JP6512988B2 - マイクロメカニカルガスセンサ装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
基板と、
この基板とは反対側を向いた上側面、基板側を向いた下側面、および、検知すべきガスが通流可能な側面を有する、基板上に設けられた多孔性領域と、
上側面を少なくとも部分的に覆う被覆領域であって、ガスを多孔性領域に導くことの可能な1つまたは複数のガス進入チャネルを有する被覆領域と、
多孔性領域内のガスにおいて伝搬可能な電磁信号を形成する信号形成装置と、
ガスにおいて伝搬した後の電磁信号を受信する信号受信装置と、
ガスにおいて伝搬した際の電磁信号の変化に基づき、ガスの少なくとも1つの化学的または物理的なパラメタを求める評価装置とを有するマイクロメカニカルガスセンサ装置を構成する、ことによって解決される。
基板を準備し、
基板とは反対側を向いた上側面、基板側を向いた下側面、および、検知すべきガスが通流可能な側面を有する多孔性領域を基板上に形成し、
上側面を少なくとも部分的に覆う被覆領域であって、ガスを多孔性領域に導くことの可能な1つまたは複数のガス進入チャネルを有する被覆領域を形成し、
多孔性領域内のガスにおいて伝搬可能な電磁信号を形成する信号形成装置を形成し、
ガスにおいて伝搬した後の電磁信号を受信する信号受信装置を形成し、
ガスにおいて伝搬した際の電磁信号の変化に基づき、ガスの少なくとも1つの化学的または物理的なパラメタを求める評価装置を形成する製造方法によって解決される。
Claims (13)
- 基板(1,5)と、
当該基板(1,5)とは反対側を向いた上側面(O)、前記基板(1,5)側を向いた下側面(U)、および、検知すべきガスが通流可能な側面(SF)を有する、前記基板(1,5)上に設けられた多孔性領域(10,10a)と、
前記上側面(O)を少なくとも部分的に覆う被覆領域(50,50a)であって、前記ガスを前記多孔性領域(10,10a)に導くことの可能な1つまたは複数のガス進入チャネル(T1,T2)を有する被覆領域(50,50a)と、
前記多孔性領域(10,10a)内の前記ガスにおいて伝搬可能な電磁信号(W2,W0,W2’,W0’)を形成する信号形成装置(S)と、
前記ガスにおいて伝搬した後の前記電磁信号(W2,W0,W2’,W0’)を受信する信号受信装置(E)と、
前記ガスにおいて伝搬した際の前記電磁信号(W2,W0,W2’,W0’)の変化に基づき、前記ガスの少なくとも1つの化学的または物理的なパラメタを求める評価装置(100)とを有する、
ことを特徴とするマイクロメカニカルガスセンサ装置。 - 前記被覆領域(50,50a)は、前記上側面(O)を完全に覆っており、
前記側面(SF)の少なくとも1つの領域(11,12)を通して前記多孔性領域(10,10a)に前記ガスを導くことができる、
請求項1に記載のマイクロメカニカルガスセンサ装置。 - 前記信号形成装置(S)および前記信号受信装置(E)は、前記上側面(O)において前記被覆領域(50,50a)に埋め込まれている、
請求項1または2に記載のマイクロメカニカルガスセンサ装置。 - 前記信号形成装置(S)は、前記上側面(O)において前記被覆領域(50,50a)内に埋め込まれており、
前記信号受信装置(E)は、前記下側面(U)において前記基板(1,5)内に埋め込まれている、
請求項1または2に記載のマイクロメカニカルガスセンサ装置。 - 前記多孔性領域(10a)は、前記ガスを導くことの可能な空洞(K)を有しており、
前記信号形成装置(S)は、前記電磁信号(W2’,W0’)が前記空洞(K)内のガスにおいて伝搬できるように構成されている、
請求項1から4までのいずれか1項に記載のマイクロメカニカルガスセンサ装置。 - 前記多孔性領域(10,10a)を状態調整する状態調整装置(K)が設けられている、
請求項1から5までのいずれか1項に記載のマイクロメカニカルガスセンサ装置。 - 前記基板(1,5)は、ウェハ基板(1)と、当該ウェハ基板(1)上に設けられた第1の酸化物層(5)とを有しており、当該酸化物層(5)は、前記多孔性領域(10,10a)の前記下側面(U)に接して設けられている、
請求項1から6までのいずれか1項に記載のマイクロメカニカルガスセンサ装置。 - 前記被覆領域(50,50a)は、少なくとも1つの第2の酸化物層(50,50a)を有する、
請求項1から7までのいずれか1項に記載のマイクロメカニカルガスセンサ装置。 - 前記多孔性領域(10,10a)は、多孔性ケイ素または酸化された多孔性ケイ素から構成されている、
請求項1から8までのいずれか1項に記載のマイクロメカニカルガスセンサ装置。 - 前記信号形成装置(S)は、交流電流の形態、光ビームの形態、または熱ビームの形態で電磁信号(W2,W0,W2’,W0’)を形成するように構成されている、
請求項1から9までのいずれか1項に記載のマイクロメカニカルガスセンサ装置。 - マイクロメカニカルガスセンサ装置を製造する製造方法において、
該方法は、
基板(1,5)を準備するステップと、
当該基板(1,5)とは反対側を向いた上側面(O)、前記基板(1,5)側を向いた下側面(U)、および、検知すべきガスが通流可能な側面(SF)を有する多孔性領域(10,10a)を前記基板(1,5)上に形成するステップと、
前記上側面(O)を少なくとも部分的に覆う被覆領域(50,50a)であって、前記ガスを前記多孔性領域(10,10a)に導くことの可能な1つまたは複数のガス進入チャネル(T1,T2)を有する被覆領域(50,50a)を形成するステップと、
前記多孔性領域(10,10a)内の前記ガスにおいて伝搬可能な電磁信号(W2,W0,W2’,W0’)を形成する信号形成装置(S)を形成するステップと、
前記ガスにおいて伝搬した後の前記電磁信号(W2,W0,W2’,W0’)を受信する信号受信装置(E)を形成するステップと、
前記ガスにおいて伝搬した際の前記電磁信号(W2,W0,W2’,W0’)の変化に基づき、前記ガスの少なくとも1つの化学的または物理的なパラメタを求める評価装置(100)を形成するステップとを有する、
ことを特徴とする、マイクロメカニカルガスセンサ装置を製造するための製造方法。 - 前記信号形成装置(S)および前記信号受信装置(E)を前記上側面(O)において前記被覆領域(50,50a)に埋め込む、
請求項11に記載の製造方法。 - 前記信号形成装置(S)を前記上側面(O)において前記被覆領域(50,50a)内に埋め込み、
前記信号受信装置(E)を前記下側面(U)において前記基板(1,5)内に埋め込む、
請求項11に記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102014215421.9A DE102014215421A1 (de) | 2014-08-05 | 2014-08-05 | Mikromechanische Gassensorvorrichtung und entsprechendes Herstellungsverfahren |
DE102014215421.9 | 2014-08-05 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016038382A JP2016038382A (ja) | 2016-03-22 |
JP6512988B2 true JP6512988B2 (ja) | 2019-05-15 |
Family
ID=55134699
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015154060A Expired - Fee Related JP6512988B2 (ja) | 2014-08-05 | 2015-08-04 | マイクロメカニカルガスセンサ装置およびその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6512988B2 (ja) |
CN (1) | CN105334291A (ja) |
DE (1) | DE102014215421A1 (ja) |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5169513A (en) * | 1984-06-06 | 1992-12-08 | Ngk Insulators, Ltd. | Electrochemical element and method of making |
JPH08122287A (ja) * | 1994-10-24 | 1996-05-17 | Ngk Insulators Ltd | ガス成分の濃度の測定装置および方法 |
CN1862255A (zh) * | 2005-05-10 | 2006-11-15 | 住友电气工业株式会社 | 气敏传感器 |
CN101008630A (zh) * | 2006-01-23 | 2007-08-01 | 株式会社电装 | 用于气体传感器的气体检测元件及制造该元件的方法 |
JP5008503B2 (ja) * | 2007-08-28 | 2012-08-22 | 日本碍子株式会社 | ガスセンサ |
JP5051660B2 (ja) * | 2008-01-08 | 2012-10-17 | 日本特殊陶業株式会社 | ガスセンサ素子及びガスセンサ |
FR2934051B1 (fr) * | 2008-07-16 | 2011-12-09 | Commissariat Energie Atomique | Detecteur d'humidite capacitif a dielectrique hydrophile nanoporeux |
CN101799443A (zh) * | 2010-03-16 | 2010-08-11 | 天津大学 | 制备多孔硅基底氧化钨纳米薄膜气敏传感器的方法 |
CN101907560A (zh) * | 2010-07-27 | 2010-12-08 | 浙江大学 | 基于纳米多孔反射传感材料的氨气传感器及检测方法 |
JP5748211B2 (ja) * | 2011-05-26 | 2015-07-15 | フィガロ技研株式会社 | ガス検出装置とガス検出方法 |
DE102012211460A1 (de) | 2012-07-03 | 2014-01-09 | Robert Bosch Gmbh | Gassensor und Verfahren zum Herstellen eines solchen |
-
2014
- 2014-08-05 DE DE102014215421.9A patent/DE102014215421A1/de not_active Withdrawn
-
2015
- 2015-08-04 CN CN201510659254.9A patent/CN105334291A/zh active Pending
- 2015-08-04 JP JP2015154060A patent/JP6512988B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105334291A (zh) | 2016-02-17 |
JP2016038382A (ja) | 2016-03-22 |
DE102014215421A1 (de) | 2016-02-11 |
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Legal Events
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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