JP6511675B2 - 薄膜共振器の製造方法及び装置 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 64
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 39
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 190
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 55
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 50
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 claims description 46
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 16
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 16
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 15
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 10
- 238000004088 simulation Methods 0.000 claims description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 239000000047 product Substances 0.000 description 14
- 238000013461 design Methods 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005365 phosphate glass Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- XLUBVTJUEUUZMR-UHFFFAOYSA-B silicon(4+);tetraphosphate Chemical group [Si+4].[Si+4].[Si+4].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O XLUBVTJUEUUZMR-UHFFFAOYSA-B 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
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- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H2003/021—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the air-gap type
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H2003/023—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the membrane type
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H2003/025—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks comprising an acoustic mirror
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
- H03H2003/0414—Resonance frequency
- H03H2003/0421—Modification of the thickness of an element
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- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
- H03H2003/0414—Resonance frequency
- H03H2003/0421—Modification of the thickness of an element
- H03H2003/0428—Modification of the thickness of an element of an electrode
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- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
- H03H2003/0414—Resonance frequency
- H03H2003/0421—Modification of the thickness of an element
- H03H2003/0435—Modification of the thickness of an element of a piezoelectric layer
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- H03H2003/0414—Resonance frequency
- H03H2003/0421—Modification of the thickness of an element
- H03H2003/0442—Modification of the thickness of an element of a non-piezoelectric layer
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- H03H2003/0414—Resonance frequency
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Description
既に堆積した各膜層の厚みを検出することと、
検出された膜層厚みが標準厚み範囲内ではない時、質量負荷層が堆積されたか否かを判定し、NOであると、堆積待ちの膜層を選択して厚み補償を行って、補償後の膜層厚みと目標周波数偏移に基づいて、前記目標周波数偏移の発生に必要な質量負荷層の厚みを計算することと、前記標準厚み範囲は前記共振器の目標周波数及び工程生産力によって決められ、
補償後の堆積待ちの膜層厚みと再び算出した質量負荷層の厚みに応じて、後続の薄膜堆積を行うことと、を含む薄膜共振器の製造方法を提供する。
各堆積待ちの膜層に対して厚み補償のシミュレーションを行うことと、
各堆積待ちの膜層に厚み補償を行った時の対応する周波数偏移を算出することと、
各堆積待ちの膜層に厚み補償を行った時の対応する周波数偏移と目標周波数偏移とを比較し、目標周波数偏移との偏差が最も小さい膜層厚み補償を確定することと、を含む。
確定された膜層厚み補償を評価し、評価結果が予定の条件を満たす場合、前記確定された膜層厚み補償に基づいて後続の薄膜堆積を行うことと、を含む。
目標周波数偏移との最小偏差がフィルターの性能に明確な影響をもたらすか否かを評価し、NOであると、予定の条件を満たし、前記確定された膜層厚み補償に基づいて後続の薄膜堆積を行うことを含み、
前記フィルターは少なくとも二つの前記共振器からなる。
既に堆積した各膜層の厚みを検出するように構成される検出手段と、
検出された膜層厚みが標準厚み範囲内ではない時、質量負荷層を堆積したか否かを判定するように構成される判定手段と、
前記判定手段によってNOと判定された場合、堆積待ちの膜層を選択して厚み補償を行って、補償後の膜層厚みと目標周波数偏移に基づいて、前記目標周波数偏移の発生に必要な質量負荷層の厚みを計算するように構成される処理手段と、前記標準厚み範囲は前記共振器の目標周波数及び工程生産力によって決められ、
補償後の堆積待ちの膜層厚みと再び算出した質量負荷層の厚みに応じて、後続の薄膜堆積を行うように構成される薄膜堆積手段と、を含む薄膜共振器の製造装置を提供する。
前記薄膜堆積手段はさらに、確定された膜層厚み補償に基づいて、後続の薄膜堆積を行うように構成される。
周波数偏移に対する影響が最も小さい膜層厚み補償を確定した後、前記確定された膜層厚み補償に基づいて、後続の薄膜堆積を行う前、確定された膜層厚み補償を評価し、評価結果が予定の条件を満たす場合、前記薄膜堆積手段に前記確定された膜層厚み補償に基づいて後続の薄膜堆積を行うことを通知するように構成される評価手段を更に含む。
本発明の実施例は薄膜共振器の製造方法及び装置を提供し、必要な周波数偏移を精確に発生して製品の収率を向上させることができる。本発明の実施例に係る製造方法は、既に堆積した各膜層の厚みを検出することと、検出された膜層厚みが標準厚み範囲内ではない時、質量負荷層が堆積されたか否かを判定し、NOであると、堆積待ちの膜層を選択して厚み補償を行って、補償後の膜層厚みと目標周波数偏移に基づいて、前記目標周波数偏移の発生に必要な質量負荷層の厚みを計算することと、標準厚み範囲は共振器の目標周波数及び工程生産力によって決められ、補償後の堆積待ちの膜層厚みと再び算出した質量負荷層の厚みに応じて、後続の薄膜堆積を行うことと、を含み、本発明の実施例の製造方法によると、製造中に一つの層の膜厚みが規定された標準を超える時、製造されていない膜層の厚みを修正し、共振器全体の周波数が目標値から偏移しない条件で、所定の共振器で必要な周波数偏移量を精確に発生するように、再び質量負荷層の厚みを計算し、該方法によると、別途の工程を追加する必要がなく、既存技術に比べ、本発明の実施例の製造方法によると、製品の収率を向上させると共に、製造コストを低減することができる。
(実施例1)
図5に示すように、本実施例は薄膜共振器の製造方法を提供し、以下のステップを含む。
検出された膜層厚みが標準厚み範囲内ではない時、質量負荷層が堆積されたか否かを判定し(ステップ502)、NOであると、ステップ503を実行し、YESであると、ステップ505を実行する。
補償後の堆積待ちの膜層厚みと再び算出した質量負荷層の厚みに応じて、後続の薄膜堆積を行い(ステップ504)、
他の補完措置を利用する(ステップ505)。
既に堆積した各膜層の厚みをオンラインで検出し(ステップ701)、
検出された膜層の厚みが標準厚み範囲内ではないと(ステップ702)、
前記質量負荷層を既に堆積したか否かを判定し(ステップ703)、YESであると、ステップ704を実行し、NOであると、ステップ706を実行し、
前記共振器の基礎周波数を不変に保証した状況下、異なる堆積待ちの膜層を選択して厚み補償を行い、周波数偏移に対する影響が最も小さい膜層厚み補償を確定し(ステップ704)、
確定された膜層厚み補償に基づいて、後続の薄膜堆積を行い(ステップ705)、
堆積待ちの膜層を選択して厚み補償を行って、補償後の膜層厚みと目標周波数偏移に基づいて、前記目標周波数偏移の発生に必要な質量負荷層の厚みを計算し(ステップ706)、前記標準厚み範囲は前記共振器の目標周波数及び工程生産力によって決められ、
補償後の堆積待ちの膜層厚みと再び算出した質量負荷層の厚みに応じて、後続の薄膜堆積を行う(ステップ707)ことを更に含む。
各堆積待ちの膜層に対して厚み補償のシミュレーションを行うことと、
各堆積待ちの膜層に厚み補償を行った時の対応する周波数偏移を算出することと、
各堆積待ちの膜層に厚み補償を行った時の対応する周波数偏移と目標周波数偏移とを比較し、目標周波数偏移との偏差が最も小さい膜層厚み補償を確定することと、を含む。
(実施例2)
本実施例は、図8に示す薄膜圧電バルク弾性波共振器の製造を例に、実施例1の薄膜共振器の製造方法を説明する。図9に示すように、本実施例の薄膜圧電バルク弾性波共振器の製造は以下のようなステップに分けられる。
(実施例3)
本実施例において図10に示す薄膜圧電バルク弾性波共振器の製造を例に、実施例1の薄膜共振器の製造方法を説明する。ここで、f1は現在の構造から膜層Mを除去した後の素子の電気学共振周波数、即ち共振器の基礎周波数であって、f2は現在の構造であるM層厚みを含む素子の電気学共振周波数、即ち共振器の目標周波数であると定義する。
(実施例4)
図12に示すように、本実施例で提供される薄膜共振器の製造装置は、
既に堆積した各膜層の厚みを検出するように構成される検出手段と、
検出された膜層厚みが標準厚み範囲内ではない時、質量負荷層を堆積したか否かを判定するように構成される判定手段と、
前記判定手段によってNOと判定された場合、堆積待ちの膜層を選択して厚み補償を行って、補償後の膜層厚みと目標周波数偏移に基づいて、前記目標周波数偏移の発生に必要な質量負荷層の厚みを計算するように構成される処理手段と、前記標準厚み範囲は前記共振器の目標周波数及び工程生産力によって決められ、
補償後の堆積待ちの膜層厚みと再び算出した質量負荷層の厚みに応じて、後続の薄膜堆積を行うように構成される薄膜堆積手段と、を含む。
前記薄膜堆積手段はさらに、確定された膜層厚み補償に基づいて、後続の薄膜堆積を行うように構成されることが好ましい。
周波数偏移に対する影響が最も小さい膜層厚み補償を確定した後、前記確定された膜層厚み補償に基づいて、後続の薄膜堆積を行う前、確定された膜層厚み補償を評価し、評価結果が予定の条件を満たす場合、前記確定された膜層厚み補償に基づいて後続の薄膜堆積を行うことを、前記薄膜堆積手段に通知するように構成される評価手段を更に含むことが好ましい。
Claims (8)
- 既に堆積した各膜層の厚みを検出することと、
検出された膜層厚みが標準厚み範囲内ではない時、質量負荷層が堆積されたか否かを判定し、前記質量負荷層が堆積されていない場合、堆積待ちの膜層を選択して厚み補償を行って、補償後の膜層厚みと共振器の基礎周波数から前記共振器の目標周波数への目標周波数偏移に基づいて、前記目標周波数偏移の発生に必要な質量負荷層の厚みを計算することと、
ここで、前記標準厚み範囲は前記目標周波数及び工程生産力によって決められ、前記質量負荷層は前記目標周波数偏移を発生するように構成され、前記基礎周波数は前記既に堆積した各膜層と前記堆積待ちの膜層の共振周波数であって、前記目標周波数は前記質量負荷層、前記既に堆積した各膜層と前記堆積待ちの膜層の共振周波数であり、
補償後の堆積待ちの膜層厚みと再び算出した質量負荷層の厚みに応じて、後続の薄膜堆積を行うことと、
前記質量負荷層を堆積済みである場合、前記基礎周波数を不変に保証した状況に、異なる堆積待ちの膜層を選択して厚み補償を行い、周波数偏移に対する影響が最も小さい膜層厚み補償を確定し、確定された膜層厚み補償に基づいて、後続の薄膜堆積を行うことと、を含む薄膜共振器の製造方法。 - 前記異なる堆積待ちの膜層を選択して厚み補償を行い、周波数偏移に対する影響が最も小さい膜層厚み補償を確定するステップは、
各堆積待ちの膜層に対して厚み補償のシミュレーションを行うことと、
各堆積待ちの膜層に厚み補償を行った時の対応する周波数偏移を算出することと、
各堆積待ちの膜層に厚み補償を行った時の対応する周波数偏移と目標周波数偏移とを比較し、目標周波数偏移との偏差が最も小さい膜層厚み補償を確定することと、を含む請求項1に記載の方法。 - 周波数偏移に対する影響が最も小さい膜層厚み補償を確定した後、前記確定された膜層厚み補償に基づいて、後続の薄膜堆積を行う前、さらに、
確定された膜層厚み補償を評価し、評価結果が予定の条件を満たす場合、前記確定された膜層厚み補償に基づいて後続の薄膜堆積を行うことと、を含む請求項2に記載の方法。 - 前記確定された膜層厚み補償を評価し、評価結果が製造要求を満たす場合、前記確定された膜層厚み補償に基づいて後続の薄膜堆積を行うステップは、
目標周波数偏移との最小偏差がフィルターの性能に明確な影響をもたらすか否かを評価し、NOであると、予定の条件を満たし、前記確定された膜層厚み補償に基づいて後続の薄膜堆積を行うことを含み、
前記フィルターは少なくとも二つの前記共振器からなる請求項3に記載の方法。 - 既に堆積した各膜層の厚みを検出するように構成される検出手段と、
検出された膜層厚みが標準厚み範囲内ではない時、質量負荷層を堆積したか否かを判定するように構成される判定手段と、
前記質量負荷層が堆積されていない場合、堆積待ちの膜層を選択して厚み補償を行って、補償後の膜層厚みと共振器の基礎周波数から前記共振器の目標周波数への目標周波数偏移に基づいて、前記目標周波数偏移の発生に必要な質量負荷層の厚みを計算するように構成される処理手段と、
ここで、前記標準厚み範囲は前記目標周波数及び工程生産力によって決められ、前記質量負荷層は前記目標周波数偏移を発生するように構成され、前記基礎周波数は前記既に堆積した各膜層と前記堆積待ちの膜層の共振周波数であって、前記目標周波数は前記質量負荷層、前記既に堆積した各膜層と前記堆積待ちの膜層の共振周波数であり、
補償後の堆積待ちの膜層厚みと再び算出した質量負荷層の厚みに応じて、後続の薄膜堆積を行うように構成される薄膜堆積手段と、を含み、
前記処理手段はさらに、前記質量負荷層を堆積済みである場合、前記基礎周波数を不変に保証した状況に、異なる堆積待ちの膜層を選択して厚み補償を行い、周波数偏移に対する影響が最も小さい膜層厚み補償を確定するように構成され、前記薄膜堆積手段はさらに、確定された膜層厚み補償に基づいて、後続の薄膜堆積を行うように構成される薄膜共振器の製造装置。 - 前記処理手段は、各堆積待ちの膜層に対して厚み補償のシミュレーションを行って、各堆積待ちの膜層に厚み補償を行った時の対応する周波数偏移を算出し、各堆積待ちの膜層に厚み補償を行った時の対応する周波数偏移と目標周波数偏移とを比較し、目標周波数偏移との偏差が最も小さい膜層厚み補償を確定するように構成される請求項5に記載の装置。
- 周波数偏移に対する影響が最も小さい膜層厚み補償を確定した後、前記確定された膜層厚み補償に基づいて、後続の薄膜堆積を行う前、確定された膜層厚み補償を評価し、評価結果が予定の条件を満たす場合、前記薄膜堆積手段に前記確定された膜層厚み補償に基づいて後続の薄膜堆積を行うことを通知するように構成される評価手段を更に含む請求項6に記載の装置。
- 前記評価手段は、目標周波数偏移との最小偏差がフィルターの性能に明確な影響をもたらすか否かを評価し、NOであると、予定の条件を満たし、前記薄膜堆積手段に前記確定された膜層厚み補償に基づいて後続の薄膜堆積を行うことを通知するように構成され、前記フィルターは少なくとも二つの前記共振器からなる請求項7に記載の装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310501329.1 | 2013-10-23 | ||
CN201310501329.1A CN104579233B (zh) | 2013-10-23 | 2013-10-23 | 一种薄膜谐振器的制作方法及装置 |
PCT/CN2014/080442 WO2015058541A1 (zh) | 2013-10-23 | 2014-06-20 | 一种薄膜谐振器的制作方法及装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016537875A JP2016537875A (ja) | 2016-12-01 |
JP6511675B2 true JP6511675B2 (ja) | 2019-05-15 |
Family
ID=52992204
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016526170A Active JP6511675B2 (ja) | 2013-10-23 | 2014-06-20 | 薄膜共振器の製造方法及び装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP3062441B1 (ja) |
JP (1) | JP6511675B2 (ja) |
KR (1) | KR101857379B1 (ja) |
CN (1) | CN104579233B (ja) |
WO (1) | WO2015058541A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109951171B (zh) * | 2019-03-26 | 2023-09-01 | 浙江华远微电科技有限公司 | 薄膜体声波谐振器和滤波器的制备方法 |
CN110212882B (zh) * | 2019-05-13 | 2020-08-11 | 电子科技大学 | 空腔型体声波谐振器的制备方法及空腔型体声波谐振器 |
CN111934643B (zh) * | 2020-07-13 | 2021-06-01 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 压电层双侧设置质量负载的体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
CN117155321B (zh) * | 2023-11-01 | 2024-03-26 | 山东盈和电子科技有限公司 | 谐振器的生产工艺调整方法及调整系统 |
CN117879523A (zh) * | 2024-03-12 | 2024-04-12 | 华南理工大学 | 一种可调谐薄膜体声波谐振器的制备系统 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6339276B1 (en) * | 1999-11-01 | 2002-01-15 | Agere Systems Guardian Corp. | Incremental tuning process for electrical resonators based on mechanical motion |
JP3984441B2 (ja) * | 2001-07-26 | 2007-10-03 | 松下電器産業株式会社 | 圧電薄膜振動子及びフィルタ |
US6949268B2 (en) * | 2002-06-28 | 2005-09-27 | Intel Corporation | Frequency uniformity of film bulk acoustic resonators |
US20040017130A1 (en) * | 2002-07-24 | 2004-01-29 | Li-Peng Wang | Adjusting the frequency of film bulk acoustic resonators |
GB0308249D0 (en) * | 2003-04-10 | 2003-05-14 | Trikon Technologies Ltd | Method of depositing piezoelectric films |
US7227292B2 (en) * | 2003-04-10 | 2007-06-05 | Aviza Technologies, Inc. | Methods of depositing piezoelectric films |
US6975184B2 (en) * | 2003-05-30 | 2005-12-13 | Intel Corporation | Adjusting the frequency of film bulk acoustic resonators |
US7868522B2 (en) * | 2005-09-09 | 2011-01-11 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Adjusted frequency temperature coefficient resonator |
US20070139140A1 (en) * | 2005-12-20 | 2007-06-21 | Rao Valluri R | Frequency tuning of film bulk acoustic resonators (FBAR) |
DE102006054348B4 (de) * | 2006-06-02 | 2013-04-04 | Albert-Ludwigs-Universität Freiburg | Schichtdickensensor und Verfahren zur Überwachung von Abscheideprozessen |
US7535324B2 (en) * | 2007-06-15 | 2009-05-19 | Avago Technologies Wireless Ip, Pte. Ltd. | Piezoelectric resonator structure and method for manufacturing a coupled resonator device |
CN102075161B (zh) * | 2011-01-20 | 2013-06-05 | 张�浩 | 声波器件及其制作方法 |
US8438924B2 (en) * | 2011-02-03 | 2013-05-14 | Inficon, Inc. | Method of determining multilayer thin film deposition on a piezoelectric crystal |
-
2013
- 2013-10-23 CN CN201310501329.1A patent/CN104579233B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-06-20 EP EP14855594.9A patent/EP3062441B1/en active Active
- 2014-06-20 KR KR1020167013377A patent/KR101857379B1/ko active IP Right Grant
- 2014-06-20 WO PCT/CN2014/080442 patent/WO2015058541A1/zh active Application Filing
- 2014-06-20 JP JP2016526170A patent/JP6511675B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016537875A (ja) | 2016-12-01 |
KR20160072256A (ko) | 2016-06-22 |
CN104579233A (zh) | 2015-04-29 |
CN104579233B (zh) | 2018-12-04 |
WO2015058541A1 (zh) | 2015-04-30 |
EP3062441A4 (en) | 2016-11-02 |
EP3062441B1 (en) | 2019-06-05 |
KR101857379B1 (ko) | 2018-06-20 |
EP3062441A1 (en) | 2016-08-31 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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