JP6502684B2 - フィルタ素子および通信モジュール - Google Patents
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Description
定されておらず、国ごとに、700MHz帯(Band13/Band17)、2.6GHz帯(Band7)、850MHz帯(Band5)、2.1GHz帯(Band1)などが使用されている。
とえば、携帯電話装置が、高い減衰特性が要求される周波数帯域(たとえばBand13)の信号に対応した通過帯域および減衰帯域が設定された、1つのローパスフィルタを備える構成である場合、他の周波数帯域(たとえばBand8)の信号に対する通過損失が大きくなってしまう。
対のスイッチング素子接続端子に接続される前記外部のスイッチング素子を介して前記第1キャパシタの前記一方の電極に接続される電極とは、容量結合して、前記第2キャパシタの対向する一対の電極間に介在される誘電体層上、または、前記第3キャパシタの対向する一対の電極間に介在される誘電体層上に設けられていることを特徴とするものである。
、該一対のスイッチング素子接続端子間を電気的に導通または遮断させる。これにより、さらなる特性の向上が可能となる。
について説明する。
する貫通導体64、第6誘電体層90fの上面に設けられたパターン導体81、第6誘電体層90fを貫通する貫通導体、第7誘電体層90gを貫通する貫通導体72、第8誘電体層90hの上面に設けられた容量電極43、第8誘電体層90hを貫通する貫通導体、および第9誘電体層90iを貫通する貫通導体75を介して、第9誘電体層90iの下面に設けられた第1入出力端子21に接続されている。
くすれば小さくなる。
る静電容量成分である。第6キャパシタC6の静電容量成分は、たとえば、容量電極44および接地導体電極G2の面積を広くすれば大きくなり、狭くすれば小さくなる。また、容量電極44と接地導体電極G2との距離、すなわち第8誘電体層90hの厚みを薄くすれば第6キャパシタC6の静電容量成分は、大きくなり、第8誘電体層90hの厚みを厚くすれば小さくなる。さらに、容量電極44と接地導体電極G2との間の誘電体の比誘電率、すなわち第8誘電体層90hを構成する誘電体材料の比誘電率を大きくすれば第6キャパシタC6の静電容量成分は、大きくなり、第8誘電体層90hを構成する誘電体材料の比誘電率を小さくすれば小さくなる。
2,2A フィルタ素子
3 スイッチング素子
21 第1入出力端子
22 第2入出力端子
23,24 スイッチング素子接続端子
25 第1並列共振回路
26 第2並列共振回路
31〜34,37〜40,81 パターン導体
35,36,41〜44 容量電極
51〜75 貫通導体
90a 第1誘電体層
90b 第2誘電体層
90c 第3誘電体層
90d 第4誘電体層
90e 第5誘電体層
90f 第6誘電体層
90g 第7誘電体層
90h 第8誘電体層
90i 第9誘電体層
100 容量結合補助電極
C1 第1キャパシタ
C2 第2キャパシタ
C3 第3キャパシタ
C4 第4キャパシタ
C5 第5キャパシタ
C6 第6キャパシタ
G1,G2,G3 接地導体電極
L1 第1インダクタ
L2 第2インダクタ
Claims (5)
- 少なくとも3つの誘電体層が積層されて成り、最外層の誘電体層に、第1入出力端子と、第2入出力端子と、外部のスイッチング素子に接続される一対のスイッチング素子接続端子とが設けられた誘電体基板を含み、前記外部のスイッチング素子によって前記一対のスイッチング素子接続端子間が電気的に導通または遮断されるフィルタ素子であって、
1または直列接続された複数のパターン導体から成る第1インダクタと、対向する一対の電極から成る第1キャパシタとが並列接続されて成る第1並列共振回路であって、前記第1インダクタのパターン導体は誘電体層上に設けられ、前記第1キャパシタの対向する一対の電極には1つの誘電体層が介在され、前記第1キャパシタの対向する一対の電極の一方の電極が前記第1入出力端子に接続される第1並列共振回路と、
1または直列接続された複数のパターン導体から成る第2インダクタと、対向する一対の電極から成る第2キャパシタとが並列接続されて成る第2並列共振回路であって、前記第2インダクタのパターン導体は誘電体層上に設けられ、前記第2キャパシタの対向する一対の電極には1つの誘電体層が介在され、前記第2キャパシタの対向する一対の電極の一方の電極が前記第1キャパシタの他方の電極に接続され、他方の電極が前記第2入出力端子に接続される第2並列共振回路と、
前記外部のスイッチング素子によって前記一対のスイッチング素子接続端子間が電気的に導通されたときに、前記第1インダクタおよび前記第1キャパシタに並列接続される、対向する一対の電極から成る第3キャパシタであって、前記第3キャパシタの対向する一対の電極には1つの誘電体層が介在され、前記第3キャパシタの対向する一対の電極の一方の電極が前記一対のスイッチング素子接続端子および前記一対のスイッチング素子接続端子に接続される前記外部のスイッチング素子を介して前記第1キャパシタの前記一方の電極に接続され、他方の電極が前記第1キャパシタの前記他方の電極に接続される第3キャパシタと、を含み、
前記第2キャパシタの対向する一対の電極のうちの前記第2入出力端子に接続される電極と、前記第3キャパシタの対向する一対の電極のうちの、前記一対のスイッチング素子接続端子および前記一対のスイッチング素子接続端子に接続される前記外部のスイッチング素子を介して前記第1キャパシタの前記一方の電極に接続される電極とは、容量結合して、前記第2キャパシタの対向する一対の電極間に介在される誘電体層上、または、前記第3キャパシタの対向する一対の電極間に介在される誘電体層上に設けられていることを特徴とするフィルタ素子。 - 前記第1キャパシタの静電容量は、前記第2キャパシタの静電容量よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載のフィルタ素子。
- 前記第2キャパシタの前記第2入出力端子に接続される電極と、前記第3キャパシタの、前記一対のスイッチング素子接続端子および前記一対のスイッチング素子接続端子に接続される前記外部のスイッチング素子を介して前記第1キャパシタの前記一方の電極に接続される電極とが設けられた誘電体層に隣接した誘電体層上に設けられ、前記第2キャパシタの前記第2入出力端子に接続される電極と、前記第3キャパシタの、前記一対のスイッチング素子接続端子および前記一対のスイッチング素子接続端子に接続される前記外部のスイッチング素子を介して前記第1キャパシタの前記一方の電極に接続される電極とに対向する容量結合補助電極を、さらに含むことを特徴とする請求項1または2に記載のフィルタ素子。
- 前記第1キャパシタの対向する一対の電極間に介在される誘電体層は、前記第2キャパシタの対向する一対の電極間に介在される誘電体層であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載のフィルタ素子。
- 請求項1〜4のいずれか1つに記載のフィルタ素子と、
前記フィルタ素子の前記一対のスイッチング素子接続端子に接続され、該一対のスイッチング素子接続端子間を電気的に導通または遮断させるスイッチング素子と、を含むことを特徴とする通信モジュール。
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