JP6502482B2 - Ａｍｏｌｅｄ画素ユニット、そのための駆動方法およびａｍｏｌｅｄディスプレイ装置 - Google Patents

Ａｍｏｌｅｄ画素ユニット、そのための駆動方法およびａｍｏｌｅｄディスプレイ装置 Download PDF

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Description

本発明は、フラットパネルディスプレイ装置に関し、特に、AMOLED画素ユニット、その駆動方法およびAMOLEDディスプレイ装置に関する。
近年、陰極線管（CRT）画面と比較して軽量で小さい様々な種類のフラットパネルディスプレイ装置が開発されている。異なる種類のフラットパネルディスプレイ装置の中で、アクティブマトリックス有機発光ダイオード（AMOLED）ディスプレイ装置は、自発光有機発光ダイオード（OLEDs）を利用して画像を表示し、短時間応答、より少ない駆動電力消費量、比較的良好な明るさおよび色純度特性となっている。したがって、OLEDディスプレイ装置は、次世代ディスプレイ装置の焦点となっている。大きいAMOLEDディスプレイ装置は、走査線とデータ線との間の交差点に複数の画素を含む。各画素はOLEDとOLEDを駆動する画素回路を含む。画素回路は、典型的には、スイッチトランジスタ、駆動トランジスタおよびキャパシタを含む。AMOLEDディスプレイ装置の画素の性質は、スイッチトランジスタの漏えい電流と同様に駆動トランジスタ間の差異に悪影響を受けるため、これらの画素を用いて表示された画像は質の一様性および一貫性の低さに悩まされる。
図１は、AMOLEDディスプレイ装置の従来の画素の回路図である。図１に示されるように、AMOLEDディスプレイ装置の従来の画素１０は、OLED１４とOLED１４の制御を可能にする操作制御線Snおよびデータ線Dmに接続された画素回路１２とを含む。
特に、画素回路１２は、第１電力源ELVDDおよびOLED１４のアノード間に接続されている第２トランジスタM2（即ち、駆動トランジスタ）、第２トランジスタM2のゲートおよびデータ線Dm間に接続されている第１トランジスタ（即ちスイッチトランジスタ）および第２トランジスタM2のゲートおよび第１電力源ELVDD間に接続されているキャパシタCsを含み、ここで、第１トランジスタM1のゲートは走査制御線Snに接続されている。OLED１４は画素回路１２に接続されているアノードを有し、OLED１４は第２電力源ELVSSに接続されているカソードを有する。OLED１４は画素回路１２に供給される電流に対応する明るさの光を放出する。
走査信号が走査制御線Snに供給されると、画素回路１２は、データ線Dmに供給されるデータ信号に応じてOLED１４に供給される電流の大きさを制御する。特に、第１トランジスタM1のゲートは、データ線Dmに接続されている第１トランジスタM1のソース（またはドレイン）とキャパシタCsの端子に接続されている第１トランジスタM1のドレイン（またはソース）と供に走査制御線Snに接続されている。走査制御信号が走査制御線Snから第１トランジスタM1に供給されると、第１トランジスタM1がターンオンされ、データ線Dmに供給されるデータ信号がキャパシタCsに供給される。キャパシタCsの一つの端子は、第２トランジスタM2のゲートに接続されており、もう一方の端子は、第１電力源ELVDDに接続されている。データ信号に対応する電圧は、キャパシタCsに適用される。結果的に、データ信号に対応する電圧はキャパシタCsに蓄積される。
第２トランジスタM2のゲートは、キャパシタCsの一つの端子に接続されており、第２トランジスタM2のソースは第１電力源ELVDDに接続されており、第２トランジスタM2のドレインはOLED１４のアノードに接続されている。第２トランジスタM2は、第１電力源ELVDDから、OLED１４を通り、第２電力源ELVSSに向かう電流の流れを制御する。この電流は、キャパシタCsに蓄積された電圧に対応する。
従来の画素１０は、キャパシタCsに適用される電圧に対応する電流をOLED１４に供給することによりOLED１４の明るさを制御し、それによって所定の明るさで画像を表示する。しかしながら、第１トランジスタM1の漏えい電流と同様に第２トランジスタM2の閾値電圧の差異に起因して、従来のAMOLEDディスプレイ装置にとって一様な明るさで画像を表示することは挑戦である。
例えば、異なる画素における第２トランジスタM2の閾値電圧の差異に起因して、同じゲート駆動電圧の適用は、OLEDsに流れる異なる電流となり、したがって異なる明るさレベルとなる。画素が同じデータ信号に応じて非一様な明るさの光を生成するため、一様な明るさの画像は得難い。
アクティブマトリックス有機発光ダイオード（AMOLED）画素ユニット、そのための駆動方法およびAMOLEDディスプレイ装置を提供し、従来のAMOLEDディスプレイ装置を用いることによって生じる非一様な明るさという上記の問題に対処することが本発明の目的である。
この目的は、第１走査制御線、第２走査制御線、第３走査制御線、第４走査制御線およびデータ線に接続されて用いられる、本発明に係るAMOLED画素ユニットによって達成される。前記AMOLED画素ユニットは、画素回路と前記画素回路に接続されている有機発光ダイオードとを備える。前記画素回路はキャパシタと、各々が前記キャパシタの第１端子に接続された、初期化ユニット、データ書き込みユニットおよび発光制御ユニットと、を備え、前記キャパシタは前記第１走査制御線に接続された第２端子を有し、前記初期化ユニットは前記第２走査制御線に接続されており、前記データ書き込みユニットは前記第３走査制御線および前記データ線に接続されており、前記発光制御ユニットは前記第４走査制御線に接続されている。
選択的に、前記AMOLED画素ユニットにおいて、前記初期化ユニットは、第１トランジスタおよび第７トランジスタを備え、前記第１トランジスタは前記第７トランジスタのドレイン／ソースに接続されたソース／ドレインを有し、前記第１トランジスタのゲートおよび前記第７トランジスタのゲートの双方は前記第２走査制御線に接続され、前記第７トランジスタのソース／ドレインは前記第２走査制御線に接続され、前記第７トランジスタの前記ソース／ドレインは前記キャパシタの前記第１端子に接続されていてもよい。
選択的に、前記AMOLED画素ユニットにおいて、前記第１トランジスタの前記ドレイン／ソースは前記第３走査制御線または第１電力源に接続されていてもよい。
選択的に、前記AMOLED画素ユニットにおいて、前記データ書き込みユニットは第２トランジスタ、第３トランジスタ、第４トランジスタおよび第８トランジスタを備え、前記第２トランジスタは前記第３トランジスタのドレイン／ソースに接続されたソース／ドレインを有し、前記第２トランジスタのドレイン／ソースは前記データ線に接続されており、前記第３トランジスタのゲートおよび前記第４トランジスタのソース／ドレインの双方は前記キャパシタの前記第１端子に接続されており、前記第４トランジスタの前記ドレイン／ソースは前記第８トランジスタのソース／ドレインに接続されており、前記第４トランジスタのゲートおよび前記第８トランジスタのゲートの双方は前記第３走査制御線に接続されていてもよい。
選択的に、前記AMOLED画素ユニットにおいて、前記発光制御ユニットは第５トランジスタ、前記第３トランジスタおよび第６トランジスタを備え、前記第５トランジスタは前記第３トランジスタの前記ドレイン／ソースに接続されたソース／ドレインを有し、前記第５トランジスタの前記ドレイン／ソースは前記第１電力源に接続されており、前記第５トランジスタは前記第４走査制御線に接続されたゲートを有し、前記第３トランジスタの前記ソース／ドレインは前記第６トランジスタのドレイン／ソースに接続されており、前記第６トランジスタのゲートは前記第４走査制御線に接続されていてもよい。
選択的に、前記AMOLED画素ユニットにおいて、前記有機発光ダイオードは前記第６トランジスタの前記ソース／ドレインに接続されたアノードと第２電力源に接続されたカソードとを有し、前記第１電力源は前記第２電力源の電圧よりも高い電圧を有してもよい。
選択的に、前記AMOLED画素ユニットにおいて、前記第１トランジスタ、前記第２トランジスタ、前記第３トランジスタ、前記第４トランジスタ、前記第５トランジスタ、前記第６トランジスタ、前記第７トランジスタおよび前記第８トランジスタはすべてPMOSトランジスタまたはNMOSトランジスタであってもよい。
本発明は、アクティブマトリックス有機発光ダイオード（AMOLED）画素ユニットを駆動する方法であって、走査制御信号が第１制御信号線および第２制御信号線に供給され、それによって初期化ユニットをオンにし第３トランジスタのゲートの初期化を可能にする初期化フェーズと、走査制御信号が第３走査制御線に供給され、それによってデータ書き込みユニットをオンにしキャパシタにデータ信号に対応する電圧を蓄積するデータ書き込みフェーズと、走査制御信号が第４走査制御線に供給され、それによって発光制御ユニットをオンにし有機発光ダイオードの発光を可能にする発光フェーズと、を備えるAMOLED画素ユニットを駆動する方法もまた提供する。
選択的に、前記方法において、前記初期化フェーズにおいて、前記第１走査制御線および前記第２走査制御線に供給される前記走査制御線につづいて、前記第３トランジスタの前記ゲートは第１トランジスタおよび第７トランジスタを介して初期化され、前記データ書き込みフェーズにおいて、前記第３走査制御線に供給される前記走査制御信号に続いて、前記データ信号に対応する前記電圧は第２トランジスタ、第３トランジスタ、第４トランジスタおよび第８トランジスタを介して前記キャパシタに蓄積され、前記発光フェーズにおいて、前記第４走査制御線に供給される前記走査制御信号に続いて、前記有機発光ダイオードは第５トランジスタ、前記第３トランジスタおよび第６トランジスタを介して発光させられてもよい。
本発明は、アクティブマトリックス有機発光ダイオード（AMOLED）ディスプレイ装置であって、上記で定義される複数のAMOLED画素ユニット、走査ドライバ、データドライバおよび複数のデータ線を備え、アレイ状に配列された前記複数のAMOLED画素ユニットは第１走査制御線、第２走査制御線、第３走査制御線および第４走査制御線による前記走査ドライバに接続され、前記複数のデータ線による前記データドライバに接続されているAMOLEDディスプレイ装置もまた提供される。本発明に係る、上記AMOLED画素ユニット、上記方法および上記AMOLEDディスプレイ装置において、初期化ユニットによる第３トランジスタのゲートの初期化と、データ書き込みユニットによる、キャパシタにおけるデータ信号に対応する電圧の蓄積と、発光制御ユニットによる有機発光ダイオードの発光を可能にすることと、をとおして、漏えい電流またはキャパシタにおける閾値電圧の差異のインパクトが回避され、AMOLEDディスプレイ装置の一様な明るさを可能とする。
図１は、AMOLEDディスプレイにおける従来の画素の回路図である。 図２は、本発明の実施例にしたがったAMOLED画素ユニットの回路図を示す。 図３は、本発明の別の実施例にしたがったAMOLED画素ユニットの回路図を示す。 図４は、本発明に係るAMOLED画素ユニットにおける駆動信号のタイミングチャートである。 図５は、本発明の実施形態にしたがったAMOLEDディスプレイ装置の概略的なブロック図である。
本発明に係るAMOLED画素ユニット、その駆動方法およびAMOLEDディスプレイ装置は、特定の実施例と添付された図面を参照して以下に記載される。本発明の有利な点と特徴は、以下の記載と添付された請求項からより明らかになる。なお、図面は、とても単純化された形式であり、スケールが正確には描かれず、発明の実施の形態の記述を明確にする目的のみのために示される。
図２は、本発明の実施形態にしたがったAMOLED画素ユニットの回路図を示す。図２に示されているように、AMOLED画素ユニット２０は、第１走査制御線Sn1、第２走査制御線Sn2、第３走査制御線Sn3および第４走査制御線Sn4を含む走査制御線に接続されている。AMOLED画素ユニット２０は、画素回路２２と当該画素回路２２に接続された有機発光ダイオード（OLED）２４とを含む。画素回路２２は、キャパシタCsと、各々が上記キャパシタCsの一つの端子に接続された、初期化ユニット、データ書き込みユニットおよび発光制御ユニットと、を含み、ここで、キャパシタCsのもう一方の端子は第１走査制御線Sn1に接続され、初期化ユニットは第２走査制御線Sn2に接続され、データ書き込みユニットは第３走査制御線Sn3およびデータ線Dmに接続され、発光制御ユニットは第４走査制御線Sn4に接続されている。
特に、初期化ユニットは第１トランジスタM1と第１トランジスタM1のソース／ドレインに接続されたドレイン／ソースを有する第７トランジスタとを含む（即ち、第１トランジスタM1は第７トランジスタM7と直列に接続されている）。第１トランジスタM1のゲートは、第７トランジスタM7のゲートと供に、第２走査制御線Sn2に接続されている。第７トランジスタM7のソース／ドレインは、キャパシタCsの一方の端子に接続されている。この実施形態において、第１トランジスタM1のドレイン／ソースは、第３走査制御線Sn3に接続されている。他の実施形態において、第１トランジスタM1のドレイン／ソースは、図３の例に示されるように、第１電力源ELVDDに接続されてもよい。
データ書き込みユニットは第２トランジスタM2、第３トランジスタM3、第４トランジスタM4および第８トランジスタM8を含む。第２トランジスタM2のソース／ドレインは、第３トランジスタM3のドレイン／ソースに接続され、第２トランジスタM2のドレイン／ソースはデータ線Dmに接続されている。第３トランジスタM3のゲートは、第４トランジスタM4のソース／ドレインと供に、キャパシタの一方の端子に接続されており、第４トランジスタM4のドレイン／ソースは第８トランジスタM8のソース／ドレインに接続されている（即ち、第４トランジスタM4は第８トランジスタM8に直列に接続されている）。第４トランジスタM4のゲートは、第８トランジスタM8のゲートと供に、第３走査制御線Sn3に接続されている。
発光制御ユニットは、第５トランジスタM5、第３トランジスタM3および第６トランジスタM6を含む。第５トランジスタM5のソース／ドレインは、第３トランジスタM3のドレイン／ソースに接続されおり、第５トランジスタM5のドレイン／ソースは第１電力源ELVDDに接続されている。第５トランジスタM5のゲートは第４走査制御線Sn4に接続されている。第３トランジスタM3のソース／ドレインは、第６トランジスタM6のドレイン／ソースに接続されている。第６トランジスタM6のゲートは第４走査制御線Sn4に接続されている。
画素回路２２におけるいくつかのノードにおいて起こるレベルの変化をよく説明するために、キャパシタCs、第３トランジスタM3、第４トランジスタM4および第７トランジスタM7間のアノードがN1で示され、第２トランジスタM2、第３トランジスタM3および第５トランジスタM5間のアノードがN2で示され、第３トランジスタM3、第６トランジスタM6および第８トランジスタM8間のアノードがN3で示され、キャパシタCsおよび第１走査制御線SN1間のアノードがN4で示されている。
この実施形態において、OLED２４のアノードは第６トランジスタM6のソース／ドレインに接続され、OLED２４のカソードは第２電力源ELVSSに接続され、第１電力源ELVDDの電圧は第２電力源ELVSSの電圧よりも高い。
この実施形態において、第１トランジスタM1、第２トランジスタM2、第３トランジスタM3、第４トランジスタM4、第５トランジスタM5、第６トランジスタM6、第７トランジスタM7および第８トランジスタM8は、全てPMOSトランジスタまたはNMOSトランジスタである。
以下の記述において、AMOLED画素ユニット２０の操作は、例として、第１トランジスタM1、第２トランジスタM2、第３トランジスタM3、第４トランジスタM4、第５トランジスタM5、第６トランジスタM6、第７トランジスタM7および第８トランジスタM8の全てがPMOSトランジスタとして実施されているとして説明される。
この実施形態において、AMOLED画素ユニット２０を駆動する方法は、
走査制御信号が第１制御信号線および第２制御信号線に供給され、それによって初期化ユニットをオンにし第３トランジスタのゲートの初期化を可能にする初期化フェーズと、
走査制御信号が第３走査制御線に供給され、それによってデータ書き込みユニットをオンにしキャパシタにデータ信号に対応する電圧を蓄積するデータ書き込みフェーズと、
走査制御信号が第４走査制御線に供給され、それによって発光制御ユニットをオンにし有機発光ダイオードの発光を可能にする発光フェーズと、を含む。
特に、図４および２について言及され、図４は本発明の実施形態にしたがったAMOLED画素ユニットにおける駆動信号のタイミングチャートである、この図では、駆動信号の一フレームのみが示されている。
具体的には、初期化フェーズに対応する第１期間t1は、高レベルの信号が第１走査制御線Sn1、第３走査制御線Sn3および第４走査制御線Sn4に結合され、
低レベルの信号が第２走査制御線Sn2に結合されている。続いて、第２走査制御線Sn2に結合されている信号が高レベルにジャンプし、第１走査制御線Sn1に結合されている信号が低レベルにジャンプする。このようにして、第１走査制御線Sn1に結合された信号の低レベルから高レベルへのジャンピングは、ノードN1でのレベルを引き上げ、ノードN4での高レベルを可能にする。第１トランジスタM1および第７トランジスタM7は、第２走査制御線Sn2に結合された信号の低レベルの効果の影響でオンされ、結果的に第３走査制御線Sn3に結合された高レベルの信号がノードN1に供給される。続く、第２走査制御線Sn2に結合された信号の高レベルへのジャンピングは、第１トランジスタM1および第７トランジスタM7をオフにさせ、第１走査制御線Sn1に結合された信号の高レベルから低レベルへのジャンピングは、ノードN1へのレベルを引き下げ、キャパシタの二つの端子間の電圧の差異を利用することは、この遷移過程の間変わらない。
第１期間t1の間、ノードN1のレベルは第１トランジスタM1および第７トランジスタM7の援助によって引き上げられることができ、ノードN1のレベルはキャパシタCsの結合によって引き下げられることができる。このことは、各フレームにおいて第１ノードN1の一貫したリカバリを可能とする。
その後、データ書き込みフェーズに対応する第２期間t2において、低レベルの信号が第３走査制御線S３に結合されている。第３走査制御線Sn3の低レベルの信号に応じて、第２トランジスタM2、第４トランジスタM4および第８トランジスタM8がオンされる。第８トランジスタM8および第４トランジスタM4が協同して第３トランジスタM3をオンにする（ここで、第３トランジスタM3はダイオードとして機能する）。第１ノードN1が第１期間t1において初期化されているので、第３トランジスタM3はダイオードに向かって結合（forwad connected）されている。
このようにして、第２トランジスタM2、第４トランジスタM4および第８トランジスタM8に援助されて、データ線Dmに供給されるデータ信号Vmがさらに第２ノードN2に供給される。この時点で、第３トランジスタM3がダイオードに接続されているため、データ信号Vmの電圧と第３トランジスタM3の閾値電圧との差に対応する電圧第１ノードN1に供給される。第２ノードN2に供給される電圧はそれ故キャパシタCsをチャージする。
その後、発光フェーズに対応する第３期間t3において、第４走査制御線Sn4に結合された信号は高レベルから低レベルへジャンプする。第５トランジスタM5および第６トランジスタM6は、それから第４走査制御線Sn4に結合された信号の影響下でオンされる。結果的に、駆動電流は第１電力源ELVDDから延びる経路にそって、第５トランジスタM5、第３トランジスタM3、第６トランジスタM6およびOLED２４を通過し、第２電力源ELVSSに到達し、続いてOLED２４を発光させる。
ここで、第３トランジスタM3は、第３トランジスタM3の閾値電圧に対応するキャパシタCsにおける供給電圧の蓄積に応答し、第３トランジスタM3の閾値電圧は第２期間t2の間補償される。一方で、第３期間t3の間、第１トランジスタM1は第３走査制御線Sn3による高レベル出力に結合される（図３のAMOLED画素ユニットに対し、第１トランジスタM1は第１電力源ELVDDに結合され、選択的に、第１トランジスタM1は他の高レベル信号にも結合されてよい）。第３期間t3の間、漏電を被りうるN1ノードに接合された主に二つの電流経路があり、経路の一方は第１トランジスタM1および第７トランジスタM7を通過し、もう一方は第４トランジスタM4および第８トランジスタM8を通過する。第１トランジスタM1（スイッチトランジスタとして作用する）のソースを高レベルに接続することによって、N1における漏えい電流は削減されうる。加えて、第４走査制御線SN4に高レベル走査制御信号が供給される期間中、つまり第１期間および第２期間中、第６トランジスタM6はカットオフされ、駆動電流がOLED２４に供給されるのを防ぐ。
上述したように、初期化ユニットによる、駆動トランジスタのゲート（即ち第３トランジスタのゲート）の初期化、データ書き込みユニットによる、キャパシタのデータ信号に対応する電圧の蓄積、発光制御ユニットによる、OLEDの発光を可能にすることを通して、漏えい電流またはキャパシタにおける閾値電圧の差異が回避され、画素ユニットが内包されたAMOLEDディスプレイ装置の一様な明るさを可能とする。
したがって、本発明はさらにAMOLEDディスプレイ装置を提供する。具体的には、本発明の実施形態にしたがったAMOLEDディスプレイ装置の概略的なブロック図である図５を参照すると、図５に示されるように、AMOLEdディスプレイ装置は、上で定義された複数のAMOLED画素ユニット２０、走査ドライバ３０およびデータドライバ４０を含む。複数のAMOLED画素ユニット２０は、アレイ状に配列され、全てが第１走査制御線、第２走査制御線、第３走査制御線および第４走査制御線（S01, S02, S03, S04, S11, S12, S13, S14, …, Sn1, Sn2, Sn3, Sn4）による走査ドライバ３０に接続されている。複数のAMOLED画素ユニット２０は、データ線（D1, D2, …, Dm）によるデータドライバ４０にも接続されている。
ここで、走査ドライバ３０は外部電源（例えば、タイミング制御ユニット）によって供給される走査制御信号に対応する走査制御信号を生成する。走査コントローラ３０によって生成される走査制御信号は、第１走査制御線、第２走査制御線、第３走査制御線および第４走査制御線を介して時系列でAMOLED画素ユニット２０に供給される。
データドライバ４０は外部電源（例えば、タイミング制御ユニット）によって供給されるデータ制御信号に対応するデータ信号を生成する。データドライバ４０によって生成されるデータ信号は、データ線D1−Dmを介してAMOLED画素ユニット２０への走査制御信号と同期して供給される。
AMOLED画素ユニット２０のそれぞれにおいて、初期化ユニットによる、第３トランジスタのゲートの初期化、データ書き込みユニットによる、キャパシタのデータ信号に対応する電圧の蓄積、発光制御ユニットによる、OLEDの発光を可能にすることを通して、漏えい電流またはキャパシタの閾値電圧差が回避され、AMOLEDディスプレイ装置の一様な明るさを可能にする。
上述の説明は、単に本発明の好ましい実施形態であり、本発明の範囲をいかようにも限定しない。当業者によって上述の開示に照らして行われる全ての変更および修正は、添付した請求項の範囲内である。

Claims (5)

  1. 第１走査制御線、第２走査制御線、第３走査制御線、第４走査制御線およびデータ線に接続されて用いられるアクティブマトリックス有機発光ダイオード（AMOLED）画素ユニットであって、
    前記AMOLED画素ユニットは画素回路と前記画素回路に接続された有機発光ダイオードとを備え、
    前記画素回路はキャパシタ、第１トランジスタ、第２トランジスタ、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第５トランジスタ、第６トランジスタ、第７トランジスタおよび第８トランジスタ、を備え、
    前記第１トランジスタは前記第７トランジスタのドレイン／ソースの一方に接続されたドレイン／ソースの一方を有し、前記第１トランジスタのゲートおよび前記第７トランジスタのゲートの双方は前記第２走査制御線に接続され、前記第７トランジスタのドレイン／ソースの他方は前記キャパシタの第１端子に接続され、
    前記キャパシタは前記第１走査制御線に接続された第２端子を有し、前記第２トランジスタは前記第３トランジスタのドレイン／ソースの一方に接続されたドレイン／ソースの一方を有し、
    前記第２トランジスタのドレイン／ソースの他方は前記データ線に接続されており、
    前記第３トランジスタのゲートおよび前記第４トランジスタのドレイン／ソースの一方の双方は前記キャパシタの前記第１端子に接続されており、
    前記第４トランジスタのドレイン／ソースの他方は前記第８トランジスタのドレイン／ソースの一方に接続されており、
    前記第４トランジスタのゲートおよび前記第８トランジスタのゲートの双方は前記第３走査制御線に接続され、
    前記第５トランジスタは前記第３トランジスタのドレイン／ソースの前記一方に接続されたドレイン／ソースの一方を有し、
    前記第５トランジスタのドレイン／ソースの他方は第１電力源に接続されており、
    前記第５トランジスタは前記第４走査制御線に接続されたゲートを有し、
    前記第３トランジスタのソース／ドレインの他方は前記第６トランジスタのドレイン／ソースの一方に接続されており、
    前記第６トランジスタは前記第４走査制御線に接続されたゲートを有し、
    前記第１走査制御線、前記第２走査制御線、前記第３走査制御線および前記第４走査制御線、は互いに異なり、
    前記第１トランジスタのドレイン／ソースの他方は前記第３走査制御線または前記第１電力源に接続されている、
    アクティブマトリックス有機発光ダイオード（AMOLED）画素ユニット。
  2. 請求項１に記載のAMOLED画素ユニットであって、
    前記有機発光ダイオードは前記第６トランジスタのドレイン／ソースの他方に接続されたアノードと第２電力源に接続されたカソードとを有し、
    前記第１電力源は前記第２電力源の電圧よりも高い電圧を有する、
    AMOLED画素ユニット。
  3. 請求項１に記載のAMOLED画素ユニットであって、
    前記第１トランジスタ、前記第２トランジスタ、前記第３トランジスタ、前記第４トランジスタ、前記第５トランジスタ、前記第６トランジスタ、前記第７トランジスタおよび前記第８トランジスタはすべてPMOSトランジスタまたはNMOSトランジスタである、
    AMOLED画素ユニット。
  4. アクティブマトリックス有機発光ダイオード（AMOLED）画素ユニットを駆動する方法であって、
    走査制御信号が第１走査制御線および第２走査制御線に供給され、それによって第３トランジスタのゲートの初期化を可能にする初期化フェーズと、
    走査制御信号が第３走査制御線に供給され、それによってキャパシタにデータ信号に対応する電圧を蓄積するデータ書き込みフェーズと、
    走査制御信号が第４走査制御線に供給され、それによって有機発光ダイオードの発光を可能にする発光フェーズと、を備え、
    前記初期化フェーズにおいて、前記第１走査制御線および前記第２走査制御線に供給される前記走査制御信号につづいて、前記第３トランジスタの前記ゲートは第１トランジスタおよび第７トランジスタを介して初期化され、
    前記データ書き込みフェーズにおいて、前記第３走査制御線に供給される前記走査制御信号に続いて、前記データ信号に対応する前記電圧は第２トランジスタ、第３トランジスタ、第４トランジスタおよび第８トランジスタを介して前記キャパシタに蓄積され、
    前記発光フェーズにおいて、前記第４走査制御線に供給される前記走査制御信号に続いて、前記有機発光ダイオードは第５トランジスタ、前記第３トランジスタおよび第６トランジスタを介して発光させられる、
    AMOLED画素ユニットを駆動する方法。
  5. アクティブマトリックス有機発光ダイオード（AMOLED）ディスプレイ装置であって、請求項１〜３の何れか一項において定義される複数のAMOLED画素ユニット、走査ドライバ、データドライバおよび複数のデータ線を備え、
    アレイ状に配列された前記複数のAMOLED画素ユニットは第１走査制御線、第２走査制御線、第３走査制御線および第４走査制御線による前記走査ドライバに接続され、前記複数のデータ線による前記データドライバに接続されている、
    AMOLEDディスプレイ装置。
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