作可能に連結され、前記第1のイオンビームの中心軸の方向に少なくとも2つの異なるチルト角の間で移動するように構成されたチルトドライブを更に備える、
    ことを更に特徴とする、請求項1に記載の装置。
  3. a)シールド位置と非シールド位置を有するスパッタリングシールド;
    i)前記シールド位置は、前記サンプル保持ステージが前記コーティング位置にあるとき、前記サンプルが前記真空チャンバに存在する前記スパッタリングされたコーティング材料を受け取ることを前記スパッタリングシールドが実質的に防ぐことを特徴とし;
    ii)前記非シールド位置は、前記サンプル保持ステージが前記コーティング位置にあるとき、前記スパッタリングされたコーティング材料の前記コーティング部分が前記サンプルによって受け取られることを特徴とし、
    b)前記サンプル保持ステージが前記コーティング位置にあるとき、前記シールド位置と前記非シールド位置との間で移動するように動作可能である前記スパッタリングシールド、
    を更に備える、請求項1に記載の装置。
  4. 調整サンプル保持ステージが前記コーティング位置にあるとき、サンプル保持ステージが、サンプルホルダーの位置、方向、又は、位置及び方向の双方を調整するように動作可能な調整サンプル保持ステージであることを特徴とする、請求項1の装置。
  5. a)コーティング厚モニターは、前記真空チャンバ内に存在する前記スパッタリングされたコーティング材料のモニタリング部分を受け取るように配置され、前記モニタリング部分は、前記サンプルによって受け取られるコーティング部分と比例している、モニタリング位置を有する、前記真空チャンバ内に配置された前記コーティング厚モニターを更に備える、請求項1に記載の装置。
  6. 前記コーティング厚モニターは、前記真空チャンバ内に存在する前記スパッタリングされたコーティング材料を実質的に受け取らない、シールド位置を有し、
    前記コーティング厚モニターは、前記モニタリング位置と前記シールド位置との間で移動するように動作可能であることを更に特徴とすることを更に特徴とする、
    請求項5に記載の装置。
  7. サンプルの準備及びコーティングのためのイオンビーム装置は:
    a)第1のイオンビームの中心軸に沿って第1のイオンビームを向ける真空チャンバ内に配置された第1のイオンビーム照射手段;
    b)前記コーティング材料を保持するように構成されたコーティングドナーホルダーと連結され、スパッタリング位置と静止位置との間で移動するように動作可能なコーティングドナー置換ステージ;
    i)前記スパッタリング位置は、前記コーティングドナーホルダーが前記第1のイオンビームの中心軸の光路内に前記コーティング材料の一部を配置し、前記第1のイオンビームと前記コーティング材料の反応は前記真空チャンバ内でスパッタリングされたコーティング材料を生成することを特徴とし;
    ii)前記静止位置は、前記コーティングドナーホルダーが前記第1のイオンビームの中心軸の光路内に前記コーティング材料を配置しないことを特徴とし;
    c)リフティング軸;及びリフティングドライブ;及び回動軸を有し、前記第1のイオンビームの中心軸に対して所定の位置及び方向で前記サンプルを保持するサンプルホルダーを着脱可能に保持するように構成された回動サンプル保持ステージ;
    i)前記リフティング軸に沿ってミリング位置とコーティング位置との間で前記回動サンプル保持ステージを動かすように動作可能なリフティングドライブ、
    A)前記ミリング位置は、前記第1のイオンビームの中心軸の光路内に前記サンプルの少なくとも一部を保持するように、回動サンプル保持ステージが配置されることを特徴とし;
    B)前記コーティング位置は、前記サンプルが前記第1のイオンビームの中心軸と交差しないことを特徴とし、さらに、前記真空チャンバに存在する前記スパッタリングされたコーティング材料のコーティング部分を受け取るように、前記サンプルの少なくとも一部が配置されることを特徴とし;
    ii)前記回動サンプル保持ステージは、1回転の少なくとも1部だけ前記回動軸に対して前記サンプルを回動させるように動作可能であり、
    前記第1のイオンビームの中心軸が前記回動サンプル保持ステージの前記リフティング軸に対するチルト角を有し、
    d)前記第1のイオンビーム照射手段と動作可能に連結され、前記第1のイオンビームの中心軸の方向に少なくとも2つの異なるチルト角の間で移動するように構成されたチルトドライブ、
    を備える。
  8. サンプルの準備及びコーティングのためのイオンビーム装置は:
    a)第1のイオンビームの中心軸に沿って第1のイオンビームを向ける真空チャンバ内に配置された第1のイオンビーム照射手段;
    b)前記コーティング材料を保持するように構成されたコーティングドナーホルダーと連結され、スパッタリング位置と静止位置との間で移動するように動作可能なコーティングドナー置換ステージ;
    i)前記スパッタリング位置は、前記コーティングドナーホルダーが前記第1のイオンビームの中心軸の光路内に前記コーティング材料の一部を配置し、前記第1のイオンビームと前記コーティング材料の反応は前記真空チャンバ内でスパッタリングされたコーティング材料を生成することを特徴とし;
    ii)前記静止位置は、前記コーティングドナーホルダーが前記第1のイオンビームの中心軸の光路内に前記コーティング材料を配置しないことを特徴とし;
    c)リフティング軸;及びリフティングドライブを有し、前記第1のイオンビームの中心軸に対する所定の位置及び方向で前記サンプルを保持するサンプルホルダーを着脱可能に保持するように構成されたサンプル保持ステージ;
    i)前記サンプルホルダーは、所定の位置及び方向に前記サンプルを保持するように構成され;
    d)ミリング位置とコーティング位置の間に前記リフティング軸に沿って前記サンプル保持ステージを動かすように動作可能なリフティングドライブ
    i)前記ミリング位置は、前記第1のイオンビームの中心軸の光路内に前記サンプルの少なくとも一部を保持するように、サンプル保持ステージが配置されることを特徴とし;
    ii)前記コーティング位置は、前記サンプルが前記第1のイオンビームの中心軸と交差しないように、前記サンプル保持ステージが配置されることを特徴とし、さらに、前記真空チャンバに存在する前記スパッタリングされたコーティング材料のコーティング部分を受け取るように、前記サンプルの少なくとも一部が配置されることを特徴とし;
    e)ゲート開位置とゲート閉位置との間で動くように動作可能な第1のゲートバルブ;
    i)前記ゲート閉位置は、実質的に真空気密なロードチャンバが、閉じている第1のゲートバルブと前記真空チャンバの部分との間で形成されるということを特徴とし;
    ii)前記ゲート閉位置は、実質的に真空気密なシールが、前記ロードチャンバと前記真空チャンバの前記第1のイオンビーム照射手段が配置される前記部分との間で形成されることを更に特徴とし;
    iii)前記ゲート開位置は、前記サンプルホルダーが前記第1のゲートバルブを通過することができることを特徴とし;
    f)第1の真空マニフォールドに連結し、前記ロードチャンバ内の真空圧を排気して維持するように構成されるとともに、第2の真空マニフォールドに連結し、前記真空チャンバの真空圧を排気して維持するように構成される真空ポンプ手段
    g)第2のイオンビームの中心軸に沿って第2のイオンビームを向ける前記真空チャンバ内に配置された第2のイオンビーム照射手段、
    i)前記スパッタリング位置は、前記コーティングドナーホルダーが前記第2のイオンビームの中心軸の光路内に前記コーティング材料の一部を配置し、前記第2のイオンビームと前記コーティング材料の反応は前記真空チャンバ内でスパッタリングされたコーティング材料を生成することを更に特徴とする;
    を備える。
  9. a)真空移動装置は:外側の真空ベル、内側の真空ベル、及び、移動手段を備え;
    i)前記外側の真空ベルは、着脱可能に前記ロードチャンバに搭載されるように構成され、それによって真空気密シールを形成し;
    ii)前記内側の真空ベルは、前記外側の真空ベルの中にフィットするようにサイズが設定され、前記サンプルホルダーに対して真空気密シールを形成するように構成され、それによって環境から前記サンプル及び一部の前記サンプルホルダーの双方を分離するサイズの移動チャンバを形成し;
    iii)前記移動手段は、前記外側の真空ベルが前記ロードチャンバに搭載される間に、ロードシーケンス及びアンロードシーケンスの双方を完了するように動作可能であり;
    A)前記ロードシーケンスは、以下のステップを備え:前記サンプル保持ステージに向かって前記ロードチャンバから前記内側の真空ベルを移動させること;前記サンプル保持ステージとの前記サンプルホルダーの係合(engagement)を促進すること;前記サンプルホルダーからの内側の真空ベルの脱係合(disengagement)を促進すること;及び、前記ロードチャンバへ前記内側の真空ベルを移動させること;
    B)前記アンロードシーケンスは、以下のステップを備える:前記サンプル保持ステージに向かって前記ロードチャンバから前記内側の真空ベルを移動させること;前記内側の真空ベルとの前記サンプルホルダーの係合を促進すること;前記サンプル保持ステージから前記サンプルホルダーの脱係合を促進すること;及び、前記ロードチャンバへ前記内側の真空ベルを移動させること、
    を更に備える、請求項8に記載の装置。
  10. a)真空移動装置は:第2のゲートバルブに連結した外側の真空ベル、及び、移動手段に連結した内側グリッパーを備え;
    b)前記内側グリッパーは、前記外側の真空ベルの中にフィットするサイズに設定され、前記外側の真空ベルの内部に前記サンプルホルダーを着脱可能に保持するように構成され;
    c)前記第2のゲートバルブは、前記外側の真空ベルに連結し、第2のゲート閉位置と第2のゲート開位置を有し;
    d)前記第2のゲート閉位置は、実質的に真空気密な移動チャンバが、閉じている前記第2のゲートバルブと前記外側の真空ベルの内部との間で形成されることを特徴とし;
    e)前記第2のゲート開位置は、前記内側グリッパーが前記第2のゲートバルブを通過することができることを特徴とし;
    f)前記外側の真空ベルは、前記ロードチャンバに着脱可能に搭載されるように構成され、それによって真空気密シールを形成し;
    g)前記移動手段は、前記外側の真空ベルが前記ロードチャンバに搭載される間に、ロードシーケンス及びアンロードシーケンスの双方を完了するように動作可能であり;
    i)前記ロードシーケンスは、以下のステップを備える:前記サンプル保持ステージに向かって前記ロードチャンバから前記内側グリッパーを移動させること;前記サンプル保持ステージとの前記サンプルホルダーの係合を促進すること;前記サンプルホルダーから内側グリッパーの脱係合を促進すること;及び、前記ロードチャンバへ前記内側グリッパーを移動させること;
    ii)前記アンロードシーケンスは、以下のステップを備える:前記サンプル保持ステージに向かって前記ロードチャンバから前記内側グリッパーを移動させること;前記内側グリッパーとの前記サンプルホルダーの係合を促進すること;前記サンプル保持ステージから前記サンプルホルダーの脱係合を促進すること;及び、前記ロードチャンバへ前記内側グリッパーを移動させること、
    を更に備える、請求項8に記載の装置。
  11. サンプルの準備及びコーティングのためのイオンビーム装置は:
    a)第1のイオンビームの中心軸に沿って第1のイオンビームを向ける真空チャンバ内に配置された第1のイオンビーム照射手段;
    b)前記コーティング材料を保持するように構成されたコーティングドナーホルダーと連結され、スパッタリング位置と静止位置との間で移動するように動作可能なコーティングドナー置換ステージ;
    i)前記スパッタリング位置は、前記コーティングドナーホルダーが前記第1のイオンビームの中心軸の光路内に前記コーティング材料の一部を配置し、前記第1のイオンビームと前記コーティング材料の反応は前記真空チャンバ内でスパッタリングされたコーティング材料を生成することを特徴とし;
    ii)前記静止位置は、前記コーティングドナーホルダーが前記第1のイオンビームの中心軸の光路内に前記コーティング材料を配置しないことを特徴とし;
    c)前記サンプルを保持するように構成され、リフティング軸;リフティングドライブを備えるサンプル保持ステージ;
    i)前記リフティングドライブは、前記リフティング軸に沿って、ロード位置;ミリング位置;及び、コーティング位置の間で、前記サンプル保持ステージを移動させるように動作可能であり;
    A)前記ロード位置は、実質的な真空気密なロードチャンバが前記サンプル保持ステージと一部の前記真空チャンバとの間で形成されることを特徴とし、さらに、実質的な真空気密シールが前記ロードチャンバと前記真空チャンバの前記第1のイオンビーム照射手段が配置される部分との間で形成されることを特徴とし;
    B)前記ミリング位置は、前記第1のイオンビームの中心軸の光路内に前記サンプルの少なくとも一部を保持するように、サンプル保持ステージが配置されることを特徴とし;
    C)前記コーティング位置は、前記サンプルが第1のイオンビームの中心軸と交差しないことを特徴とし、さらに、前記サンプルの少なくとも一部が、前記真空チャンバ内に存在する前記スパッタリングされたコーティング材料のコーティング部分を受け取るように配置されることを特徴とし;
    d)第1の真空マニフォールドに連結し、前記ロードチャンバの真空圧を排気して維持するように構成されるとともに、第2の真空マニフォールドに連結し、前記真空チャンバの真空圧を排気して維持するように構成される真空ポンプ手段
    e)前記第1のイオンビーム照射手段と動作可能に連結され、前記第1のイオンビームの中心軸の方向に少なくとも2つの異なるチルト角の間で移動するように構成されたチルトドライブ、
    を備える。
  12. サンプルの準備及びコーティングのためのイオンビーム装置は:
    a)第1のイオンビームの中心軸に沿って第1のイオンビームを向ける真空チャンバ内に配置された第1のイオンビーム照射手段;
    b)前記コーティング材料を保持するように構成されたコーティングドナーホルダーと連結され、スパッタリング位置と静止位置との間で移動するように動作可能なコーティングドナー置換ステージ;
    i)前記スパッタリング位置は、前記コーティングドナーホルダーが前記第1のイオンビームの中心軸の光路内に前記コーティング材料の一部を配置し、前記第1のイオンビームと前記コーティング材料の反応は前記真空チャンバ内でスパッタリングされたコーティング材料を生成することを特徴とし;
    ii)前記静止位置は、前記コーティングドナーホルダーが前記第1のイオンビームの中心軸の光路内に前記コーティング材料を配置しないことを特徴とし;
    c)着脱可能に第2のサンプルホルダーを保持するように構成され、リフティング軸及びリフティングドライブを備えるサンプル保持ステージ;
    i)前記第2のサンプルホルダーは、所定の位置及び方向において着脱可能に第1のサンプルホルダーを保持するように構成され;
    A)前記第1のサンプルホルダーは、所定の位置及び方向において前記サンプルを保持するように構成され;さらに、前記第1のサンプルホルダーは、前記第2のサンプルホルダーが前記サンプル保持ステージから離れることなく、前記第2のサンプルホルダーから離れることができることを特徴とし;
    ii)前記リフティングドライブは、前記リフティング軸に沿ってミリング位置とコーティング位置との間で前記サンプル保持ステージを移動するように動作可能であり;
    A)前記ミリング位置は、前記第1のイオンビームの中心軸の光路内に前記サンプルの少なくとも一部を保持するように、サンプル保持ステージが配置されることを特徴とし;
    B)前記コーティング位置は、前記サンプルが前記第1のイオンビームの中心軸と交差しないように、サンプル保持ステージが配置されることを特徴とし、さらに、前記真空チャンバに存在する前記スパッタリングされたコーティング材料のコーティング部分を受け取るように、前記サンプルの少なくとも一部が配置されることを特徴とする、
    d)前記第1のイオンビーム照射手段と動作可能に連結され、前記第1のイオンビームの中心軸の方向に少なくとも2つの異なるチルト角の間で移動するように構成されたチルトドライブ、
    を備える。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4162094B2 (ja) * 2006-05-30 2008-10-08 三菱重工業株式会社 常温接合によるデバイス、デバイス製造方法ならびに常温接合装置
KR102464623B1 (ko) * 2018-02-28 2022-11-09 주식회사 히타치하이테크 이온 밀링 장치 및 이온 밀링 장치의 이온원 조정 방법
JP7097458B2 (ja) * 2018-04-02 2022-07-07 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド インラインチャンバメテロロジ-
KR102477825B1 (ko) * 2020-12-07 2022-12-16 (주)씨엠디엘 열안정성 평가 장치용 카메라 셔터 유닛 및 이를 갖는 열안정성 평가 장치
US20230377833A1 (en) * 2022-05-19 2023-11-23 Fei Company System and methods for automated processing of multiple samples in a bib system

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04123254U (ja) 1991-04-12 1992-11-06 オリンパス光学工業株式会社 イオンビームスパツタリング装置
JPH08171882A (ja) * 1994-12-19 1996-07-02 Hitachi Ltd 集束イオンビーム装置および試料前処理方法
US5922179A (en) 1996-12-20 1999-07-13 Gatan, Inc. Apparatus for etching and coating sample specimens for microscopic analysis
JP4275769B2 (ja) * 1998-06-19 2009-06-10 株式会社渡辺商行 基体の移載装置
US6768110B2 (en) * 2000-06-21 2004-07-27 Gatan, Inc. Ion beam milling system and method for electron microscopy specimen preparation
CA2483260C (en) 2002-05-06 2008-12-09 Guardian Industries Corp. Sputter coating apparatus including ion beam source(s), and corresponding method
EP1585999A4 (en) 2002-08-02 2008-09-17 E A Fischione Instr Inc METHOD AND DEVICE FOR PREPARING SAMPLES FOR MICROSCOPY
JP2004087342A (ja) 2002-08-28 2004-03-18 Jeol Ltd 荷電粒子線を用いた観察装置
US7053362B2 (en) 2003-05-02 2006-05-30 Mitutoyo Corporation Absolute position miniature grating encoder readhead using fiber optic receiver channels
US6946064B2 (en) * 2003-07-08 2005-09-20 International Business Machines Corporation Sample mount for performing sputter-deposition in a focused ion beam (FIB) tool
JP4123254B2 (ja) 2005-07-27 2008-07-23 トヨタ自動車株式会社 内燃機関の失火判定装置および内燃機関の失火判定方法
JP2007291420A (ja) * 2006-04-21 2007-11-08 Canon Inc スパッタ装置
US20120015195A1 (en) 2007-01-29 2012-01-19 Guardian Industries Corp. and C.R.V.C. Method of making heat treated and ion-beam etched/milled coated article using diamond-like carbon (dlc) coating and protective film
US8445874B2 (en) * 2010-04-11 2013-05-21 Gatan Inc. Ion beam sample preparation apparatus and methods
US9374388B2 (en) 2011-03-03 2016-06-21 Nec Corporation Policy arbitration method, policy arbitration server, and program
US8740209B2 (en) 2012-02-22 2014-06-03 Expresslo Llc Method and apparatus for ex-situ lift-out specimen preparation
US10110854B2 (en) 2012-07-27 2018-10-23 Gatan, Inc. Ion beam sample preparation apparatus and methods

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