CN104579233A - 一种薄膜谐振器的制作方法及装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种薄膜谐振器的制作方法及装置。本发明的制作方法包括：检测已经淀积的各膜层的厚度；当检测到的膜层厚度不在标准厚度范围内时，判断质量加载层是否已经淀积，若否，则选取未淀积的膜层进行厚度补偿，根据补偿后的膜层厚度和目标频率偏移计算出产生所述目标频率偏移所需的质量加载层的厚度；所述标准厚度范围由所述谐振器的目标频率以及工艺生产能力决定；按照补偿后的未淀积的膜层厚度以及重新计算出的质量加载层的厚度进行后续的薄膜淀积；本发明的制作方法及装置能够精确地产生所需的频率偏移，提高产品的良率。

Description

一种薄膜谐振器的制作方法及装置
技术领域
本发明涉及电子技术领域，尤其涉及一种薄膜谐振器的制作方法及装置。
背景技术
利用压电薄膜在厚度方向的纵向谐振所制成的薄膜压电体声波谐振器，在手机通讯和高速串行数据应用等方面已成为声表面波器件和石英晶体谐振器的一个可行的替代。射频前端体声波压电滤波器/双工器提供优越的滤波特性，例如低插入损耗，陡峭的过渡带，较大的功率容量，较强的抗静电放电(ESD)能力。具有超低频率温度漂移的高频薄膜压电体波振荡器，其相位噪声低，功耗低且带宽调制范围大。除此之外，这些微型薄膜压电体声波谐振器在硅衬底上使用互补式金属氧化物半导体(CMOS)兼容的加工工艺，这样可以降低单位器件成本，并有利于最终与CMOS电路集成。
典型的薄膜压电体声波谐振器包括两个金属电极、位于上下电极之间的压电材料以及位于底电极下面的声反射结构。图1是以基底空腔作为声反射结构的体声波谐振器的截面图，声波在底电极与空腔中空气的交界面上会发生良好的反射。图2是以布拉格反射层作为声反射结构的体声波谐振器的截面图，间隔的高、低声学阻抗材料提供的声波反射效果要弱于空腔型反射结构，但是布拉格反射层易于制作，并且结构稳定。当在电极之间施加一定频率的电压信号时，由于压电材料所具有的逆压电效应，电极之间会产生垂直方向传播的声波，声波在上电极与空气交界面和底电极下的声反射结构之间来回反射，当声波满足一定频率条件时会发生谐振，于是一个典型的薄膜压电体声波谐振器表现出如图3所示的电学频率-阻抗特性。
一个由薄膜体声波压电谐振器构成的滤波器通常由两种或几种谐振频率不同的谐振器组成。为使滤波器达到理想的通带性能，对于不同频率谐振器之间的谐振频率偏差有着严格的要求。图4所示，是一种由薄膜压电体声波谐振器组成的滤波器的拓扑结构实例，为使滤波器达到最佳的通带性能，并联谐振器2,4要比串联谐振器1,3,5低一定的频率。公知的一种调整薄膜压电体声波谐振器谐振频率的方法是通过调整电极厚度引起电极质量变化，由此产生质量加载效应(mass loading effect)使得谐振器谐振频率发生变化。通过对指定的谐振器淀积一定厚度的质量加载层可以产生所需要的谐振频率偏移，频率偏移和需要增加的质量加载层厚度之间的关系可以通过模型计算出来。
但是在实际的生产制作过程中，薄膜的淀积尤其是对于厚度较大薄膜的淀积难以避免地存在着厚度的误差，在产品的薄膜淀积监控中通常会对淀积的各个膜层厚度进行监控，当检测到某一先淀积膜层厚度偏离理想值超过一定范围时，为了保证产品的良率，使得最终产品的频率可以满足设计的要求，会对接下来将要淀积的膜层厚度进行补偿。但是，声反射结构上面所有膜层的厚度均对谐振器的谐振频率有着或大或小的影响，由于不同层的声波传输特性不同，不同层之间厚度比例改变之后，同样厚度的质量加载层往往不能使谐振器达到原先设计的谐振频率偏移量，因此进行过膜层厚度补偿的谐振器在原定的质量加载层厚度下不能产生理想的频率偏移量，从而滤波器的带宽及通带性能不能满足要求，影响了产品的良率。
发明内容
本发明要解决的主要技术问题是，提供一种薄膜谐振器的制作方法及装置，能够精确地产生所需的频率偏移，提高产品的良率。
为解决上述技术问题，本发明提供一种薄膜谐振器的制作方法，包括如下步骤：
检测已经淀积的各膜层的厚度；
当检测到的膜层厚度不在标准厚度范围内时，判断质量加载层是否已经淀积，若否，则选取未淀积的膜层进行厚度补偿，根据补偿后的膜层厚度和目标频率偏移计算出产生所述目标频率偏移所需的质量加载层的厚度；所述标准厚度范围由所述谐振器的目标频率以及工艺生产能力决定；
按照补偿后的未淀积的膜层厚度以及重新计算出的质量加载层的厚度进行后续的薄膜淀积。
进一步地，所述方法还包括：当所述质量加载层已经淀积时，在保证所述谐振器基础频率不变的情况下，选取不同的未淀积的膜层进行厚度补偿，确定对频率偏移影响最少的膜层厚度补偿，按照确定的膜层厚度补偿进行后续的薄膜淀积。
进一步地，所述选取不同的未淀积的膜层进行厚度补偿，确定对频率偏移影响最少的膜层厚度补偿的步骤包括：
仿真对各个未淀积的膜层进行厚度补偿；
计算出各个未淀积的膜层经过厚度补偿后对应的频率偏移；
将各个未淀积的膜层经过补偿后对应的频率偏移与目标频率偏移进行比较，确定与目标频率偏移偏差最小的膜层厚度补偿。
进一步地，在确定对频率偏移影响最少的膜层厚度补偿之后，所述按照确定的膜层厚度补偿进行后续的薄膜淀积之前还包括：
对确定的膜层厚度补偿进行评估，当评估结果满足预设条件时，按照所述确定的膜层厚度补偿进行后续的薄膜淀积。
进一步地，所述对确定的膜层厚度补偿进行评估，当评估结果满足制作要求时，按照所述确定的膜层厚度补偿进行后续的薄膜淀积的步骤包括：
评估与目标频率偏移的最小偏差是否对滤波器的性能产生明显的影响，若否，满足预设条件，按照所述确定的膜层厚度补偿进行后续的薄膜淀积；
所述滤波器由至少两个所述谐振器组成。
同样为了解决上述的技术问题本发明还提供了一种薄膜谐振器的制作装置包括：检测模块、判断模块、处理模块以及薄膜淀积模块；
所述检测模块用于检测已经淀积的各膜层的厚度；；
所述判断模块用于当检测到的膜层厚度不在标准厚度范围内时，判断质量加载层是否已经淀积；
所述处理模块用于在所述判断模块判断为否的情况下，选取未淀积的膜层进行厚度补偿，根据补偿后的膜层厚度和目标频率偏移计算出产生所述目标频率偏移所需的质量加载层的厚度；所述标准厚度范围由所述谐振器的目标频率以及工艺生产能力决定；
所述薄膜淀积模块用于按照补偿后的未淀积的膜层厚度以及重新计算出的质量加载层的厚度进行后续的薄膜淀积。
进一步地，所述处理模块还用于在判断模块判断为是时，在保证所述谐振器基础频率不变的情况下，选取不同的未淀积的膜层进行厚度补偿，确定对频率偏移影响最少的膜层厚度补偿；
所述薄膜淀积模块还用于按照确定的膜层厚度补偿进行后续的薄膜淀积。
进一步地，所述处理模块用于仿真对各个未淀积的膜层进行厚度补偿，计算出各个未淀积的膜层经过厚度补偿后对应的频率偏移，将各个未淀积的膜层经过补偿后对应的频率偏移与目标频率偏移进行比较，确定与目标频率偏移偏差最小的膜层厚度补偿。
进一步地，所述装置还包括：评估模块；
所述评估模块用于在确定对频率偏移影响最少的膜层厚度补偿之后，所述按照确定的膜层厚度补偿进行后续的薄膜淀积之前对确定的膜层厚度补偿进行评估，当评估结果满足预设条件时，通知所述薄膜淀积模块按照所述确定的膜层厚度补偿进行后续的薄膜淀积。
进一步地，所述评估模块用于评估与目标频率偏移的最小偏差是否对滤波器的性能产生明显的影响，若否，满足预设条件，通知所述薄膜淀积模块按照所述确定的膜层厚度补偿进行后续的薄膜淀积;所述滤波器由至少两个所述谐振器组成。
本发明的有益效果是：
本发明提供了一种薄膜谐振器的制作方法及装置，能够精确地产生所需的频率偏移，提高产品的良率。本发明的制作方法包括：检测已经淀积的各膜层的厚度；当检测到的膜层厚度不在标准厚度范围内时，判断质量加载层是否已经淀积，若否，则选取未淀积的膜层进行厚度补偿，根据补偿后的膜层厚度和目标频率偏移计算出产生所述目标频率偏移所需的质量加载层的厚度；所述标准厚度范围由所述谐振器的目标频率以及工艺生产能力决定；按照补偿后的未淀积的膜层厚度以及重新计算出的质量加载层的厚度进行后续的薄膜淀积；本发明的制作方法可以当制作过程中某层膜厚度超过制定的标准时，对未制作膜层进行厚度修正，在谐振器整体频率不偏离目标值的条件下，重新计算质量加载层的厚度，使得在指定的谐振器上精确地产生需要的频率偏移量，该方法不需要增加额外工艺工序，与现有技术相比，本发明的制作方法可以在提高产品良率的同时节省了制作成本。
附图说明
图1为一种以基底上的空腔作为声反射结构的薄膜压电体声波谐振器的结构示意图；
图2为一种以布拉格反射层作为声反射结构的薄膜压电体声波谐振器的结构示意图；
图3为一种薄膜压电体声波谐振器阻抗频率曲线；
图4为一种滤波器拓扑结构示意图；
图5为本发明实施例一提供的一种薄膜谐振器的制作方法的流程示意图；
图6为本发明实施例一提供的一种薄膜压电体声波谐振器的结构示意图；
图7为本发明实施例一提供的另一种薄膜谐振器的制作方法的流程示意图；
图8为本发明实施例二提供的一种薄膜压电体声波谐振器的结构示意图；
图9为本发明实施例二提供的一种薄膜压电体声波谐振器的制作方法的流程示意图；
图10为本发明实施三提供的一种薄膜压电体声波谐振器的结构示意图；
图11为本发明实施例三提供的一种膜压电体声波谐振器的制作方法的流程示意图；
图12为本发明实施例四提供的一种薄膜谐振器的制作装置的结构示意图；
图13为本发明实施例四提供的另一种薄膜的制作装置的结构示意图。
具体实施方式
下面通过具体实施方式结合附图对本发明作进一步详细说明。
实施例一：
如图5所示，本实施例提供了一种薄膜谐振器的制作方法，包括如下步骤：
步骤501：检测已经淀积的各膜层的厚度；
步骤502：当检测到的膜层厚度不在标准厚度范围内时，判断质量加载层是否已经淀积，若否，执行步骤503，若是，执行步骤505
步骤503：选取未淀积的膜层进行厚度补偿，根据补偿后的膜层厚度和目标频率偏移计算出产生所述目标频率偏移所需的质量加载层的厚度；所述标准厚度范围由所述谐振器的目标频率以及工艺生产能力决定；
步骤504：按照补偿后的未淀积的膜层厚度以及重新计算出的质量加载层的厚度进行后续的薄膜淀积；
步骤505：采用其他补救措施。
本实施例的制作方法可以当制作过程中某层膜厚度超过制定的标准时，对未制作膜层进行厚度修正，在谐振器整体频率不偏离目标值的条件下，重新计算质量加载层的厚度，使得在指定的谐振器上精确地产生需要的频率偏移量，该方法不需要增加额外工艺工序，与现有技术相比，本发明的制作方法可以在提高产品良率的同时节省了制作成本。本实施例的中标准厚度范围是由目标频率决定，进一步也可以由工艺能力与产品的频率要求精度权衡而决定。
如图6所示，采用本实施例制作方法制作出的薄膜压电体声波谐振器，其中，膜层S可以是由基底和高、低声学阻抗材料间隔淀积而成的布拉格反射层共同组成的结构，也可以是由基底和牺牲层材料共同构成的结构，在牺牲层材料被除去之后，底电极下形成空气腔结构从而提供极佳的声波反射效率。基底可以是硅，高、低声阻抗材料可以分别是钨(W)和二氧化硅(SiO2)或其他具有较大声阻抗比值的两种材料。牺牲层可以是磷酸硅玻璃（PSG）或是其他易于除去的材料。在基底和声反射结构上方是膜层B，膜层B中必须包括底部金属电极，还可以包括其他膜层，例如SiO2形成的温度补偿层，用于产生频率偏移的质量加载层等。膜层B上是压电层P，可以采用氮化铝（AlN），氧化锌（ZnO）或锆钛酸铅（PZT）或其他合适的压电材料形成。压电层P上面是膜层T，其中必须包括顶部金属电极，还可以包括SiO2形成的温度补偿层，用于产生频率偏移的质量加载层，用于防止器件氧化的表面钝化层等等。其中底部电极和顶部电极可以采用钼（Mo），钨（W）或其他金属材料构成。用于产生一定频率偏移的质量加载层可以采用与顶部电极一样的材料，或根据需要采用不同的材料形成。用于产生所需频率偏移的质量加载层M位于膜层组T或B中的某一层，定义频率偏移为f1-f2。其中f1为当前结构去除质量加载层M后的器件电学谐振频率，f2为当前结构即含有质量加载层M的器件电学谐振频率。
本实施例的制作方法还包括：当所述质量加载层淀积时，在保证所述谐振器基础频率不变的情况下，选取不同的未淀积的膜层进行厚度补偿，确定对频率偏移影响最少的膜层厚度补偿，按照确定的膜层厚度补偿进行后续的薄膜淀积。
如图7所示，本实施例的制作方法可以包括：
步骤701：在线检测已经淀积的各膜层的厚度；
步骤702：检测到的膜层厚度不在标准厚度范围之内；
步骤703：判断所述质量加载层是否已经淀积，若是，则执行步骤704；若否，则执行步骤706；
步骤704：在保证所述谐振器基础频率不变的情况下，选取不同的未淀积的膜层进行厚度补偿，确定对频率偏移影响最少的膜层厚度补偿；
步骤705：按照确定的膜层厚度补偿进行后续的薄膜淀积；
步骤706：选取未淀积的膜层进行厚度补偿，根据补偿后的膜层厚度和目标频率偏移计算出产生所述目标频率偏移所需的质量加载层的厚度；所述标准厚度范围由所述谐振器的目标频率以及工艺生产能力决定；
步骤707：按照补偿后的未淀积的膜层厚度以及重新计算出的质量加载层的厚度进行后续的薄膜淀积。
本实施例的制作方法可以在制作过程中，在质量加载层已经形成完毕的情况下发现某一层厚度超出制定的标准时，对未制作的后续膜层通过模型仿真，在保持谐振器的基础频率不变的情况下，选择对频率偏移影响最少的膜层进行厚度补偿，在可以允许的范围内把膜厚补偿对于频率偏移的影响降到最低。
本实施例的制作方法步骤704中选取不同的未淀积的膜层进行厚度补偿，确定对频率偏移影响最少的膜层厚度补偿的具体过程可以包括：
仿真对各个未淀积的膜层进行厚度补偿；
计算出各个未淀积的膜层经过厚度补偿后对应的频率偏移；
将各个未淀积的膜层经过补偿后对应的频率偏移与目标频率偏移进行比较，确定与目标频率偏移偏差最小的膜层厚度补偿。
本实施例的制作方法，在步骤704和步骤705之间还包括：对确定的膜层厚度补偿进行评估，当评估结果满足预设条件时，按照所述确定的膜层厚度补偿进行后续的薄膜淀积。这样可以确定仿真得到的结果是否能满足设计应用要求，若不能则需要采用额外的工艺步骤对谐振器进行频率偏移的补救。例如，可以评估与目标频率的最小偏差是否对滤波器的性能产生明显的影响，若否，满足预设条件，按照所述确定的膜层厚度补偿进行后续的薄膜淀积，若是，则采用额外的工艺步骤对谐振器进行频率偏移的补救，该滤波器由至少两个所述谐振器组成，参考图4滤波器的结构。
实施例二：
本实施例以制作如图8所示的薄膜压电体声波谐振器为例，来说明实施例一的薄膜谐振器的制作方法。如图9所示，本实施例薄膜压电体声波谐振器的制作过程，主要分为以下步骤：
步骤901：监控产品的在线膜厚测量数据并与标准进行比对，发现已淀积的膜层厚度不在标准膜层厚度范围内。
在薄膜压电体声波谐振器的制作过程中，由于薄膜的淀积或是溅射工艺在生产中不可能保持绝对稳定，所制作的薄膜厚度难以避免地要发生波动，由于薄膜压电体声波谐振器的频率受所有声反射结构上的膜层厚度影响，因此有必要对每一层薄膜的厚度进行在线检测。在线检测可以通过直接在所做的产品上利用台阶仪，椭偏仪等膜厚测试仪器进行厚度的测量，也可以通过附加额外的监控片进行检测。
本实施例中标准膜层厚度范围由工艺能力与产品的频率要求精度权衡而决定，如果发现在线检测膜厚超出了所制定的标准膜层厚度范围，则必须采取一些方案。这时可以进行返工或者增加一些非常规的工序将本层的膜厚调整至标准以内，但是这样增加了制作工序，由此不仅增加了制作成本而且还可能带来一些不稳定性因素影响最终产品的良率。由于薄膜压电体声波谐振器的谐振频率受到声反射结构上所有膜层的厚度影响，因此，优选的一种方案为调整将要做的膜层厚度使最后的器件谐振频率回到标准之内。例如，在本实施例中假设底部电极厚度标准定为3000±100A，在某次测量中发现所制作底部电极厚度为3200A，超出标准，因此需要对后续膜层进行膜厚补偿。
步骤902：在未淀积质量加载层的情况下，以目标频率为准，选取后续未淀积的膜层进行厚度补偿。
本实施例的制作方法中可以选取压电层，顶部电极或其他对频率有影响的膜层。通过将目标频率和已经淀积的膜层厚度代入模型重新计算出选取的后续膜层补偿后的厚度。例如，在本实施例中选取顶部电极进行膜厚补偿，原来顶部电极设计厚度3000A，经模型计算在保证目标频率不变的情况下，顶部电极厚度需要减少200A，即经过补偿后的顶部电极厚度为2800A。
步骤903：将新的膜层厚度代入模型，重新计算产生指定的频率偏移所需要的质量加载层的膜层厚度。
例如，在本实施例中要求同一个滤波器中没有质量加载层和有质量加载层的谐振器之间差值即频率偏移等于20MHz，在顶底电极厚度为3000A的时候，质量加载层的厚度设计为300A。将调整过的顶部电极厚度2800A和原定的质量加载层厚度300A代入模型计算得到实际的频率偏移量22MHz。因此在频率偏移保持20MHz的情况下重新计算质量加载层的厚度得到新的质量加载层厚度为250A。
步骤904：按照重新计算后的后续膜层的厚度和质量加载层的厚度进行薄膜的淀积。
完成全部制作过程后，所制作出谐振器的基础频率和频率偏移符合所要求的频率。从而可以得到性能符合要求的基于薄膜体声波压电谐振器的滤波器结构。
实施例三：
本实施例以制作图10所示，薄膜压电体声波谐振器为例，来说明实施例一的薄膜谐振器的制作方法。定义其中f1为当前结构去除膜层M后的器件电学谐振频率即基础谐振频率；f2为当前结构即含有M层厚度的器件电学谐振频率即目标谐振频率。
如图11所示，本实施例薄膜压电体声波谐振器的制作过程，主要分为以下步骤：
步骤1111：监控产品的在线膜厚测量数据并与标准进行比对，发现已淀积的膜层厚度不在标准膜层厚度范围内。
由于膜厚超出标准将会导致器件的频率偏离目标值，因此在不增加额外工艺工序的情况下需要针对后续膜层进行膜厚补偿以使最终器件基础频率f1满足设计要求。例如，在本实施例中，质量加载层形成于底部电极下部。膜厚监控发现底部电极厚度为3200A，超出监控标准3000±100A。因此需要对后续膜层进行膜厚补偿；
步骤1112：当质量加载层先于发现膜厚超出标准的膜层形成时，对后续不同膜层进行厚度补偿，使得器件基础频率f1保持不变，并通过模型计算出对不同膜层进行补偿时所对应的频率偏移。
将基础频率f1和存在偏差的膜层厚度代入模型即可计算出补偿的厚度。例如在本实施例中，在f1不变，底部电极厚度为3200A的情况下，若保持顶部电极厚度不变，压电层P厚度需由之前设计的10000A调整为9600A，则由此产生的频率偏移由设计的20MHz变为19MHz；若保持压电层厚度不变，顶部电极T的厚度需由之前设计的3000A调整为2800A，则由此产生的频率偏移由设计的20MHz变为18MHz。
步骤1113：选择对频率偏移影响最小的膜层补偿。
例如，在本实施例中，通过压电层厚度补偿产生的频率偏移与设计值20MHz偏差1MHz，通过顶电极厚度补偿产生的频率偏移与设计值20MHz偏差2MHz。因此会选择通过压电层厚度补偿来进行后续的膜层制作。
步骤1114：进一步对频率偏移影响最小的膜层补偿进行评估，当评估结果满足设计或制作要求时，按照所述确定的膜层厚度补偿进行后续的薄膜淀积；当评估结果不满足设计或制作要求时，采用其他补救措施。
例如通过仿真发现选择的膜层补偿对应的频率偏移与目标频率偏移（设计值）产生1MHz的误差不会对滤波器性能产生明显的影响，可以满足设计要求，因此选择压电层减少为9600A，顶电极厚度不变的膜厚补偿进行后续的膜层制作。
本实施例的制作方法，可以在谐振器制作过程中，在质量加载层已经形成完毕的情况下发现某一层厚度超出制定的标准时，对未制作的后续膜层通过模型仿真，在保持谐振器的基础频率不变的情况下，选择对频率偏移影响最少的膜层进行厚度补偿，在可以允许的范围内把膜厚补偿对于频率偏移的影响降到最低。
上述实施例一至三主要应用了薄膜压电体声波谐振器为例来说明的本发明的制作方法，但本发明的制作方法还可以适用于其他薄膜谐振器的制作。
实施例四：
如图12所示，本实施例提供了一种薄膜谐振器的制作装置，包括：检测模块、判断模块、处理模块以及薄膜淀积模块；
所述检测模块用于检测已经淀积的各膜层的厚度；；
所述判断模块用于当检测到的膜层厚度不在标准厚度范围内时，判断质量加载层是否已经淀积；
所述处理模块用于在所述判断模块判断为否的情况下，选取未淀积的膜层进行厚度补偿，根据补偿后的膜层厚度和目标频率偏移计算出产生所述目标频率偏移所需的质量加载层的厚度；所述标准厚度范围由所述谐振器的目标频率以及工艺生产能力决定；
所述薄膜淀积模块用于按照补偿后的未淀积的膜层厚度以及重新计算出的质量加载层的厚度进行后续的薄膜淀积。
优先地，所述处理模块还用于在判断模块判断为是时，选取不同的未淀积的膜层进行厚度补偿，确定对频率偏移影响最少的膜层厚度补偿；
所述薄膜淀积模块还用于按照确定的膜层厚度补偿进行后续的薄膜淀积。
优先地，所述处理模块用于仿真对各个未淀积的膜层进行厚度补偿，计算出各个未淀积的膜层经过厚度补偿后对应的频率偏移，将各个未淀积的膜层经过补偿后对应的频率偏移与目标频率偏移进行比较，确定与目标频率偏移偏差最小的膜层厚度补偿。
如图13所示，本实施例的装置还包括：评估模块；
所述评估模块用于在确定对频率偏移影响最少的膜层厚度补偿之后，所述按照确定的膜层厚度补偿进行后续的薄膜淀积之前对确定的膜层厚度补偿进行评估，当评估结果满足预设条件时，通知所述薄膜淀积模块按照所述确定的膜层厚度补偿进行后续的薄膜淀积。
优先地，所述评估模块用于评估与目标频率偏移的最小偏差是否对滤波器的性能产生明显的影响，若否，满足预设条件，通知所述薄膜淀积模块按照所述确定的膜层厚度补偿进行后续的薄膜淀积;所述滤波器由至少两个所述谐振器组成。
本实施例的制作装置可以当制作过程中某层膜厚度超过制定的标准时，对未制作膜层进行厚度修正，在谐振器整体频率不偏离目标值的条件下，重新计算质量加载层的厚度，使得在指定的谐振器上精确地产生需要的频率偏移量，该方法不需要增加额外工艺工序，与现有技术相比，本发明的制作装置可以在提高产品良率的同时节省了制作成本。并且本实施例的制作装置还可以在谐振器制作过程中，在质量加载层已经形成完毕的情况下发现某一层厚度超出制定的标准时，对未制作的后续膜层通过模型仿真，在保持谐振器的基础频率不变的情况下，选择对频率偏移影响最少的膜层进行厚度补偿，在可以允许的范围内把膜厚补偿对于频率偏移的影响降到最低。
以上内容是结合具体的实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种薄膜谐振器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
检测已经淀积的各膜层的厚度；
当检测到的膜层厚度不在标准厚度范围内时，判断质量加载层是否已经淀积，若否，则选取未淀积的膜层进行厚度补偿，根据补偿后的膜层厚度和目标频率偏移计算出产生所述目标频率偏移所需的质量加载层的厚度；所述标准厚度范围由所述谐振器的目标频率以及工艺生产能力决定；
按照补偿后的未淀积的膜层厚度以及重新计算出的质量加载层的厚度进行后续的薄膜淀积。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：当所述质量加载层已经淀积时，在保证所述谐振器基础频率不变的情况下，选取不同的未淀积的膜层进行厚度补偿，确定对频率偏移影响最少的膜层厚度补偿，按照确定的膜层厚度补偿进行后续的薄膜淀积。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述选取不同的未淀积的膜层进行厚度补偿，确定对频率偏移影响最少的膜层厚度补偿的步骤包括：
仿真对各个未淀积的膜层进行厚度补偿；
计算出各个未淀积的膜层经过厚度补偿后对应的频率偏移；
将各个未淀积的膜层经过补偿后对应的频率偏移与目标频率偏移进行比较，确定与目标频率偏移偏差最小的膜层厚度补偿。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，在确定对频率偏移影响最少的膜层厚度补偿之后，所述按照确定的膜层厚度补偿进行后续的薄膜淀积之前还包括：
对确定的膜层厚度补偿进行评估，当评估结果满足预设条件时，按照所述确定的膜层厚度补偿进行后续的薄膜淀积。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述对确定的膜层厚度补偿进行评估，当评估结果满足制作要求时，按照所述确定的膜层厚度补偿进行后续的薄膜淀积的步骤包括：
评估与目标频率偏移的最小偏差是否对滤波器的性能产生明显的影响，若否，满足预设条件，按照所述确定的膜层厚度补偿进行后续的薄膜淀积；
所述滤波器由至少两个所述谐振器组成。
6.一种薄膜谐振器的制作装置，其特征在于，包括：检测模块、判断模块、处理模块以及薄膜淀积模块；
所述检测模块用于检测已经淀积的各膜层的厚度；
所述判断模块用于当检测到的膜层厚度不在标准厚度范围内时，判断质量加载层是否已经淀积；
所述处理模块用于在所述判断模块判断为否的情况下，选取未淀积的膜层进行厚度补偿，根据补偿后的膜层厚度和目标频率偏移计算出产生所述目标频率偏移所需的质量加载层的厚度；所述标准厚度范围由所述谐振器的目标频率以及工艺生产能力决定；
所述薄膜淀积模块用于按照补偿后的未淀积的膜层厚度以及重新计算出的质量加载层的厚度进行后续的薄膜淀积。
7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述处理模块还用于在判断模块判断为是时，在保证所述谐振器基础频率不变的情况下，选取不同的未淀积的膜层进行厚度补偿，确定对频率偏移影响最少的膜层厚度补偿；
所述薄膜淀积模块还用于按照确定的膜层厚度补偿进行后续的薄膜淀积。
8.如权利要求7所述的装置，其特征在于，所述处理模块用于仿真对各个未淀积的膜层进行厚度补偿，计算出各个未淀积的膜层经过厚度补偿后对应的频率偏移，将各个未淀积的膜层经过补偿后对应的频率偏移与目标频率偏移进行比较，确定与目标频率偏移偏差最小的膜层厚度补偿。
9.如权利要求8所述的装置，其特征在于，还包括：评估模块；
所述评估模块用于在确定对频率偏移影响最少的膜层厚度补偿之后，所述按照确定的膜层厚度补偿进行后续的薄膜淀积之前对确定的膜层厚度补偿进行评估，当评估结果满足预设条件时，通知所述薄膜淀积模块按照所述确定的膜层厚度补偿进行后续的薄膜淀积。
10.如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述评估模块用于评估与目标频率偏移的最小偏差是否对滤波器的性能产生明显的影响，若否，满足预设条件，通知所述薄膜淀积模块按照所述确定的膜层厚度补偿进行后续的薄膜淀积;所述滤波器由至少两个所述谐振器组成。
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